JPS5821965B2 - 音叉型圧電振動子の側面電極形成方法 - Google Patents
音叉型圧電振動子の側面電極形成方法Info
- Publication number
- JPS5821965B2 JPS5821965B2 JP52069593A JP6959377A JPS5821965B2 JP S5821965 B2 JPS5821965 B2 JP S5821965B2 JP 52069593 A JP52069593 A JP 52069593A JP 6959377 A JP6959377 A JP 6959377A JP S5821965 B2 JPS5821965 B2 JP S5821965B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive thin
- electrodes
- thin film
- crystal resonator
- corrosion
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は腐蝕抜き加工により形成される超小型の音叉型
圧電振動子の側面電極形成方法に関する。
圧電振動子の側面電極形成方法に関する。
本発明の目的は、腐蝕抜き加工により形成される音叉型
圧電振動子に側面電極を簡易的に形成し、より高性能な
音叉型圧電振動子を安価に得ることにある。
圧電振動子に側面電極を簡易的に形成し、より高性能な
音叉型圧電振動子を安価に得ることにある。
近来、水晶発振式電子腕時計の普及に伴い、時間標準と
しての水晶振動子にはさらに小型化、高性能化、低価格
化が要求されている。
しての水晶振動子にはさらに小型化、高性能化、低価格
化が要求されている。
このため、従来の機械加工による水晶振動子に変って、
腐蝕抜き加工による水晶振動子が実用化され、その普及
が期待されている。
腐蝕抜き加工による水晶振動子が実用化され、その普及
が期待されている。
しかし、該水晶振動子は従来の機械加工振動子に比較し
、小型化、低価格化においては優れているが、性能面に
おいて不充分である。
、小型化、低価格化においては優れているが、性能面に
おいて不充分である。
性能面でとりわけCI値が高いという点で劣っており、
腐蝕抜き加工による超小型振動子の普及に大きな阻害要
因となっている。
腐蝕抜き加工による超小型振動子の普及に大きな阻害要
因となっている。
CI値の高い原因は、従来の腐蝕抜き加工により形成さ
れる水晶振動子が、その腐蝕加工面である側面に電極を
有さないことに起因する。
れる水晶振動子が、その腐蝕加工面である側面に電極を
有さないことに起因する。
第1図に従来の側面電極を有さない腐蝕抜き加工による
水晶振動子の一例を示す。
水晶振動子の一例を示す。
第1図Aに該水晶振動子の平面図を示し、そのM−M’
断面における加工工程の代表例を第1図B−Fに示す。
断面における加工工程の代表例を第1図B−Fに示す。
第1図Aにおいて、1は水晶振動子、2.3は該水晶振
動子の表面に設けられた2個の電極であり、該水晶振動
子の裏面には、電極2,3とそれぞれ電気的に同相の電
極4,5が水晶振動子の平面に関して、表面電極と鏡像
関係に設けられている。
動子の表面に設けられた2個の電極であり、該水晶振動
子の裏面には、電極2,3とそれぞれ電気的に同相の電
極4,5が水晶振動子の平面に関して、表面電極と鏡像
関係に設けられている。
第1図B−Fに示す該水晶振動子の一般的な腐蝕抜き加
工の工程は、第1図Bの、水晶薄板7に水晶腐蝕液に対
して耐蝕性を有する導電性薄膜6を振動子外形形状に形
成する工程、第1図Cの該導電性薄膜6の上に電極形状
のフォトレジスト8を形成する工程、第1図りの該導電
性薄膜6を耐蝕膜として水晶を振動子外形形状1に腐蝕
抜き加工する工程、第1図Eの前記フォトレジスト8を
耐蝕膜として前記導電性薄膜6を腐蝕加工することによ
り、電極2.3,4.5を形成する工程、第1図Fの前
記フォトレジストを除去する工程とから成る。
工の工程は、第1図Bの、水晶薄板7に水晶腐蝕液に対
して耐蝕性を有する導電性薄膜6を振動子外形形状に形
成する工程、第1図Cの該導電性薄膜6の上に電極形状
のフォトレジスト8を形成する工程、第1図りの該導電
性薄膜6を耐蝕膜として水晶を振動子外形形状1に腐蝕
抜き加工する工程、第1図Eの前記フォトレジスト8を
耐蝕膜として前記導電性薄膜6を腐蝕加工することによ
り、電極2.3,4.5を形成する工程、第1図Fの前
記フォトレジストを除去する工程とから成る。
