JPS58212030A - 陰極線管の高電圧エ−ジング方法 - Google Patents
陰極線管の高電圧エ−ジング方法Info
- Publication number
- JPS58212030A JPS58212030A JP57093141A JP9314182A JPS58212030A JP S58212030 A JPS58212030 A JP S58212030A JP 57093141 A JP57093141 A JP 57093141A JP 9314182 A JP9314182 A JP 9314182A JP S58212030 A JPS58212030 A JP S58212030A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid
- high voltage
- electrode
- voltage
- cathode ray
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/44—Factory adjustment of completed discharge tubes or lamps to comply with desired tolerances
- H01J9/445—Aging of tubes or lamps, e.g. by "spot knocking"
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は陰極線管の高電圧エージング方法に係ＬｆｌＪ
えばユニポテンシャル形補助レンズとパイポテンシャル
形主しンズを王レンズ系とする電子銃を内装するカン−
受像管の高電圧エージング方法に関するものである。
えばユニポテンシャル形補助レンズとパイポテンシャル
形主しンズを王レンズ系とする電子銃を内装するカン−
受像管の高電圧エージング方法に関するものである。
陰極線管５％九カラー受像管においてはパネル内面に被
着形成されたドツト状や帯状の３色螢光体層により形成
された螢光面上に品位の良好なカラー画偉を再現する目
的で、これら３色螢光層に射突させる電子ビームのスポ
ット形状をより小さくすること嘉要望されている。
着形成されたドツト状や帯状の３色螢光体層により形成
された螢光面上に品位の良好なカラー画偉を再現する目
的で、これら３色螢光層に射突させる電子ビームのスポ
ット形状をより小さくすること嘉要望されている。
このため、ネック内に内装される３個の電子銃の構造と
して種々の本のが発表されている。
して種々の本のが発表されている。
その一つとして第１図に示すような電子銃構体が考えら
れている。
れている。
即ち、電子銃構体（１）は３個の電子銃が一体化、−列
配列構造を取っており、ヒータ（２）１陰極（３）。
配列構造を取っており、ヒータ（２）１陰極（３）。
第１．グリッド（４）、第２グリツド（５）、第３グリ
ツド（６）、第４グリツド（７）、第５グリツド（８）
、第６グリツ）’ （９１及びコンバーゼンス電極鱈か
らなシ、これらグリッド中第２グリッド（５）と第４グ
リツド（７）は接続され数１００Ｖの低電圧が印加され
、第３グリツド（６）と第５グリツド（８）は接続され
数１０００Ｖの中電圧が印加され、更に第６グリツド（
９）にはコンパ−センス電極頭に設けられたバルブスペ
ーサａυ、ネック（１２１からファンネルα（至）Ｋか
叶ての内面に被着形成された内部導電膜Ｉを介して陽極
端子［相］から２５０００Ｖ乃至３００００Ｖ の高電
圧が印加されるととＫよシ％第３グリッド（６）、第４
グリツド（７）及び第５グリツド（８）によりユニポテ
ンシャル形補助レンズ、第５グリツド（８）と第６グリ
ツド（９）によりパイポテンシャル形レンズを形成させ
るようになっている。
ツド（６）、第４グリツド（７）、第５グリツド（８）
、第６グリツ）’ （９１及びコンバーゼンス電極鱈か
らなシ、これらグリッド中第２グリッド（５）と第４グ
リツド（７）は接続され数１００Ｖの低電圧が印加され
