JPS58219560A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は記録体、例えば光電素子、電子写真感光体等の
静電記録体に関するものである。 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかし、なからこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（以下、ａ−８ｉト称する
。）を母体として用いた電子写真感光体が近年になって
提案されている。ａ−８ｔは、５ｉ−８ｉの結合手が切
れたいわゆるダングリングボンドを有しており、この欠
陥に起因してエネルギーギャップ内に多くの局在準焦が
存在する。このために、熱励起担体のホッピング伝導が
生じて暗抵抗が小さく、また光励起担体が局単位にトラ
ップされて光導電性が悪くなっている。そこで、上記欠
陥を水素原子（）■）で補償して５ｉＫＨを結合させる
１ことによって、ダングリングボンドを埋めることが行
われる。 このようなアモルファス水素化シリフン（以下、ａ−Ｓ
ｉ：■ｔと称する。）の暗所での抵抗率ｉｔ　１０’、
〜１０’Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較す
れば約１万分の１も低い。従って、ａ−８ｉ：）ｉの単
層からなる感光体は表面電位の暗減衰□速度が大きく、
初期帯電電位が低いという問題点を有している。しかし
他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が
大きく減少するため、感光体の感光層として極めて優れ
た特性を有している。 また、ａ−８ｉ：］［（を表面とする感光体は、長期に
亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放
電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定
性に関して、これ迄十分な検討が々されていない。例え
ば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電
位が著しく低下することが分っている。一方、アモルフ
ァス炭化シリコン（以下、ａ−５ｉＣ：Ｈと称する。）
について、その製法や存在が−Ｐｈ１１．　Ｍａｇ、　
Ｖｏｌ、　３５”（１９７８）等に記載されており、そ
の特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−８ｉ
：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（ｘ０１２〜１０′３Ω
−倒）を有すること、炭素ｔ＜より光学的エネルギーギ
ャップが１．６〜２，８ｅＶの範囲に亘って変化するこ
と等が知られている。 こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体鉱例えば特開昭５７−１７９５２号におい
て提案されている。これＫよれば、ａ−８ｉ：ｎ層を感
光（光導電）層とし、この受光面上に第１のａ−ｓｔｃ
：ｎ層を形成し、裏面−ヒ（支持体電極側）Ｋ第２０ａ
−８ｉＣ：ｎ層を形成して、３層構造の感光体としてい
る。 本発明者は、こうした３層構造の感光体について検討を
加えたところ、特に支持体（基板）側からのキャリア、
特に正帯電時の電子が注入され易く、これに伴なって表
面の正電荷が中和されて表面電位の保持性が悪くなる。 ことが分りだ。同時に、最上のａ−８ｔｃ：ｎ層につい
てもその膜厚を特定範囲に限定することが重要であるこ
ともつき止め、本発明に到達したものである。 即ち、本発明による記録体の特徴的構成は第３のアモル
ファス水素化及び／又祉フッ素化炭化シ！Ｊ　：ｒ　ｙ
　（例工）ｆ　ａ−８ｉＣ：Ｈ）層と、第２のアモルフ
ァス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ
−８ｉＣ：Ｈ）層と、アモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化シリコン（例えばａ−８ｉ：）ｉ）からなる光導
電層と、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化
炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）層とを基体上に
順次積層せしめた積層体からなり、前記第３のアモルフ
ァス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層は周期表
第１ＯＴＡ族元素が含有せしめられることによってＰ型
に変換されておシ、前記光導電層は周期表第ｍＡ族元素
が含び／又はフッ素化炭化シリコン層は５０Ｘ〜２００
０＾の膜厚を有すると共に周期表第ｍＡ族元素が含この
ように構成すれば、上述した３層構造の特長は生かせる
上に、特に消３のアモルファス水素化及び／又はフッ素
化炭化シリコン層が基体側に存在することから基体から
のキャリアの注入を効果的に防止でき、かつ他の層の暗
抵抗が高いために帯電電位の保持、暗減衰の減少を図れ
、−更に第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素炭
化シリコン層の厚み範囲の特定によって残留電位や帯電
特性をよシ改善することができる。 以下、本発明を図面について詳細に例示する。 本発明による記録体、例えば感光体は、第１図に示す如
く導電性支持基板１上に上記のｍＡ族元素のドープされ
た第３のａ−８ｉＣ：ｎ層５、必要に応じてｍＡ族元素
のドープされた上記第２のａ−８ｉＣ：ｎ層２、上記ｍ
Ａ族元素のドープされたａ−８ｉ　：Ｈから゛なる光導
電層３、上記ｍＡ族元素のド＝７’された゛第１のａ−
８ｉＣ：ｎ層４が順次積層せしめられた本のからなって
いてよい。 第３のａ−８ｉＣ：ｎ層５は基板１からのキャリアの注
入を防止して表面電位を充分に保持するのに大いに寄与
し、そのためにＩＩＩＡ族元素の含有によりてＰ型（更
にはＰ　型）ｋ変換されていることが重要である。また
、その厚みは５０＾〜１−μｍ・　（更にｈ４ｏｏＸ〜
５０００　Ｘ　）であるのが望ましい。 第２のａ−８ｉＣ：ｎ層２は主として電位保持、電荷輸
送及び一基板１に対する接着性向上の各機能を有し、５
０００１〜８０μｍ（より望ましく社５μｍ〜加μｍ）
の厚みに形成されるのがよ〜・。光導電層３社光照射に
応じて電荷相体（キャリア）を発生させるものであって
、その厚みは２ｓｏｏ！〜１ｏμｍ（特に５ｏｏｏ　Ｘ