以上、従来の腐蝕抜き加工による水晶振動子では、その
腐蝕加工面である側面に電極を有さず、表裏面のみに電
極が形成されているため、電界を印加した場合電気力線
が局在し、効率の良い励磁ができず、したがってCI値
が高くなるという欠点を有している。
腐蝕加工面である側面に電極を有さず、表裏面のみに電
極が形成されているため、電界を印加した場合電気力線
が局在し、効率の良い励磁ができず、したがってCI値
が高くなるという欠点を有している。
このため、腐蝕抜き加工による水晶振動子に側面電極を
形成しようという試みがなされており、第2図に従来の
腐蝕抜き加工により側面電極を有する水晶振動子の実施
例を示す。
形成しようという試みがなされており、第2図に従来の
腐蝕抜き加工により側面電極を有する水晶振動子の実施
例を示す。
第2図Aは従来の側面電極を有する水晶振動子の平面図
であり、9は水晶振動子、10.11は該水晶振動子の
表面に設けられた2個の電極、12.13は側面電極で
ある。
であり、9は水晶振動子、10.11は該水晶振動子の
表面に設けられた2個の電極、12.13は側面電極で
ある。
また第2図Bは電極のネガティブパターンをフォトレジ
ストで形成した図を示し、14はフォトレジストである
。
ストで形成した図を示し、14はフォトレジストである
。
第2図C−Gは該水晶振動子のo−o’断面における従
来の腐蝕抜き加工工程についての実施例を示す説明図で
あり、第2図H−Lは該水晶振動子のPp/断面におけ
る従来の腐蝕抜き加工工程についての実施例を示す説明
図である。
来の腐蝕抜き加工工程についての実施例を示す説明図で
あり、第2図H−Lは該水晶振動子のPp/断面におけ
る従来の腐蝕抜き加工工程についての実施例を示す説明
図である。
第2図C,Hは水晶薄板15に形成された振動子外形形
状の2層の導電性薄膜16.17の上に第2図Bに示す
電極のネガティブパターンのフォトレジスト14を形成
する工程、第2図り、Iは該導電性薄膜を耐蝕膜として
水晶薄板を振動子外形形状に腐蝕抜き加工する工程、第
2図E、Jは表面からスパッタリングすることにより、
導電性薄膜16と同一の導電性薄膜18および他の導電
性薄膜17と同一の導電性薄膜19を形成し、次に裏面
からスパッタリングすることにより、導電性薄膜16と
同一の導電性薄膜20および他の導電性薄膜17と同一
の導電性薄膜21を形成する工程、第2図F。
状の2層の導電性薄膜16.17の上に第2図Bに示す
電極のネガティブパターンのフォトレジスト14を形成
する工程、第2図り、Iは該導電性薄膜を耐蝕膜として
水晶薄板を振動子外形形状に腐蝕抜き加工する工程、第
2図E、Jは表面からスパッタリングすることにより、
導電性薄膜16と同一の導電性薄膜18および他の導電
性薄膜17と同一の導電性薄膜19を形成し、次に裏面
からスパッタリングすることにより、導電性薄膜16と
同一の導電性薄膜20および他の導電性薄膜17と同一
の導電性薄膜21を形成する工程、第2図F。
Kはリフトオフ法により前記フォトレジストを剥離する
工程、第2図G、Lは導電性薄膜をそれぞれ1層ずつ腐
蝕加工により除去する工程である。
工程、第2図G、Lは導電性薄膜をそれぞれ1層ずつ腐
蝕加工により除去する工程である。
以上の従来の製造方法により側面電極を有する水晶振動
子は以下に列挙する欠点を有する。
子は以下に列挙する欠点を有する。
(1) リフトオフ法により確実にフォトレジストを
剥離し、かつ該フォトレジスト上に形成された導電性薄
膜を除去するには、フォトレジストを厚くする必要があ
るためフォトレジストのパターン精度が低下する。
剥離し、かつ該フォトレジスト上に形成された導電性薄
膜を除去するには、フォトレジストを厚くする必要があ
るためフォトレジストのパターン精度が低下する。
したがって超小型振動子。に設ける微細な電極形状の形
成を困難にしている。
成を困難にしている。
(2)音叉又部に形成されたフォトレジストは水晶薄板
の腐蝕抜き加工中に剥離したり、形状変化を生じやすく
、そのため又部での電極間ショートが発生しやすい。
の腐蝕抜き加工中に剥離したり、形状変化を生じやすく
、そのため又部での電極間ショートが発生しやすい。
(3)音叉又部に形成されたフォトレジストが水晶薄板
の腐蝕抜き加工中腐蝕液の循環の妨げとなり、音叉又部
の腐蝕抜き形状が悪くなる。
の腐蝕抜き加工中腐蝕液の循環の妨げとなり、音叉又部
の腐蝕抜き形状が悪くなる。
次に従来の腐蝕抜き加工により側面電極を有する水晶振
動子の他の実施例を第3図に示す。
