JPS5821823B2 - ブロ−プソウチ - Google Patents
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- JPS5821823B2 JPS5821823B2 JP50124465A JP12446575A JPS5821823B2 JP S5821823 B2 JPS5821823 B2 JP S5821823B2 JP 50124465 A JP50124465 A JP 50124465A JP 12446575 A JP12446575 A JP 12446575A JP S5821823 B2 JPS5821823 B2 JP S5821823B2
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 3
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプローブ装置に係るものである。
半導体基板の処理に於て、基板は1500乃至1600
℃という高い温度に加熱され得る。
℃という高い温度に加熱され得る。
例えば、多層セラミック基板を処理する場合には、この
比較的高い温度はセラミック基板に例えば15乃至20
係の如き相当量の縮みを生せしめる。
比較的高い温度はセラミック基板に例えば15乃至20
係の如き相当量の縮みを生せしめる。
異なる処理は個々の基板に異なる縮みを生じて、チップ
位置が所望の電気的接続を有しているか否かを確認した
いときに基板をその設計寸法から変化させてしまう。
位置が所望の電気的接続を有しているか否かを確認した
いときに基板をその設計寸法から変化させてしまう。
この様に基板の全体的寸法に変化が生じる結果、隣接す
るチップ位置相互間の距離にも同様な変化が生じる。
るチップ位置相互間の距離にも同様な変化が生じる。
従って、多数のプローブ・ヘッドがチップ位置相互間の
設計距離に対応する成る選択された距離・を相互間に有
している様に支持体上に装着されている場合に、基板の
処理の変化によりチップ位置相互間の設計距離から変化
が生じれば、各プローブ・ヘッドに於けるプローブは各
チップ位置上のパッドに接触することが出来なくなり得
る。
設計距離に対応する成る選択された距離・を相互間に有
している様に支持体上に装着されている場合に、基板の
処理の変化によりチップ位置相互間の設計距離から変化
が生じれば、各プローブ・ヘッドに於けるプローブは各
チップ位置上のパッドに接触することが出来なくなり得
る。
基板1の寸法及びチップ位置相互間の間隔に於てこの様
な変化が生じるために、これ迄に於て、プローブがパッ
ドに係合し得る様に基板の膨張又は収縮を補償するため
充分に大きな領域を有するパッドを形成することが提案
されている。
な変化が生じるために、これ迄に於て、プローブがパッ
ドに係合し得る様に基板の膨張又は収縮を補償するため
充分に大きな領域を有するパッドを形成することが提案
されている。
; しかしながら、各パッドの領域をプローブにより係
合されるために要する領域以上に大きくした場合には、
チップ位置の領域が大きくなり、そのために一定寸法の
基板上に於けるチップ位置の数が減少し又は基板の領域
が他の目的に用いられる1可能性が減少する結果となっ
た。
合されるために要する領域以上に大きくした場合には、
チップ位置の領域が大きくなり、そのために一定寸法の
基板上に於けるチップ位置の数が減少し又は基板の領域
が他の目的に用いられる1可能性が減少する結果となっ
た。
又、パッドの領域が大きくなることにより、パッドが相
互に近接するために電気的短絡を生じる可能性が増す。
互に近接するために電気的短絡を生じる可能性が増す。
本発明は、プローブ・ヘッド相互間の間隔が処理後の基
