JPS58218118A - 露光パタ−ンの検査方法 - Google Patents
露光パタ−ンの検査方法Info
- Publication number
- JPS58218118A JPS58218118A JP57100947A JP10094782A JPS58218118A JP S58218118 A JPS58218118 A JP S58218118A JP 57100947 A JP57100947 A JP 57100947A JP 10094782 A JP10094782 A JP 10094782A JP S58218118 A JPS58218118 A JP S58218118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- compensation
- electron beam
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光による露光パターンの検査方法
に関し、特に近接効果の補正結果の事前評価方法に関す
る。
に関し、特に近接効果の補正結果の事前評価方法に関す
る。
（ｂ）従来技術と問題点
電子ビーム露光により高精度のパターンを形成するには
、所謂近接効果を補正することが不可欠である。
、所謂近接効果を補正することが不可欠である。
周知の如く近接効果は、被露光物上に塗布されたレジス
ト膜中での電子ビーム散乱（前方散乱）及び被露光物で
ある基板からの電子ビーム散乱（後方散乱）によって、
描画後のレジストパターンが電子ビーム照射パターンよ
り大きく広がるという現象である。このためパターン間
の間隔が凡そ２〔μｍ〕以下になると結果的にパターン
形状の著しい歪が生じ、パターン精度が低下する。
ト膜中での電子ビーム散乱（前方散乱）及び被露光物で
ある基板からの電子ビーム散乱（後方散乱）によって、
描画後のレジストパターンが電子ビーム照射パターンよ
り大きく広がるという現象である。このためパターン間
の間隔が凡そ２〔μｍ〕以下になると結果的にパターン
形状の著しい歪が生じ、パターン精度が低下する。
そこで露光パターン毎に、電子ビーム散乱強度分布とパ
ターン形状及び隣接パターンからの影響を考慮して、最
適な照射量を予め各パターン毎に設定したり、或いは描
画パターンを変形しておくという方法により近接効果を
補正している。
ターン形状及び隣接パターンからの影響を考慮して、最
適な照射量を予め各パターン毎に設定したり、或いは描
画パターンを変形しておくという方法により近接効果を
補正している。
一方露光バクーンの微細化、複雑化につれて、近接効果
の補正が確実になされているが、目標のパターン精度が
得られているかを検証する必要がますます増大している
。
の補正が確実になされているが、目標のパターン精度が
得られているかを検証する必要がますます増大している
。
しかしながら、パターン数が１０５〜１０６個のオーダ
ーの大規模且つパターン形状の複雑な集積回路装置（Ｉ
Ｃ）のパターンを、人手により検証することは不可能で
ある。
ーの大規模且つパターン形状の複雑な集積回路装置（Ｉ
Ｃ）のパターンを、人手により検証することは不可能で
ある。
（ｃ）発明の目的
本発明の目的はかかる事情に鑑みて、近接効果が適切に
補正され目標のパターン精度が得られているか否かを事
前に比較的簡単に検証し得る電子ビーム露光パターンの
検査方法を提供することにある。
補正され目標のパターン精度が得られているか否かを事
前に比較的簡単に検証し得る電子ビーム露光パターンの
検査方法を提供することにある。
（ｄ）発明の構成
本発明の特徴は、所定の設計パターンデータに基づいて
近接効果を補正した露光データを決定し、該露光データ
に基いて電子ビーム露光を行なった場合の現像エネルギ
強度分布を描画領域全域にわたって算出し、該現像エネ
ルギ強度分布から所定の現像エネルギ強度を有する領域
を求めることにより前記露光データに基いて電子ビーム
露光を行なった場合に得られる露光パターンを算出し、
該露光パターンを示す露光パターンデータと前記設計パ
ターンデータとの排他的論理和を算出し、その演算結果
より露光パターンの設計パターンからの差異を知り、前
記電子ビームの露光データを評価することにある。
近接効果を補正した露光データを決定し、該露光データ
に基いて電子ビーム露光を行なった場合の現像エネルギ
強度分布を描画領域全域にわたって算出し、該現像エネ
ルギ強度分布から所定の現像エネルギ強度を有する領域
を求めることにより前記露光データに基いて電子ビーム
露光を行なった場合に得られる露光パターンを算出し、
該露光パターンを示す露光パターンデータと前記設計パ
ターンデータとの排他的論理和を算出し、その演算結果
より露光パターンの設計パターンからの差異を知り、前
記電子ビームの露光データを評価することにある。
（ｅ）発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明する
。
。
第１図は上記一実施例に用いた電子ビーム露光装置の制
御システムの要部を示すブロック図で、１は中央処理装
置（ＣＰＵ）、２は設計パターンデータを格納する主記