動子の他の実施例を第3図に示す。
第3図Aは本例における水晶振動子の平面図であり、第
3図BはQ−Q’断面における断面図であり、22は水
晶振動子、23.24は該水晶振動子の表面に形成され
た2個の電極であり、該水晶振動子の裏面には電極23
.24とそれぞれ電気的に同相の電極25.26が水晶
振動子の平面に関して表裏電極と鏡像関係に形成されて
いる。
3図BはQ−Q’断面における断面図であり、22は水
晶振動子、23.24は該水晶振動子の表面に形成され
た2個の電極であり、該水晶振動子の裏面には電極23
.24とそれぞれ電気的に同相の電極25.26が水晶
振動子の平面に関して表裏電極と鏡像関係に形成されて
いる。
27゜28.29.30は本実施例において形成される
側面電極である。
側面電極である。
本実施例においては、振動子外形形状の腐蝕抜き加工お
よび表裏電極の腐蝕加工の後、第3図Cに示すように、
音叉腕の側面および側面と表裏電極の接続部のみにスパ
ッタリングにより導電性薄膜が形成できるような孔形状
を有するマスク31゜32を該水晶振動子に密着させて
、スパッタリングにより側面電極を形成するものである
。
よび表裏電極の腐蝕加工の後、第3図Cに示すように、
音叉腕の側面および側面と表裏電極の接続部のみにスパ
ッタリングにより導電性薄膜が形成できるような孔形状
を有するマスク31゜32を該水晶振動子に密着させて
、スパッタリングにより側面電極を形成するものである
。
第3図りはR−R’断面における断面図である。
本実施例に示す水晶振動子は以下に列挙する欠点を有す
る。
る。
(1)マスクの寸法精度は少なくとも水晶振動子の外側
の電極の幅以下が必要であるが、一般的にはマスクの寸
法精度は厚板の±15係程鹿のため、寸法精度を良くす
るためにはマスクの板厚を薄くしなければならない。
の電極の幅以下が必要であるが、一般的にはマスクの寸
法精度は厚板の±15係程鹿のため、寸法精度を良くす
るためにはマスクの板厚を薄くしなければならない。
しかし、マスクの板厚を薄くした場合には破損しやすく
なり、また作業性も悪くなるためマスクの板厚は100
μm程度が限度と考えられる。
なり、また作業性も悪くなるためマスクの板厚は100
μm程度が限度と考えられる。
したがって超小型振動子に設ける微細な電極形状への適
用は困難である。
用は困難である。
(2)マスクと水晶振動子との合せ作業およびマスクと
水晶振動子とを均一に密着させて固定する作業に手間が
かかる。
水晶振動子とを均一に密着させて固定する作業に手間が
かかる。
またマスクと水晶振動子との合せ精度が悪い場合、ある
いはマスクのソリ、ゴミの介在等により水晶振動子とマ
スクとが密着していない場合には電極間ショートが生ず
る。
いはマスクのソリ、ゴミの介在等により水晶振動子とマ
スクとが密着していない場合には電極間ショートが生ず
る。
またマスクと水晶振動子とを均一に固定せずに一部を強
く固定した場合、水晶振動子の割れ、マスクの破損が生
ずる。
く固定した場合、水晶振動子の割れ、マスクの破損が生
ずる。
以上、従来の側面電極を有する腐蝕抜き加工による水晶
振動子は、水晶振動子の超小型化によりさらに適用が困
難である。
振動子は、水晶振動子の超小型化によりさらに適用が困
難である。
本発明は、腐蝕抜き加工による超小型音叉型圧電振動子
の側面電極を簡易的に形成でき、より涜性能な圧電振動
子を低価格で供するものであり、本発明の一実施例を第
4図に示す。
の側面電極を簡易的に形成でき、より涜性能な圧電振動
子を低価格で供するものであり、本発明の一実施例を第
4図に示す。
第4図Aは第1図に示した水晶振動子の表裏電極形成後
の状態であシ、第4図Bは該水晶振動子の表裏面より2
種類の、第1の導電性薄膜としてCr1第2の導電性薄
膜としてAuをスパッタリングした状態を示す第4図B
において、一例としてまず表面から第1の導電性薄膜と
してCr33をスパッタリングし、次に第2の導電性薄
膜としてAu34をスパッタリングする。
の状態であシ、第4図Bは該水晶振動子の表裏面より2
種類の、第1の導電性薄膜としてCr1第2の導電性薄
膜としてAuをスパッタリングした状態を示す第4図B
において、一例としてまず表面から第1の導電性薄膜と
してCr33をスパッタリングし、次に第2の導電性薄
膜としてAu34をスパッタリングする。
この際、Cr33およびAu34は表面はもちろん、側
面および裏面の一部にも形成される。
面および裏面の一部にも形成される。
次に裏面からCr 35をスパッタリングし、次にAu