板の全体的寸法に於ける設計寸法からのン変化に従って
プローブがパッドに係合する前に調節されるプローブ装
置を提供することによって上記の問題を効果的に解決す
る。
板の全体的寸法に於ける設計寸法からのン変化に従って
プローブがパッドに係合する前に調節されるプローブ装
置を提供することによって上記の問題を効果的に解決す
る。
これは、各パッドの領域を拡大することを必要とせずに
各プローブ・ヘッドのプローブがチップ位置上のパッド
に接触iし得ることを可能にする。
各プローブ・ヘッドのプローブがチップ位置上のパッド
に接触iし得ることを可能にする。
本発明は既知の膨張率を有する材料から成りそして良好
な熱伝導率を有している支持素子上にプローブ・ヘッド
を装着することによって上記の問題を解決する。
な熱伝導率を有している支持素子上にプローブ・ヘッド
を装着することによって上記の問題を解決する。
上記支持素子は、プローブ・ヘッド相互間の間隔がその
温度に於てチップ位置相互間の設計間隔に等しくなる様
に、室温よりも高い成る選択された又は所定の温度に維
持される。
温度に於てチップ位置相互間の設計間隔に等しくなる様
に、室温よりも高い成る選択された又は所定の温度に維
持される。
テスト前に行われる処理が完了したときに、基板の少な
くとも1つの全体的寸法が得られる。
くとも1つの全体的寸法が得られる。
処理中に基板の全体的寸法が設計による縮み率よりも多
く又は少なく収縮したかを決定するため、上記の全体的
寸法が設計寸法と比較される。
く又は少なく収縮したかを決定するため、上記の全体的
寸法が設計寸法と比較される。
全体的寸法に於て生じるその設計寸法からの変化は隣接
するチップ位置相互間の間隔に於て生じるそれらの設計
間隔からの変化と同一の百分率で生じるので、基板の全
体的な長さ又は幅の寸法に於て生じたその設計寸法から
の変化が確認される。
するチップ位置相互間の間隔に於て生じるそれらの設計
間隔からの変化と同一の百分率で生じるので、基板の全
体的な長さ又は幅の寸法に於て生じたその設計寸法から
の変化が確認される。
それから、基板の全体的な長さ又は幅の寸法に於ける変
化を補償するため、プローブ・ヘッドが支持素子上に装
着されている方向に支持素子を膨張又は収縮させるため
に、支持素子の温度が上記の変化に従って変化される。
化を補償するため、プローブ・ヘッドが支持素子上に装
着されている方向に支持素子を膨張又は収縮させるため
に、支持素子の温度が上記の変化に従って変化される。
従って、基板が処理中に極めて少ししか縮まなかった場
合には、プローブ・ヘッド相互間の間隔がチップ位置相
互間の間隔の増した量と同量だけ増す様に支持基板の温
度が上げられる。
合には、プローブ・ヘッド相互間の間隔がチップ位置相
互間の間隔の増した量と同量だけ増す様に支持基板の温
度が上げられる。
同様に、基板が処理中に余りに多く縮んだ場合には、プ
ロ。
ロ。
−ブ・ヘッド相互間の距離が減少して基板上のチップ位
置と整合する様に支持素子の長さを減少させるため支持
素子の温度が低下される。
置と整合する様に支持素子の長さを減少させるため支持
素子の温度が低下される。
従って、本発明の目的は、プローブ装置上のプローブ・
ヘッド相互間の間隔を変化させるための配置を提供する
ことである。
ヘッド相互間の間隔を変化させるための配置を提供する
ことである。
本発明の他の目的は、プローブ装置上のプローブ・ヘッ
ドと協働するチップ位置相互間の間隔に於ける変化に従
ってプローブ・ヘッド相互間の距離が変化され得るプロ
ーブ装置を提供することである。
ドと協働するチップ位置相互間の間隔に於ける変化に従
ってプローブ・ヘッド相互間の距離が変化され得るプロ
ーブ装置を提供することである。
