JPS58219559A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば光電素子、電子写真感光体等の
静電記録体に関するものである。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄ８を樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。

しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉと称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。ａ−８４は、Ｓｔ　−８ｉの結合手が
切れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この
欠陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位
が存在する。このために、熱励起担体のホッピング伝導
が生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在単位に
トラップされて光導電性が悪くなっている。そこで、上
記欠陥を水素原子（Ｈ）で補償して５ｉＫＨを結合させ
ることによって、ダングリングボンドを埋めることが行
われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０９
Ω−眞であって、アモルファスＳｅと比較−ｔ−れば約
１万分の１も低い。従って、ａ−８ｉ　：　Ｈの単層か
らなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大１きく、初期
帯電電位が低いという問題点を有している。しかし他方
では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大き
く減少するため、感光体の感光層として極めて優れた特
性を有している。

また、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が
著しく低下することが分っている。一方、アモルファス
炭化シリコン（以下、ａ＝ｓｉｃ：Ｈと称する。）につ
いて、その製法や存在が”　ＰｈｉｌｏＭａｇ、Ｖｏｌ
　、３５　”　（１９７８）等に記載されており、その
特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−８ｉ：
Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１Ｑ１２〜１ｏ１３Ω−
眞　）を有すること、炭素量により光学的エネルギーギ
ャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変化するこ
と等が知られている。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５７−１７９５２号におい
て提案されている。これによれば、ａ−８ｉ：Ｈ層を感
光（゛光導電）膚とし、この受光面に第１のａ−８ｉＣ
：Ｈ層を形成し、裏面上（支持体電極側）に第２０ａ−
８ｉＣ：Ｈ層を形成して、３層構造の感光体としている
。

本発明者は、こうした３層構造の感光体について検討を
加えたところ、特に支持体（基板）側からのキャリア、
特に負帯電時のホールが注入され易く、これに伴なって
表面の負電荷が中和されて表面電位の保持性が悪くなる
ことが分った。同時に、最上のａ−８ｉＣ：Ｈ層につい
てもその膜厚を特定範囲に限定することが重要であるこ
ともつき止め、本発明に到達したものである。

即ち、本発明による記録体の特徴的構成は、第３のアモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例え
ばａ−ｓｉＣ：Ｈ）層と、第２のアモルファス水素化及
び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ
）層と、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
ン（例えばａ−８ｉ：Ｈ）からなる光導電層と、第１の
アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（
例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）層とを基体上に順次積層せしめ
た積層体からなり、前記第３のアモルファス水素化及び
／又はフッ素化炭化シリコン層は周期表第ＶＡ族元素が
含有せしめられることによってＮ型の導電型を示し、前
記光導電層は周期表第■Ａ族元素が含有び／又はフッ素
化炭化シリコン層は５０Ｘ〜２０００久の膜厚を有する
と共に周期表第１ｉＡ族元素が含有せしめられることに
よって１０１３．０−６以上の暗抵十 皮（示すことにある。なお、本発明で上記「Ｎ型」とは
、暗抵抗率が１０１０Ω−龜以下のものを意味するもの
とする。

このように構成すれば、上述した３層構造の特長は生か
せる上に、特に第３のアモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化炭化シリコン層が基体側に存在する゛ことから基
体からのキャリアの注入を効果的に防止でき、かつ他の
層の暗抵抗が高いために帯電電位の保持、暗減衰の減少
を図れ、更に第１のアモルファス水素化及び／又はフッ
素炭化シリコツ層漬厚み範囲の特定によって残留電位や
帯電特性をより改善することができる。

以下、本発明を図面について詳細に例示する。

本発明による記録体、例えば感光体は、第１図に示す如
く導電性支持基板１上に上記のＶＡ族元素のドープされ
た第３のａ−８ｉＣ：Ｈ層５、必要に応じてＩＩＩＡ族
元素のドープされた上記第２のａ−８ｉＣ：　Ｉｔ　層
２、上記ＴＩＩＡ族元素のドープされたａ−８ｉ　：　
Ｈかもなる光導電層３、上記ＴＴＩＡ族元素のドープさ
れた第１のａ　８ｉＣ：Ｈ層４が順次積層せしめられた
ものからなっていてよい。

第３のａ−８ｉＣ：Ｈ層５は基板１からのキャリアの注
入を防止して表面電位を充分に保持するのに大いに寄与
し、そのためにＶＡ族元素の含有によってＮ型導電特性
を示すことが重要である。また、その厚みは５０Ｘ〜１
μｍ（更には４００Ｘ〜５０ｏＯ久）であるのが望まし
い。第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２は主として電位保持、電
荷輸送機能を有し、５０００Ｘ〜８０μｍ（より望まし
くは５μｍ　％　２０μｍ）の厚みに形成されるのがよ
い。光導電層３は光照射に応じて電荷担体（キャリア）
を発生させるものであツテ、ソノ厚ミハ２５００Ｘ〜１
０μｍ（特ニ５０００Ｘ〜５μｍ）であるのが望ましい
。更に、第１のａ−８ｉＣ：Ｈ４はこの感光体の表面電
位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の
維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の
影響防止）、表面硬度が高いことによる耐刷性の向上、
感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写
性）の向上等の機能を有し、いわば表面改質層として働
くものである。この第１のａ−８ｉＣ：Ｈｉ　４　ノ厚
ミハ５０大〜２０００Ｘ、望ｔ　Ｌ　＜　ハ４００Ｘ〜
１６００　ｇと薄くすることが極めて重要である。

この感光体において注目すべきことは、既述した如きａ
−８ｉＣ／ａ−８ｉ　：　Ｈ／ａ−８ｉＣの積層構造を
持つ特長を具備するだけでなく、第３のａ　−ＳｉＣ：
Ｈ層が周期表第ＶＡ族元素のドーピングによってＮ型化
されているので、負帯電時に基板側からのキャリア（ホ
ール）注入が効果的に阻止される１１日 していること、光導電層と共に周期表第ＴＩＩＡ族元素
のドーピングにより高暗抵抗化されていることは、後述
するように各静電特性を向上させる上で非常に寄与して
いる。

