JPS58218866A - 電力用ゲ−ト・タ−ン・オフサイリスタのスナバ回路 - Google Patents

電力用ゲ−ト・タ−ン・オフサイリスタのスナバ回路

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JPS58218866A
JPS58218866A JP8394982A JP8394982A JPS58218866A JP S58218866 A JPS58218866 A JP S58218866A JP 8394982 A JP8394982 A JP 8394982A JP 8394982 A JP8394982 A JP 8394982A JP S58218866 A JPS58218866 A JP S58218866A
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JP
Japan
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snubber circuit
snubber
capacitor
circuit
auxiliary
Prior art date
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Pending
Application number
JP8394982A
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English (en)
Inventor
Akira Honda
晃 本多
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Rectifier Corp Japan Ltd
Infineon Technologies Americas Corp
Original Assignee
International Rectifier Corp Japan Ltd
Infineon Technologies Americas Corp
International Rectifier Corp USA
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Filing date
Publication date
Application filed by International Rectifier Corp Japan Ltd, Infineon Technologies Americas Corp, International Rectifier Corp USA filed Critical International Rectifier Corp Japan Ltd
Priority to JP8394982A priority Critical patent/JPS58218866A/ja
Publication of JPS58218866A publication Critical patent/JPS58218866A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電力用サイリスタ、特にゲート・ターン・オ
フサイリスタ(以下、GTOという)のスナバ回路の改
良に係る。
第1図は、従来の電力用GTOのスナバ回路の一例を示
す。
すなわち、GTOlのアノード、カソード間にダイオー
ド2(DB)とコンデンサ3(Cs)とを直列に接続し
たものをGTOlに並列接続し、さらにダイオード2に
抵抗3(Rs)を並列接続してスナバ回路4を構成して
いる。
ところで、GTOIのゲートに負バイアスを与えてター
ンオフさせようとすると、実際の電力スイッチンーグ回
路では必然的に有限のインダクタンスが存在し、GTO
Iのアノード電流下降期間程度の短かい時間、すなわち
、数マイクロ秒以下の時間、電流スイッチング回路は定
電流動作する。
そこで、上記のようにGTo、1にスナバ回路4を付加
して、動作させる。
すなわち、GTOIをゲート負バイアスすると、アノー
ド、カソード間のインピーダンスが急激に増加して第2
図に示すようにアノード電流iAが減少しようとする。
この時、ダイオード2とコンデンサ3で構成される容量
性電流パスを付加することによって、回路電流は過渡的
にGTO1がらスナバ回路4へと移る(is)。かがる
作用によって、GTOIに加わるアノード電圧の電流上
昇率(di/dt)は、最大アノード電流ITとコンデ
ンサC8の容量の比、すなわち”/Csで決る値に押え
られる。
このため、下降期間(tf)及びその後の期間で発生す
る電力損失を・妥当な値に押えることができ、大きなア
ノード電流−(iA)を遮断し得る。
GTOIの可制御アノード電流ITは、スナバ回路4の
コンデンサCsの値に大きく依存し、例えば、第3図の
ような関係を示す。
実際の装置、例えばモ〜り制御用インバータに・おいて
はモータ起動時に大きな電流が流れ、定速運転時には、
これよりもがなり大幅に低い電流が流れる。このような
場合にスナバ用コンデンサの容量は、最大負荷電流を遮
断するのに十分な値に選ぶ必要がある。
例えば、第1図に示す従来のスナバ回路において直流6
00V、最大負荷時600Aの電流を遮断する必要があ
るとすれば、スナバ用コンデンサcsの容量は、第3図
から2μF必要であるこ゛”hが分る。
このスナバ用コンデンサC8に蓄積された電荷は、次の
オン期間中に主として、放電抵抗RS中で消費される。
したがって、スナバ回路のスイッチング損失(8)は、
下記の式によって決る値となる。
E = 1 /2 Cs ・VDM2・f [W] −
・・’−−’・(1)上記(1)式において、C8・・
・スナバ用コンデンサ、VDM・・・最大負荷電流、f
・・GTOのスイッチング周波数とする。
しかるに、上記(1)弐K CB ”” 2 μF +
 VDM−60OA、f=500Hzを代入す唇・  
           、9゜E” ’/2Cs−Vo
M2・f = 1/2X2XIO’x(6X10”)”
x     ’5xlO−180C児、すなわち、第1
図に示すスナバ回路4を付加することによりisowの
スイッチング損失を生じ、このことがGTOを用いた装