次に、図面を参照して、本発明について詳細に説明する
。
。
第1図に於て、表面上に複数個のチップ位置11を配置
されておりそして例えばセラミックとして酸化アルミニ
ウムを用いた多層セラミック基板であり得る基板10が
示されている。
されておりそして例えばセラミックとして酸化アルミニ
ウムを用いた多層セラミック基板であり得る基板10が
示されている。
各チップ位置11は表面上に複数個のパッド12を有し
ている。
ている。
チップ位置11は相互間に同一距離を置いて配置されて
いることが好ましいが、これは本発明が好ましい動作を
行うために必須とされる条件ではない。
いることが好ましいが、これは本発明が好ましい動作を
行うために必須とされる条件ではない。
2列のチップ位置11のみが図に示されているが、基板
10は任意の列数のチップ位置11を有し得ることを理
解されたい。
10は任意の列数のチップ位置11を有し得ることを理
解されたい。
複数個のプローブ・ホルダ14(第2,4及び5図参照
)が長手方向の支持バー15(第2及び3図)上に支持
されている。
)が長手方向の支持バー15(第2及び3図)上に支持
されている。
バー15はその表面17中に形成された複数個のV形の
溝16を有している。
溝16を有している。
各■形溝16は一対の傾斜した壁18及び19並びに表
面17と略平行な底壁20を含んでいる。
面17と略平行な底壁20を含んでいる。
第4図及び第5図に示されている如く、プローブ・ホル
ダ14は部分21が溝16内に嵌合するようバー15中
の■形溝16と同一形状のV形部分21を有する様に形
成されている。
ダ14は部分21が溝16内に嵌合するようバー15中
の■形溝16と同一形状のV形部分21を有する様に形
成されている。
プローブ・ホルダ14は又、■形部分21から延長され
ている矩形部分22を含んでいる。
ている矩形部分22を含んでいる。
矩形部分22は第2図に示されている様にバー15の表
面又は壁17から突出している。
面又は壁17から突出している。
バー15は、■形溝16の底壁20からバー15の本体
を貫通して壁17及び20に対して略平行である壁又は
表面24迄延びている開孔23(第3図参照)有してい
る。
を貫通して壁17及び20に対して略平行である壁又は
表面24迄延びている開孔23(第3図参照)有してい
る。
ねじ25は壁20及び24に略垂直な開孔23を通りそ
してプローブ・ホルダ14のV形部分21に於けるねじ
切りされた開孔26(第5図参照)中に伸びている。
してプローブ・ホルダ14のV形部分21に於けるねじ
切りされた開孔26(第5図参照)中に伸びている。
従って、各プローブ・ホルダ14は、各対の隣接してい
るプローブ・ホルダ相互間の距離がバー15の室温より
も高い成る特定の温度に於ける所定の距離に配置される
様に、バー15の一定の位置に装着されている。
るプローブ・ホルダ相互間の距離がバー15の室温より
も高い成る特定の温度に於ける所定の距離に配置される
様に、バー15の一定の位置に装着されている。
バー15は良好な熱伝導率及び既知の膨張率を有してい
る適当な材料から形成されている。
る適当な材料から形成されている。
その材料は例えば青銅又は黄銅であり得る。
バー15を室温よりも高いことが好ましい成る選択され
た温度に加熱するためにバー15中に加熱素子27(第
2図参照)が配置されている。
た温度に加熱するためにバー15中に加熱素子27(第
2図参照)が配置されている。
チップ位置11の設計間隔のためバー15が加熱素子2
Tにって加熱される温度は、好ましくはバー15が室温
よりも高い成る温度迄冷却され得る様に、しかしながら
必要であれば基板10の最大の縮みを補償するためにバ
ー15が充分に収縮され得る室温以下の温度迄冷却され