とれに加えて第１図の感光体は上記積層構造を具備して
いるので、従来のＳｅ感光体と比較して薄い膜厚で高い
電位を保持し、可視領域及び赤外領域の光に対して優れ
た感度を示し、耐熱性、耐刷性が良く、かつ安定し九夕
（環境性を有するａ−８ｉ系感光体（例えば電子写真用
）を提供することができる。

次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置（グロー放電装置）を第２図について説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、基板１が基板保持部
１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所定温度に
加熱し得るようになっている。基板１に対向して高周波
電極１７が配され基板１との間にグロー放電が生ぜしめ
られる。なお、図中の加、２１、　　　　　□２２、２
３．２４．２７、あ、四、３０．３５．３６．３８ｋｉ
各バルブ、３１は８ｉＨ４又はガス状シリコン化合物の
供給源、３２はｃｔｉ、又はガス状炭素化合物の供給源
、３３はＡ、ｒ又はＨ，等のキャリアガス供給源、３４
は１チアルゴン希釈ジボランガス又はホスフィン供給源
である。このグロー放電装置において、まず支持体であ
る例えばＡ２基板１の表面を清浄化した後に真空槽１２
内に配置し、真空槽１２内のガス圧が１０−〇Ｔｏｒｒ
　　となるようにパルプ３６を調節し工排気し、かつ基
板１を所定温度、例えば２０党に加熱保持する。次いで
、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４
又はガス状シリコン化合物、ホスフィンガス及びＣＨ４
又はガス状炭素化合物を適当量希釈した混合ガスを真空
槽１２内に導入し、０６０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下
で高周波電源１６により高周波電力を印加する。これに
よって、上記反応ガスをグロー放電分解し、水素を含む
ａ−８ｉＣ：　Ｈを上記の層５として基板１上に堆積さ
せる。第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層２あるいは第２のａ−ｓ
ｉｃ：：［（層４形成時にはジボランガスをホスフィン
に代えて供給する。シリコン化合物と炭素化合物の流量
比及び基板温度を適宜調整することによって、所望の組
成比及び光学的エネルギーギャップを有するａ−８ｉ、
−ｘＣｘ　：　Ｈ（例えばＸが０９程度のものまで）を
析出させることができ、また、析出するａ−８ｉＣ：Ｈ
の電気的特性にさほどの影響を与えることなく、１００
０Ｘ／−以上の速度でａ−８ｉＣ：Ｈを堆積させること
が可能である。更に、ａ−８ｉ；１■（上記の感光層３
）を堆積させるには、炭素化合物を供給しないでシリコ
ン化合物と共に周期表第１ＩＩ　Ａ族元素のガス状化合
物、例えばＢ、Ｈ，を適当量添加し、両ガスをグロー放
電分解しているので、ａ−８ｉ：Ｈの光導電性の向上と
共にその高抵抗化も図れる。

上記の第１及び第２のａ−８ｉＣＨ層はともに、水素を
含有することが必要でちるが、水素を含有しない場合に
は感光体の電荷保持特性が実用的なものとはならないか
らである。このため、水素含有量は１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ　％　（更には１０〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％　）
とするのが望ましい。光導電層３中の水素含有量は、ダ
ングリングボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を
向上させるために必須不可欠であつて、通常は１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％であし、３．５〜２０　ａｔｏｍｉｃ
チであるのがより望ましい。

このようにグロー放電分解で各層を形成するに際し、特
にａ−ｓｉｃ：）（層５に関しホスフィンガスとシリコ
ン化合物（例えばモノシラン）の流量比を適切に選ぶこ
とが必要である。また、ａ　−８ｉＣ：Ｈ層２及び４、
光導電層３に関し、ジボランガスとシリコン化合物ガス
（例えばモノシラン）との流量比を適切に選ぶことが必
要である。

第３図には、ａ−８ｉＣ：Ｈ層５の形成に際しＰＨ１（
ホスフィン）と５ｉＨ４（モノシラン）との流リンドー
プの結果、Ｎ型の導電性が安定化する領域（Ｐ）（８／
　Ｓ　１Ｈ４＝　ｉｏｏｐｐｍ以上）に於て、上記した
基板からのキャリアの注入を充分に防止できるブロッキ
ング層となることが分った。即ちＮ十型化するにはＰＨ
３／　Ｓ　ｉＨ４の流量比は上記のことから１００〜１
０．ＯＯＯｐｐｍ　　にするのがよい。

第４図には、ａ　−ｓｔｃ：　Ｈ層２又は４に不純物（
［［Ａ族）ドーピングを行なった場合において、ジンド
ープのａ−８ｉＣ：Ｈは比抵抗１０１Ω−偽以上の幾分
Ｎ型化された導電型を示すが、ボロンをドープすると不
純物が相殺（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ）されてゆき、
実質的に真性化された状態となり、更にボロンドーピン
グ量を増やすと今度はＰ型に変換される。

第４図の結果によれば、本発明の目的を達成する上で流
量比（Ｂ、Ｈ，／　５ｉＨ４）を適切に選択すればｐＤ
を１０１３Ω−１以上とし、更にａ−ｓｉｃ：）（を実
質的に真性化してｐＤを１０′４Ω−偽以上とすること
ができる。

Ω−備以上（望ましくは１０Ｉ４Ω−偽以上）に高めら
れるので、初期帯電量が増え、暗減衰等の電子写真特性
を向上させることができる。特に、ｐＤを１０１４Ω−
偽以上とすれば、更に性能の向上が期待できる。これに
反して、ｐＤが１０１ｓΩ−偽未満（ボロンをドープし
ない場合には５Ｘ１０”Ω−備以下：　Ｂ、Ｈ６／　Ｓ
ｉＨ４の流量比でＯ〜１　ｐｐｍ　）の場合には、上記
した特性の向上は得ることができず、感光体として充分
ではない。

ａ−ｓｉｃ：）（層２又は４のボロン含有量は上記の暗
抵抗値を得るために適切に選択する必要があり、ジボラ
ンの流量で表わしたときに第３図からＢ、　Ｈ，／　Ｓ
ｉＨ，〜１０〜５００　ｐｐｍであ′るのが望ましく、
２０〜３００　［）Ｉ）ｍ程度が更に望ましい。この流
量比は使用するガスの種類によって、１０〜５００　ｐ
ｐｍとすることができる。

