JPS60235153A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ＋ＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。　しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８１）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

　ａ−８ｉは、８１−８１の結合手が切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。　こ
のために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて
光導電性が悪くなっている。　そこで、−上記欠陥を水
素原子（Ｈ）で補償して８１にＨな結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
３：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０〜１０’Ω
−ｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万分
の１も低い。　従って、ａ−８１：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速塵が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。

しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。

第１図には、上記のａ−８］：Ｈを母材としたａ−Ｓｔ
系悪感光体組込んだ電子写真複写機が示されている。　
この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方では
、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラー
ユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移
動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路
長を一定にするための第２ミラーユニツ）２０が第１ミ
ラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの
反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体
としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよう
になっている。　ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１
０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニン
グ部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙
ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム
９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、ト
レイ３５へ排紙される。　定着部１９では、ヒーター２
２を内蔵した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との
間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない。

　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。　一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ＩＣ：
Ｈと称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１１
．Ｍａｇ。

Ｖｏ　１．３５責１９７８　）等に記載されており、そ
の特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−８１
：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０〜１０　Ω−ｃｒ
ｎ）を有すること、炭素量により光学的エネルギーギャ
ップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変化すること
等が知られている。　但、炭素の含有によりバンドギャ
ップが拡がるために長波長感度が不良となるという欠点
がある。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｔ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、ａ　−８１
：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下
にａ−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離
型の２層構造を作成し、上層のａ　−８ｉ：Ｈにより広
い波長域での光感度を得、かつａ−８ｌ：Ｈ層とへテロ
接合を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈにより帯電電位の
向−ヒを図っている。　しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈ層
の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分で
あって実用性のあるものとはならない。

一方、特開昭５７−１７９５２号、５７−５２１７８号
公報には、ａ−８ｉ：Ｈからなる電荷発生層上に第１の
ａ−８ｉＣ：Ｈ層を表面改質層として形成し、裏面上（
支持体電極側）に第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層
又は電荷ブロッキング層として形成している。

ところが、公知の感光体においては、特にａ−８ｉＣ：
Ｈ電荷ブロッキング層について次の如き問題点があるこ
とが判明した。

即ち、公知のａ−８ＩＣ：Ｈは暗抵抗ρｐの温度依存性
が大きく、このために高温では帯電電位の保持特性が劣
化して実用に供し得なくなり、しかも画像流れも生じ易
い。

３、発明の目的 本発明の目的は、高い帯電電位を安定（＝（特に高温又
は高湿下で）保持でき、かつ光疲労特性に優れた感光体
を提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層下に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化（及び／又は窒
化）シリコンからなる電荷輸送層が設けられ、この電荷
輸送層下に、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコンからなる電荷ブロッキング層が設けられてい
る感光体において、前記電荷ブロッキング層が１〜２０
ａｔｏｍｉｃ％の酸素（但、シリコン原子と炭素原子と
酸素原子との合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とす
る。）を含有していることを特徴とするものである。

本発明によれば、機能分離型の感光体であって、その電
荷ブロッキング層に１〜２０ａｔｏｍｉｅ％の酸素を含
有せしめているので、電荷ブロッキング能を発揮させな
がら、ρＤを効果的に上昇させてρＤの温度依存性（ｄ
ρＤ／ｄＴ　）を小さく抑えることができる。　このた
め、帯電電位の保持特性が向上し、感光体の使用可能な
上限温度（上限湿度も同様）を高めることができるので
ある。　仮に、上記酸素含有量が１８ｔｏｍｉｃ％未満
であると酸素含有による効果が発揮されず、また２０　
ａｔｏｍｉｃ％を越えると酸素が多すぎてキャリアのモ
ビリティ、即ち（μτ）が著しく低下してしまう。　従
って、酸素含有量を１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％に設定す
ることが必須不可欠であり、特に５〜１５　ａｔｏｍｉ
ｃ％とするのが望ましい。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例によるａ−８ｔ系電子写真感光体３９
を示すものである。　この感光体３９はＡｔ等のドラム
状導伝性支持基板４１上に、酸素を１〜２０ａｔｏｍ１
ｃ％含有するａ−８１Ｃ：Ｈからなる電荷ブロッキング
層４４と、ａ−８ＩＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈからなる
電荷輸送層４２と、ａ−８１：Ｈからなる電荷発生層４
３と、必要に応じて設けられかつアモルファス水素化炭
化又は窒化シリコン（ａ−８ＩＣ：Ｈ又はａ−８ＩＮ：
Ｈ）或いはｓｉｏ、等の無機物質からなる表面改質層４
５とが積層された構造からなりている。　電荷発生層４
３は暗所抵抗率ρＤと光照射時の抵抗率ρＬとの比が電
子写真感光体として充分大きく光感度（特：二可視及び
赤外領域の光に対するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、ａ−８Ｉ
Ｃ：Ｈからなる電荷ブロッキング層４４に酸素原子をＳ
ｉ　＋ＣＣＯＯ総原子数１００　ａｔｏｍｉｃ％に対し
１〜２０ａｔｏｍｉｃ％含有せしめている。　この含有
量範囲の酸素によって、電荷ブロッキング層４２のρＤ
が高温（又は高湿）下でも高くなり、感光体としての帯
電電位保持能が安定に保持される。