得る様に、選択される。
Tにって加熱される温度は、好ましくはバー15が室温
よりも高い成る温度迄冷却され得る様に、しかしながら
必要であれば基板10の最大の縮みを補償するためにバ
ー15が充分に収縮され得る室温以下の温度迄冷却され
得る様に、選択される。
バー15が膨張されるべき場合には、加熱素子27の温
度が上昇される。
度が上昇される。
処理中に基板10が設計の場合よりも大きい縮みを生じ
たためにバー15が収縮されるべき場合には、バー15
内の冷却管28中に適当な冷却用流体が供給される。
たためにバー15が収縮されるべき場合には、バー15
内の冷却管28中に適当な冷却用流体が供給される。
冷却用流体は凍結又は沸騰を生じることなく所望の冷却
範囲を生じ得ることが必要である。
範囲を生じ得ることが必要である。
冷却用流体の1つの適当な例は、英国ISC社よりPP
9 (商品名)として販売されている弗化炭素であり、
これは160℃から一70℃迄の範囲を有している。
9 (商品名)として販売されている弗化炭素であり、
これは160℃から一70℃迄の範囲を有している。
従って、バー15が加熱される選択された温度として4
0℃を用いることが出来、冷却用流体を凍結又は沸騰さ
せることなくその上下に100℃の範囲を有している。
0℃を用いることが出来、冷却用流体を凍結又は沸騰さ
せることなくその上下に100℃の範囲を有している。
温度範囲が1000C以下である場合には、100°C
に於て沸騰しそして冷媒として用いられたとき0℃に於
て凍結する水が用いられ得る。
に於て沸騰しそして冷媒として用いられたとき0℃に於
て凍結する水が用いられ得る。
加熱素子27は調整器30を経て電源29に接続されて
いる。
いる。
調整器30の適当な1つの例としては、米国BTU
Engineering社により 。
Engineering社により 。
”Ac cu t r o l ”の商品名の下にMo
del 128Dとして販売されているものが挙げら
れる。
del 128Dとして販売されているものが挙げら
れる。
調整器30はリード線31を経てバー15内に装着され
ている熱電対32に接続されている。
ている熱電対32に接続されている。
調整器30は、プローブ・ホルダ14が相互間に設。
計距離を置いて配置される選択された温度迄加熱素子2
7が加熱される様に設定される。
7が加熱される様に設定される。
熱電対32は、バー15が選択された温度に達したとき
調整器30が加熱素子27への電流の流れを停止させる
様にしそしてバー15の温度が選択された。
調整器30が加熱素子27への電流の流れを停止させる
様にしそしてバー15の温度が選択された。
温度よりも低くなったときには加熱素子27への電流の
流れを生せしめる様にする。
流れを生せしめる様にする。
各プローブ・ホルダ14は、■形部分21と反対側の矩
形部分22の表面34中に装着されている複数個のプロ
ーブ33(第2及び4図参照)を有している。
形部分22の表面34中に装着されている複数個のプロ
ーブ33(第2及び4図参照)を有している。
プローブ33は、特定のプローブ・ホルダ14のプロー
ブ33が協働すべきチップ位置11上のパッド12の配
置に従って各プローブ。
ブ33が協働すべきチップ位置11上のパッド12の配
置に従って各プローブ。
ホルダ14上に配置されている。
プローブ33の適当な1つの例が米国特許第38068
01号明細書に示されているが、任意の他の適当なプロ
ーブも用いられ得る。
01号明細書に示されているが、任意の他の適当なプロ
ーブも用いられ得る。
基板10の処理が完了してチップ位置11のテストが行
われるとき、基板10の全体的長さに於けるその設計長
さからの変化が得られる。
われるとき、基板10の全体的長さに於けるその設計長