第５図は、ａ−８ｉＳＨ層３にＩＩＩＡ族元素のドーピ
ングを行なった場合のＢ、Ｈ，／　ＳｉＨ４の流量比に
よるρｂ変化が示されているが、これによれば、上記流
量比を２０〜３００　ｐｐｍとすれば１０１０Ω−偽以
上にでき、本発明の目的を達成できることが分る。

上記流量比を更に選択すれば、ａ−８ｉ：Ｈ層３を実質
的に真性化してｐＤを１０′′Ω−偽以上、更には１０
１ｔΩ−偽以上にまで高めることができる。なお、使用
する反応ガスの種類によっては、上記流量比を１０〜５
００　ｐｌ）ｍ　　とすることも可能である。

上記した如く、本実施例による感光体は、不純物ドーピ
ングによってＮ・・型化されたａ−８ｉＣ：Ｈ層５と暗
抵抗を充分に高められたａ−８ｉＣ：Ｈ層２及び４さら
にａ　−８ｉ　：　Ｈ３の双方とを具備しているので、
これらの各層の組合せによって感光体の表面電位保持性
、暗抵抗、更には帯電特性が相乗的に向上したものとな
っている。

第６図は、本発明による感光体を蒸着法により作製する
のに用いる蒸着装置を示すものである。

ベルヅヤ−４１は、バタフライバルブ４２を有する排気
管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー４１内を例えば１０１〜１０”−
’　Ｔｏｒｒの高真空状態とし、当該ペルジャー４１内
には基板１を配置してこれをヒーター４５により温度１
５０〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱す
ると共に、直流電源４６により基板１にＯ〜−１０ＫＶ
　、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、
その出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口
を接続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及
び水素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板
１と対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及びアルミ
ニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシャッター
Ｓを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速度比
が例えば１：　０．０００１となる蒸発速度で同時に蒸
発せしめる。

これによりアルミニウムドープドａ　　Ｓｔ　Ｓ　Ｈ層
３（第１図参照）を形成する。また、アルミニウム蒸発
源４６上のシャッターＳを開けたままベルジャａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層１（第１図参照）を層５上に形成する。第１の
ａ−ｓｉｃ：Ｈ層４の形成時もアルミニウムの蒸発を行
なえばよい。また、第３のａ−８ｉＣ：　Ｈ層５の形成
時はアルミニウム４９に代えてリン、ヒ素を蒸発源とす
ればよい。

上記の放電管４７、艶の構造を例えば放電管４７につい
て示すと、第７図の如く、ガス人口６１を有する筒状の
一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一端
に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の放
電空間部材θと、この放電空間部材６４の他端に設けた
、出口６５を有するリング状の他方の電極部材６６とよ
りなり、前記一方の電極部材軸と他方の電極部材６６と
の間に直流又は交流の電圧が印加されることによ抄、ガ
ス人口６１を介して供給された例えば水素ガスが放電空
間６３においてグロー放電を生じ、これにより電子エネ
ルギー的に賦活された水素原子若しくは分子よ秒なる活
性水素及びイオン化された水素イオンが出口６５より排
出される。この図示の例の放電空間部材６４は二重管構
造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し、６７．
６８が冷却水人口及び出口を示°す。６９は一方の電極
部材６２の冷却用フィンである。上記の水素ガス放電管
４７における電極間距離は１０〜１５傷であり、印加電
圧は６００　Ｖ　、放電空間６３の圧カー鵞 は１０　　Ｔｏｒｒ程度とされる。

この第６図及び第７図の蒸着装置により作製される感光
体においても、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２及び４、ａ−８ｉ：
Ｈ層３はアルミニウムのドーピングによって高抵抗化（
更には実質的に真性化）されており、これによってρカ
　は上述したと同様に向上したものとなっている。この
ためには、蒸着時にシリコン蒸気に対してアルミニウム
蒸気を１０〜５００ｐｐｍ、更には２０〜３００　ｐｐ
ｍの濃度にするのがよい。

また、ａ　ＳｔＣ：Ｈ層も第ＶＡ族元素がドープされ蒸
着時はシリコン蒸気に対し不純物蒸気を１００〜１０，
０００　ｐｆ）ｍとするのがよい。

次に、本発明による感光体の各層を更に詳しく説明する
。

このａ　−ＳｉＣ：　Ｈ層４は感光体の表面を改質して
ａ−８ｉ系感光体を実用的に優れたものとするために必
須不可欠なものである。即ち、表面での電荷保持と、光
照射による表面電位の減衰という電子写真感光体として
の基本的な動作を可能とするものである。従って、帯電
、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例
えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性を再
現できる。

これに反し、ａ−８ｉ：Ｈを表面とした感光体の場合に
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。また、ａ−８ｉＣ：Ｈ
は表面硬度が高いために、現像、転写、クリーニング等
の工程における耐摩耗性があり、更に耐、熱性もよいこ
とから粘着転写等の如く熱を伺与するプロセスを適用す
ることができる。

このような優れた効果を総合的に奏するためにその膜厚
を２０００　Ｘ以上とした場合には、残留電位が高くな
りすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系感光体として
の良好な特性を失ってしまう。また、膜厚を５０Ｘ未満
とした場合には、トンネル効果によって電荷が表面上に
帯電されなくなるため、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４とａ−８ｉ
：Ｈ層２との間の膜厚バランスにより暗減衰の増大や光
感度の著しい低下が生じてしまう。従って、ａ−８ｉＣ
：Ｈ層４の膜厚は２０００　Ａ未満、５０Ｘ以上とする
ことが必須不可欠である。