〜５μｍ）であるのが望ましい。更に、第１のａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ１屑４はこの感光体の表面電位特性の改善、長期
に亘る電位特性の保持、耐環境性の維持（湿度や雰囲気
、コロナ放電で生成される化学種の影響防止）、表面硬
度が高いととＫよる耐刷性の向上、感光体使用時の耐熱
性の向上、熱転写性（％に粘着転写性）の向上等の機能
を有し、いわば表面改質層として働くものである。この
ｆＭｌのａ−８ｔｃ：：［（層４の厚みは５０久〜２０
００Ｘ、望ましくは４ｏｏＸ〜ｔｅｏｏＡと薄くするこ
とが極めて重要である。 この感光体において注目すべきことは、既述した如きａ
Ｓ％Ｃ／　ｈ−８ｉ　：Ｈ／　ａ−８ｉＣの積層構造の
も゛つ特長を具備するだけでなく、第３０ａ−８ｉＣ：
Ｈ層が周期表第■Ａ族元素のドーピングによってＰ型（
更にはへビードープによるＰ　型化）されているので、
正帯電時に基板側からのキャリア（電子）注入が効果的
に阻止されることである。 しかもこれに加えて、第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層４を従来
のものよりずっと薄い厚み範囲に設定していること、光
導電層と共に周期表第ｍＡ族元素のドーピングにより高
暗抵抗化されていることは、後述するように各静電特性
を向上させる上で非常に寄与している。 これに加えて第１図の感光体は上記積層構造を具備しで
いるので、従来のＳｅ感光体と比較して薄い膜厚で高い
電位を保持し、可視領域及び赤外領域の光に対して優れ
た感度を示し、耐熱性、耐刷性が良く、かつ安定した対
項境性を有するａ−８ｉ系熱感光（例えば電子写真用）
を提供することができる。 次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置（グロー放電装置）を第２図について説明する。 この装置

【１の１ｃ空棺１２内で社、基板１が基板保持
部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所定温度
に加熱し得るように匁っている。基板１に対向して高周
波電極１７が配され基板１との間にグロー放電が生ぜし
められる。なお、図中の題、２】、ｎ、２３、冴、２７
、列、わ、（９）、３５、部、側は各パルプ、３１はＳ
ｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源、３２はＣＨ
４又はガス状炭素化合物の供給源、３３はＡｒ又１ｄＨ
２等のキャリアガス供給源、３４は１チアルゴン希釈ジ
ボランガス又社ホスフィン供給源である。このグロー放
電装置において、まず支持体である例えばＡＡ基板１の
表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置し、真空槽１
２内のガス圧が１０＝　’ｌ’ｏｒｒとなるようにバル
ブあを調節して排気し、かつ基板１を所定温度、例えば
２００℃に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガス
をキャリアガスとして、８ｉＨｎ又はガス状シリコン化
合物、ジボランガス及びＣＨａ又社ガス状炭素化合物を
適当量希釈した混合ガス・を真空槽１２内に導入し、０
．０１〜１０　Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１６に
よシ高周波電力を印加する。これによって、上記各反応
ガスをグロー放電分解し、水素を含むＰ型ａ−８ｉＣ：
Ｈな上記の層５として基板１上に堆積させる。第１０ａ
−８ｉＣ：Ｈ層２及び第２０ａ−８ｉＣ：Ｈ層４形成時
にはジボランガスを同様に供給する。シリコン化合物と
炭素化合物の流量比及び基板温度な適宜調整することに
よって、所望の組成比及び光学的エネルギーギャップを
有するａ−８ｉｘ−ｘｃｘ：Ｈ（例えばＸが０．９程度
のものまで）を析出させることができ、また析出するａ
−８ｉＣ：Ｈの電気的特性にさほどの影響を与えること
なく、ｘｏｏｏＸ／ｍｉｎ以上の速度でａ−８ｔＣ：Ｈ
を堆積させる仁とが可能である。更に、ａ−８ｉ：Ｈ（
上記の感光層３）を堆積させるには、炭素化合物を供給
しないでシリコン化合物と共に周期表第ＨＡ族元素のガ
ス状化合物、例えばＢｚＨｓを適当量添加し、両ガスを
グロー放電分解しているので、ａ−８１：Ｈの光導電性
の向上と共にその高抵抗化も図れる。 上記の第１及び第２０ａ−８１８：Ｈ層ともに、水素を
含有することが必要であるが、水素を含有しない場合に
は感光体の電荷保持特性が実用的なものと社ならないか
らである。このため、水素含有量はｌ　〜４０　ａｔｏ
ｍｉｃ　Ｔｏ　（更には１０〜３０　ａｔｏｍｉ　ｅ　
９６　）とするのが望ましい。光導電層３中の水素含有
量は、ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷
保持性を向上させるために必須不可欠であって、通常は
１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％であり、３．５〜２０ａｔ
ｏｍｉｃ％であるのがより望ましい。 このようにグロー放電分解で各層を形成するに際し、特
にａ−８ｉＣ：Ｈ層５及び４（更に必要とあればａ−８
ｉＣ：Ｈ層２）、光導電９３に関し、ジボランガスとシ
リコン化合物ガス（例えばモノシラン）との流量比を適
切に選ぶことが必要である。 第３図には、１に一８ｉＣ：Ｈ層５．４又は２に不純物
（ｎＩＡ族）ドーピングを行なった場合において、一般
にノンドープのａ−８ｉＣ：Ｈは比抵抗１０１２Ω−倒
板上の幾分Ｎ型化された導電型を示すが、ボロンをドー
プすると不純物が相殺（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　）
されてゆき、実質的に真性化された状態となシ、更にボ
ロンドーピング量を増やすと今度はＰ型に変換される。 第３図の結果によれば、本発明の目的を達成する一Ｆで
流量比（ＢｚＨｓ／５ｉＨ４）を適切に選択すればρＤ
を１０１Ω−偽以上とし、更にａ−８ｉＣ：Ｈを実質的
に真性化してρＤを１０１４Ω−ｄ以上とすることかで
き、上記流量比をＺｏｏ　ｐｐｍ以上にすればＰ型（更
にはＰ　型）に変換できる。 特に、上記流量比を１００　ｐｐｍ−１００，０００ｐ
ｐｍとすることによって、ａ−８ｉＣ：Ｈ層５がＰ型化
（更Ｋｔｉ上記流量比を多くしてρＤを１０’Ω−儒以
下とすることＫよるＰ　型化）されているので、正帯電
時に基板側からのキャリア（電子）の注入を効果的に阻
止するブロッキング層として機能することになる。また
、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２又は４にボロンに高められるので