置の効率を悪化させ、実用的な周波数の上限を低くして
いる。
また、事故時の負荷電流を遮断する際にも同様−な問題
がある。
上nCのように装置起動時の短時間若しくはまれに発生
する事故時の大きな負荷電流を遮断するために従来では
容量の大きなスナバ用コンデンサをイボ加しなげればな
らず、そのためにスナバ回路中で大きなスイッチング電
力損失が発生している。
しかるに、定常運転時の負荷電流は、この半分程度の低
い値に゛なる場合が多い。例えば、直流600V回路で
、−起動時等の過渡時若しくは事故時の遮断電流が60
OAであるとすると、スナバ用コンデンサ(CS)は、
2μFであるのに対し、定常運転時の負荷電流が30O
Aの場合、C8は、第3図よt)O,SμFで良(・こ
ととなる。
本発明は、上記の考察の下になされたもので、従来のス
ナバ回路に過渡負荷時若しくは事故電流遮断時のみ動作
し、その電力損失を無視し得る補助スナバ回路を付加し
たことを特徴とする電力用サイリスタ、特にGTOのス
ナバ回路を提供することを目的とする。
以下に、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第4図において、GTO10のアノニド、カソード間に
、スナバ用コンデンサ11(C8D)ト、コノコンデン
サC8Dの充電時に容量性電流パスを形成するためのダ
イオード12(Da)とを直列接続したものを並列接続
し、またダイオードDSには、スナバ用コンデンサCS
aの蓄積電荷放電用抵抗13(R2O)を並列接続し、
スナバ回路14を形成する。このスナバ回路14に、本
発明に係る補助スナバ回路15を付加する。
すなわち、補助スナバ回路15ば、重負荷時に付加する
容量性電流パス制御用のサイリスタ、GTO等の同期ス
イッチング素子16 (、THYs )と補助スナバ用
コンデンサ17 (C3THY )とを直列接続し、前
記同期スイッチング素子16には、補助スナバ用コンデ
ンサC8THYの蓄積電荷放電用抵抗18(R8TII
Y)と、定常時に前記抵抗R81HYを通して補助スナ
ノ(コンデンサC3TIIYが充電されるのを防止する
ための逆並列のダイオード19(DTHY)とが並列接
続されている。
上記の構成において、今、第5図に示すように負荷電流
が定常電流よりも大きくなるようにあらかじめ設定され
たレベルに達した時点(1+)を検出して、補助スナバ
回路15中の同期スイッチング素子16のゲートに電流
パルスを印加する。
また、装置の起動時等の正常運転時には所定の通電幅を
経過した後、あるいは事故時には、別の検出回路及びG
−TO10のゲート駆動の応答遅れ時間を経過した後、
−t”2時点でGTOIOのゲートを負バイアスして負
荷電流を遮断する。
この場合、2つのスナバ用コンデンサ11及び17の容
量を前記の負荷条件に合せて例えばCs。
=0.5μF + C3THY = 1.5μFに選牢
すれば、これらのスナバ用コンデンサが並列に接続され
ても・るので、それらを合計した容量は2μFとなり、
したカ1って第3図から60OAまでのアノード電流を
遮断し得ることが分る。
定常運転時には、同期スイッチング素子のゲートに電流
パルスが印加されないので、補助スナバ回路は働かず、
一方のスナバ回路14のスナバ用コンデンサC3D−0
,5μFのみとなるので上記スナバ回路14でのスイッ
チング電力損失は以下の通りとなる。
E−1/2C8D−vDM2・f=1/2×0.5×1
0−6×6002×5XlO=45[W] なお、GTOloが500Hzでスイッチングするもの
とする。
しかして、本発明の補助スナバ回路を伺加することによ
り、そのスイッチング電力損失は従来に比較して45/
18o−1/4に押えることができる。また、スナバ用
コンデンサには、遮断時のGTOのアノード電流にほぼ
等しい充電電流が流れ、しかもこれがかなり高い周波数
で繰り返されるため、一般にこのコンデンサは高価でか
つかさばるもの    5となるが本発明に係る回路′
では、上記の条件が要求されるコンデンサは第4図のC
8Dのみで、補助スナバ用コンデンサC3THYは、充
電電流の流れる頻度が非常に少ないため小型かつ安価な
もので良い。
したがって、本発明の回路に係るスナノ(用コンデンサ
は2つを合計しても、コスト、体積とも従来のそれに比
し、大幅に低減できる。
また、新たに付加された同期スイッチング素子、ダイオ
ード、抵抗の費用とスペースとを考慮しても十分に補い
得るものである。
第6図は、本発明に係る他の実施例を示すもので、ブリ
ッジインバータ回路に補助スナノ(回路をイ」加したも
のである。
すなわち、GTO20,21等すべてのGTOに対して
補助スナバ回路22を付加するのではなく、直流のプラ
ス((−)若しくはマイナス(−)電位のいずれか一方
(図示では(+)電位側)のGTO20のみに付加し、
その他のGTO21等には、従来のスナバ回路23のみ
を付加したものである。
上記の実施例でも、前記の同様な作用により、スナバ回
路で発生するスイッチング電力損失を従来のそれに比較
して数分の1に低減でき、装置の効率も大幅に改良され
る。
特に素子数の増加するに従って、′”費用、スペース等
の低減への寄与率が大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、電力用GTOのスナバ回路の一例を示し、第
2図は、その電圧、電流波形図、第3図は、可制御アノ
ード電流とスナバ用コンデンサ容量との関係を示す図、
第4図は、本発明に係るスナ・ぐ回路図、第5図は、重
負荷時の負荷電流、補助スナバ回路の同期スイッチング
素子のゲート電流及び主GTOのゲート電流波形図、第
6図は、本発明の他の実施例を示し、ブリッジインバー
タ回路に補助スナバ回路を付加した図である。 10・・・GTOl  11・・・スナバ用コンデンサ
、12・・°ダイオード、  13・・・抵 抗、14
・・・スナバ回路、   15・・・補助スナバ回路、
16・・・同期スイッチング素子、 17・・・補助スナバ用コンデンサ、18・・・抵 抗
、19・・・ダイオード 出願代理人 弁理士 菊 池 五 部 早 l 図 第 2 図 0       0.5       /、θ    
  /、5      2.0スナバ■コンデンサ C
s〔pF) 弗4 @ 45 図 早 6 図 、23    、22