また、このａ−８ｉＣ：Ｈ層４につい、ては、上記した
効果を発揮する上でその炭素組成を選択するととも重要
であることが分った。組成比をａ　−８ｉ。

−ｘＣｘ　：　Ｈと表わせば、ｘｌｆｔ：０．４以上、
特に０．４≦Ｘ≦０．９とすること（炭素原子含有量が
４０　ａｔｏｍｉｃ　％　％　９０ａｔｏｍｉｃ　％で
あること）が望ましい。即ち、０．４≦Ｘとすれば、光
学的エネルギーギャップ′７５（＋’ｚぼ２，３　ｅＶ
以上となり、第８図に示したように、可視及び赤外光に
対し実質的に光導電性（但、ρＤは暗所での抵抗率、ρ
Ｌは光照射時の抵抗率であって、ρ詐／ρＬが小さい視
光導電性が低い）を示さず、いわゆる光学的に透明な窓
効果により殆んど照射光はａ　　ｓｉ、：）（層（電荷
発生層）３に到達することになる。逆にＸ　＜０．４で
あると、一部分の光は表面層４に吸収され、感光体の光
感度が低下し易くなる。また、Ｘが０．９を越えると層
の殆んどが炭素となり、半導体特性が失われる外、ａ−
８ｉＣ：Ｈ膜グロー放電法で形成するときの堆積速度が
低下するから、Ｘ≦０．９とするのがよい。

第２のａ−８ｉＣＳＨ層 このａ　−ＳｉＣ：　０層２は電位保持及び電荷輸送の
両機能を担い、上記不純物のドーピングによって暗所抵
抗率を向上させ、耐高電界性を有し、単位膜厚当りに保
持される電位が高く、しかも感光層３から注入される電
子又はホールが大きな移動度と寿命を示すので、電荷担
体を効率よく支持体１側へ輸送する。まだ、炭素の組成
によってエネルギーギャップの大きさを調節できるため
、感光層３において光照射に応じて発生した電荷担体に
対し障壁を作ることなく、効率よく注入させることがで
きる。従ってとのａ−８ｉＣＳＨ層２は実用レベルの高
い表面電位を保持し、ａ−８ｉ：Ｈ層３で発生した電荷
担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留電位のな
い感光体とする働きがある。

但、この層２は次のように充分な厚みを有しているので
、必らずしも不純物ドーピングにより比抵抗を上記の如
くに高めなくても良好な電位保持能及び電荷輸送能を示
す。

こうした機能を果すために、ａ−ｓｔＧ：）（層２の膜
厚は、例えばカールソン方式による乾式現像法を適用す
るためには５０００１〜８０μｍであることが望ましい
。この膜厚が５ｏｏｏ　１未満であると薄すぎるだめに
現像に必要な表面電位が得られず、また８０μｍを越え
ると表面電位が高くなって付着したトナーの剥離性が悪
くなり、二成分系現像剤のキャリアも付着してしまう。

但、このａ−８ｉＣ：Ｈ層の膜厚は、Ｓｅ感光体と比較
して薄くしても（例えば十数μｍ）実用レベルの表面電
位が得られる。

また、コノａ−８ｉＣ：０層２をａ　−８ｉ１−　ｘＣ
ｘ　：Ｈと表わしたとき、０，１≦Ｘ≦０．９（炭素原
子含有量が１０　ａｔｏｍｉｃ％〜９０　ａｔｏｍｉｃ
　％、好ましくは３０〜９０　ａ−１ｏｍｉｃ　％　）
とするのが望ましい。０．１≦Ｘとすればａ−ｓｉ：、
）（層３とは全く異ったものができ、また０、９　＜　
Ｘとすれば層の殆んどが炭素になり半導体特性が失われ
る他に製膜時の堆積速度が低下し、これらを防ぐために
はＸ≦０．９とするのがよいからである。

第３）ａ−８ｉＣ：Ｈ層 この層は基板５からのキャリア（％にホール）の注入を
充分に阻止し得るエネルギーギャップを基板との間に形
成しているので、キャリア注入による電荷の中和現象を
なくし、表面電位の保持、ひいては帯電特性を良好に保
持する働きがある。

このために、ａ−８ｉＣ：Ｈ層５は上述した如く不純物
ドープによりＮ”Ｗ化しているのが望ましい。

また、その膜厚も５０Ｘ〜１μｍに選択するのがよい。

５０Ｘ未満では効果がなく、１μｍを越えると却って電
荷輸送性が低下し易い。また、その炭素含有量は上記ａ
−８ｉＣ：０層２と同様に１０〜９０ａ−ｔｏｍｉｃチ
であるのが良い。

ａ−８ｉ：Ｈ層　（光導電層又は感光層）このａ−８ｉ
：Ｈ層３は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性を
有するものであって、第８図に示す如く、波長６５０　
ｎｍ付近での赤色光に対しρＤ／ρＬが最高〜１０４と
なる。このａ−８ｉ：Ｈを感光層として用いれば、可視
領域全域及び赤外領域戟に対して高感度な感光体を作製
できる。しかも、周期表第１ＩＩＡ族のドーピングによ
り高比抵抗化され、これに伴なってρＤが向上するから
、帯電電位、暗減衰共に良好となっている。可視光及び
赤外光を無駄なく吸収して電荷担体を発生させるために
は、ａ−８ｉ：Ｈ層３の膜厚は２５００Ｘ〜１０μｍと
するのが望ましい。膜厚が２５００１未満であルト照射
された光は全て吸収されず、一部分は下地のａ−８ｉＣ
：　０層２に到達するために光感度が大巾に低下する。

また、ａ−ｓｉ：）Ｉ層３は感光層として光吸収に必要
な厚さ以上に厚くする必要はなく、最大１０μｍとすれ
ば充分である。

以上説明した例においては、ダングリングボンドを補償
するためには、ａ−８ｉに対しては上記したＨの代りに
、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ−８ｉ　：　
Ｆ、　　ａ−８ｉ　：　Ｈ：　Ｆ、　　ａ　−８ｉＣ：
Ｆ、　　ａ−８ｉＣ：　Ｈ：　Ｆとすることもできる。