、初期帯電量が増え、暗減衰等の電子写真特性を向上さ
せることができる。特に、ρ０を１０１４Ω−ω以上と
すれば、更に性能の向上が期待できる。これに反して、
ρＤが１０１３９−個未満（ボロンをドープしない場合
には５　Ｘ　１０１２Ω−儒以下シＢｚＨｓ／ＳｉＨ４
の流量比で０〜ｉｐｐｍ）の場合には、上記した特性６
向上は得ることができず、感光体として充分ではない。 ａ−８ｉＣ：Ｈ層５のボロン含有量は上記した如く／　
ＳｉＨ４≧１００　ｐｐｍにする必要があシ、１００〜
１００，０００ｐｐｍがよい。また、ａ−８ｉＣ：Ｈ屑
２又４のボロン含有量も上記の暗抵抗値を得るために適
切に選択する必要があり、ジボランの流量で表わしたと
きに第３図からＢａ）Ｉｓ／８ｉＨ４＝　１０〜５００
　ｐｐｍであるのが望ましく、２０〜３００　ｐｐｍ程
度が更に望ましい。この流量比紘使用するガスの種類に
よって、１０〜５００　ｐｐｍとすることができる。 袴４図は、ａ−８ｔＣＨ層３ＫｍＡ族元素のドーピング
を行なった場合のＢｚＨｓ／８ｉＨ４の流量比によるρ
Ｄ変化が示されているが、これＫよれば、上記流量比を
２０〜３００　ｐｐｍとすればρＤを１０１０Ω−儒以
上にでき、本発明の目的を達成できることが分る。上記
流量比を更に選択すれば、ａ−８ｌ：Ｈ層３を実質的に
真性化してρＤを１０１１９−倒板上、更には１０１２
Ω−倒板上にまで高めることができる。なお、使用する
反応ガスの種類によって杜、上記流量比を１０〜５００
　ｐｐｍとすることも可能である。 上記した如く、本実施例による感光体は、不純物ドーピ
ングによってＰ型化されたａ−８ｉＣ：Ｈ層５と暗抵抗
を充分に高められたａ−８ｉＣ：Ｈ層２及び４さらにａ
−８Ｓ：Ｔ（層３の双方とを具備しているので、これら
の各層の組合せによって感光体の表面電位保持性、暗抵
抗、更には帯電特性が相乗的に向上したものとなってい
る。 第５図は、本発明による感光体を蒸着法によシ作成する
のに用いる蒸着装置を示すものである。 ペルジャー４１は、バタフライバルブ４２を有する排気
管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
によシ当該ペルジャー４１内を例えば１０−３〜１０−
”ｌ’ｏｒｒの高真空状態とし、当該ペルジャー４１内
には基板１を配置してこれをヒーター４５により温度１
５０〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱す
ると共に、直流電源４６により基板１にθ〜−１０ＫＶ
、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、そ
の出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出「１
を接続して設けた水素ガ優放電管４７よシの活性水素及
び水素イオンを宍ルジャ−４１内に導入しながら、基板
１と対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及びアルミ
ニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシャッター
Ｓを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸発速度比
が例えば１　：　０．０１〜０．２となる蒸発速度で同
時に蒸発せしめる。これによりアルミニウムドープドａ
−８ｔＳＨ層３（第１図参照）を形成する。また、アル
ミニウム蒸発源４９上のシャッターＳを開けたまま、ペ
ルジャー４１内へ、放電管間により活性化されたメタン
ガスを導入し、これによりアルミニウムを所定量含有す
るａ−８ｉＣ：Ｈ層５（第１図参照）を基板１上に形成
する。第１及び第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層４及び２の形成
時も、アンチモン又はアルミニウムの蒸発を行なえばよ
い。 上記の放電管４７、関の構造を例えば放電管４７につい
て示すと、第６図の如く、ガス人口６１を有する筒状の
一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一端
に設けた、放電空間Ｂを囲む例えば筒状ガラス製の放電
空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に設けた
、出口部を有するリング状の他方の電極部材間とよ構成
シ、前記一方の電極部材６２と他方の電極部材間との間
に直流又は交流の電圧が印加されることにより、ガス入
口６１を介して供給された例えば水素ガスが放電空間６
３においてグロー放電を生じ、これによシミ子エネルギ
ー的に賦活された水素原子若しくは分子よ構成る活性水
素及びイオン化された水素イオンが出口部よシ排出され
る。この図示の例の放電空間部材例は二重管構造であっ
て冷却水な流過せしめ得る構成を有し、６７、艶が冷却
水入口及び出口を示す。６９は一方の電極部材６２の冷
却用フィンである。上記の水素ガス放電管４７における
電極間距離は１０〜１５備であり、印加電圧は６００ｖ
、放電空間６３の圧力は１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度とされる
。 この第５図及び第６図の蒸着装置により作成される感光
体においても、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２及び４、ａ−８ｉ：
Ｈ層３はアルミニウム又はアンチモンのドーピングによ
って高抵抗化（更ｔＵｔ実質的に真性化）されており、
これによりて−〇は上述したと同様に向上したものとな
っている。このためＫは、蒸着時にシリコン蒸気に対し
アルミニウム蒸気を１０〜５００ｐｐｍ、更には２０〜
３００　ｐｐｍの濃度にするのがよい。また、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層５もＩＩＩＡ族元素がドーグされ、蒸着時はシ
リコン蒸気に対し不純物蒸気を１００〜１０’　ｐｐｍ
とするのがよ（＼。 次に１本発明による感光体の各層を更に詳１．　＜説明
する。 ￥５１０ａ−８ｉｃ　Ｓ　Ｈ層 この＆−８ｉＣ：Ｈ層４は感光体の表面を改質してａ−
８ｔ系悪感光を実用的に優れたものとするために必須不
可欠なものである。即ち、表面での電荷保持と、光照射
による表面雷１位の減衰と（１う電子写真感光体として
の基本的な動作を可能とするものである。従って、帯電
、光減衰の繰返し特性が非常に安定とな９、長期間（例
えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性を再