、第３グリツド（６）と第５グリツド（８）は接続され
数１０００Ｖの中電圧が印加され、更に第６グリツド（
９）にはコンパ−センス電極頭に設けられたバルブスペ
ーサａυ、ネック（１２１からファンネルα（至）Ｋか
叶ての内面に被着形成された内部導電膜Ｉを介して陽極
端子［相］から２５０００Ｖ乃至３００００Ｖ の高電
圧が印加されるととＫよシ％第３グリッド（６）、第４
グリツド（７）及び第５グリツド（８）によりユニポテ
ンシャル形補助レンズ、第５グリツド（８）と第６グリ
ツド（９）によりパイポテンシャル形レンズを形成させ
るようになっている。
このような電子銃構体（１）においては、コンパ−セン
ス電極時に接続された第６グリツド（９）を除く他の電
極群にはステム卸に植設されたステムピンａｓよシ所望
の電圧が印加されるようになっておシ第２グリッド（５
）と第３グリツド（６）間の間隔（Ｌａ）Ｆｉ約１１Ｅ
１１１ｂ第３グリッド（６１と第４グリツド（７）間の
間隔（Ｌ、）は第４グリツド（７）と第５．、！ｆグリ
ッド８）間の間１ 隔（Ｌｌ）は共に約０．６ ｍとなっている。
ス電極時に接続された第６グリツド（９）を除く他の電
極群にはステム卸に植設されたステムピンａｓよシ所望
の電圧が印加されるようになっておシ第２グリッド（５
）と第３グリツド（６）間の間隔（Ｌａ）Ｆｉ約１１Ｅ
１１１ｂ第３グリッド（６１と第４グリツド（７）間の
間隔（Ｌ、）は第４グリツド（７）と第５．、！ｆグリ
ッド８）間の間１ 隔（Ｌｌ）は共に約０．６ ｍとなっている。
一方、カラー受像管などの陰極線管は実稼動時に管内放
電、特に電子銃を構成する電極間の放電が発生すると螢
光面上に再現される画像品位を悪くするばかりでなく、
回路に使用されているＩＣなどを破壊する原因となるた
め、通常製造工程中で各電極の主として対設面の微細な
凹凸や浮遊粒子を除去する目的で稼動時に印加される数
倍の電圧を印加する高電圧エージング工程が設けられて
いるう 次に第１図で説明した電子銃構体（１）を内装した陰極
線管のｊｉｉｉｉ亀圧エージング方法を第２図及び第３
図により説明するっ図中第１図と同一符号は同一部を示
し、特に説明しない。
電、特に電子銃を構成する電極間の放電が発生すると螢
光面上に再現される画像品位を悪くするばかりでなく、
回路に使用されているＩＣなどを破壊する原因となるた
め、通常製造工程中で各電極の主として対設面の微細な
凹凸や浮遊粒子を除去する目的で稼動時に印加される数
倍の電圧を印加する高電圧エージング工程が設けられて
いるう 次に第１図で説明した電子銃構体（１）を内装した陰極
線管のｊｉｉｉｉ亀圧エージング方法を第２図及び第３
図により説明するっ図中第１図と同一符号は同一部を示
し、特に説明しない。
先ず第２図は主として高電圧の印加されるグリッド（６
）とこれに対設するグリッド（５）間をエージングする
方法であシステムα９に植設されたステムピン賭をすべ
て接地し、第６グリツド（９）に陽極端子ａ＄から３０
〜８０ＫＶ１２）パルス状高電圧を印加し１％に第６グ
リツド（９）と）□、、第５グリッド（８）との高電圧
エージング方法であるが、この場合、各電極とネックα
２内壁との間隔が狭いため、パルス状高電圧の印加時、
電極間及びこの高電圧によって誘起されて電位が上昇し
たネックυ内壁と電極間にも放電が発生する。
）とこれに対設するグリッド（５）間をエージングする
方法であシステムα９に植設されたステムピン賭をすべ
て接地し、第６グリツド（９）に陽極端子ａ＄から３０
〜８０ＫＶ１２）パルス状高電圧を印加し１％に第６グ
リツド（９）と）□、、第５グリッド（８）との高電圧
エージング方法であるが、この場合、各電極とネックα
２内壁との間隔が狭いため、パルス状高電圧の印加時、
電極間及びこの高電圧によって誘起されて電位が上昇し
たネックυ内壁と電極間にも放電が発生する。
特に最近のカラーブラウン管では省電力のためネック径
は２’ ２．５ ｍ ｌと極細化され、このため電極と
ネツ゛り内壁間隔は０８〜０．９１！Ｉと、主レンズを
