JPS5821882A - トンネル形ジヨセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents
トンネル形ジヨセフソン接合素子の製造方法Info
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- JPS5821882A JPS5821882A JP56121578A JP12157881A JPS5821882A JP S5821882 A JPS5821882 A JP S5821882A JP 56121578 A JP56121578 A JP 56121578A JP 12157881 A JP12157881 A JP 12157881A JP S5821882 A JPS5821882 A JP S5821882A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトンネル形ジロセフソン接合素子の製造方法に
おいて安定したトンネルバリア層を形成する方法に関す
るものである。
おいて安定したトンネルバリア層を形成する方法に関す
るものである。
−１−リ＾１
トンネル形ジョセフソン接合素子は基本的に基板（Ｓｔ
やサファイア等）上に下地電極（超伝導体）があシ、そ
の上に電気的に絶縁性のトンネルバリア層、更にその上
に上部電極（超伝導体）のある構造をしている。このト
ンネルバリア層は２０〜５０Ｘと非常に薄い絶縁膜であ
り、素子特性を大きく左右する。例えば、トンネル・バ
リア層の膜厚の変動でトンネルバリア層を流れる・ゾヨ
センソン電流は２桁大きく変動する。
やサファイア等）上に下地電極（超伝導体）があシ、そ
の上に電気的に絶縁性のトンネルバリア層、更にその上
に上部電極（超伝導体）のある構造をしている。このト
ンネルバリア層は２０〜５０Ｘと非常に薄い絶縁膜であ
り、素子特性を大きく左右する。例えば、トンネル・バ
リア層の膜厚の変動でトンネルバリア層を流れる・ゾヨ
センソン電流は２桁大きく変動する。
また、トンネル・バリアの物質や品質が素子性能に大き
く影響する。このため、良質のバリア層を制御性よく形
成する方法を開発することは素子の信頼性、歩留シの向
上の点からも重要であシ、トンネルバリア層の形成は素
子作製工程形成（ｐｂあるいはｐｂ金合金Ｎｂ、ＮｂＮ
、Ａ１５型化合物）■パターン形成■トンネルバリア層
形成■上部電極形成の四つの形成過程に大別できる。
く影響する。このため、良質のバリア層を制御性よく形
成する方法を開発することは素子の信頼性、歩留シの向
上の点からも重要であシ、トンネルバリア層の形成は素
子作製工程形成（ｐｂあるいはｐｂ金合金Ｎｂ、ＮｂＮ
、Ａ１５型化合物）■パターン形成■トンネルバリア層
形成■上部電極形成の四つの形成過程に大別できる。
■のトンネルバリア層の形成には二種類の形成２−
法がある。一つはノ９ターン形成後の下地電極を直接酸
化（ノラズマ酸化、自然酸化）して所定のバリア層を形
成する方法であり、他は下地電極上に下地電極とは異な
ったｋＡやＳｔ等を蒸着、あるいはＣＶＤ等により数１
０Ｘの厚さに形成し、とれを酸化してトンネルバリア層
とする方法である。前者はトンネルバリア層の厚さを制
御１しやすいが、下地電極の種類によって定まったバリ
ア物質しか得られないことになる。一方、後者は下地電
極とは異種のＡｔやｓｉ等を下地電極上に形成し、酸化
することにより誘電率の小さなＡｔ２０３やＳ １０２
バリアを形成する方法であるが、ＡｔやＳｌの極薄膜の
膜厚制御が難しい。このように、バリア層の形成法の双
方に一長一短がある。
化（ノラズマ酸化、自然酸化）して所定のバリア層を形
成する方法であり、他は下地電極上に下地電極とは異な
ったｋＡやＳｔ等を蒸着、あるいはＣＶＤ等により数１
０Ｘの厚さに形成し、とれを酸化してトンネルバリア層
とする方法である。前者はトンネルバリア層の厚さを制
御１しやすいが、下地電極の種類によって定まったバリ
ア物質しか得られないことになる。一方、後者は下地電
極とは異種のＡｔやｓｉ等を下地電極上に形成し、酸化
することにより誘電率の小さなＡｔ２０３やＳ １０２
バリアを形成する方法であるが、ＡｔやＳｌの極薄膜の
膜厚制御が難しい。このように、バリア層の形成法の双
方に一長一短がある。
バリア層の制御性に重点を置いた場合は下地電極を酊接
酸化して、バリア層・を形成するがＮｂやＮｂ化合物に
おいてはバリア物質の品質が問題となる。問題点として
は次のものである。１つはＮｂを酸化した場合、主とし
て生成されるのはＮｂ２Ｏ５であるが、その他金属性の
Ｎｂ−０化合物が形成されやすく、バリア物質として品
質が悪い。
酸化して、バリア層・を形成するがＮｂやＮｂ化合物に
おいてはバリア物質の品質が問題となる。問題点として
は次のものである。１つはＮｂを酸化した場合、主とし
て生成されるのはＮｂ２Ｏ５であるが、その他金属性の
Ｎｂ−０化合物が形成されやすく、バリア物質として品
質が悪い。
たとえＮｂ２Ｏ５で完全なバリアを形成したとしても、
誘電率が大きく（ε＝３０〜６０）、素子が実状されて
も高速スイッチングができない欠点を提つ。２番目の問
題点け、島Ｔｃ （約１５に以上）を示すＮｂ化化合物
超伝導模膜酸化した場合、Ｎｂが非電に酸化されやすく
酸化物バリアはほとんどＮｂ系酸化物であり、このバリ
アは１番目の問題点を含み、Ｎｂ化合物を酸化しても必
ずしも良好なバリア層は形成できないことになる。との