この場合のフッ素量は０．０１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　
ｑ６がよく、０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃ　Ｌ％がより
望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法又は蒸着法に
よるものであるが、これ以外にもスパッタリング法、イ
オンブレーティング法等によっても上記感光体の製造が
可能である。使用する反応１゜ ガスは８ｔＨ４以外にもＳｉ、Ｉ（、，５ｉＨＦ、又は
その誘導体ガス、ＣＨ４以外のＣ２Ｈｅ　、　Ｃｓ　Ｈ
ｓ等の低級炭化水素ガスが使用可能である。更にドーピ
ングされる不純物は上記ポロン、アルミニウム以外にも
ガリウム、インジウム等の他の周期表第１１１Ａ族元素
、リン以外のヒ素、アンチモン等の他の周期表第ＶＡ族
元素が使用可能である。

次に、本発明を電子写真感光体に適用した実施例を具体
的に説明する。

実施例１ グロー放電分解法によりＭ支持体上に第１図の構造の電
子写真感光体を作製した。先ず平滑な表面を持つ清浄な
Ｍ支持体をグロー放電装置の反応（真空）槽内に設置し
た。反応槽内を１０’−’　Ｔ　ｏｒｒ台の高真空度に
排気し、支持体温度を２００℃ＫｆＪＤ　熱した後高純
度舒ガスを導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧のもとで周波
数１３．５６ＭＨｚ、　、電力密度０．０４　Ｗ／７　
（７）高周波電力を印加し、１５分間の予備放電を行っ
た。

次いで、ＳｉＨ４とＣＨ４からなる反応ガスを導入し流
量比３　：　１　：　０．５〜０．０５の（ｋ＋Ｓ　ｔ
　Ｈ４＋　ＣＨ４）混合ガス及びＰＨ，又はＢ、Ｈ，ガ
スをグロー放電分解　　　□することにより、キャリア
注入を防止するａ−８ｉＣ：Ｈ層、更には電位保持及び
電荷輸送機能を担うａ−ｓｉｃ：）（層を３５０１−７
−の堆積速度で製膜した。反応槽を一旦排気した後、Ｃ
Ｈ，は供給せず、ＭをキャリアガスとしてＳｉＨ４及び
Ｂ：Ｈ，Ｉを放電分解し、ボロンドープドａ−８ｉ：Ｈ
感光層を形成した後、再びＣＨ４を供給し、今度は流量
比５：１：　４〜０．５　（Ｄ　（Ａｒ　＋　８　ｉＨ
ａ　＋　ＣＨ，）混合ガスをグロー放電分解し、ａ−ｓ
ｉｃ：ｎ表面改質層を更に設け、電子写真感光体を完成
させた。このａ　−８ｉＣ：　ｎ表面改質層の光学的エ
ネルギーギャップは２．５〜２．ＯｅＶであった。また
、炭素組成が５０〜２０　ａ−１ｏｍｉｃ％　であるこ
とが分析によりわかった。

このようにして作製した感光体に、負極性で６ＫＶのコ
ロナ放電を行ったところ、表面を負電位に帯電させた。

６秒間の暗減衰の後、１　ｌｕｘの光照射により表面電
位はほぼ直線的に減衰した。この時の半減露光量は少な
く、残留電位はほとんどなく、帯電・露光の繰返し特性
も非常に良好であった。他方、正帯電では負帯電時と同
程度の受容電位と暗減衰が測定されたが、光減衰におい
て裾切れが悪く、残留電位も臓＜なった。　　゛比較例
１ 反応ガスとしてＰＨ３を混合あ妙、なし以外は実施例１
と同様な製法により、Ｍ支持体上にａ　−８ｉＣ：Ｈ層
５を製膜した。ａ−８ｉＣ：Ｈ層４、ａ　−８ｉ：Ｈに
ついてＢ２ＨＩ！を混合あり、なし以外は実施例１と同
様に製膜した。この感光体を用いて実施例１と同様のテ
ストを行った。この結果、暗減衰が大きく、半減露光量
も増大し、像形成時の性能は最高画像濃度が低く、又感
度不足であった。

導電層としてのアルミニウムドープドａ−８ｉ：ＨｚＭ
層３を形成した。この光導電層の上、下にはアルミニウ
ムドープドａ−８ｉＣ：Ｈ層４及びドープあり、なしの
ａ　−ＳｉＣ：　０層２を上述した方法で形成した。。

即ち、前記槽４１を真空ポンプにより］０’　Ｔｏｒｒ
に排気し、この槽４１内に第７図の放電装置４７を用い
て放電活性化した水素ガス（Ｚｏｏ　ＣＣ／　ｍの流量
）を導入し、シリコン蒸発源４８及びＭ蒸発源４９を電
子銃加熱して蒸発せしめ、シリコン蒸発量とＭ蒸発量を
クリスタルモニターで検知しながら１０’：１の比（８
ｉの蒸発量に対するＭの蒸発量濃度は１００ｐｐｌｎ又
はそれ以上）になるようにし、基板電圧−２ＫＶ、基板
温度３００℃で蒸着し、アンチモンドープドａ−８ｉＣ
：８層５、ａ−８ｉ：Ｈ：Ｍ層３及びドープドａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層４を形成した。ａ　−８ｉＣ：Ｈ層２の形成時
はメタンガスを３０　ｃｃ　／　ｍの流量で導入し、Ｍ
蒸発源シャッターを必要とあれば閉じて蒸発を遮断した
外は上記と同様にして、ａ　−８ｉＣ：Ｈｊｉｉを形成
し本発明の感光体を得た。

比較例２ 次に比較のため、アンチモンドープあし、なしのａ−８
＊Ｃ：　Ｈｌｉｉ　５と組合せて、ａ−８ｉ：Ｈ層３又
はａ−８ｉＣ：Ｈ層２又は４としてＭｔドーピングしな
い時は、Ｍの蒸発を行なわない条件で上記と同様にして
形成し、これを比較用の感光体とした。

ｒ　以上の本発明による感光体及び比較用感光体を川口
電気社製エレクトロメーター［４、及びＵ−ＢｉｘＶ−
２改造機による性能テストを行った結果表下を己製にオ
ーした。

（ε６） なお、上記表中、静電特性のＶは初期帯電電位、ΔＶ／
Ｖは帯電終了６秒後の電荷の暗減衰率、ＦＳＩ１２は半
減露光量（単位：　ｌｕｘ　ａＩｌｅＱ）、■は残留電
文を示す。