さからの変化が得られる。
基板10の設計縮みからの変化はチップ位置11相互間
に於て略均−であるので、チップ位置11の方向に於け
る基板10の全体的寸法の変化の百分率は隣接するチッ
プ位置11相互間の距離の変化の百分率と略同−である
。
に於て略均−であるので、チップ位置11の方向に於け
る基板10の全体的寸法の変化の百分率は隣接するチッ
プ位置11相互間の距離の変化の百分率と略同−である
。
この変化が確認された後、バー15の温度が調節される
。
。
基板10の全体的寸法がその設計寸法よりも小さい場合
には、プローブ・ホルダ14が相互に近づく様にバー1
5を収縮させるため冷却管28中に冷却用流体を供給す
ることによりバー15の温度が低下される。
には、プローブ・ホルダ14が相互に近づく様にバー1
5を収縮させるため冷却管28中に冷却用流体を供給す
ることによりバー15の温度が低下される。
又、バー15がプローブ・ホルダ14相互間の間隔がテ
ストされるべき基板10上のチップ位置11相互間の間
隔と同一である様にバー15の長さを維持する温度であ
る新しく選択された温度になる様に、加熱素子27によ
りバー15に供給される熱を変化させるよう、調整器3
0が調節される。
ストされるべき基板10上のチップ位置11相互間の間
隔と同一である様にバー15の長さを維持する温度であ
る新しく選択された温度になる様に、加熱素子27によ
りバー15に供給される熱を変化させるよう、調整器3
0が調節される。
同様に、基板10の全体的長さが設計長さよりも大きい
場合には、隣接するプローブ・ホルダ14相互間の距離
に必要な膨張を達成するため加熱素子27からバー15
に更に熱が供給され得る様に調節されている調整器30
によりバー15の温度が上昇される。
場合には、隣接するプローブ・ホルダ14相互間の距離
に必要な膨張を達成するため加熱素子27からバー15
に更に熱が供給され得る様に調節されている調整器30
によりバー15の温度が上昇される。
基板10の縮みに於ける変化が例えば±0.3%であり
そして一列の両端に於けるチップ位置11相互間の中心
間隔が例えば5crfL(2000ミル)である場合に
は、全体的長さに於ける設計長さからの変化の最大は略
0.15mm(±6ミル)である。
そして一列の両端に於けるチップ位置11相互間の中心
間隔が例えば5crfL(2000ミル)である場合に
は、全体的長さに於ける設計長さからの変化の最大は略
0.15mm(±6ミル)である。
バー15が30X10−6/’Cの膨張率を有する青銅
から形成されている場合には、1000Cの温度変化は
相互間に5CIrLの間隔を有しているバー15の両端
のプローブ・ホルダ14の中心間隔に0.15mmの変
化を生じる。
から形成されている場合には、1000Cの温度変化は
相互間に5CIrLの間隔を有しているバー15の両端
のプローブ・ホルダ14の中心間隔に0.15mmの変
化を生じる。
従って、基板10の長さが処理後にその設計長さよりも
0.3%大きい場合には、プローブ・ホルダ14相互間
の設計間隔のために設定されている温度よりも100℃
高くバーを加熱することによりプローブ・ホルダ14相
互間の距離に必要な膨張が達成される。
0.3%大きい場合には、プローブ・ホルダ14相互間
の設計間隔のために設定されている温度よりも100℃
高くバーを加熱することによりプローブ・ホルダ14相
互間の距離に必要な膨張が達成される。
同様に、基板10の長さが処理後にその設計長さよりも
0.3%小さい場合には、バー15の温度を100℃低
下させることによりプローブ・ホルダ14相互間の距離
はそれらがチップ位置11と整合された状態に維持され
る様に所望の量だけ収縮される。
0.3%小さい場合には、バー15の温度を100℃低