形成する第５グリツド（８）と第６グリツドＣ９）との
間隔約１酊よりも狭くなるような設計がなされているた
め第６グリツド（９）からネック（１２１内壁への放電
はさらに強くなシ、この放電はネックα２内壁を高温と
するため、クラックや剥離を生じる。そしてこの剥離さ
れたガラスはシャドウマスクの電子ビーム通過孔部の目
づまり等を起し、管としての品位を損なうことになるし
、更にこのネックα２への放電のため第５グリツド（８
）と第６グリツド（９）間の高電圧処理が不充分となり
低レベルの耐電圧特性しか得られない問題点があった。
は２’ ２．５ ｍ ｌと極細化され、このため電極と
ネツ゛り内壁間隔は０８〜０．９１！Ｉと、主レンズを
形成する第５グリツド（８）と第６グリツドＣ９）との
間隔約１酊よりも狭くなるような設計がなされているた
め第６グリツド（９）からネック（１２１内壁への放電
はさらに強くなシ、この放電はネックα２内壁を高温と
するため、クラックや剥離を生じる。そしてこの剥離さ
れたガラスはシャドウマスクの電子ビーム通過孔部の目
づまり等を起し、管としての品位を損なうことになるし
、更にこのネックα２への放電のため第５グリツド（８
）と第６グリツド（９）間の高電圧処理が不充分となり
低レベルの耐電圧特性しか得られない問題点があった。
また第３図は第６グリツド（９）には高電圧を印加せず
ステムα７；に植設されたステムピン吐のうち。
ステムα７；に植設されたステムピン吐のうち。
第３グリツド（６）と第５グリツド（８）に１０〜３０
ＫＶのパルス状高電圧を印加し、他の電極は接地する
こ ゛とによシ第５グリッド（８）と第４グリツド（カ
の対設面、第４グリツド（７）と第３グリツド（６）の
対設面、第３グリツド（６）と第２グリツド（５）の対
設面を主として高電圧で処理する方法であるが、この場
合も第１図で示したようにＬｒ ＝ Ｌｘ ＜ Ｌｓの
関係があるため、放或は第３グリツド（６）と第２グリ
ツド（５）間に発生しにくくな９、その結果この第３グ
リツド（６）と第２グリツドｆ５）の対設面の凹凸や浮
遊粒子を除去しにくい問題点があった。
ＫＶのパルス状高電圧を印加し、他の電極は接地する
こ ゛とによシ第５グリッド（８）と第４グリツド（カ
の対設面、第４グリツド（７）と第３グリツド（６）の
対設面、第３グリツド（６）と第２グリツド（５）の対
設面を主として高電圧で処理する方法であるが、この場
合も第１図で示したようにＬｒ ＝ Ｌｘ ＜ Ｌｓの
関係があるため、放或は第３グリツド（６）と第２グリ
ツド（５）間に発生しにくくな９、その結果この第３グ
リツド（６）と第２グリツドｆ５）の対設面の凹凸や浮
遊粒子を除去しにくい問題点があった。
本発明は前述した従来の諸問題に鑑みなされたものであ
り、複雛な構造の電子銃構体を内装する陰極線管に“お
りて４各対設する電極面を充分に処理することが可能な
陰極線管の高電圧エージング方法を提供することを目的
としている。
り、複雛な構造の電子銃構体を内装する陰極線管に“お
りて４各対設する電極面を充分に処理することが可能な
陰極線管の高電圧エージング方法を提供することを目的
としている。
即ち本発明は陰極線管のネックに内装された電子銃構体
のうち、ステムに植設さｎたステムピンを介して所定電
圧が印加される電極群をステムピンを介して接地すると
共に、これら胤懐群に近い位置に対設するネック外周、
に一端部が接地された外部附加コイルを巻きつけ、更に
電子銃構体のうち、バルブスペーサ、内部導電膜、５ｒ
介し、て陽極端子に接続されてなる電極に高周波高電圧
を印加するようになされたことを特徴とし、この高周波
高電圧の周波数を１００ Ｋ Ｈｚ〜Ｉ ＭＨ！程変に
することにより品位の良好な陰極線管を得ることが可能
々陰桓シ管の高電圧処理方法である。
のうち、ステムに植設さｎたステムピンを介して所定電
圧が印加される電極群をステムピンを介して接地すると
共に、これら胤懐群に近い位置に対設するネック外周、
に一端部が接地された外部附加コイルを巻きつけ、更に
電子銃構体のうち、バルブスペーサ、内部導電膜、５ｒ