現で−きる。 これに反し、ａ−８ｉ：Ｈを表面とした感光体の場合に
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。また、ａ−８ｉＣ：Ｈ
は表面硬度が高いためｌＩＣ１現像、転写、りＩＪ　−
ニング等の工程における耐摩耗性があシ、更に耐熱性も
良いことから粘着転写等の如く熱を付与スるプロセスを
適用することができる。 このような優れた効果を総合的に奏するためＫは、ａ−
８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚を上記した５ｏλ〜２０００＾の
範囲内に選択することが極めて重要である。 即ち、その膜厚を２０００λ以上とした場合には、残留
電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−８１系
感光体としての良好な特性を失なってしまう。また、膜
厚な５０λ未満とした場合に杜、トンネル効果によって
電荷が表面上に帯電されなくなるため、ａ−８ｉＣ二Ｈ
層４とａ−８ｉ：Ｈ層３との間の膜厚バランスにより暗
減衰の増大や光感度の著しい低下が生じてしまう。従っ
て、ａ−ｓｉｃ：Ｈ層４の膜厚は２００ＯＡ未満、５０
Ｘ以上とすることが必須不可欠である。 また、このａ−８ｔＣ：Ｈ層４については、上記した効
果を発揮する上でその炭素組成を選択することも重要で
あることが分りた。組成比をａ−８ｉｔ−ｘｃｘ：Ｈと
表わぜば、Ｘを０．４以上、特に０．４≦Ｘ≦０．９と
すること（炭素原子含有量が４０ａｔｏｍｉｃチ〜９０
　ａｔｏｍｉｃ　％であること）が望ましい。即ち、０
．４≦Ｘとすれば、光学的エネルギーギャップがはｔ！
Ｊ　２．３　ｅ　Ｖ以上となシ、第７図に示したように
、可視及び赤外光に対し実質的に光導電性（但、ρＤは
暗所での抵抗率、ρＬ轄光照射時の抵抗率であって、ρ
Ｄ／ρＬが小さい稲光導電性が低い）を示さず、いわゆ
る光学的に透明な窓効果によシ殆んど照射光はａ−８ｉ
：Ｈ層（電荷発生層）３に到達することになる。逆にｘ
（０，４であると、一部分の光は表面層４に吸収され、
感光体の光感度が低下し易くなる。また、Ｘが０．９を
越えると層の殆んどが炭素となり、半導体特性が失なわ
れる外、ａ−８ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成すると
きの堆積速度が低下するから、Ｘ≦０．９とするのがよ
い。 第２０ａ−ｓｉｃ：ａ層 このａ−８ｉＣ：Ｈ層２は電、位保持及び電荷輸送の両
機能を担い、上記不純物のドーピングによって暗所抵抗
率を向上させ、耐高電界性を有し、単位膜厚当りに保持
される電位が高く、しかも感光層３から注入される電子
またはホールが大きな移動度と寿命を示すので、電荷担
体を効率よく支持体１側へ輸送する。また、炭素の組成
によってエネルギーギャップの大きさを調節できるため
、感光層３において光照射に応じて発生した電荷担体に
対し障壁を作ること々く、効率よく注入させることがで
きる。１だ、この第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２ＩＩ′ｉ支
持体１、例えばＡｔ電極との接着性や膜付きが良いとい
う性質も有している。従ってこのａ−８ｉ（：：＝Ｈ層
２は実用レベルの高い表面電位を保持し、ａ−８ｔ：Ｈ
層３で発生した電荷担体を効率良く速やかに輸送し、高
感度で残留電位のない感光体とする働きがある。但、こ
の層２は次のように充分な厚みを有しているので、必ず
しも不純物ドーピングによυ比抵抗を上記の如くに高め
なくても良好な電位保持能及び電荷輸送能を示す。 こうした機能を果すために、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２の膜厚
は、例えばカールソン方式による乾式現偉法を適用する
ためには５０００　Ｘ〜８０μｍであることが望ましい
。この膜厚が５０００　Ａ未満であると薄すぎるために
現像に必要な表面電位が得られず、また８０μｍを越え
ると表面電位が高くなって付着したトナーの剥離性が悪
くなり、二成分系現像剤のキャリアも付着してしまう。 但、このａ−８ｉＣ：Ｈ層の膜厚は、Ｓｅ感光体と比較
して薄くしても（例えば十数μｍ）実用レベルの表面電
位が得られる。 また、このａ−８ｉＣ：Ｈ層２をａ−３ｉｔ−ｘｃｘ　
：Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．９（炭素原子含
有量が１０　ａｔｏｍｉｃ　％　〜９０　ａｔｏｍｉｃ
　％　、好ましくは３０〜９０ａｔｏｍｉｃ　４　）と
するのが望ましい。０．１≦Ｘとすればａ−８ｉＣ：Ｈ
層３とは全く異なったものにでき、また０、９　（ｘと
すれば層の殆んどが炭素にな）半導体特性が失なわれる
他に製膜時の堆積速度が低下し、これらを防ぐためには
Ｘ≦０．９とするのがよいからである。 第３のａ−８ｉＣ：Ｈ層 この層５祉基板１からのキャリア（特に電子）の注入を
充分に阻止し得るエネルギーギャップを基板との間に形
成しているので、キャリア注入による電荷の中和現象を
なくし、表面電位の保持、ひいては帯電特性を良好に保
持する働きがある。 このために、ａ−ｓｉｃ：ｕ層５は上述した如く不純物
ドープによりＰ型化（更にはＰ＋型化）しているのが望
ましい。また、その膜厚も５０Ｘ〜１μｍＫ選択するの
がよい。５０Ｘ未満では効果がなく、１μｍを越えると
却って電荷輸送性が低下し易い。また、その炭素含有量
は上記ａ−ｓｔｃ：ｕ層２と同様に１０〜９０ａｔｏｍ
ｉｅ＊であるのがよい。 ａ−８ｉ：Ｈ層（光導電層又は感光層）このａ−８ｉ：
Ｈ層３は、可視光及び赤外光に対して高い光導電性を有
するものであって、第７図に示す如く、波長６５０　ｎ
ｍ付近での赤色光に対しρＤ／ρＬが最高〜１０４とな
る。このａ−８ｉ：ＩＨを感光層として用いれば、可視
領域全域及び赤外領域の光に対して高感度な感光体を作
成できる。しかも、周期表第ｍＡ族元素のドーピングに
より高比抵抗化され、これに伴なってρＤが向上するか
ら、帯電電位、暗減衰共に良好となっている。可視光及
び赤外光を無駄なく吸収して電荷担体を発生させるため
には、５−８ｉ：ＨＮ３の膜厚け２５００　Ｘ〜１０μ
ｍどするのが望ましい。膜厚が２５００　Ｘ未満である
と照射された光は全て吸収されず、一部分は下地のａ−
８ｉＣ：Ｈ層２ＩＣ到達するために光感度が大幅に低下
する。また、ａ−８ｉ：１層３は感光層とＬ７て光吸収
に必要な厚さ以上に厚くする必要はなく、最大１０μｍ
とすれば充分である。 以上に説明した例においては、ダングリングボンドを補
償するためには、ａ−８ｔに対しては上記した■の代シ