場合、Ｎｂよりも酸化性の強い元素を含むＴｅ化合物を
下地電極に用いればよいが、そのような高Ｔｃ化合物は
存在せず、Ｎｂに近い酸化性をもつ元素としてはＡｔが
存在するのみである。Ｎｂ ３Ａｔは１５ Ｋ以上の高
臨界温度を示す優れた材料であるが、Ｎｂの方がＡｔよ
シもわずかに酸化物生成エネルギーが小さくバリア層中
にはＮｂ２Ｏ５、Ｎｂ−０が含有され高品質バリアが実
現され得ない欠点を有していた。
誘電率が大きく（ε＝３０〜６０）、素子が実状されて
も高速スイッチングができない欠点を提つ。２番目の問
題点け、島Ｔｃ （約１５に以上）を示すＮｂ化化合物
超伝導模膜酸化した場合、Ｎｂが非電に酸化されやすく
酸化物バリアはほとんどＮｂ系酸化物であり、このバリ
アは１番目の問題点を含み、Ｎｂ化合物を酸化しても必
ずしも良好なバリア層は形成できないことになる。との
場合、Ｎｂよりも酸化性の強い元素を含むＴｅ化合物を
下地電極に用いればよいが、そのような高Ｔｃ化合物は
存在せず、Ｎｂに近い酸化性をもつ元素としてはＡｔが
存在するのみである。Ｎｂ ３Ａｔは１５ Ｋ以上の高
臨界温度を示す優れた材料であるが、Ｎｂの方がＡｔよ
シもわずかに酸化物生成エネルギーが小さくバリア層中
にはＮｂ２Ｏ５、Ｎｂ−０が含有され高品質バリアが実
現され得ない欠点を有していた。
Ｎｂ−Ａｔ化合物薄膜の直接酸化ではＮｂ系酸化物バリ
アが形成されるが、本発明ではこれら質の悪い酸化物バ
リアを避けるためトンネル／９９７層形成前にＣ２Ｆ６
．Ｃ３Ｆ８又はＣ４Ｆ、。に０２を含んだガス、あるい
はＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ、。のいずれか
２つ以上の複合ガスに０２を含んだガスを使用し、０．
５〜０．００５ Ｔｏｒｒのガス圧でスパッタすること
により表面層数１０Ｘにわた。９Ａｔｒｉｃｈ層を形成
し、その後直接酸化により低誘電率でかつ品質の良好な
Ａｔ２０５バリア層を形成させ得る特徴を有し、その目
的は信頼性の高い高速スイッチング可能なトンネル形ジ
ロセフソン接合素子を提供することにある。
アが形成されるが、本発明ではこれら質の悪い酸化物バ
リアを避けるためトンネル／９９７層形成前にＣ２Ｆ６
．Ｃ３Ｆ８又はＣ４Ｆ、。に０２を含んだガス、あるい
はＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ、。のいずれか
２つ以上の複合ガスに０２を含んだガスを使用し、０．
５〜０．００５ Ｔｏｒｒのガス圧でスパッタすること
により表面層数１０Ｘにわた。９Ａｔｒｉｃｈ層を形成
し、その後直接酸化により低誘電率でかつ品質の良好な
Ａｔ２０５バリア層を形成させ得る特徴を有し、その目
的は信頼性の高い高速スイッチング可能なトンネル形ジ
ロセフソン接合素子を提供することにある。
トンネルバリア層の形成工程においては前の製造工程で
あるパターニング工程時にＮｂ−Ａｔ下地電極の表面が
レジスト、酸あるいは酸化皮膜によって汚染されている
ため、 Ａｒガス中でスフ４ツタ・クリーニングした後
、酸化される。このバリア層形成前のスノヤツタ・クリ
ーニングはｐｂやＮｂ系素子において従来よυ行われて
いる。との方法をＮｂ−Ａｔ薄膜に適用した場合、必ず
しも優れたバリアが生成できるとは限らない。ＮｂとＡ
ｔをＡｒガス中でスパッタした場合のス、！ツタ収量を
表１に示す。
あるパターニング工程時にＮｂ−Ａｔ下地電極の表面が
レジスト、酸あるいは酸化皮膜によって汚染されている
ため、 Ａｒガス中でスフ４ツタ・クリーニングした後
、酸化される。このバリア層形成前のスノヤツタ・クリ
ーニングはｐｂやＮｂ系素子において従来よυ行われて
いる。との方法をＮｂ−Ａｔ薄膜に適用した場合、必ず
しも優れたバリアが生成できるとは限らない。ＮｂとＡ
ｔをＡｒガス中でスパッタした場合のス、！ツタ収量を
表１に示す。
表Ｉ Ａｒイオンによるｋｔ 、 Ｎｂのスノ臂ツタ収
蓋（ａｔｏｍｓ／１ｏｎ） との表から明らかなように、ＮｂよりもＡｔＯ方がスパ
ッタされやすく、ス・ぐツタ後の表面は薄膜形成時の組
成よりもＮｂ−ｒｉｃｈとなる。このため、Ａｒガスに
よるス・９ツタ・クリーニング後酸化すると多量のＮｂ
酸化物を含む品質の悪いバリア層が形成されることにな
る。スパッタクリーニングは汚染除去の観点から効果を
有するものの、良質トンネルバリア層形成の目的に対し
悪影響を及ばず。そこで、Ｎｂ−Ａｔ薄膜において高品
質Ａｔ２０３バリアを形成するためには酸化前にＡＡ−
ｒｉｃｈな表面層を実現することが必要となる。このＡ
ｔ−ｒｉｃｈ表面層を実現するためには表１どけ逆にＷ
ｂ Ｋ対してはスパッタ速度が大きくＡｔに対してはス
パッタ速度の小さなガスによシスノ卆ツタすればよいこ
とになる。Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８゜Ｃ４Ｆ、。及びＣＦ４
に酸紫を混合したガスの酸素分圧比によるＮｂとＡＪａ
の６５０Ｗ、全ガス圧０１２’ｆｏｒｒにおけるスパッ
タ速度（Ｘ／−ｍ）をそれぞれ下記表２ （ａ） （ｂ
） （ｅ） （ｄ）に示す。
蓋（ａｔｏｍｓ／１ｏｎ） との表から明らかなように、ＮｂよりもＡｔＯ方がスパ
ッタされやすく、ス・ぐツタ後の表面は薄膜形成時の組
成よりもＮｂ−ｒｉｃｈとなる。このため、Ａｒガスに
よるス・９ツタ・クリーニング後酸化すると多量のＮｂ
酸化物を含む品質の悪いバリア層が形成されることにな
る。スパッタクリーニングは汚染除去の観点から効果を