下させることによりプローブ・ホルダ14相互間の距離
はそれらがチップ位置11と整合された状態に維持され
る様に所望の量だけ収縮される。
調整器30はバー15がその最低温度に於ける室温より
も低い温度を含む必要な温度の上昇及び下降を生じ得る
様にバー15の温度を設定する。
も低い温度を含む必要な温度の上昇及び下降を生じ得る
様にバー15の温度を設定する。
以上に於て、バー15は青銅又は黄銅から成るものとし
て述べられたが、適当な熱伝導率及び温度の僅かな変化
が長さに於て相当な変化を生じ得る膨張率を有する任意
の他の適当な材料も用いられ得ることを理解されたい。
て述べられたが、適当な熱伝導率及び温度の僅かな変化
が長さに於て相当な変化を生じ得る膨張率を有する任意
の他の適当な材料も用いられ得ることを理解されたい。
従って 25 xi O−’/°Cの膨張率を有するア
ルミニウム又は35X10−6/℃の膨張率を有する亜
鉛も用いられ得る。
ルミニウム又は35X10−6/℃の膨張率を有する亜
鉛も用いられ得る。
より高い膨張率の場合には、バー15の長さに所望の変
化を生せしめるために、より少量の熱しか必要としない
ことを理解されたい。
化を生せしめるために、より少量の熱しか必要としない
ことを理解されたい。
以上に於て、プローブ・ホルダ14のための支持体とし
てバー15が示されているが、所望であれば、例えばす
べての列のチップ位置11のためのプローブ・ホルダ1
4が表面上に支持されているプレートも使用され得るこ
とを理解されたい。
てバー15が示されているが、所望であれば、例えばす
べての列のチップ位置11のためのプローブ・ホルダ1
4が表面上に支持されているプレートも使用され得るこ
とを理解されたい。
プレートに熱が加えられると、プレートはその長さ及び
幅の両方に沿って実質的に均一に膨張して、各列のチッ
プ位置11に対するプローブ・ホルダ14の所望の関係
が達成される。
幅の両方に沿って実質的に均一に膨張して、各列のチッ
プ位置11に対するプローブ・ホルダ14の所望の関係
が達成される。
以上に於て、バー15の膨張及び収縮は熱を用いること
によって達成される様に述べられたが、プローブ・ホル
ダ14相互間の距離に於ける変化を制御するための任意
の他の適当な手段も用いられ得ることを理解されたい。
によって達成される様に述べられたが、プローブ・ホル
ダ14相互間の距離に於ける変化を制御するための任意
の他の適当な手段も用いられ得ることを理解されたい。
例えば、プローブ・ホルダ14は相互間に例えばゴムの
如き弾性材のバンドを有する様に装着されてもよく、そ
の場合は弾性パッドにより相互に接続されているプロー
ブ・ホルダ14相互間の間隔を増加又は減少させるため
に締め金が用いられ得る。
如き弾性材のバンドを有する様に装着されてもよく、そ
の場合は弾性パッドにより相互に接続されているプロー
ブ・ホルダ14相互間の間隔を増加又は減少させるため
に締め金が用いられ得る。
バー15は磁性材であるニッケルから形成されそしてバ
ー15の長さに於ける変化を決定する磁界の強さととも
にその長さを変化させるため磁界を加えられてもよい。
ー15の長さに於ける変化を決定する磁界の強さととも
にその長さを変化させるため磁界を加えられてもよい。
バー15が電圧の変化に応答してその長さを変える例え
ばチタン酸バリウムの如き適当な材料から形成されてい
れば、バー15上のプレートを介してブ*−ZSの両端
に電圧を加えることによりバー15の長さを変えること
も可能である。
ばチタン酸バリウムの如き適当な材料から形成されてい
れば、バー15上のプレートを介してブ*−ZSの両端
に電圧を加えることによりバー15の長さを変えること
も可能である。