憶装置（メモリ）、３は近接効果を補正するための露光
データを生成する補正演算回路、４は上記露光データに
基づいて露光を行なった場合に得られるシミュレーショ
ン・パターンデータを格納するための第１のバッファメ
モリ（バッファＩ）、５は上記シミュレーション・パタ
ーンデータと前述の設計パターンデータとの排他的論理
和（ＥＯＲ）を算出する論理演算回路、６は上記論理演
算回路５の出力を格納するための第２のバッファメモリ
（バッファ■）、７は表示装置である。
御システムの要部を示すブロック図で、１は中央処理装
置（ＣＰＵ）、２は設計パターンデータを格納する主記
憶装置（メモリ）、３は近接効果を補正するための露光
データを生成する補正演算回路、４は上記露光データに
基づいて露光を行なった場合に得られるシミュレーショ
ン・パターンデータを格納するための第１のバッファメ
モリ（バッファＩ）、５は上記シミュレーション・パタ
ーンデータと前述の設計パターンデータとの排他的論理
和（ＥＯＲ）を算出する論理演算回路、６は上記論理演
算回路５の出力を格納するための第２のバッファメモリ
（バッファ■）、７は表示装置である。
第２図〜第６図は本発明の原理を示す図で、以下第１図
を参照しながら本実施例を説明する。
を参照しながら本実施例を説明する。
第２図において、実線は設計パターンを示し、この設計
パターン・データは予めメモリ２に格納しておく。破線
のパターンは上記設計パターンを得るために近接効果を
補正し、実際に電子ビームを照射する領域（以下これを
照射パターンと略記する）を示す。
パターン・データは予めメモリ２に格納しておく。破線
のパターンは上記設計パターンを得るために近接効果を
補正し、実際に電子ビームを照射する領域（以下これを
照射パターンと略記する）を示す。
本実施例の露光パターン検査を行うには、まずＣＰＵ１
の指令によりメモリ２から上記設計パターンデータを読
み出し、補正演算回路３において予め定められた補正方
法に基づいて補正演算を行い、補正量を算出する。例え
ば各パターンＫ〜Ｍのそれぞれについて、各辺上にサン
プル点を設定し、他のパターンからの影響を算出する。
の指令によりメモリ２から上記設計パターンデータを読
み出し、補正演算回路３において予め定められた補正方
法に基づいて補正演算を行い、補正量を算出する。例え
ば各パターンＫ〜Ｍのそれぞれについて、各辺上にサン
プル点を設定し、他のパターンからの影響を算出する。
サンプル点としては、例えば各辺の２等分点を選ぶ。こ
のときパターンＬのように形状の複雑なパターンは、単
純な矩形パターンに分割して補正を行う。
のときパターンＬのように形状の複雑なパターンは、単
純な矩形パターンに分割して補正を行う。
即ちパターンＬの場合は、パターンＬ１及びパターンＬ
２とに分割し、それぞれについて上述の如く各辺上にサ
ンプル点を設定する。
２とに分割し、それぞれについて上述の如く各辺上にサ
ンプル点を設定する。
電子ビーム散乱強度分布ｆ（ｒ）は周知の如く、外部か
ら照射するビームの中心からの距離ｒの関数として、 で表される。（１）式において、第１項目は前方散乱を
、第２項目は後方散乱を示す。上式中、Ａ〜Ｃはそれぞ
れレジストの感度や厚さ、あるいは基板材料等の条件に
よって定まる定数であり、予め与えられている。
ら照射するビームの中心からの距離ｒの関数として、 で表される。（１）式において、第１項目は前方散乱を
、第２項目は後方散乱を示す。上式中、Ａ〜Ｃはそれぞ
れレジストの感度や厚さ、あるいは基板材料等の条件に
よって定まる定数であり、予め与えられている。
この（１）式によって他のパターンからの影響分を算出
し、各サンプル点での露光強度が一定になるように、連
立方程式を解く等により寸法及び照射量に対する補正量
を求める。
し、各サンプル点での露光強度が一定になるように、連
立方程式を解く等により寸法及び照射量に対する補正量
を求める。
第２図の実線で示す設計パターンを上記補正量を用いて
補正することにより、破線で示す照射パターンが得られ
る。
補正することにより、破線で示す照射パターンが得られ
る。
各パターンの現像エネルギ強度Ｅは、電子ビームの照射
量をＱ〔Ｃ／ｃｍ２〕とすると、Ｑと（１）式を描画パ
ターン全域にわたって積分したものとの積で求められる
。即ち、 ここでｓは描画パターンの面積である。
量をＱ〔Ｃ／ｃｍ２〕とすると、Ｑと（１）式を描画パ
ターン全域にわたって積分したものとの積で求められる
。即ち、 ここでｓは描画パターンの面積である。
そこで上記照射パターンに従って露光を行なった場合に
得られるパターン（以下これを露光パターンの略記する
）を、補正演算回路３において、（２）式に従ってある
等エネルギ強度Ｅ０になるパターン形状を算出する。こ
のようにして求めた露光パターンを、第３図に一点鎖線
で示す。
得られるパターン（以下これを露光パターンの略記する
）を、補正演算回路３において、（２）式に従ってある
等エネルギ強度Ｅ０になるパターン形状を算出する。こ
のようにして求めた露光パターンを、第３図に一点鎖線
で示す。
ここまでは前述した如く、パターンＬのように複雑なパ
ターンは単純な矩形パターンＬ１、Ｌ２に分割して取り