有するものの、良質トンネルバリア層形成の目的に対し
悪影響を及ばず。そこで、Ｎｂ−Ａｔ薄膜において高品
質Ａｔ２０３バリアを形成するためには酸化前にＡＡ−
ｒｉｃｈな表面層を実現することが必要となる。このＡ
ｔ−ｒｉｃｈ表面層を実現するためには表１どけ逆にＷ
ｂ Ｋ対してはスパッタ速度が大きくＡｔに対してはス
パッタ速度の小さなガスによシスノ卆ツタすればよいこ
とになる。Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８゜Ｃ４Ｆ、。及びＣＦ４
に酸紫を混合したガスの酸素分圧比によるＮｂとＡＪａ
の６５０Ｗ、全ガス圧０１２’ｆｏｒｒにおけるスパッ
タ速度（Ｘ／−ｍ）をそれぞれ下記表２ （ａ） （ｂ
） （ｅ） （ｄ）に示す。
７−
表２から明らかなようにとれら混合ガスにおいては尤ら
はほとんどスパッタされず、Ｎｂは著しくスノマツタさ
れる。Ｃ２Ｆ６−０２ 、Ｃ３Ｆ８−０２゜ＣＦ−０及
びＣＦ４−Ｏ２においてそれぞれ酸素分４１０ ２ 圧が０．８部、０．９％、１チ、０．８ｑ６のときＮｂ
のス・やツタ速度は最大値を示し、Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８
゜Ｃ４Ｆ、。、ＣＦ４のみのス・母ツタより、これらに
０２が混合したガスによＺ）ヌ・ぐツタは著しい効果を
示す。また、Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏ及びＣＦ
４ガスによるＮｂとＡｔのスパックエラｆｆ６８ｏｗ。
はほとんどスパッタされず、Ｎｂは著しくスノマツタさ
れる。Ｃ２Ｆ６−０２ 、Ｃ３Ｆ８−０２゜ＣＦ−０及
びＣＦ４−Ｏ２においてそれぞれ酸素分４１０ ２ 圧が０．８部、０．９％、１チ、０．８ｑ６のときＮｂ
のス・やツタ速度は最大値を示し、Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８
゜Ｃ４Ｆ、。、ＣＦ４のみのス・母ツタより、これらに
０２が混合したガスによＺ）ヌ・ぐツタは著しい効果を
示す。また、Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏ及びＣＦ
４ガスによるＮｂとＡｔのスパックエラｆｆ６８ｏｗ。
０．１２Ｔｏｒｒで行なった場合、そのエツチング速度
比はＮｂでおよそ６０：５５：５０：１００であり、Ａ
ｔはどれもほとんどエツチングされない。
比はＮｂでおよそ６０：５５：５０：１００であり、Ａ
ｔはどれもほとんどエツチングされない。
また、ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８及びＣ４Ｆ１ｏがス
の少なくとも二種以上の混合ガスによるＮｂのエツチン
グ速度は、はぼそのがス弼比に単体ガス時エツチング速
度の重み平均をとった値にほぼ一致する。
の少なくとも二種以上の混合ガスによるＮｂのエツチン
グ速度は、はぼそのがス弼比に単体ガス時エツチング速
度の重み平均をとった値にほぼ一致する。
更に、０２が加わった混合ガスにおいても同様の傾向を
示す。
示す。
これらのガスのエツチングの作用によυＮｂ−Ａｔ薄膜
の表面層は数１０１にわたってＡｔ−ｒｉｃｈ層となる
。このＡｔ−ｒｉｃｈの薄膜を酸化すると低誘電率（ε
−１１）のＡｔ２０３を主成分とする品質の良いトンネ
ルバリア層が形成されることになる。また、これらのガ
スでは酸素分圧比が３係を超えると、ス・ヤッタエッチ
ングを行なった場合、エツチング速度の低下及び０２甘
の増加によってＡｔ２０５膜形成速膜形増速することに
よりＡｔ２０３バリアの膜厚が増加し、トンネル特性を
示さなくなるためトンネルバリアとして使用できなくな
る。
の表面層は数１０１にわたってＡｔ−ｒｉｃｈ層となる
。このＡｔ−ｒｉｃｈの薄膜を酸化すると低誘電率（ε
−１１）のＡｔ２０３を主成分とする品質の良いトンネ
ルバリア層が形成されることになる。また、これらのガ
スでは酸素分圧比が３係を超えると、ス・ヤッタエッチ
ングを行なった場合、エツチング速度の低下及び０２甘
の増加によってＡｔ２０５膜形成速膜形増速することに
よりＡｔ２０３バリアの膜厚が増加し、トンネル特性を
示さなくなるためトンネルバリアとして使用できなくな
る。
このような酸素分圧比が３％を超えＡｔ２０３バリア膜
圧が厚く形成されたものはＣ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８゜Ｃ４Ｆ
、。ガスに０２ガスを含んだガス及びＣＦ４．Ｃ２Ｆ６
゜Ｃ６Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏの少なくとも二種以上の混合ガ
スに０２を含有したガスによるスパッタ後、 Ａｒガス
ス・母ツタを行い、Ａｔ２０３バリア膜を適当な（３０
〜５０Ｘ）膜厚までエツチングすることによりＡｔ２０
３を主成分とするトンネルバリア層を形成することがで
きる。
圧が厚く形成されたものはＣ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８゜Ｃ４Ｆ
、。ガスに０２ガスを含んだガス及びＣＦ４．Ｃ２Ｆ６
゜Ｃ６Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏの少なくとも二種以上の混合ガ
スに０２を含有したガスによるスパッタ後、 Ａｒガス
ス・母ツタを行い、Ａｔ２０３バリア膜を適当な（３０
〜５０Ｘ）膜厚までエツチングすることによりＡｔ２０