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ゲート・ターン・オフサイリスタのアノード・カソ
    ード間にスナバ回路を接続したものにおいて、前記スナ
    バ回路に過渡負荷時若しくは事故電流遮断時のみ動作し
    、そのスイッチング電力損失を無視し得る補助スナバ回
    路を接続したことを特徴とする電力用ゲート・ターン・
    オフサイリスタのスナバ回路。  − 2、前記補助スナバ回路は、前記スナバ回路に並列接続
    された同期スイッチング素子及びこの素子に直列接続さ
    れた補助スナバ用コンデンサと、前″記スイッチング素
    子に逆並列に接続され、かつ定常時に前記コンデンサの
    充放電を防止するためのダイオードとから成ることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項の電力用ゲート・ターン
    ・オフサイリスクのスナバ回路。
JP8394982A 1982-05-20 1982-05-20 電力用ゲ−ト・タ−ン・オフサイリスタのスナバ回路 Pending JPS58218866A (ja)

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ID=13816833

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JP8394982A Pending JPS58218866A (ja) 1982-05-20 1982-05-20 電力用ゲ−ト・タ−ン・オフサイリスタのスナバ回路

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855887A (en) * 1987-09-30 1989-08-08 Hitachi, Ltd. Current and frequency converter having means to reduce switching losses
KR100927090B1 (ko) 2008-02-05 2009-11-13 엘에스산전 주식회사 스너버 회로

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57151268A (en) * 1981-03-14 1982-09-18 Fuji Electric Co Ltd Overvoltage protecting circuit for gto thyristor

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