扱ってきた。そこで露光パターンの論理和（ＯＲ）を求
めることにより上記分割したパターンを合成する。かく
することにより、近接効果を補正して電子ビームを照射
した場合に得られる露光パターンを求めることが出来る
。第４図はこのようにしてシミュレートした露光パター
ンを示す。
ターンは単純な矩形パターンＬ１、Ｌ２に分割して取り
扱ってきた。そこで露光パターンの論理和（ＯＲ）を求
めることにより上記分割したパターンを合成する。かく
することにより、近接効果を補正して電子ビームを照射
した場合に得られる露光パターンを求めることが出来る
。第４図はこのようにしてシミュレートした露光パター
ンを示す。
この露光パターンのパターンデータは、第１のバッファ
メモリ４に格納される。
メモリ４に格納される。
以上の操作を終了した後、ＣＰＵ１からの指令により、
論理演算回路５は上記露光パターンデータを第１のバッ
ファメモリ４から読み出し、主記憶装置２から読み出し
た設計パターンデータとの排他的論理和（ＥＯＲ）を求
める。
論理演算回路５は上記露光パターンデータを第１のバッ
ファメモリ４から読み出し、主記憶装置２から読み出し
た設計パターンデータとの排他的論理和（ＥＯＲ）を求
める。
上述の本実施例の近接効果の補正は、各辺について一個
のサンプル点を選び、このサンプル点を各辺の代表点と
して補正量を決定したも平均的な補正方法である。従っ
て各パターンの全域にわたって適切に補正されていると
は限らない。例えば第４図においてパターンＬの左側の
辺は、上部はパターンＫが近接して存在するが、下部は
平行するパターンが存在しない。従って上部は近接効果
の影響が大きいため 平均的な補正では上部は下部より
パターンが太くなる等、得られた露光パターンは一般に
設計パターンとは異なる。
のサンプル点を選び、このサンプル点を各辺の代表点と
して補正量を決定したも平均的な補正方法である。従っ
て各パターンの全域にわたって適切に補正されていると
は限らない。例えば第４図においてパターンＬの左側の
辺は、上部はパターンＫが近接して存在するが、下部は
平行するパターンが存在しない。従って上部は近接効果
の影響が大きいため 平均的な補正では上部は下部より
パターンが太くなる等、得られた露光パターンは一般に
設計パターンとは異なる。
そこで上述の如く両者の排他的論理和を求めることによ
り、第５図の実線で示す設計パターンと一点鎖線で示す
露光パターンとが一致しない部分が摘出される。第６図
のパターンＮはこのようにして検出された設計パターン
とシミュレートされた露光パターンとの誤差を示す。
り、第５図の実線で示す設計パターンと一点鎖線で示す
露光パターンとが一致しない部分が摘出される。第６図
のパターンＮはこのようにして検出された設計パターン
とシミュレートされた露光パターンとの誤差を示す。
上記パターンＮのデータは第２のバッファメモリ６に格
納される。
納される。
上述のようにして得られてパターンＮは表示装置７に表
示される。この表示装置７には必要に応じて設計パター
ン、照射パターン、露光パターン等を表示させることも
勿論可能である。
示される。この表示装置７には必要に応じて設計パター
ン、照射パターン、露光パターン等を表示させることも
勿論可能である。
上記パターンＮ或いは露光パターンの寸法や位置等を検
査することにより、近接効果の補正が適切か否か、即ち
目標の精度を有するパターンが得られるか否かを、電子
ビーム露光を実施する前に検証することが出来る。
査することにより、近接効果の補正が適切か否か、即ち
目標の精度を有するパターンが得られるか否かを、電子
ビーム露光を実施する前に検証することが出来る。
このように本実施例によれば比較的容易に近接効果の補
正結果を検証出来る。従ってもし精度が不十分な場合に
は、上述のシミュレーションを繰り返すことにより、高
精度を有するパターンを描画し得る電子ビーム露光条件
を求めることが出来る。
正結果を検証出来る。従ってもし精度が不十分な場合に
は、上述のシミュレーションを繰り返すことにより、高
精度を有するパターンを描画し得る電子ビーム露光条件
を求めることが出来る。
なお上記一実施例において、近接効果の補正を各辺毎に
それぞれ１個のサンプル点について行なったが、これは
各パターン全域にわたって補正を行うと、所要時間が厖
大なものとなり、実用的でないためである。しかし、補
正方法は上述の方法に限定されるものではなく、通常用
いられる如何なる補正方法によってもよい。
それぞれ１個のサンプル点について行なったが、これは
各パターン全域にわたって補正を行うと、所要時間が厖
大なものとなり、実用的でないためである。しかし、補
正方法は上述の方法に限定されるものではなく、通常用
いられる如何なる補正方法によってもよい。
（ｆ）発明の効果
以上説明した如く本発明によれば、近接効果の補正結果
を容易に検証することが出来、従って電子ビーム露光に
よるパターン精度が向上する。
を容易に検証することが出来、従って電子ビーム露光に
よるパターン精度が向上する。
第１図は本発明の一実施例に使用した電子ビーム露光装
置の制御システムの要部を示すブロック図、第２図〜第