３を主成分とするトンネルバリア層を形成することがで
きる。
実施例１
アーク溶解によって作製したＮｂ−２５，１ａｔチＡｔ
合合金ターノット １００ ｆｆ１ｌｌφ）を用いてｄ
Ｃマグネトロンスノやツタ法により熱酸化膜のある８１
基板（ＳＩＯ２膜厚８０００Ｘ）上に６７０°Ｃの基板
温度で１０−２Ｔｏ ｒｒのＡｒガス中でスル４ツタし
て３５００Ｘの下地電極薄膜を得た。この薄膜の超伝導
臨界温度はＴｅ＝１６．７Ｋを示した。次にこの下地電
極のパターニング（ハターン巾：２０、ａｍ）のためレ
ジストコート、露光、現像、エツチング（沸硝酸乳酸液
）を行った。次に再度し・シストコートし、露光、現像
により上部電極形成用のステンシルを形成した。この工
程に菱いて接合部分の下地電極が露出した状態になって
いる。次１テ、これらの一部の薄膜基板を従来の一般的
な方法によ〕バリア層を形成し、素子を作製した。すな
わち酸化前に１０−２ＴｏｒｒのＡｒ！ ス中ｆ ス／
千ツタ（Ｖｐｐ ＝６００ Ｖ ＋ ２０分間）して表
面クリーニングしたのち、１０−２ＴｏｒｒのＡｒ−４
％ ０２ガス中でプラズマ酸化（Ｖ、、−＝４ｏｏｖ、
５分間）シ、その後、Ｐｂの上部電極を形成し素子を作
製した。得られた素子のＶ−Ｉｖｊ性は図１に示す様に
主にブリッジ型の特性を示した。
合合金ターノット １００ ｆｆ１ｌｌφ）を用いてｄ
Ｃマグネトロンスノやツタ法により熱酸化膜のある８１
基板（ＳＩＯ２膜厚８０００Ｘ）上に６７０°Ｃの基板
温度で１０−２Ｔｏ ｒｒのＡｒガス中でスル４ツタし
て３５００Ｘの下地電極薄膜を得た。この薄膜の超伝導
臨界温度はＴｅ＝１６．７Ｋを示した。次にこの下地電
極のパターニング（ハターン巾：２０、ａｍ）のためレ
ジストコート、露光、現像、エツチング（沸硝酸乳酸液
）を行った。次に再度し・シストコートし、露光、現像
により上部電極形成用のステンシルを形成した。この工
程に菱いて接合部分の下地電極が露出した状態になって
いる。次１テ、これらの一部の薄膜基板を従来の一般的
な方法によ〕バリア層を形成し、素子を作製した。すな
わち酸化前に１０−２ＴｏｒｒのＡｒ！ ス中ｆ ス／
千ツタ（Ｖｐｐ ＝６００ Ｖ ＋ ２０分間）して表
面クリーニングしたのち、１０−２ＴｏｒｒのＡｒ−４
％ ０２ガス中でプラズマ酸化（Ｖ、、−＝４ｏｏｖ、
５分間）シ、その後、Ｐｂの上部電極を形成し素子を作
製した。得られた素子のＶ−Ｉｖｊ性は図１に示す様に
主にブリッジ型の特性を示した。
一方、残りの薄膜基板の一部をＡｒがス中（１０−２Ｔ
ｏｒｒ ）でスパッタ（Ｖ、、＝６００Ｖ、２０分間）
したのちＣ７Ｆ６．Ｃ３Ｆ８ｊＣ４Ｆ、。、Ｃ２Ｆ６−
２０チＣＦ４．Ｃ，Ｆ８−５０係ＣＦ４．Ｃ４Ｆ、。−
５０チＣＦ４．Ｃ２Ｆ６−５０ ％ Ｃ３Ｆ８のいずれ
かのガス（全圧はすべて１．２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ ）
でスノｊ ツタ（ｌ／）ずれもＷ＝１００Ｗ、２分間）
した。その後、これらス・母ツタされた基板をＡｒ −
４１０２ガス中（１０−２Ｔｏｒｒ）でプラズマ酸化（
Ｖ、Ｐ＝ｚ４００Ｖ、５分間）し、次いで、Ｐｂの上部
電極を形成して素子を作製した。
ｏｒｒ ）でスパッタ（Ｖ、、＝６００Ｖ、２０分間）
したのちＣ７Ｆ６．Ｃ３Ｆ８ｊＣ４Ｆ、。、Ｃ２Ｆ６−
２０チＣＦ４．Ｃ，Ｆ８−５０係ＣＦ４．Ｃ４Ｆ、。−
５０チＣＦ４．Ｃ２Ｆ６−５０ ％ Ｃ３Ｆ８のいずれ
かのガス（全圧はすべて１．２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ ）
でスノｊ ツタ（ｌ／）ずれもＷ＝１００Ｗ、２分間）
した。その後、これらス・母ツタされた基板をＡｒ −
４１０２ガス中（１０−２Ｔｏｒｒ）でプラズマ酸化（
Ｖ、Ｐ＝ｚ４００Ｖ、５分間）し、次いで、Ｐｂの上部
電極を形成して素子を作製した。
得られた素子のＶ−Ｉ特性はトンネル形を示した。
このときのギャップ電圧はＣ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８でスノＰ
ツタした場合は４，１と４．０ｍＶであシ、Ｃ４Ｆ、。
ツタした場合は４，１と４．０ｍＶであシ、Ｃ４Ｆ、。
でスノやツタした場合は３．９ ｍＶであった。またＣ
２Ｆ６−２０ ％ ＣＦ４では４．１５ ｍＶ、 ０３
Ｆ８−５０％ＣＦ４では４．１ ｍＶであり、Ｃ４Ｆ、
ｏ−５０％ＣＦ４では４．０ｍＶ。
２Ｆ６−２０ ％ ＣＦ４では４．１５ ｍＶ、 ０３
Ｆ８−５０％ＣＦ４では４．１ ｍＶであり、Ｃ４Ｆ、
ｏ−５０％ＣＦ４では４．０ｍＶ。
Ｃ２Ｆ６−５０ ％ Ｃ３Ｆ８では４．０５ ｍＶであ
った。
った。
膜基板）を用い、露出した下地電極をＣ２Ｆ６−０２゜
Ｃ３Ｆ８−０２ 、ｃ４ｐ １０−０２ ＩＣ２Ｆ ６
−１９ ％ ＣＦ４−１ ％ ０２５０３Ｆ８−４９係
ＣＦ４−１係０２それぞれのガス中（全圧はいずれも１
．２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、酸素分圧Ｐｒはそれぞれ０．
８係、０．９係、１％、１チ、１部）でスパッタした。
Ｃ３Ｆ８−０２ 、ｃ４ｐ １０−０２ ＩＣ２Ｆ ６
−１９ ％ ＣＦ４−１ ％ ０２５０３Ｆ８−４９係
ＣＦ４−１係０２それぞれのガス中（全圧はいずれも１
．２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、酸素分圧Ｐｒはそれぞれ０．