この結果から、本発明による感光体は、帯電電１が充分
であってその暗減衰率が少く、しかも高１度であること
が分る。更に、７万５千回以上の４返しコピーにおいて
も、鮮明な高濃度画像力玄得つれる。これに対し比較例
のものでは、電位、暗減衰、光感度共に悪く、繰返し特
性も著しく劣る二とが分る。

実施例３ 一ピングされた尋Ｈ旬ａ　−ＳｉＣ：　８層（ブロツキ
ノグ層）と１０μｍのａ　−８ｉＣ：Ｈ電位保持層と厚
さ一、ＯｔｔｍのＢ＠Ｈ＠　／８１Ｈ４＝１００　Ｐｐ
ｍでドーピングサレ、シ抵抗２５　Ｘ　１０”Ω−纒の
ａ−８ｉ　：　Ｈ感光層を形成した上にさらにＢ、Ｈ，
／８ｔＨ４−ｔｏｏ　ｐｐｍでドーピノグされた比抵抗
６．ＯＸ　１０４４Ω−躯のａ−ｓｔｃ：）（表面改質
層を積層した感光体において、ａ−８ｉＣ：Ｈ表面層の
厚さを０．０５　ｔａｎ、　０．２μｍ　、　１．ｏ　
μｍ　　／としたものを夫々作製し、それらの帯電およ
び光減衰特性を比較した。−６ＫＶの□コロナ放電によ
って感光体表面に帯電させた後１　ｌｕｘの光照射を行
なった時の光減衰特性の結果は下記の表及び第９図（デ
ータをプロットしたもの）のようになった。