介し、て陽極端子に接続されてなる電極に高周波高電圧
を印加するようになされたことを特徴とし、この高周波
高電圧の周波数を１００ Ｋ Ｈｚ〜Ｉ ＭＨ！程変に
することにより品位の良好な陰極線管を得ることが可能
々陰桓シ管の高電圧処理方法である。
次に本発明の陰極線管の高電圧処理方法の一実施例を第
４図により説明する。図中第１図と同一符号は同一部を
示す。
４図により説明する。図中第１図と同一符号は同一部を
示す。
即ち、電子銃構体（１１は３個の電子銃が一体化、−列
配列を取っており、ヒータ（２）、陰極（３）１第１グ
リツド（４）、第２グリツド（５）、袴３グリッド（６
）、第４グリツド（７）１第５グリツド＋８）、第６グ
リツド（９）及ヒコンバーゼンス電極０Ｉからなるこれ
らグリ１ ニ ット中ｇ２グリッド（５）と第４グリツド（力は接続さ
れて数１００Ｖの低電圧が印加され、第３グリツド（６
）と第５グリツド（８）は接続されて数１０００Ｖの中
電圧が印加され、更に嬉６グリツド（９）にはコンバー
ゼンス【「極（ＩＩに設けられたバルブスペーサ０υネ
ツク（１２から７アンネル０：９にかけての内向に被着
された内部導電膜ａ→全介して陽極端子０１から２５０
Ｏ０■乃至３００００Ｖの高電圧が印加されることに
より第３グリツド（６）、第４グリツド（７）、及び第
５クリツド（８）によリュニポテンシャル形袖助しンズ
％艙５グリッド（８）と第６グリツド（９）によりバイ
ボテンシャル形レンズを形成するようになっているのは
第１図のものと同様で凌、る。
配列を取っており、ヒータ（２）、陰極（３）１第１グ
リツド（４）、第２グリツド（５）、袴３グリッド（６
）、第４グリツド（７）１第５グリツド＋８）、第６グ
リツド（９）及ヒコンバーゼンス電極０Ｉからなるこれ
らグリ１ ニ ット中ｇ２グリッド（５）と第４グリツド（力は接続さ
れて数１００Ｖの低電圧が印加され、第３グリツド（６
）と第５グリツド（８）は接続されて数１０００Ｖの中
電圧が印加され、更に嬉６グリツド（９）にはコンバー
ゼンス【「極（ＩＩに設けられたバルブスペーサ０υネ
ツク（１２から７アンネル０：９にかけての内向に被着
された内部導電膜ａ→全介して陽極端子０１から２５０
Ｏ０■乃至３００００Ｖの高電圧が印加されることに
より第３グリツド（６）、第４グリツド（７）、及び第
５クリツド（８）によリュニポテンシャル形袖助しンズ
％艙５グリッド（８）と第６グリツド（９）によりバイ
ボテンシャル形レンズを形成するようになっているのは
第１図のものと同様で凌、る。
本実施例においては、このような電子銃構体（１）を内
装したカラー受像管を尚電圧エージングする場合第２図
と同様にステムピン（１均を介して所定厄圧が印加され
る電極群を例えばソケット円でステ ′ムピン０
８を全部接続したのち接地すると共に、これら電極群に
近す位置、即ち、ｌＪ１グリッドまでのネック（Ｉ４外
周に破線（２１）で示す外部附加コイル（２１）を巻き
つけ、更に一６グリツド（９）に高周波高電圧電源（２
２）よりの高周波高電圧を陽極端子θ５）、内部導電１
１４ ＋＋４） 、 バルブスペーサ（Ｉｌｌ、コンバ
ーゼンス電極０αを介して印加するようになされている
。
装したカラー受像管を尚電圧エージングする場合第２図
と同様にステムピン（１均を介して所定厄圧が印加され
る電極群を例えばソケット円でステ ′ムピン０
８を全部接続したのち接地すると共に、これら電極群に
近す位置、即ち、ｌＪ１グリッドまでのネック（Ｉ４外
周に破線（２１）で示す外部附加コイル（２１）を巻き
つけ、更に一６グリツド（９）に高周波高電圧電源（２
２）よりの高周波高電圧を陽極端子θ５）、内部導電１
１４ ＋＋４） 、 バルブスペーサ（Ｉｌｌ、コンバ
ーゼンス電極０αを介して印加するようになされている
。
この富周波高電圧の周波数としては１００ＫＨｚ〜ＩＭ
Ｈ２程度のものが使用される。
Ｈ２程度のものが使用される。
このような高周波高電圧を第６グリツド（９）に印加す
ると、第５グリツド（８）との間で放電するげかりでな