８係、０．９係、１％、１チ、１部）でスパッタした。
その後Ａｒ−４ａｔ ％ ０２ガス中（ｌＱＴｏｒｒ）
でプラズマ酸化（ＶＰＰ＝４００Ｖ。
でプラズマ酸化（ＶＰＰ＝４００Ｖ。
５分）シ、Ｐｂによシ上部電極を形成し、素子を作製し
た。とれらの素子はいずれもトンネル形のＶ−Ｉ特性を
示し、ギャップ電圧はいずれも４、０〜４．２ ｍＶの
値を示した。Ｃ２Ｆ６−０．２ガスでスフ９ツタした場
合のＶ−Ｉ特性を図２に示す。これらのガスでスフ４ツ
タした後の表面層のＡｔ、Ｎｂの濃度分析をオージェ電
子分光装置によシ測定した。その結果を図３に示す。Ｃ
２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ、。。
た。とれらの素子はいずれもトンネル形のＶ−Ｉ特性を
示し、ギャップ電圧はいずれも４、０〜４．２ ｍＶの
値を示した。Ｃ２Ｆ６−０．２ガスでスフ９ツタした場
合のＶ−Ｉ特性を図２に示す。これらのガスでスフ４ツ
タした後の表面層のＡｔ、Ｎｂの濃度分析をオージェ電
子分光装置によシ測定した。その結果を図３に示す。Ｃ
２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ、。。
Ｃ２Ｆ６−２０チＣＦ４．Ｃ，Ｆ、。−５０ｑ６ＣＦ４
それぞれのガスのみでエツチングした試料でも同様の表
面層を示し、表面にはＡｔ−ｒｉｃｈ層が約４０Ｘ形成
され、プラズマ酸化によってｈｔ２ｏ、が形成されてい
る。この安定したＡｔ２０３バリアがトンネル特性を示
すものと考えられる。Ａｔ２０５の形成は光電子分光装
置と（開光解析装置からも観察された。
それぞれのガスのみでエツチングした試料でも同様の表
面層を示し、表面にはＡｔ−ｒｉｃｈ層が約４０Ｘ形成
され、プラズマ酸化によってｈｔ２ｏ、が形成されてい
る。この安定したＡｔ２０３バリアがトンネル特性を示
すものと考えられる。Ａｔ２０５の形成は光電子分光装
置と（開光解析装置からも観察された。
実施例２
サファイヤ基板上に電子ビーム蒸着によりＮｂ−Ａｊ薄
膜を形成した。蒸着前の冥空度は１０ ’Ｔｏｒｒ 、
基板温度７００℃でＮｂとＡｔを同時蒸着した。蒸着時
の真空度は２ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒであッｆｒ。膜形
成速度は３０ Ｘ ／ｓｅｅで４０００Ｘの薄膜を形成
した。？Ｎられた合金薄膜の、ｆ、＋１成はＮｂ−２４
，５ａｔ ％Ａｔで臨界Ｗｒ度はＴｃ＝１５゜２にであ
った。この薄膜を用いて実施例１と同様のパター・ンを
形成した。バリア層形成前の前処理としてＡｒガス中で
スパッタクリーニングしたもの、Ｃ２Ｆ６−０２ガス（
酸素分圧Ｐｒ ： ｏ−８％ ） ・０３Ｆ８−０２ガ
ス（Ｐｒ ： ０．９ ％ ） ” Ｃ４Ｆ１０−０２
ガス（Ｐｒ ： ０．９ ％）及び（Ｃ２Ｆ６７２０
％ ＣＦ ４−、、．２０ ％ Ｃ３Ｆ［ｌ） −０２
（Ｐ ｒ ： １％）の４行のがスにおいてそれぞれの
全ガス圧を変化してスフ９ツタしたもの、及び酸化方法
を変え友ものの各種の素子を作製し、各素子に対するＶ
−Ｉ特性をイ！Ｉた。それらを下記表３ （ａ） （ｂ
） （ｃ）（ｄ）に示す。トンネル形の特性を示すもの
けバリア層形成前にＣ２Ｆ６−０２，０３Ｆ８−０２．
Ｃ４Ｆ１ｏ−０２及び（Ｃ２Ｆ６−２０％ＣＦ４−２０
チＣ３Ｆ８） −０□のいずれかのガスでスノヤツタし
たものであることがわかる。トンネル特性を示すものの
中でギャッｆ電圧は全ガス圧に依存する。優れた特性を
示すものは全ガス圧が０００５〜０．５Ｔｏｒｒの間の
ものである。
膜を形成した。蒸着前の冥空度は１０ ’Ｔｏｒｒ 、
基板温度７００℃でＮｂとＡｔを同時蒸着した。蒸着時
の真空度は２ Ｘ １０−８Ｔｏｒｒであッｆｒ。膜形
成速度は３０ Ｘ ／ｓｅｅで４０００Ｘの薄膜を形成
した。？Ｎられた合金薄膜の、ｆ、＋１成はＮｂ−２４
，５ａｔ ％Ａｔで臨界Ｗｒ度はＴｃ＝１５゜２にであ
った。この薄膜を用いて実施例１と同様のパター・ンを
形成した。バリア層形成前の前処理としてＡｒガス中で
スパッタクリーニングしたもの、Ｃ２Ｆ６−０２ガス（
酸素分圧Ｐｒ ： ｏ−８％ ） ・０３Ｆ８−０２ガ
ス（Ｐｒ ： ０．９ ％ ） ” Ｃ４Ｆ１０−０２
ガス（Ｐｒ ： ０．９ ％）及び（Ｃ２Ｆ６７２０
％ ＣＦ ４−、、．２０ ％ Ｃ３Ｆ［ｌ） −０２
（Ｐ ｒ ： １％）の４行のがスにおいてそれぞれの
全ガス圧を変化してスフ９ツタしたもの、及び酸化方法
を変え友ものの各種の素子を作製し、各素子に対するＶ
−Ｉ特性をイ！Ｉた。それらを下記表３ （ａ） （ｂ
） （ｃ）（ｄ）に示す。トンネル形の特性を示すもの
けバリア層形成前にＣ２Ｆ６−０２，０３Ｆ８−０２．
Ｃ４Ｆ１ｏ−０２及び（Ｃ２Ｆ６−２０％ＣＦ４−２０
チＣ３Ｆ８） −０□のいずれかのガスでスノヤツタし
たものであることがわかる。トンネル特性を示すものの
中でギャッｆ電圧は全ガス圧に依存する。優れた特性を
示すものは全ガス圧が０００５〜０．５Ｔｏｒｒの間の
ものである。
１５−
実施例３
実施例１で作製した・母ターン形成迄の工程を経た薄膜
基板を用い露出した下地電極をＣ２Ｆ６゜Ｃ３Ｆ８．Ｃ
４Ｆ、。、Ｃ２Ｆ６−０２．Ｃ３Ｆ８−０２，０４Ｆ、
。−０２、Ｃ２Ｆ６−２０係ＣＦ４．Ｃ３Ｆ８−５０チ
ＣＦ４． （Ｃ２Ｆ６−２０チＣＦ４）−０２゜（Ｃ２
Ｆ６−５０チＣ３Ｆ８）−０２ガス中（いずれも全圧１
．２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ ）でスパッタ（３０Ｗ、