に、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ−８ｉ：Ｆ
、　ａ−８ｉ：Ｈ：Ｆ、　ｅ、−８ｉＣ：Ｆ、　ａ　−
８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフッ素
量は０．０１〜２０　ａｔｏｍ　ｉ　ｃ％がよく、０．
５〜１０ａｔｏｍｉｃチがより望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法又は蒸着法に
よるものであるが、これ以外にも、スパッタリング法、
イオンプレー１．ティング法等によっても上記感光体の
製造が可能である。使用する反応ガスれ３ｉＨ４以外Ｋ
　４　Ｓｉ　２ＨＱ　、　５ｉＨＦｓ又けその誘導体ガ
ス、ＣＨ４以外（７）Ｃ２Ｈ６、Ｃｓ１（ｓ等の低級炭
化水素ガスが使用可能である。更Ｋ、ドーピングされる
不純物は上記のボロン、アルミニウム以外にもガリウム
、インジウム等の他の周期表第ＨＡ族元素、リン以外の
ヒ素、アンチモン等の他の周期表第ＶＡ族元素が使用可
能である。 次に、本発明を電子写真感光体に適用した実施例を具体
的に説明する。 実施例１ グロー放電分解法によりＡＬ支持体上に第１図の構造の
電子写真感光体を作製した。先ず平滑な表面を持つ清浄
なＡｔ支持体をグロー放電装置の反応（真空）槽内に設
置した。反応槽内を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ台の高真空度に排
気し、支持体温度を２００℃に加熱した後高純度Ａｒガ
スを導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１
３．５６　ＭＨ！、電力密度０．０４Ｗ／ｃｄの高周波
電力を印加し、１５分間の予備放電を行った。次いで、
Ｓ　ｉＨ４とＣＨａからなる反応ガスを導入し、流量比
３　：　１　：　０．５〜０．０５の（Ａｒ＋５ｉＨａ
＋ＣＨ４）混合ガス及びＢＩＨ６ガスをグロー放電分解
することにより、キャリア注入を防止するａ　−８ｉＣ
：　Ｈ層、更には電位保持及び電荷輸送機能を担うａ−
８ｉＣ：Ｈ層を３５０　Ａ　／　ｍｉｎの堆積速度で製
膜した。反応槽を一旦排気した後、Ｃｕｔｔｆ供給せず
、Ａｒをキャリアガスとして５ｔＨ４及びＢ　ｚ　Ｈｓ
を放電分解し、ポロンドープドａ−８ｉ：Ｈ感光層を形
成した後、再びＣＨ４及びｆ３＊Ｈｓを供給し、今度は
流量比５：１：４〜０．５の（Ａｒ＋５ｉＨａ＋ＣＨ４
）混合ガスをグロー放電分解し、ボロンドープドａ−８
ｔＣ：Ｈ表面改質層を更に設け、電子写真感光体を完成
させた。このａ−、ＳｉＣ：Ｈ表面改質層の光学的エネ
ルギーギャップは２．５〜２、ＯｅＶであった。また、
炭素組成が（資）〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％であること
が分析によりわかった。 このようにして作製した感光体に、正極性で６ＫＶのコ
ロナ放電を行ったところ、表面を正電位に帯電させた。 ６秒間の暗減衰の後、１　ｌｕｘの光照射によシ表面電
位はほぼ直線的に減衰した。この時の半減露光量社少々
く、残留電位はほとんどなく、帯電・露光の繰返し特性
も非常に良好であった。 比較例１ 反応ガスとしてｆ３ｔＨｇを混合あシ、なし以外は実施
例１と同様な製法により、Ａｔ支持体上Ｋａ−８ｉＣ：
Ｈ層５を製膜した。ａ−８ｉＣ：Ｈ層２．４、ａ−８ｉ
：）ｉ層３についてもＢｚＨｇ混合あり、なし以外祉実
施例１と同様に製膜した。この感光体を用いて実施例１
と同様のテストを行った。この結果、暗減衰が大きく、
半減露光量も増大し、像形成時の性能は最高画像濃度が
低く、又感度不足であった。 実施例２ 第５図の真空蒸着槽４１を用いてＡｔ基板１上にアルミ
ニウムドープドａ−８ｉＣ：Ｈ層５、光導電層としての
アルミニウムドープドａ−８ｔ：Ｈ：Ａ／、層３を形成
した。この光導電層の上、下にはアンチモンドープドａ
−８ｉＣ：Ｈ層４及びドープあシ、なしのａ−８ｉＣ：
Ｈ層２を上述し、た方法で形成した。 即ち、前記槽４１を真空ボ／プによ、り　１０−’　Ｔ
ｏｒｒに排気し、この槽４１内に第６図の放電装置４７
を用いて放電活性化した水素ガス（１００ｃｃ／ｍｉｎ
の流量）を導入し、シリボン蒸発源４８及びＡｔ蒸発源
４９を電子銃加熱して蒸発せしめ、シリコン蒸発量とＡ
ｔ蒸発量をクリスタルモニターで検知しなから１０’：
１の比（Ｓｔの蒸発量に対するＡＬの蒸発量濃度は１１
００ｐｐ又はそれ以上）になるようＫし、基板電圧−２
ＫＶ、基板温度３００℃で蒸着し、アルミニウムドープ
ドａ−８ｉＣ：ｎ層５、ａ−８ｉ：Ｈ−：Ａｔ層３及び
ドープドｇ−８ｉＣｒＨ層４を形成した。 ａ−８ｉＣ：ｎ層２の形成時は、メタンガスを３０ｅｃ
／ｍ１ｒｉの流量で導入し、Ａｔ蒸着源のシャッターを
必要とあれば閉じて蒸発を遮断した外は上記と同様にし
て、ａ−ｓｉｃ：ｎ層を形成し、本発明の感光体を得た
。 比較例２ 次に比較のため、アンチモンドープあり、なしのａ−８
ｉＣ：ｎ層５と組合せて、ａ−８ｉ：ｎ層３又はａ−８
ｔＣ：ｎ層２又は４としてＡｔをドーピングしない時は
Ａｔの蒸発を行なわない条件で上記と同様にして形成し
、これを比較用の感光体とした。 以上の本発明による感光体及び比較用感光体を川口電気
社製エレクトロメータｆＩ１ｇ、及びＵ−ＢｉｘＶ−２
改造機による性能テストを行なった結果を下記表忙示し
た。 （以下余白、次頁へ続く） なお、上記表中、静電特性のＶは初期帯電電位ΔＶ／Ｖ
は帯電終了６秒後の電荷の暗減衰率、ＥＩＡは半減露光
量（単位：ｌｕｘ・ｓｅｅ　）、Ｖｙｔは残留電ゝ　位
を示す。 この結果から、本発明による感光体鉱、帯電電位が充分
であってその暗減衰率が少々く、しかも高感度であるこ
とが分る。更に、７万５千回以上の繰返しコピーにおい
ても、鮮明な高濃度画像が得られる。これに対し、比較
例のものでは、電位、暗減衰、光感度共に悪く、繰返し
特性も著しく劣ることが分る。 実施例３ 実施例１と同様な製法による層構成、すなわちＡｔ支持
体上に厚す２０００　Ｘ　ｃｏ　ＢｔＨｓ／　５ｉＨ４
１０，０００ｐｐｍでドーピングしたａ−８ｉＣ：Ｈ層
（ブロッキング層）と１０μｍのＢ２Ｈｅ／　５ｉＨ４
１００ｐｐｍでドーピングし比抵抗３．６　Ｘ　１０”
Ω−閏のａ−８ｉＣ：Ｈ電位保持層と厚さ１．０μｍの
ＢｚＨ＋ｓ／５ｉＨ４１００ｐｐｍでドーピングされた
比抵抗２．５　Ｘ　１０１２Ω−ｍのａ−８ｉ：Ｈ感光
層を形成した上に、さらＫ　Ｂ　２　Ｈｓ　／　Ｓ　１
Ｈ４１００ａ−８ｉＣ：Ｈ表面改質層を積層した感光体
において、ａ−８ｉＣ：Ｈ表面層の厚さを０．０５　ｔ
ｉｍ　Ｓｏ、２　ａｍ　、　０．５μｍ、ｌ、９μｍと