以上に於て、プローブ・ホルダ14は基板10のチップ
位置11上のパッド12とともに用いられる様に述べら
れたが、プローブ・ホルダ14はその設計寸法に於て変
化を生じる装置をテストしたい場合に於て用いられ得る
ことを理解されたい。
位置11上のパッド12とともに用いられる様に述べら
れたが、プローブ・ホルダ14はその設計寸法に於て変
化を生じる装置をテストしたい場合に於て用いられ得る
ことを理解されたい。
従って、プローブ・ホルダ14は処理中にその設計寸法
に於て変化を生じ得る装置の種々の領域に於ける端子に
接触され得る。
に於て変化を生じ得る装置の種々の領域に於ける端子に
接触され得る。
以上に於て、バー15は冷却管28中を流れる冷却用流
体によって冷却される様に示されたが、任意の適当な冷
却手段が用いられ得ることを理解ンされたい。
体によって冷却される様に示されたが、任意の適当な冷
却手段が用いられ得ることを理解ンされたい。
従って、バー15を冷却するためにバー15上に又はバ
ー15中の開孔を通して空気を流してもよい。
ー15中の開孔を通して空気を流してもよい。
バー15は又、冷却管28を用いた場合よりも比較的長
期間を要するが室温を用いて冷却されてもよい。
期間を要するが室温を用いて冷却されてもよい。
1 本発明の1つの利点は、プローブ・ヘッド支持体上
の複数個のプローブ・ヘッド相互間の間隔が処理後に基
板のチップ位置相互間の間隔に従って調節され得ること
である。
の複数個のプローブ・ヘッド相互間の間隔が処理後に基
板のチップ位置相互間の間隔に従って調節され得ること
である。
本発明のもう1つの利点は、本発明によってチップ位置
上のパッドの領ン域を拡大する必要がなくなりそして個
々の基板に於て処理が異なることにより設計寸法から変
化が生じた場合でもテストが可能なことである。
上のパッドの領ン域を拡大する必要がなくなりそして個
々の基板に於て処理が異なることにより設計寸法から変
化が生じた場合でもテストが可能なことである。
第1図は表面上に複数個のチップ位置を有するi基板を
部分的に示している概略的平面図であり、第2図はプロ
ーブ・ヘッド相互間の所望の間隔に従ってその長さが制
御されているバー上に装着されているプローブ・ヘッド
を示している概略的立面図であり、第3図はプローブ・
ヘッドが装着さ2れるバーの一部を示している部分的斜
視図であり、そして第4図及び第5図は本発明によるプ
ローブ・ホルダの1つを示している斜視図である。 10・・・・・・基板、11・・・・・・チップ位置、
12・・・・・・パッド、14・・・・・・プローブ・
ホルダ、15・・・・・・支;持バー、16・・・・・
・■形溝、17.24.34・・・・・・表面、18.
19・・・・・・傾斜した壁、20・・・・・・底壁、
21・・・・・・V形部分、22・・・・・・矩形部分
、23・・・・・・開孔、25・・・・・・ねじ、26
・・・・・・ねじ切りされた開孔、27・・・・・・加
熱素子、28・・・・・・冷ノ却管、29・・・・・・
電源、30・・・・・・調整器、31・・・・・・リー
ド線、32・・・・・・熱電対、33・・・・・・プロ
ーブ。
部分的に示している概略的平面図であり、第2図はプロ
ーブ・ヘッド相互間の所望の間隔に従ってその長さが制
御されているバー上に装着されているプローブ・ヘッド
を示している概略的立面図であり、第3図はプローブ・
ヘッドが装着さ2れるバーの一部を示している部分的斜
視図であり、そして第4図及び第5図は本発明によるプ
ローブ・ホルダの1つを示している斜視図である。 10・・・・・・基板、11・・・・・・チップ位置、
12・・・・・・パッド、14・・・・・・プローブ・
ホルダ、15・・・・・・支;持バー、16・・・・・
・■形溝、17.24.34・・・・・・表面、18.