５分間）した。０２混合がスではいずれも０２分圧を０
．１〜２０チまで変化させた。偏光解析装置を用い、こ
のときに基板表面に形成されるＡｔ２０３バリア層の膜
厚を観測した。この結果を表４（ａ）（ｂ） （ｃ）
（ｄ） （ａ）に示す。
基板を用い露出した下地電極をＣ２Ｆ６゜Ｃ３Ｆ８．Ｃ
４Ｆ、。、Ｃ２Ｆ６−０２．Ｃ３Ｆ８−０２，０４Ｆ、
。−０２、Ｃ２Ｆ６−２０係ＣＦ４．Ｃ３Ｆ８−５０チ
ＣＦ４． （Ｃ２Ｆ６−２０チＣＦ４）−０２゜（Ｃ２
Ｆ６−５０チＣ３Ｆ８）−０２ガス中（いずれも全圧１
．２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ ）でスパッタ（３０Ｗ、
５分間）した。０２混合がスではいずれも０２分圧を０
．１〜２０チまで変化させた。偏光解析装置を用い、こ
のときに基板表面に形成されるＡｔ２０３バリア層の膜
厚を観測した。この結果を表４（ａ）（ｂ） （ｃ）
（ｄ） （ａ）に示す。
２０−
Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ１０倉Ｃ２Ｆ６−２０係Ｃ
ＦわＣ２Ｆ６−５０チＣ３Ｆ８ガスのいずれでスパッタ
したものも０２が含まれていないためＡｔ２０３は形成
されない。
ＦわＣ２Ｆ６−５０チＣ３Ｆ８ガスのいずれでスパッタ
したものも０２が含まれていないためＡｔ２０３は形成
されない。
Ｃ２Ｆ６−０．２ 、Ｃ，Ｆ８−０２，０４Ｆ、。−０
２，（Ｃ２Ｆ６−２０チＣＦ４） −０２、（０２Ｆ６
−５０噛Ｃ３Ｆ、）−０２ガスでは０□分圧が増大する
につれｈｔ２ｏ、膜厚も増大している。トンネル型ジ葺
セフソン素子作製に必要な酸化物バリア層の膜厚は約３
０Ｘ〜５０１程度である。
２，（Ｃ２Ｆ６−２０チＣＦ４） −０２、（０２Ｆ６
−５０噛Ｃ３Ｆ、）−０２ガスでは０□分圧が増大する
につれｈｔ２ｏ、膜厚も増大している。トンネル型ジ葺
セフソン素子作製に必要な酸化物バリア層の膜厚は約３
０Ｘ〜５０１程度である。
この範囲にはいるＡｔ２０３バリア層膜厚が形成される
場合の０□分圧ＰｒはＣ２Ｆ６−０２で０．４〜３（素
子番号４４〜４９）、Ｃ，Ｆ８−０２で０．４〜３（素
子番号５４〜５９）、Ｃ４Ｆ、。−０２で０．４〜３（
素子番号６４〜６９）であシ、（Ｃ２Ｆ６−２０チＣＦ
４）−０゜、 （Ｃ３Ｆ８−５０チＣＦ４）−０２でも
（素子番号７４〜７９．８４〜８９）０．４〜３であっ
た。
場合の０□分圧ＰｒはＣ２Ｆ６−０２で０．４〜３（素
子番号４４〜４９）、Ｃ，Ｆ８−０２で０．４〜３（素
子番号５４〜５９）、Ｃ４Ｆ、。−０２で０．４〜３（
素子番号６４〜６９）であシ、（Ｃ２Ｆ６−２０チＣＦ
４）−０゜、 （Ｃ３Ｆ８−５０チＣＦ４）−０２でも
（素子番号７４〜７９．８４〜８９）０．４〜３であっ
た。
Ｃ２Ｆ６−０２．Ｃ，Ｆ８−０２，０４Ｆ１ｏ−０２（
Ｃ２Ｆ６−２０ ％ＣＦ４）−０２ｓ （Ｃ２Ｆ６−５
ｏチ０３Ｆ、）−０２のいずれのガスでス・母ツタした
場合も０２分圧が０．２以下の場合はバリア膜厚は３０
Ｘに達せず、また０□分圧が４以上の場合はバリア膜厚
が５０１を超える。
Ｃ２Ｆ６−２０ ％ＣＦ４）−０２ｓ （Ｃ２Ｆ６−５
ｏチ０３Ｆ、）−０２のいずれのガスでス・母ツタした
場合も０２分圧が０．２以下の場合はバリア膜厚は３０
Ｘに達せず、また０□分圧が４以上の場合はバリア膜厚
が５０１を超える。
０２分圧が０．２以下のもの（素子番号４１〜４３ｊ５
１〜５３，６１〜６３）は更にＡｒ−４チ０□ガス中（
１０”−２Ｔｏｒｒ ）でプラズマ酸化（ｖ、Ｐ−４ｏ
ｏｖ、ｓ分）して薄膜基板表面に厚さ３０Ｘ〜５０Ｘの
Ａｔ２０３バリア層を形成し、また０２分圧が０．４〜
２のこれら５種のガスの場合はいずれかの混合ガス中で
ス・ンツタしたもの（素子番号４４〜４９．５４〜５９
．６４〜６９．７４〜７９．８４〜８９）はそのまま、
０２分圧が４以上のもの（素子番号４１０〜４１３゜５
１０〜５１３．６１０〜６１３．７１０〜７１３．８１
０〜８１３）はＡｒ、ガス中（１０−２Ｔｏｒｒ ）で
ツノ９ツタ（ＶＰＰ＝６００Ｖ、２０〜３０分間）し、
Ａｔ２０３バリア膜厚が３０Ｘ〜５０Ｘになるようにエ
ツチングし、すべての薄膜基板上に３０Ｘ〜５０ＸのＡ
ｔ２０６パリアＭを形成する。
１〜５３，６１〜６３）は更にＡｒ−４チ０□ガス中（
１０”−２Ｔｏｒｒ ）でプラズマ酸化（ｖ、Ｐ−４ｏ
ｏｖ、ｓ分）して薄膜基板表面に厚さ３０Ｘ〜５０Ｘの
Ａｔ２０３バリア層を形成し、また０２分圧が０．４〜
２のこれら５種のガスの場合はいずれかの混合ガス中で
ス・ンツタしたもの（素子番号４４〜４９．５４〜５９
．６４〜６９．７４〜７９．８４〜８９）はそのまま、
０２分圧が４以上のもの（素子番号４１０〜４１３゜５
１０〜５１３．６１０〜６１３．７１０〜７１３．８１
０〜８１３）はＡｒ、ガス中（１０−２Ｔｏｒｒ ）で
ツノ９ツタ（ＶＰＰ＝６００Ｖ、２０〜３０分間）し、
Ａｔ２０３バリア膜厚が３０Ｘ〜５０Ｘになるようにエ
ツチングし、すべての薄膜基板上に３０Ｘ〜５０ＸのＡ
ｔ２０６パリアＭを形成する。
その後、Ｐｂの上部電極を形成し、素子を作製した。
僅られた素子のＶ−Ｉ特性を表４に示す。０２分圧が０
．１ｃ＄以下でスパッタした後作製した素子ではいずれ
のガスでス）４ツタしたものも０２の混合しないガスで
ス・ぐツタした後作製した素子とギャップ電圧は変らす
Ｃ２Ｆ６−０２．ＣＣ３Ｆ８−０２（Ｃ２Ｆ −２０ｅ