く、ネック（１２＋の内壁に沿って内部導電膜０４）端
からステム（１７１まで全域にわたって放電を起す。
ると、第５グリツド（８）との間で放電するげかりでな
く、ネック（１２＋の内壁に沿って内部導電膜０４）端
からステム（１７１まで全域にわたって放電を起す。
この現象は高周波になればなるほど表皮効果により各部
品の表面上を放電電流が流れる。これは第２図、第３図
に示すような商用周波数のパルス状電圧でもネックｕｚ
内壁に高電圧が浸透するが高周波になればなるほど高電
圧が浸透しやすく、ネックＱ２内壁と低電圧の印加され
る［極間及び中電圧の印加される電極間やこれら両方の
電圧の印加される電極間で放電する。
品の表面上を放電電流が流れる。これは第２図、第３図
に示すような商用周波数のパルス状電圧でもネックｕｚ
内壁に高電圧が浸透するが高周波になればなるほど高電
圧が浸透しやすく、ネックＱ２内壁と低電圧の印加され
る［極間及び中電圧の印加される電極間やこれら両方の
電圧の印加される電極間で放電する。
また外部附加コイル（２１）を設け、かつこのコイル（
２１）を接地することによシ、コイル（２１）はネック
（１２）内の中及び低電圧の印加される電極と、同５区
位になり高周波高電圧を印加すると更にネック（１２電
位もｌ＝ぼ同電位となるし、この外部附加コイル（２１
）により放電間隔が縮少され、高周波高電圧の浸透を助
ゆるため低電圧の印加される電極の処理が従来より容易
になシ、エミッター源を除去することが可能となる。即
ち、実験の結果では低電圧の印加される電極の処理時間
が従来は約２０秒程度であったが本実施例を使用するこ
とにより５秒程度に短縮された。
２１）を接地することによシ、コイル（２１）はネック
（１２）内の中及び低電圧の印加される電極と、同５区
位になり高周波高電圧を印加すると更にネック（１２電
位もｌ＝ぼ同電位となるし、この外部附加コイル（２１
）により放電間隔が縮少され、高周波高電圧の浸透を助
ゆるため低電圧の印加される電極の処理が従来より容易
になシ、エミッター源を除去することが可能となる。即
ち、実験の結果では低電圧の印加される電極の処理時間
が従来は約２０秒程度であったが本実施例を使用するこ
とにより５秒程度に短縮された。
前述した実施例はカラー受像管で特に複合主レンズ系を
有する電子銃構体を内装するものについて述べたが、こ
れに限定されるものではなく、他の電子銃構体を有する
カラー受像管中他の陰極線管にもそのまま適用できるこ
とは勿論である。
有する電子銃構体を内装するものについて述べたが、こ
れに限定されるものではなく、他の電子銃構体を有する
カラー受像管中他の陰極線管にもそのまま適用できるこ
とは勿論である。
上述のように本発明の陰極線管の高電圧エージング方法
によれば、時間がかかり、また完全にはなかなか処理で
きなかった陰極線管の高電圧エージングを嫂時間でほぼ
完全に行なうことが可能であるのでその工業的価値は極
めて大である。
によれば、時間がかかり、また完全にはなかなか処理で
きなかった陰極線管の高電圧エージングを嫂時間でほぼ
完全に行なうことが可能であるのでその工業的価値は極
めて大である。
第１図は陰極線管の一例としてのカラー受像管の要部断
面図、第２図及び第３図は従来の陰極線管の高電圧エー
ジング方法を示す図であ）、第２図は高電圧の印加され
る電極とこれに対設する電極間の高電圧ニージン方法の
説明図、第３図１として低電圧の印加される電極の高電
圧エージング方法の説明図、第４図は本発明の陰極線管
の高電圧エージング方法〇一実施例を示す説明図″ｔ″
ある。 １・・・電子銃構体 ２・・・ヒータ３・・・陰極
４・・・第１グリツド５・・・第２グリツ
ド ６五第３グリツド７・・・第４グリツド ８・
・・第５グリツド９・・・番６グリツド １０・・・
コンバーゼンス電極１１・・・バルブスペーサ １２・
・・ネック１３・・・ファンネル １４・・・内部
導電膜１５・・・陽極端子 １７・・・ステム１
８・・・ステムビン ２１・・・外部附加フィル２