ここで、ＦＪｌ／２は半減露光量（ｌｕｘ　ｍｔｘｃ　
）、ＶＲは残留電位（ｖｏｌｔ　）である。この結果よ
り明らかなように、ａ−ｓｔｃ：）１表面層の厚さを０
．２μｍ以１・ 上にした場合、大幅な光感度の低下と残留電位の増加が
見られた。また、初期帯電電位は、表面層の厚さが０．
２μｍのもので一７６０ｖｏｌｔ、より厚いものについ
ては、上記表の残留電位の分だけ初期帯電電位の向上が
見られた。上記の表及び第９図で示されたように、正帯
電で光感度がな７５１つだ事実より、本実施例による製
法で作製し九ａ−８４：Ｈとａ−８ｉＣ：Ｈは、ａ−８
ｉ：Ｈ層とａ　−’ＳｉＣ：　Ｈ層との界面において、
ａ−８ｉ：Ｈ感光層内で発生した電荷担体のうち電子は
ａ−８ｉＣ：Ｈ層に容易に注入されやすいのに対して、
ホールについては障壁を形成してその注入が容易でない
ようなエネルギーレベルになっているため、光感度の低
下と残留電位が生じたと考えられる。以上のように、ａ
−８ｉＣ：Ｈ表面改質層の厚さを０２μｍ未満にするこ
とがホ・−ルが注入され易くなって表面負電荷を８ｉＣ
：　Ｈ表面層として厚さは０．１５μｍである・が、炭
素の組成が２０　ａｔｏｍｉｃチのものを使用した場合
、半減露光量が１．２　ｌｕｘ　ｍ−となってしまった
。この場合、この組成のａ−８ｊＣ：Ｈ層の光学的エネ
ルギーギャップｔ１２．ｏ　ｅＶｆあって照射光の一部
が表面層で吸収されるために、結果として光感度が低下
した。このようＩｆＣ，ａ　−ＳｉＣ；　Ｈ表面層の組
成社第８図に示したように４０　ａｔｏｍｉｃ　ｅ１６
以上のものであって可視及び赤外光に対して光導電性を
有さす、光学的に透明なものとすることが重要であった
。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図は電子写
真感光体の一部分の断面図、第２図は上記感光体を製造
するグロー放電装置の概略断面図、 ラフ、 グラフ、 第５図はドープドａ−８ｉ：Ｈを製膜するときの第３図
と同様のグラフ、 第６図紘蒸着装置の概略断面図、 第７図は放電部の断面図、 第８図はａ−８ｉ：Ｈ及び各組成のａ−８ｉＣ：Ｈの光
導電性を示すグラフ、 第９図は第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層の厚みによる静電特性
の変化を示すグラフ、 である。 なお、図面に示されている符号において、１・・・支持
体（基板） ２・・・不純物のドープされた第２のａ　−８ａｃ：［
１層 ３・・・不純物ドープドａ−８ｉ：Ｈ感光層（光導電層
） ４・・・第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層 １１・・・グロー放電装置 １７−・・高周波電極 ３１・・・ガス状シリコン化合物供給源３２・ｅ・ガス
状炭素化、金物供給源 間・・・キャリアガス供給源 Ｕ・・・Ｂ、Ｈ，又はＰＨｓ供給源 ４１・・・蒸着槽 ４７．５０φ・放電部 ４８＠ゆ・シリコン蒸発源 ４９・・・アルミニウム又はアンチモン蒸発源である。 代理人　　弁理土掻　　坂　　　宏 第１図 第２図 第３図 ＰＨ３ＺＳＩＨ４第５１ （ｐｐｍ） Ｂ＄３旧＋（ｐｐｍ） し ８２Ｍ；Ｈ４（ｐｐｍ　） （自発）　手続？市正書 昭和５８年９月を關 特許庁長官　　若　杉　和　夫・　　殿１、事件の表示 昭和５７年　　特許　間第１０２４１６号２、発明の名
称 記録体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳ｔｉＭ＄＼の
欄及び図面の簡単な説明の欄　　　　　　　　　ハ、。 　、１□へ、。　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　−勺。　１２、ｒ（１）、特許請求の範囲を別紙の
通りに訂正します。 （２）、明細書第９頁下から２行目の「フッ素炭化」を
「フッ素化炭化」と訂正します。 （３）、同第１０頁下から３行目の「ｚｏｐｍ　Ｊを「
３ｏｐｍ」と訂正します。 （４）、同第真１頁１３行目のｒａ−８ｉＣＪ（２筒所
）を［ａ−８ＩＣ：ＨＪと夫々訂正します。 （５）、同第１２頁８行目の「対環境性」を「耐環境性
」と訂正します。 （６）、同第１３頁２〜３行目の［１ｅＩｂアルゴン希
釈」を削除します。 （７）、同第１４頁１３行目のｒ　ａ、　−５ｉＣＨＪ
をｒａ−８ｉＣ：Ｈ」と訂正します。 （８）、同第１５頁１行目の「３．５〜２０」を［１０
〜３ＱＪと訂正します。 （９）、同第１５頁９行°目の「ことが」を「ことも」
と訂正します。 （ＩＱ、同第１５頁１３行目、第１６頁３行目、１１１
行目１２２行目１８８行目び加行目、第１７頁１４行目
及び１８行ｐｎＪを「ＰＤ」　　と夫々訂正します。 ＋Ｉｌｌ、同第２２同第２御 によシ」を削除します。 ６３、同第久頁７〜９行目の「実質的に・・・・・・・
・・・・・示さず、」を削除します。 （１１、同第ｎ頁１０行目の「殆んど」を削除します。 ６４、同第２５頁２〜４行目の「表面電位・・・・・・
・・・・・・してしまう。」をｒａｓｉ：Ｈ層３で発生
した電荷担体の支持体１への到達率が低下してしまう。 」と訂正します。 （１１、同第２５頁９〜１０行目の「、好ましくは３０
〜９０　ａｔｏｍｉｃチ」を削除します。 （１１、同第２６頁１３行目の「ＰＬ」を「ρ，」と訂
正します。 ６７）、同第２７頁下から３行目のｒ　５ｉＨＦｓ　Ｊ
をｒｓｉＨＦｓ　。 ５ｉＦ４Ｊと訂正します。 ａ場、同第２７頁末行の「ガス」を「ガスやＣＦ４　Ｊ
と゛訂正します。 ６＊，同第３頁下から３行目の「又はＢｓＨ・」　を削
除します。 憫、同第測頁末行の「更には」を「更にはＰＨｓは供給
せず」と訂正します。 Ｉｔ）、同第２９ｒＪ．２行目ノ「シ，た。」を「し７
た。このａ−８ｉＣ：Ｈ層中の炭素含有率はオージェ雷
１子分光分析の結果１５　ａｔｏｍｉｃ　＄であった。 」と訂正しまを削除します。 （ハ）、同第四頁５行目のｒ　ＣＨ４　ＪをｒｃＨｔ及
びＢｔｕｓ　Ｊと訂正します。 （ハ）、同第２９頁７行目のｒａ−８ｉＣ：ＨＪを「ボ
ロンドープドａ−８ｉＣ：ＨＪと訂正します。 （ハ）、同第２９頁１３行目の「行ったところ」を「行
ない」と訂正します。 （ハ）、同第２９頁１４行目の「６秒間」を「２秒間」
と訂正します。 （口）、同第圓頁４〜５行目のｒａ−８ｔ：ＨＪを削除
します。 （ハ）、同第３０貞１４〜１５行目の「ドープ」を「ア
ルミニウムドープ」と訂正します。 （ハ）、同第３１頁１〜４行目の「蒸発量と・・・・・
・・・・・・−ようにし」を「蒸発量をクリスタルモニ
ターで検知しなから」と訂正します。 に）、同第３１頁６〜７行目のｒａ−８ｔ：Ｈ：ＡＪ層
３及びドープドａ−ｓｉｃ：Ｈ層４」をｒＡｌドープド
ａ−８ｉ：Ｈ層３及びＭドープ）’ａー８ｉＣニー８ｉ
Ｃ二Ｈ かり、同第３１負１４　〜１５行目のｒａ−８ｉ：Ｈ層
３又は」を削除し゛ます。 に）、同第３１頁１９行目の「エレクトロメータ」を「
エレクトロメータＳ　Ｐ　−　４２８　Ｊと訂正します
００枠、同第３２頁の表中、その３行目のｒ　ＢＩＨ＠
　／Ｓｉｌ（ａ １０００ｐｐｍ　Ｊ をｒｐｕｓ／　　　と訂正します。 １０００　ｐｐｍ　Ｊ に）、同第３３頁の表を下記の通シに訂正します。 （以下余白、次頁へ続く。） に）、同第３４頁２行目の「６秒後」を「２秒後」と訂
正します。 ←）、同第３６頁２〜１１行目の「上記の表・・・−・
−・・−・考えられる。、１を削除します。 い→、同第３７頁５行目の「重要であった。」を「好ま
しい。」と訂正します。 （ハ）、同第μｓ頁１２行目と１３行目との間に下記の
記載を加入し１す。 記 ［５伊・Φ不純物のドープされた第３のａ　−ＳｉＣ：
■層」 一以　上− １、＄３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層と、第２のアモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化炭化シリコン層と、アモルファス水素化及び／又
はフッ素化シリコンからなる光導電層と、第１のアモル
ファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層とを基
体上に順次積層せしめた積層体からなシ、前記第３のア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層は
周期表第ＶＡ族元素が含有せしめられることによってＮ
型の導電型を示し、前記光導電層は周期表第■Ａ族元素
が含有せしめられることによって１０１０−α以上の暗
抵抗率を示し、かつ前記第１のアモルファス水素化及び
／又はフッ素化炭化シリコン層は５０Ａ〜２０００　Ａ
の膜厚を有すると共に周期表第１１［Ａ族元素が含有せ
しめられることによって１０１０−α以上の暗抵抗率を
示す仁とを特徴とする記録体。 ２、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層がＮ＋型の導電型を示す、特許請求の範囲の
第１項に記載した記録体。 ３、光導電層の暗抵抗率が１０１２０−α以上である、
特許請求の範囲の鎖１項又は第２項に記載した記録体。 ４、　　ｊｉｌのアモルファス水素化及び／又はフッ素
化１１之化シリコンＭの暗抵抗率が１０１４Ω−（７）
以上である、’ｔ７許請求の範囲の第１項〜第３項のい
ずれか１項に記載した記録体。 ５、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層も周期表第ｎｌＡ族元率が含有せしめられる
ことによって１ｏ　ｔｌΩ−α以上の暗抵抗率を示す、
特許請求の範囲の第１項−第４項のいずれか１項に記載
した記録体。 ６、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
給する第１の反応ガスに対し、周期表第ＶＡ族元素を供
給する第２の反応ガスを１００〜１０，０００ｐｐＨ１
のρ度で供給し、これら両反応ガスをグロー放′亀分解