電荷ブロッキング層４４の炭素原子含有量は３０〜７０
　ａｔｏｍｉ　ｅ　％　（Ｓ　ｉ　＋　Ｃの総原子数を
１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）であるのが望ましく
、またその膜厚は４００〜４ｏｏｏｉとするのが適切で
ある。

また、上記電荷輸送層４２の炭素又は窒素含有量は、１
０〜３０　ａｔｏｍｉｃ％（ｓｉ　十ｃ　（又はＮ）の
合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）のが望
ましい。

上記した各層の厚みについては、電荷発生層４２は１〜
５μ鯛、ブロッキング層４４は４００Ａ〜４０００又と
するのがよい。　電荷発生層４３が１μ講未満であると
光感度が充分でなく、また５μ講を越えると残留電位が
上昇し実用上不充分である。　ブロッキング層４４も４
００λ未満であるとブロッキング効果が弱く、また、４
ｏｏｏＸを越えると電荷輸送能が不良となり易い。　電
荷輸送層４２は１０〜３０μｍとするのがよい。

上記の表面改質層４５は感光体の表面を改質してａ−８
ｉ系悪感光を実用的に優れたものとするために設けると
よい。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。　ａ−Ｓｔ：Ｈを表面とした感
光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を
受け易く、電位特性の経時変化が先じ易くなる。　また
、ａ−８ＩＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈからなる表面改質
層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、クリーニ
ング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱性も良
い事から粘着転写等の如く熱を付与するプロセスを適用
することができる。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ＩＮ：Ｈの炭素又は窒素組成を選
択することが重要である。　即ち、炭素又は窒素原子含
有量がｓｉ＋ｃ（又はＮ）＝１００％としたとき１０〜
７０　ａｔｏｍｉｃ％であることが望ましい。

Ｃ又はＮ含有量が１０％以」二であると、−上記した比
抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギーギャップ
がほぼ２、ＯｅＶ以上となり、可視及び赤外光に対しい
わゆる光学的に透明な窓効果により照射光はａ−８ｔ：
Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易くなる。　しかし、
Ｃ又はＮ含有量が１０％未満では、比抵抗が所望の値以
下となり易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収され
、感光体の光感度が低下し易くなる。　また、Ｃ又はＮ
含有量が７０％を越えると層の炭素又は窒素量が多くな
り、半導体特性が失なわれ易い上にａ−８ｉＣ：Ｈ膜又
はａ−８ｉＮ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆
積速度が低下し易いので、Ｃ又はＮ含有量は７０％以下
とするのがよい。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈ層４５の膜厚
を４００Ｘ≦ｔ≦５ｏｏｏｆの範囲内（特に４００Ｘ≦
ｔ　＜　２０００　Ｘ　）に選択することも重要である
。

即ち、その膜厚が５０００Ｋを越える場合には、残留電
位ｖＲが高くなりすぎ、かつ光感度の低下も生じ、ａ−
８ｔ系感光体としての良好な特性を失い易い。　また、
膜厚な４００λ未満とした場合には、トンネル効果によ
って電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増
大や光感度の低下が生じてしまう。