＄ ＣＦ４）−０２ガスではいずれも３．８ ｍＶ、Ｃ
４Ｆ１ｏ−０２では３．７ ｍＶを示し、また（Ｃ２Ｆ
６−５０ ％ Ｃ３Ｆ８）−０２ガスでは３．６ｍＶを
示す。
．１ｃ＄以下でスパッタした後作製した素子ではいずれ
のガスでス）４ツタしたものも０２の混合しないガスで
ス・ぐツタした後作製した素子とギャップ電圧は変らす
Ｃ２Ｆ６−０２．ＣＣ３Ｆ８−０２（Ｃ２Ｆ −２０ｅ
＄ ＣＦ４）−０２ガスではいずれも３．８ ｍＶ、Ｃ
４Ｆ１ｏ−０２では３．７ ｍＶを示し、また（Ｃ２Ｆ
６−５０ ％ Ｃ３Ｆ８）−０２ガスでは３．６ｍＶを
示す。
０２分圧が０．２％でス／量ツタした後作製した素子は
、Ｃ２Ｆ６．Ｃ，Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏ、Ｃ２Ｆ６−２０
％ ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６−５０ ％ Ｃ３Ｆ８のみでスノ
ぐツタし７’Ｃ場合よシもギャップ電圧はいずれも０．
１ ｍＶ高くなり、それぞれ３、９ ｍＶ 、 ３．９
ｍＶ 、 ３．８ ｍＶ 、 ３．９１７ＩＶ 、
３．７ｍＶを示す。０２分圧が０．４〜３俤でスフ４ツ
タした後作製した素子のギャップ電圧は０２Ｆ６−０２
．Ｃ３Ｆ８−０２、Ｃ４Ｆ１ｏ−０□、（Ｃ，、Ｆ６−
２０％ＣＦ４）−０２，（Ｃ２Ｆ６−５０％ Ｃ３Ｆ８
）−０２の順にそれぞれ４．２〜４．５ ｍＶ 。
、Ｃ２Ｆ６．Ｃ，Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏ、Ｃ２Ｆ６−２０
％ ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６−５０ ％ Ｃ３Ｆ８のみでスノ
ぐツタし７’Ｃ場合よシもギャップ電圧はいずれも０．
１ ｍＶ高くなり、それぞれ３、９ ｍＶ 、 ３．９
ｍＶ 、 ３．８ ｍＶ 、 ３．９１７ＩＶ 、
３．７ｍＶを示す。０２分圧が０．４〜３俤でスフ４ツ
タした後作製した素子のギャップ電圧は０２Ｆ６−０２
．Ｃ３Ｆ８−０２、Ｃ４Ｆ１ｏ−０□、（Ｃ，、Ｆ６−
２０％ＣＦ４）−０２，（Ｃ２Ｆ６−５０％ Ｃ３Ｆ８
）−０２の順にそれぞれ４．２〜４．５ ｍＶ 。
４．２〜４．６ ｍＶ 、 ４．０〜４．４ｍＶ、４．
２〜４．５ｍＶ。
２〜４．５ｍＶ。
３．８〜４．４ｍＶを示す。この０２分圧の場合ギャッ
プ電圧の上昇するのは次の理由による。これらのガスで
スパッタを実施すると、ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６゜Ｃ３Ｆ８．
Ｃ４Ｆ、ｏｆスの放電による分解から生じるカ−？ンＣ
が基板表面に付着し、Ｎｂのエツチングを阻害するが、
０がＣをＣＯ５ＣＯ２としてガス化して取シ除き、ＣＦ
４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏによるＮｂエツチ
ングを進行させる。この０２分圧の場合ＯによるＡｔ２
０３形成速度が釣り合って適当な膜厚（３０〜５０Ｘ）
のバリア層が形成されるためである。０□分圧が３チを
超えると表４に示すように、Ａｔ２０３の酸化物バリア
層形成速度が次第に増加することにより、バリア膜厚が
５０Ｘを超え゛、トンネル特性を示さなくなるためとの
ままではギャップ電圧は現われない。これらの厚いバリ
アをトンネル特性を示す３０〜５０Ｘにするため、Ａｔ
ガス中（１０−２ＴＯｒｒ、■、Ｐ＝６００ｖ）で２０
〜３０分スノ４ツタする必要がある。このとき、得られ
た素子のギャツｆ電圧は約４．０〜３、７ ｍＶの値を
示した。
プ電圧の上昇するのは次の理由による。これらのガスで
スパッタを実施すると、ＣＦ４．Ｃ２Ｆ６゜Ｃ３Ｆ８．
Ｃ４Ｆ、ｏｆスの放電による分解から生じるカ−？ンＣ
が基板表面に付着し、Ｎｂのエツチングを阻害するが、
０がＣをＣＯ５ＣＯ２としてガス化して取シ除き、ＣＦ
４．Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏによるＮｂエツチ
ングを進行させる。この０２分圧の場合ＯによるＡｔ２
０３形成速度が釣り合って適当な膜厚（３０〜５０Ｘ）
のバリア層が形成されるためである。０□分圧が３チを
超えると表４に示すように、Ａｔ２０３の酸化物バリア
層形成速度が次第に増加することにより、バリア膜厚が
５０Ｘを超え゛、トンネル特性を示さなくなるためとの
ままではギャップ電圧は現われない。これらの厚いバリ
アをトンネル特性を示す３０〜５０Ｘにするため、Ａｔ
ガス中（１０−２ＴＯｒｒ、■、Ｐ＝６００ｖ）で２０
〜３０分スノ４ツタする必要がある。このとき、得られ
た素子のギャツｆ電圧は約４．０〜３、７ ｍＶの値を
示した。
り上説明したように本発明によればＮｂ−Ａｔ超伝導１
１ ｇ５をＣ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏガスに酸素
を０．１〜３％含んだ混合ガスあるいＦｉ ＣＦ４．Ｃ
２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８゜Ｃ４Ｆ１ｏの少なくとも二種Ｖ上の
ガスに酸素を０、１〜３チ含んだ混合ガス中でスパッタ
した場合、ＡｔとＮｂのスフ４ツタレートの差によって
薄膜表面にＡｔ−ｒｉｃｈ層が形成されるから、これら
の表面を酸化すれば誘電率の低いＡｔ２０３トンネルバ
リア層を形成することができ、安定した高速スイッチン
グ素子を歩留シよく製造できる利点がある。