したものを夫々作製し、それらの帯電および光減衰特性
を比較した。＋６ＫＶのコロナ放電によって感光体表面
に帯電させた後、１　ｌｕｘの光照射を行った時の光減
衰特性の結果は下記の表及び第８図（データをプロット
したもの）のようになった。 ここで、Ｅ１／２は半減露光量（ｌｕｘ　ｅ　ｓｅｅ　
）、ＶＲは残留電位（ｖｏｌｔ）である。この結果よル
明らがなように、　ａ−８ｉＣ：Ｈ，表面層の厚さを０
２１１ｍ以上にした場合、大幅な光感度の低下と残留電
位の増加が見られた。また、初期帯電電位は、表面層の
厚さが０．２μｍのもので＋７６０ｖｏｌｔ、より厚い
ものについては上記表の残留電位の分だけ初期帯電電位
の向上が見られた。上記の表及び第８図で示されたよう
に、本実施例による製法で作製したａ＝Ｓｉ：Ｈとａ−
８ｉＣ：Ｈは、ａ−８ｉ：Ｈ層とａ−８ｉＣ：Ｈ層との
界面において、ａ−８ｔ：Ｈ感光層内で発生した電荷担
体のうちホール１ｊａ−８ｉＣ：Ｈ層に容易に注入され
やすいのに対して、電子については障壁を形成してその
注入が容易でないようなエネルギーレベルになりている
ため、光感度の低下と残留電位が生じたと考えられる。 以上のように、ａ　−８ｉＣ，：Ｈ表面改質層の厚さを
０．２μｍ未満にすることが電子が注入され易くなって
表面負電荷を中和しく他方ホールは基板側へ到達し易い
）、良好な光減衰特性を得る上で重要であった。また、
ａ−８ｉＣ：Ｈ表面層として厚さ社０．１５μｍである
が、炭素の組成が２０ａｔｏｍｉｃ％のものを使用した
場合、半減衰露光量が１．２１　ｕｘ−ｓｅｅと々って
しまった。この場合、この組成のａ−８ｉＣ：Ｈ層の光
学的エネルギーギャップは２．ＯｅＶであって照射光の
一部が表面層で吸収されるために、結果として光感度が
低下した。このように、ａ−８ｉＣ：Ｉ（表面層の組成
は第７図に示したように４０ａｔｏｍｉｅ４以上のもの
であって可視および赤外光に対して光導電性を有さす、
光学的に透明なものとする仁とが重要であった。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図は電子写
真感光体の一部分の断面図、第２図は上記感光体を製造
するグロー放電装置の概略断面図、 第３図はドープドａ−８ｉＣ：Ｈを製膜するときのＢ＊
Ｈｅ／ＳｉＨ４流量比による暗抵抗変化を示すグラフ、 第４図はドープドａ−８ｉ：Ｈを製膜するときの第３図
と同様のグラフ、 第５図は蒸着装置の概略断面図、 第６図は放電部の断面図、 第７図はｅ−８ｉ：Ｈ及び各組成のａ−８ｓｄ：Ｈの光
導電性を示すグラフ 第８図は第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層の厚みによる静電特性
の変化を示すグラフ である。 なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・・・・支持体（基板） ２・・・・・・・・・不純物のドープされた第２のａ−
８ｉＣ：Ｈ層 ３・・・・・・・・・不純物ドープドａ−ｇｔ：Ｈ感光
層（光導電層） ４・・・・・・・・・第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層１１・・
・・・・・・・グロー放電装置１７・・・・・・・・・
高周波電極 ３１・・・・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源３
２・・・・・・・・・ガス状炭素化合物供給源お・・・
・・・・・・キャリアガス供給源３４・・・・・・・・
・Ｂ２Ｈ６又はＰＨｓ供給源４１・・・・・・・・・蒸
着槽 ４７、関・・・・・・・・・放電部 ４８・・・・・・・・・シリコン蒸発源４９・・・・・
・・・・アルミニウム又社アンチモン蒸発源である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　　宏 第１図 第２１η ＢｚＨ１団４（ρ− Ｂ”Ｇ’ＳｉＨ４（ＰＰｍ　） 第５０ ３ 、皐６日 印引手続補正書 １．事件の表示 昭和５７年　　特許　同第１０２４１７号２、発明の名
称 記録体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名　称　
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
及び図面の簡単な説明の欄 ８、？ｉＲ正の内容 （２）、明細書簡６頁８行目の「局単位」を「局在準位
」と訂正します。 （３）、同第９頁下から４行目の「フッ素炭化」を「フ
ッ素化炭化」と訂正します。 （４）、同第１０頁下から４行目の「２０」を「３０」
と訂止します。 （５）、同第１１頁１３行目のｒａ−８ｉＣＪ（２箇所
）を「ａ−８ｉＣ：ＨＪと夫々訂正します。 （６）、同第１２頁９行目のｒ対環境性」を「耐環境性
」と訂正します。 （７）、同第１３頁３〜４行目の「３４は・・・−・−
・供給」を「３４はジボランガス供給」と訂正します。 （８）、同第１５頁１行目の「３．５〜２０」を「１０
〜３０」と訂正します。 （９）、同第１９頁５行目のｒｏ、ｏ１〜０．２」をｒ
ｌＯ’Ｊと訂正します。 （ＩＩ、同第１９頁１３行目の「アンチモン又は」を削
除します。 １１同第蜀頁下から４行目の「又はアンチモン」を削除
します。 ６邊、同第２２頁１２〜１３行目のｒ　ａ　−ＳｉＣ：
　Ｈ・・・・・・・・・−により」を削除し咳す。　□ （Ｉ３、同第ｎ頁５〜８行目の「実質的に・・・・・・
・・・・・・示さず、」を削除します。 ０４、同第お頁８〜９行目の「殆んど」を削除します０ ６篩、同第２５頁２〜４行目の「表面電位・・・・・・
・・−・・・してしまう。」をｒａ−８ｉ：Ｈ層３で発
生した電荷担体の支持体１への到達率が低下してしまう
。」と訂正します。 ａｅ、同第２５頁１０〜１１行目の「、好ましくは３０
〜９０　ａｔｏｍｉｃ　’１６　Ｊを削除します。 （Ｉｎ、同第２６）口４行目及び１８８行目ｒ　ｐｖ　
Ｊを「ρ０」と夫々訂正します。 ６転回第、２６頁１４行目の「−Ｌ」を「ｐＬ」　　と
訂正します。 ０９１同第４頁下から２行目のｒ　５ｉＨＦｓ’Ｊをｒ
ｓｉＨＦｓ、５ｉＦａ　Ｊと訂正します。 翰、同第測置１行目の「ガス」を「ガスやＣＦ４　Ｊと
訂正します。 ―）、同第２９頁３行目の「した。」を「した。このａ
　７　ＳｉＣ：　Ｈ層中の炭雫含有ｉオージェ電子分光
分析の結果１５　ａｔｏｍｉｃ−であった。」と訂正し
ます。 に）、同第９頁４行目の「ｋをキャリアガスとして」を
削除します。 に）、同第９頁下から６行目の「行ったとζろ」を「行
ない」と訂正します。 （ハ）、同第四頁下から５打目の「６秒間」を「２秒間
」と訂正します。 に）、同第（資）頁４〜５行目の「、ａ−８ｉ：Ｈ層３