（１１） なお、−１−記の各層は水素を含有することが必要であ
る。　特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダング
リングボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向−
卜させるために必須不可欠であって、１０〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％であるのが望ましい。　この含有量範囲は表
面改質層４５、ブロッキング層４４及び電荷輸送層４２
も同様である。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第３図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　な
お、図中の６２はＳｉＨ，又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３は０．又はガス状酸素化合物の供給源、６
４はＣＨ４等の炭化水素ガス又はＮＨ，、Ｎ、等の窒素
化合物ガスの供給源、６５は（１２） Ａｒ等のキャリアガス供給源、６６はＨ２ガス供給源、
６７は各流量計である。　このグロー放電装置において
、まず支持体である例えばＡｔ基板４１の表面を清浄化
した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧
が１０−”Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ
基板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましく
は１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度
の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス
状シリコン化合物、ＣＨ，（又はＮＨ８、Ｎ、　）、０
２を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜】０
Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧
（例えば１３．５６ＭＨ２）を印加する。　これによっ
て、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロ
ー放電分解し、０含有ａ−８ｉＣ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ
又はａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８１：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ又
はａ−８ｉＮ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４５と
して基板上に連続的に（即ち、第２図の例に対応して）
堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−旧系感光体の各層の形成時に於て、ダン
グリングボンドを補償するためには、」１記したＨの代
りに、或いはＩ（と併用してフッ素を５ＩＦ４等の形で
導入し、ａ−８ｉ：Ｆ、ａ−８ｉ：Ｈ：Ｆ。

ａ−８ＩＮ：Ｆ％ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、１ａ−８ｉＣ：
Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。　この場
合のフッ素量は０．５〜１０ａｔｏｍｉｅ％が望ましい
。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素１虻市管で活性化又はイオン化さ
れた水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願
人による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。

第４図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続３ し、これにより当該ペルジャー７１内を例えば１０〜１
０”−’Ｔｏｒｒの高真空状態とする。当該ペルジャー
７１内には基板４１を配置してこれをヒーター７５：＝
より温度１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００
℃に加熱すると共に、直流電源７６により基板１に０〜
−１０ＫＶ、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を
印加する。　ａ−８ｉ：Ｈ層４３を形成するには、出口
が基板４１と対向するようペルジャー７１に接続して設
けた水素ガス放電管７７より活性水素及び水素イオンを
ペルジャー７１内に導入しながら、基板４１と対向する
よう設けたシリコン蒸発源７８を加熱すると共（二上方
のシャッターＳを開く。　ａ−８ｉＣ：Ｈ層４２．４５
を形成するには、ＣＨ４の供給下で、シリコンを蒸発さ
せる。　また、電荷ブロッキング層４４は、更にＯｌの
供給下でシリコン７８を蒸発させればよい。　ＣＨ４、
Ｏｔは放電管７０を介して活性化して適宜導入するとよ
い。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第５図の如く、ガス人口８１を有（１５） する筒状の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材
８２を一端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガ
ラス製の放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の
他端に設けた、出口８５を有するリング状の他方の電極
部材８６とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の
電極部材８６との間に直流又は交流の電圧が印加される
ことにより、ガス人口８１を介して供給された例えば水
素ガスが放電空間８３においてグロー放電を生じ、これ
により電子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは
分子より成る活性水素及びイオン化された水素イオンが
出口８５より排出される。　この図示の例の放電空間部
材８２は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構
成を有し、８７．８８、が冷却水入口及び出口を示す。

８９は一方の電極部材８２の冷却用フィンである。

上記の水素ガス放電管７７における電極間距離は】Ｏ〜
１５ｃｒｎであり、印加電圧は６００Ｖ、放電空間８３
の圧力は１０　Ｔｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

（１６） グロー放電分解法により、ドラム状ＡＡ支持体上に第２
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状Ａｔ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０　Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所
定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３
００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧の
もとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加し
、１０分間の予備放電を行った。　次いで、５ＩＨ４と
ＣＨ４とＯｌからなる反応ガスを導入し、流量比４：１
：６：１の（Ａｒ＋ＳｉＨ４＋ＣＨ４＋０．）混合ガス
をグロー放電分解することにより、０含有電荷ブロッキ
ング機能を担うａ−８ＩＣ：Ｈ層４４を形成し、更にＯ
２の供給を中断して電荷輸送層４２を６μｍ、／　ｈｙ
の堆積速度で所定厚さに製膜した。