６図は上記一実施例を示す要部上面図である。 図において、１は中央処理装置（ＣＰＵ）、２は主記憶
装置、３は補正演算回路、４は第１のバッファメモリ、
５は排他的論理和（ＥＯＲ）演算を行う論理演算回路、
６は第２のバッファメモリ、７は表示装置、Ｋ、Ｌ、Ｌ
１、Ｌ２、Ｍはそれぞれパターンを示す。 代理人 弁理士 松岡宏四郎 第１内 第２図 １ 第３問
置の制御システムの要部を示すブロック図、第２図〜第
６図は上記一実施例を示す要部上面図である。 図において、１は中央処理装置（ＣＰＵ）、２は主記憶
装置、３は補正演算回路、４は第１のバッファメモリ、
５は排他的論理和（ＥＯＲ）演算を行う論理演算回路、
６は第２のバッファメモリ、７は表示装置、Ｋ、Ｌ、Ｌ
１、Ｌ２、Ｍはそれぞれパターンを示す。 代理人 弁理士 松岡宏四郎 第１内 第２図 １ 第３問
Claims (1)
- 所定の設計パターンデータに基づいて近接効果を補正し
た露光データを決定し、該露光データに基いて電子ビー
ム露光を行なった場合の現像エネルギ強度分布を描画領
域全域にわたって算出し、該現像エネルギ強度分布から
所定の現像エネルギ強度を有する領域を求めることによ
り前記露光データに基いて電子ビーム露光を行なった場
合に得られる露光パターンを算出し、該露光パターンを
示す露光パターンデータと前記設計パターンデータとの
排他的論理和を算出し、その演算結果より露光パターン
の設計パターンからの差異を知り、前記電子ビームの露
光データを評価することを特徴とする露光パターンの検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100947A JPS58218118A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 露光パタ−ンの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100947A JPS58218118A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 露光パタ−ンの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58218118A true JPS58218118A (ja) | 1983-12-19 |
Family
ID=14287542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100947A Pending JPS58218118A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 露光パタ−ンの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58218118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62123301A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-04 | Fujitsu Ltd | 半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置 |
| JPS62273719A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置におけるデ−タ検証方法 |
| KR20160037839A (ko) * | 2013-04-29 | 2016-04-06 | 아셀타 나노그라픽 | 복잡한 형상들에 적용가능한 지오메트리 및 방사된 에너지의 조합된 최적화를 가진 리소그래피의 방법 |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP57100947A patent/JPS58218118A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62123301A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-04 | Fujitsu Ltd | 半導体露光パタンデータ検査方法及び検査装置 |
| JPS62273719A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置におけるデ−タ検証方法 |
| KR20160037839A (ko) * | 2013-04-29 | 2016-04-06 | 아셀타 나노그라픽 | 복잡한 형상들에 적용가능한 지오메트리 및 방사된 에너지의 조합된 최적화를 가진 리소그래피의 방법 |
| JP2016519437A (ja) * | 2013-04-29 | 2016-06-30 | アセルタ ナノグラフィクス | 複雑な成形に適用可能な放射エネルギーおよび形状の複合的な最適化によるリソグラフィ方法 |
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