せしめて第３のアモＡ・ファス水素化及び／又はフッ素
化炭化シリコン層が形成される、特許請求の範囲の第１
項〜第５項のいずれか１項に記載した記録体。 ７、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
給する第１の反応ガスに対し、周期表第■Ａ族元素を供
給する第２の反応ガスを１０〜５００　ｐｐｍの濃度で
供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せしめるこ
とによって第１又は第２のアモルファス水素化及び／又
は７ツ素化炭化シリコン層若しくは光導電層が形成され
る、特許請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか１項に
記載した記録体。 ８　シリコン蒸気に対し、周期表第ＶＡ族元素の蒸気を
１００〜１０，０００ｐｐｍの濃度にし、水素原子及び
／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行なう仁とによって
、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シ
リコン層が形成される、特許請求の範囲の請１項〜第５
項のいずれか１項に記載し７た記録体。 ９　シリコン蒸気に対し、周期表第ｍＡ族元素の蒸気を
１０〜５００　ｐｐｍの濃度にし、水素原子及び／又は
フッ素原子の混入下で蒸着を行なうことによりて、第１
又は第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層若しくは光導電層が形成される、特許請求の
範囲の第１項〜第５項のいずれか１項に記載した記録体
。 ｌ（＋、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化
炭化シリコン層の厚みが５０Ａ〜１／７ｍであり、７ｇ
２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
ン層の厚みが５０００　Ａ〜８０／Ｊｍであシ、光導電
層の厚みが２５ＱＯＡ〜１０μｍであシ、第１のアモル
ファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ・ン層の厚
みが５０Ａ〜２０００　Ａである、特許請求の範囲の第
１項〜第９項のいずれか１項に記載した記録体。 １０、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコン層の厚みが４００Ａ〜５０００　Ａであり、
第２のアモルファス水素化及び／又は）、ノ素化炭化シ
リコン層の厚みが５μｍ　−３，Ｏｐｍであシ、光導電
層の厚みが５０００　Ａ〜５μｎ１であゆ、棺１のアモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の厚
みが４００Ａ〜１６００　Ａである、特許請１２、第１
のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン
層の炭素原子含有量が４０　ａｔｏｍｉｃチ〜９０　ａ
ｔｏｍｉｃチであシ、第２及び第３のアモルファス水素
化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の炭素原子含有量
が１０　ａｔｏｍｉｃ　％　〜９０　ａｔｏｍｉｃ％で
ある、特許請求の範囲の第１項〜第１１項のいずれか１
項に記載した記録体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層と、第２のアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化炭化シリコン層と、アモルファス水素化及び／又
   はフッ素化シリコンからなる光導電層と、第１のアモル
   ファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層とを基
   体上に順次積層せしめた積層体からなり、前記第３のア
   モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層は
   周期表第ＶＡ族元素が含有せしめられることによってＮ
   型の導電型を示し、前記し、かつ前記第１のアモルファ
   ス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層は５０又〜
   ２０００　Ｘの膜厚を有すると共に周期表第１１１Ａ族
   元素が含有せしめられることによって１０１３Ω−龜以
   上の暗抵２、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ
   素化炭化シリコン層がＮ＋型の導電型を示す、特許請求
   の範囲の第１項又は第２項に記載した記録体。 る、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に
   記載した記録体。 ５、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素を示す
   、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に記
   載した記録体。 ６、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
   給する第１の反応ガスに対し、周期表第■Ａ族元素を供
   給する第２の反応ガスを１００〜１０．０００ｐｐｍの
   濃度で供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せし
   めて第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層が形成される、特許請求の範囲の第１項〜第
   ５項のいずれか１項に記載した記録体。 ７、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
   給する第１の反応ガスに対し、周期表第■Ａ族元素を供
   給する第２の反応ガスを１０〜５００ｐｐｍの濃度で供
   給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せしめること
   によって第１又は第２のアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化シリコン層若しくは光導電層が形成される
   、特許請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか１項に記
   載した記録体。 ８、　シリコン蒸気に対し、周期表第ＶＡ族元索の蒸気
   を１００〜１０，０００　ｐｐｍの濃度にし、水素原子
   及び／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行うことによっ
   て、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層が形成される、特許請求の範囲の第１項〜第
   ５項のいずれか１項に記載した記録体。 ９、　シリコン蒸気に対し、周期表第１ＩＩ　Ａ族元素
   の蒸気を１０〜５００　ｐｐｍの濃度にし、水素原子及
   び／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行なうことニヨっ
   て、第１又は第２のアモルファス水素化及び／又はフッ
   素化炭化シリコン層若しくは光導電層が形成される、特
   許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項共忰卿牟
   幌に記載した記録体。 １０、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
   化シリコン層の厚みが５０Ｘ〜１μｍであり、第２のア
   モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の
   厚みが５０００　Ａ〜８０μｍであり、光導電層の厚み
   が２５００１〜１０μｍであり、第１のアモルファス水
   素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の厚みが５０人
   〜２００ＯＡである、特許請求の範囲の第１項〜第９項
   のい°ずれか１項に記載した記録体。 １１、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素　　
   　□化炭化シリコン層の厚みが４００　Ｘ〜５０００　
   Ａでろり、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素
   化炭化シリコン層の厚みが５μｍ−加μｍであり、光導
   電層の厚みが５０００　Ｘ〜５μｍであし、第１のアモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の厚
   みが４００　Ｘ〜１６００　Ａである、特許請求の範囲
   の第１０項に記載した記録体。 １２、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
   化シリコン層の炭素原子含有量が４０　ａｔｏｍｉｃチ
   〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％であり、第２及び第３のアモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の炭
   素原子含有量が１０　ａｔｏｍｉｃ　４〜９０　ａｔｏ
   ｍｉｃ　％である、特許請求の範囲の第１項〜第１１項
   のいずれか１項に記載した記録体。