引き続き、ＣＨ４、Ｂ、Ｈ，，０，を供給停止し、Ｓｉ
Ｈ。

を放電分解し、所定厚さのａ−８１：Ｈ層４３を形成し
た。　引続いて、流量比４：１：６の（Ａｒ＋ＳｉＨ。

十ＣＨ，）混合ガスと共にグロー放電分解し、所定厚さ
のａ−８ｉＣ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子写真
感光体を完成させた。　この感光体を用いて、複写機（
Ｕ　−Ｂｉｘ　３０００改造機：小西六写真工業■製）
により画像出しを行なった結果、解像度、階調性がよく
、画像濃度が高く、カブリのない鮮明な画像が得られた
。　また、２０万回の繰り返し複写を行なっても、安定
した良質な画像が続けて得られた。

即ち、試験に際しては、上記のようにして作成した電子
写真感光体をエレクトロメーター５Ｐ−４２８型（川口
電機■製）に装着し、帯電器の放電電極に対する印加電
圧を一６ＫＶとし、１０秒間帯電操作を行ない。この帯
電操作直後における感光体表面の帯電電位なＶｏ　（Ｖ
）とし、２秒間の暗減衰後、帯電電位を稀に減衰せしめ
るために必要な照射光量を半減露光量Ｅ’／２　（１ｕ
ｘ＊ｓｅｃ　）とした。表面電位の光減衰曲線はある有
限の電位でフラットとなり、完全にゼロとならない場合
があるが、この電位を残留電位Ｖ、　（Ｖ）と称する。

（１９） 各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示す結果
が得られた。　これによれば、電荷ブロッキング層のＯ
含有量を１〜２０ａｔｏｍｉｅ％とすれば、感光体の電
子写真特性が大きく向上し、温度依存性が減少すること
が分る。　なお、画質については、◎は画像鮮明、○は
画像良好、Δは画質が実用上採用可能、×は画質が実用
上採用不可を夫々示す。

（以下余白、次頁へつづく。） （２０）

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概、略断面図である。 第２図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ−８１系感光体の断面図、 第３図はグロー放電装置の概略断面図、第４図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第５図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・・・・・ａ’−８ｔ系悪感光
４１・・・・・・・・・・・・・・支持体（基板）４２
・・・・・・・・・・・・・・電荷輸送層４３・・・・
・・・・・・・・・・電荷発生層４４・・・・・・・・
・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・・・・・・
・・・・・・表面改質層５５・・・・・・・・・・・・
・・ヒーター５６・・・・・・・・・・・・・・高周波
電源５７・・・・・・・・・・・・・・電　極（２２） ６２〜６６・・・・・・・・・・・・各ガス供給源７０
．７７・・・・・・・・・・・・ガス放電管７８・・・
・・・・・・・・・・・・・・・蒸発源である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏 （２３） ＬＬ′Ｉｒｎ　〜　腎　ト 聾聾　聾　略　蟻

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層下に、アモルファス水素化及ｕ７はフ
   ッ素化炭化（及び／又は窒化）シリコンからなる電荷輸
   送層が設けられ、この電荷輸送層下に、アモルファス水
   素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる電荷ブロ
   ッキング層が設けられている感光体において、前記電荷
   ブロッキング層が１〜２０ａｔｏｍｊｃ％の酸素（但、
   シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合計原子数を１
   ００１００ａｔｏ％とする。）を含有していることを特
   徴とする感光体。 ２、電荷輸送層が１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％の炭素又は
   窒素（但、シリコン原子と炭素又は窒素原子との合計原
   子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）を特徴する特
   許請求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、電荷ブロッキング層が３０〜７０　ａｔｏｍｉｃ％
   の炭素（但、シリコン原子と炭素原子との合計原子数を
   １００１００ａｔｏ％とする。）を特徴する特許請求の
   範囲の第１項又は第２項に記載した感光体。 ４、電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化炭化（又は窒化）シリコンからなりかつ炭素又は
   窒素含有量が１０〜７０ａｔｏｍｉｃ％（但、シリコン
   原子と炭素又は窒素原子との合計原子数を１００　ａｔ
   ｏｍｉｃ％とする。）である表面改質層が設けられてい
   る、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に
   記載した感光体。