２・・・高周波高電圧電源 、′□、） 代理人 弁理士 井 上 −男 第１図 第３図 第 ２ 図 第 ４ 図
面図、第２図及び第３図は従来の陰極線管の高電圧エー
ジング方法を示す図であ）、第２図は高電圧の印加され
る電極とこれに対設する電極間の高電圧ニージン方法の
説明図、第３図１として低電圧の印加される電極の高電
圧エージング方法の説明図、第４図は本発明の陰極線管
の高電圧エージング方法〇一実施例を示す説明図″ｔ″
ある。 １・・・電子銃構体 ２・・・ヒータ３・・・陰極
４・・・第１グリツド５・・・第２グリツ
ド ６五第３グリツド７・・・第４グリツド ８・
・・第５グリツド９・・・番６グリツド １０・・・
コンバーゼンス電極１１・・・バルブスペーサ １２・
・・ネック１３・・・ファンネル １４・・・内部
導電膜１５・・・陽極端子 １７・・・ステム１
８・・・ステムビン ２１・・・外部附加フィル２
２・・・高周波高電圧電源 、′□、） 代理人 弁理士 井 上 −男 第１図 第３図 第 ２ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- 陰極線管のネックに内装された電子銃ｉｌＩ体のうち、
ステムに植設されたステムピンを介して所定電圧が印加
される電極群を前記ステムピンを介して接地すると共に
、これら電極群に近い位＠ｔＣ対設する前記ネック外周
に一端部が接地された外部附加コイルを巻きつけ、更に
前記電子銃構体のうちバルブスペーサ、内部導電膜を介
して陽極端子に接続されてなる電極に高周波高１圧を印
加するようになされた仁とをｃｆｆ徴とする陰極ν尿管
の高電圧エージング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093141A JPS58212030A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 陰極線管の高電圧エ−ジング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093141A JPS58212030A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 陰極線管の高電圧エ−ジング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58212030A true JPS58212030A (ja) | 1983-12-09 |
Family
ID=14074241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57093141A Pending JPS58212030A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 陰極線管の高電圧エ−ジング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58212030A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474363A (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-14 | Sony Corp | Knocking method for cathode-ray tube |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP57093141A patent/JPS58212030A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474363A (en) * | 1977-11-25 | 1979-06-14 | Sony Corp | Knocking method for cathode-ray tube |
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