」を削除します。 に）、同第３０ｊｊ１５〜１６行目の「アンチモンドー
プド！Ｌ−８ｉＣ：）Ｉ層４及びｔ−プあシ」を「アル
ミニウムドープドａ−８ｉＣ：Ｈ層４及びアルミニウム
ドープあシ」と訂正します。 に）、同第３１頁４〜５行目のｒ　１０’　：　ｔ・・
・・・・・・・・・・ようにし」を削除します。 に）、同第３１頁８行目の「ドープド」を［アルミニウ
ムドープド」と訂正します。 に）、同第３１頁１５行目の「アンチモン」を「アルミ
ニウム」と訂正します。 に）、同第３１頁１６行目のｒａ−８ｉ：Ｈ層３又は」
を削除します。 Ｃ１１）、同第３２頁１行目の「エレクトロメータ」を
［エレクトロメータ５Ｐ−４２８Ｊ　と訂正します。 （ロ）、同第３３〜３４頁の表を下記の通シに訂正しま
す。 （以下余白、次頁へ続く。） （ロ）、同第あ頁２行目の「６秒後」を「２秒後」と訂
正します。 （ロ）、同第３７頁２〜１０行目の［上記の曲曲聞考え
られる。」を削除します。 （ハ）、同第３７頁１２行目の「表面負電荷」を［表面
正電荷、１と訂正します。 に）、同第３８６４行目の「重要であった。」を「好ま
しい。」と訂正します。 （ロ）、同第３９頁８行目と９行目との間に下記の記載
を加入します。 記 「５・・・・・・・・・・・・不純物のドープされた第
３のａ　−ＳｉＣ：Ｈ屑」 に）、同第３９頁１４行目の［又はＰＨｍ　Ｊを削除し
ます。 （ロ）、同第３９頁１８行目の「又はアンチモン」を削
除します。 一以　上− １、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層と、第２のアモルファス水素化汲び／又はフ
ッ素化炭化シリコン層と、アモルファス水素化及び／又
はフッ素化シリコンからなる光導電層と、第１のアモル
ファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層とを基
体上に順次積層せしめた積層体からタシ、前記第３のア
モルフ７　。 ス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層は周期表第
１１１Ａ族元素が含有せしめられることによってＰ型に
変換されてお夛、前記光導電層は周期表第ＨＡ族元素が
含有せしめられることＫよって１０　＊＠Ω−ｍ以上の
暗抵抗率を示し、かつ前記第１のアモルファス水素化及
び／又はフッ素化炭化シリコン層は５０Ａ〜２０００　
Ｘの膜厚を有すると共に周期表第１［ＩＡ族元素が含有
せしめられることによって１０１０−ｍ以上の暗抵抗率
を示す仁とを特徴とする記録体。 ２、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層が高不純物濃度のＰ＋型層である、特許請求
の範囲の第１項に記載した記録体。 ３　光導電層の暗抵抗率が４０１１Ω−ｍ以上である、
特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載した記録体。 ４、第１のアモルファス水素化及び／又は）、素化炭化
シリコン層の暗抵抗率が１０１４０−ｍ以上である、特
許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載し
た記録体。 ５、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層も周期表第１［［Ａ族元素が含有せしめられ
ることによって１ｏｊｌΩ−ｍ以上の暗抵抗率を示す、
特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に記載
した記録体。 ６、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
給する第１の反応ガスに対し、周期表第ＨＡ族元素を供
給する第２の反応ガスをｉｏｏ〜１００，０００ｐｐｍ
の濃度で供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せ
しめて第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコン層が形成される、特許請求の範囲の第１項〜
第５項のいずれか１項に記載した記録体。 ７、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
給する第１の反応ガスに対し、周期表第１ｒＩＡ族元素
を供給する第２の反応ガスを１０〜５００　ｐｐｎｌの
濃度で供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せし
めることによって第１又は第２のアモルファス水素化及
び／又はフッ素化炭化シリコン層若しくは光導電層が形
成される、特許請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか
１項に記載した記録体。 ８、　シリコン蒸気に対し、周期表第１ｒＩＡ族元素の
蒸気を１００〜１００．０００　ｐｐｙｎの濃度にし、
水素原子及び／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行なう
ことによって、第３のアモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化炭化シリコン層が形成される、特許請求の範囲の
第１項〜第５項のいずれが１項に記載した記録体。 ９、　シリコン蒸気に対し、周期表第１ＴＩＡ族元素の
蒸気を１０〜５００　ｐｐｍの濃度にし、水素原子及び
／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行なう仁とＫよって
、第１又は第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素
化炭化シリコン層若しくは光導電層が形成される、特許
請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項又は第８項
に記載した記録体。 １０、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコン層の厚みが５０′に〜１／１ｍであ）、第２
のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン
層の厚みが５０００　Ｘ〜８０ｐｍであ、す、光導電層
の厚みが２１５００　Ａ〜１０／ｊｍであシ、第１のア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の
厚みが５０Ｘへ２０００　Ｘである、特許請求の範囲の