１ ｇ５をＣ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．Ｃ４Ｆ１ｏガスに酸素
を０．１〜３％含んだ混合ガスあるいＦｉ ＣＦ４．Ｃ
２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８゜Ｃ４Ｆ１ｏの少なくとも二種Ｖ上の
ガスに酸素を０、１〜３チ含んだ混合ガス中でスパッタ
した場合、ＡｔとＮｂのスフ４ツタレートの差によって
薄膜表面にＡｔ−ｒｉｃｈ層が形成されるから、これら
の表面を酸化すれば誘電率の低いＡｔ２０３トンネルバ
リア層を形成することができ、安定した高速スイッチン
グ素子を歩留シよく製造できる利点がある。
第１図は従来の方法で製造したジョセフソン接合素子の
電圧−電流特性を示すグラフ、第２図は本発明の方法で
製造したジョセフソン接合素子の電圧−電流特性を示す
グラフ、そして第３図はＮｂ−２５，１ａｔ％Ａｔ薄膜
をＣ２Ｆ６−０２ガスでス／母ツタした後のオージェ電
子分光装置による表面近傍でのＮｂとＡｔの深さ方向の
濃度分布を示すグラフである。 代理人 ラＰ理士 鈴 江 武 彦第３図
電圧−電流特性を示すグラフ、第２図は本発明の方法で
製造したジョセフソン接合素子の電圧−電流特性を示す
グラフ、そして第３図はＮｂ−２５，１ａｔ％Ａｔ薄膜
をＣ２Ｆ６−０２ガスでス／母ツタした後のオージェ電
子分光装置による表面近傍でのＮｂとＡｔの深さ方向の
濃度分布を示すグラフである。 代理人 ラＰ理士 鈴 江 武 彦第３図
Claims (1)
- 下地電極にＮｂ−Ａｔ超伝導薄膜を用いたトンネル形−
）ヨセフソン接合素子の製造方法において、上記超伝導
薄膜をＣ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．又はＣ４Ｆ１ｏの単一ガス
に０．１〜３％０２を含んだガス中、あるいはＣＦ４．
Ｃ２Ｆ６．Ｃ３Ｆ８．又はＣ４Ｆ、。から選らばれた少
なくとも二種以上の混合ガスに町１０．１〜３１０□を
含んだガス中において、０．５〜０．００５ Ｔｏｒｒ
のガス圧でスパッタエツチングを行ない、その後酸化し
てトンネルバリア層を形成することを特徴とするトンネ
ル形ジョセフソン接合素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121578A JPS5821882A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | トンネル形ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| CA000405292A CA1168762A (en) | 1981-06-22 | 1982-06-16 | Method of fabrication for josephson tunnel junction |
| US06/390,116 US4412902A (en) | 1981-06-22 | 1982-06-18 | Method of fabrication of Josephson tunnel junction |
| NL8202511A NL190858C (nl) | 1981-06-22 | 1982-06-22 | Werkwijze voor het vervaardigen van een Josephson-tunnelovergang. |
| FR8211126A FR2508237B1 (fr) | 1981-06-22 | 1982-06-22 | Procede pour la fabrication d'une jonction de josephson, notamment d'une jonction tunnel de josephson |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121578A JPS5821882A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | トンネル形ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821882A true JPS5821882A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS6347153B2 JPS6347153B2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=14814703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121578A Granted JPS5821882A (ja) | 1981-06-22 | 1981-08-03 | トンネル形ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821882A (ja) |
-
1981
- 1981-08-03 JP JP56121578A patent/JPS5821882A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347153B2 (ja) | 1988-09-20 |
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