19・・・・・・傾斜した壁、20・・・・・・底壁、
21・・・・・・V形部分、22・・・・・・矩形部分
、23・・・・・・開孔、25・・・・・・ねじ、26
・・・・・・ねじ切りされた開孔、27・・・・・・加
熱素子、28・・・・・・冷ノ却管、29・・・・・・
電源、30・・・・・・調整器、31・・・・・・リー
ド線、32・・・・・・熱電対、33・・・・・・プロ
ーブ。
Claims (1)
- 1 プローブと協働すべき装置の成る領域に於ける端子
の配置に従って配置されている複数個のプローブを各々
有し、そして上記装置の領域相互間の設計間隔に従って
各々相互間に成る選択された距離を置いて配置されてい
る複数個のプローブ・ヘッドを装置されている既知の膨
張率を有する材料から成る支持手段と、上記装置の領域
相互間の設計間隔に関して生じた上記装置の領域相互間
の間隔の変化に従って上記プローブ・ヘッド相互間に於
ける上記の選択された距離を変化させるため上記支持手
段の長さ又は幅の寸法の少なくとも一方を変化させるた
めの手段とを含むプローブ装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/532,079 US3963985A (en) | 1974-12-12 | 1974-12-12 | Probe device having probe heads and method of adjusting distances between probe heads |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5171782A JPS5171782A (ja) | 1976-06-21 |
| JPS5821823B2 true JPS5821823B2 (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=24120296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50124465A Expired JPS5821823B2 (ja) | 1974-12-12 | 1975-10-17 | ブロ−プソウチ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3963985A (ja) |
| JP (1) | JPS5821823B2 (ja) |
| DE (1) | DE2544735A1 (ja) |
| FR (1) | FR2294448A1 (ja) |
| GB (1) | GB1526438A (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4063172A (en) * | 1976-06-01 | 1977-12-13 | International Business Machines Corporation | Multiple site, differential displacement, surface contacting assembly |
| FR2476847A1 (fr) * | 1980-02-26 | 1981-08-28 | Ged Philippe | Releve-pointe a bilame et testeur sous pointes en faisant application |
| JPS57169244A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Canon Inc | Temperature controller for mask and wafer |
| US4554506A (en) * | 1981-06-30 | 1985-11-19 | International Business Machines Corporation | Modular test probe |
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| DE4101920A1 (de) * | 1991-01-23 | 1992-07-30 | Ehlermann Eckhard | Pruefvorrichtung fuer integrierte schaltkreise |
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| US5898186A (en) | 1996-09-13 | 1999-04-27 | Micron Technology, Inc. | Reduced terminal testing system |
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| FR2780792B1 (fr) * | 1998-07-03 | 2000-09-22 | St Microelectronics Sa | Appareillage de test de puces electroniques |
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| US6972578B2 (en) * | 2001-11-02 | 2005-12-06 | Formfactor, Inc. | Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards |
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| WO2007033669A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Chempaq A/S | Detection and subsequent removal of an aperture blockage |
| US7495458B2 (en) * | 2006-05-17 | 2009-02-24 | Texas Instruments Incorporated | Probe card and temperature stabilizer for testing semiconductor devices |
| KR100790817B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조관리 시스템 |
| US7629805B2 (en) * | 2008-03-19 | 2009-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Method and system to dynamically compensate for probe tip misalignement when testing integrated circuits |
| WO2018063304A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Kim Dae Woo | Self aligned sort probe card for si bridge wafer |
| DE112020000048T5 (de) | 2019-12-18 | 2022-06-02 | Advantest Corporation | Automatisierte prüfeinrichtung zum prüfen eines oder mehrerer prüfobjekte undverfahren zum betreiben einer automatisierten prüfeinrichtung |
| KR102501995B1 (ko) * | 2019-12-18 | 2023-02-20 | 주식회사 아도반테스토 | 하나 이상의 피시험 장치를 테스트하기 위한 자동식 테스트 장비 및 자동식 테스트 장비의 작동 방법 |
| DE112021007357T5 (de) * | 2021-03-23 | 2024-03-21 | Kioxia Corporation | Kassettengehäuse, sondenvorrichtung, server-rack und lagersystem technisches gebiet |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3781681A (en) * | 1971-12-17 | 1973-12-25 | Ibm | Test probe apparatus |
-
1974
- 1974-12-12 US US05/532,079 patent/US3963985A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-10-07 DE DE19752544735 patent/DE2544735A1/de not_active Withdrawn
- 1975-10-13 FR FR7532216A patent/FR2294448A1/fr active Granted
- 1975-10-14 GB GB41960/75A patent/GB1526438A/en not_active Expired
- 1975-10-17 JP JP50124465A patent/JPS5821823B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3963985A (en) | 1976-06-15 |
| FR2294448A1 (fr) | 1976-07-09 |
| DE2544735A1 (de) | 1976-06-16 |
| GB1526438A (en) | 1978-09-27 |
| JPS5171782A (ja) | 1976-06-21 |
| FR2294448B1 (ja) | 1978-04-07 |
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