第１項〜第９項のいずれか１項に記載した記録体。 １１、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコン層の厚みが４００　Ｘ〜５０００　Ｘであシ
、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シ
リコン層の厚みが５ｐｙＨ−二ｐｍであシ、光導電層の
厚みが５０００　Ａ〜５μｍであシ、第１のアモルファ
ス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の厚みが４
００　Ｘ〜１６００Ｘである、特許請求の範１２　　第
１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコ
ン層の炭素原子含有量が４０　ａｔｏｍｔｃ嗟〜９０Ｒ
ｔｏｍｉｅｆ）であり、第２及び第３のアモルファス水
素化及び／又社フッ素化炭化シリコン層の炭素原子含有
量が１０　ａｔｏｍｉｃ　％　〜９０　ａｔｏｍｉｃ−
である、特許請求の範囲の第１項〜ｔ４１１項のいずれ
か１項に記載した記録体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層と、第２のアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化炭化シリコン層と、アモルファス水素化及び／又
   はフッ素化シリコンからなる光導電層と、第１のアモル
   ファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層とを基
   体上に順次積層せしめた積層体からなシ、前記第３のア
   モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層は
   周期表第ＨＡ族元素が含有せしめられることによってＰ
   型に変換されており、前記光導電層は周期表ルファス水
   素化及び／又社フッ素化炭化シリコン層は５０Ｘ〜２０
   ００λの膜厚を有すると共に周期表第■Ａ族元素が含有
   せしめられる仁とＫよって１０”体。 ２、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層が高不純物濃度のＰ＋型層であ許請求の範囲
   の第１項又は第２項に記載した記録体。 特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載
   した記録体。 ５、第２のアモルファス水素化及び／又社フシ素示す、
   特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に記載
   した記録体。 ６、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
   給する第１の反応ガスに対し、周期表ｑｍＡ族元素を供
   給する第２の反応ガスを１００〜１００，０００ｐｐｍ
   の濃度で供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せ
   しめて第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
   化７９１７層が形成される、特許請求の範囲の＃Ｉ１項
   〜第５項のいずれか１項に記載した記録体。 ７、　シリコン及び水素原子及び／又はフッ素原子を供
   給する第１の反応ガスに対し、周期表第ｍＡ族元素を供
   給する第２の反応ガスを１０〜５００　ｐｐｍの濃度で
   供給し、これら両反応ガスをグロー放電分解せしめるこ
   とによって第１又は第２のアモルファス水素化及び／又
   はフッ素化炭化シリコン層若しくは光導電層が形成され
   る、特許請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか１項に
   記載した記録体。 ８、　シリコン蒸気に対し、周期表第ｍＡ族元素の蒸気
   を１００〜１００，０００　ｐｐｍの濃度にし、水素原
   子及び／又はフッ素原子の混入下で蒸着を行なうこたに
   よって、第３Φア阜ルフアス水素化及び／又はフッ素化
   炭化シリコン層が形成される、特許請求の範囲の第１項
   〜第５項のいずれか１項に記載した記録体。 ９、シリコン蒸気に対し、周期表第ＨＡ族元素の蒸気を
   １０〜５００　ｐｐｍの濃度にし、水素原子及び／又は
   フッ素原子の混入下で蒸着を行なうことによって、第１
   又は第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
   シリコン層若しくは光導電層が形成される、特許請求の
   範囲の第１項〜第５項のいずれか１項又は第８項に記載
   した記録体。 １０、第３のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
   化シリコン層の厚みが５０Ｘ〜１μｍであシ、第２のア
   モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の
   厚みが５ｏｏｏ　Ｘ〜８０μｍであシ、光導電層の厚み
   が２５００　Ｘ〜１０μｍであシ、第１のアモルファス
   水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の厚みが５０
   λ〜２０００　Ａである、特許請求の範囲の第１項〜第
   ９項のいずれか１項に記載した記録体。 １１、第３のアモルファス水素化笈び／又はフッ素化炭
   化シリコン層の厚みが４００λ〜５０００　Ｘであり、
   第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
   コン層の厚みが５μｍ〜２０μｍであり、光導電層の厚
   みが５ｏｏｏλ〜５μｍそあり、第１のアモルファス水
   素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の厚みが４ｏｏ
   Ａ〜１６００　ｋである、特許請求の範囲の第１０項に
   記載した翳録体。 １２．９４１のアモルファス水−化及び／又はイッ素化
   炭化シリコく層の炭素原子含有量が４０ａｔｏｍｉｃチ
   〜９０ａｔｏｍｉｃチであシ、第２及び第３のアモルフ
   ァス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン層の炭素原
   子含有量が１０　ａｔｏｍｉｃ　％　〜９０　ａｔｏｍ
   ｉｃ　％である、特許請求の範囲の第１項〜第１１項の
   いずれか１項に記載した記録体。