a6をスパッタリンクする。
a6をスパッタリンクする。
この際cr35およびAu36は裏面はもちろん、側面
および表面の一部にも形成される。
および表面の一部にも形成される。
したがって、本図に示すように該水晶振動子の表裏面に
はCr、Auがそれぞれ1層ずつ新たに形成され、側面
および側面と表裏面の接続部にはCr、Auがそれぞれ
2層ずつ形成される。
はCr、Auがそれぞれ1層ずつ新たに形成され、側面
および側面と表裏面の接続部にはCr、Auがそれぞれ
2層ずつ形成される。
つぎに、外側のAu 36を内側のCr35を耐食膜と
して腐食加工により除去し、この腐食加工により外表面
に表われたCr35を今度は内側のAu34を耐食膜と
して腐食加工により除去することにより、第4図Cに示
すように側面および側面と表裏面の接続部にはスパッタ
リングにより形成されたCr、Auの膜が1層′ずつ残
り、その他の表裏面には第4図Aに示す電極があられれ
る。
して腐食加工により除去し、この腐食加工により外表面
に表われたCr35を今度は内側のAu34を耐食膜と
して腐食加工により除去することにより、第4図Cに示
すように側面および側面と表裏面の接続部にはスパッタ
リングにより形成されたCr、Auの膜が1層′ずつ残
り、その他の表裏面には第4図Aに示す電極があられれ
る。
こうして第4図りに示すように側面電極3Tが形成され
るわけであるが、このままでは2個の電極が側面電極を
介してショートするため、又部の導電性薄膜38をレー
ザー光照射等により除去する。
るわけであるが、このままでは2個の電極が側面電極を
介してショートするため、又部の導電性薄膜38をレー
ザー光照射等により除去する。
以上、本発明によれば以下に列挙する利点を有する。
(1)振動子外形形状の腐蝕抜き加工および表裏電極の
形成は、従来の側面電極を有さない腐蝕抜き加工による
圧電振動子と同一の工程によるため、振動子外形形状お
よび電極形状の精度が良く、超小型圧電振動子に容易に
適用することができる。
形成は、従来の側面電極を有さない腐蝕抜き加工による
圧電振動子と同一の工程によるため、振動子外形形状お
よび電極形状の精度が良く、超小型圧電振動子に容易に
適用することができる。
(2)スパッタリングの際、マスクと圧電振動子との合
せ作業および治具への固定作業が必要ないため、作業が
簡単となる。
せ作業および治具への固定作業が必要ないため、作業が
簡単となる。
また本発明の技術的前提とゲるスパッタリングによる導
電性薄膜の1 側面および反対側の平面の一部への形成
については、スパッタリング条件、圧電振動子のスパッ
タリング時の設置方法等を選択することにより容易に達
成できるものである。
電性薄膜の1 側面および反対側の平面の一部への形成
については、スパッタリング条件、圧電振動子のスパッ
タリング時の設置方法等を選択することにより容易に達
成できるものである。
次に本発明の応用例を第5図に示す。
第5図Aフにおいては、第1図Aに例示した水晶振動子
の又部付近にフォトレジスト39を形成する。
の又部付近にフォトレジスト39を形成する。
導電性薄膜をスパッタリングした場合、該フォトレジス
トの形成されている又部付近のみは導電性薄膜は形成さ
れない。
トの形成されている又部付近のみは導電性薄膜は形成さ
れない。
したがって第4図B、Cと同様にデ少なくとも2種類以
上の導電性薄膜を第5図Aの水晶振動子の表裏面よりス
パッタリングし、該導電性薄膜をそれぞれ1層ずつ腐蝕
加工により除去し、さらに前記フォトレジストを除去す
れば、第5図Bに示すように、表裏電極と接続する2個
の2個面電極40.41が形成される。
上の導電性薄膜を第5図Aの水晶振動子の表裏面よりス
パッタリングし、該導電性薄膜をそれぞれ1層ずつ腐蝕
加工により除去し、さらに前記フォトレジストを除去す
れば、第5図Bに示すように、表裏電極と接続する2個
の2個面電極40.41が形成される。
以上、本発明は腐蝕抜き加工による水晶振動子に、簡易
的に側面電極を形成することができるが本発明は水晶振
動子に限るものでなく、タンタル酸リチウム、ニオブ酸
リチウム等、腐蝕抜き加工;によって外形形状を形成す
るあらゆる音叉型圧電振動子に応用可能であり、また電
極構造も本例に限るものではない。
的に側面電極を形成することができるが本発明は水晶振
動子に限るものでなく、タンタル酸リチウム、ニオブ酸
リチウム等、腐蝕抜き加工;によって外形形状を形成す
るあらゆる音叉型圧電振動子に応用可能であり、また電
極構造も本例に限るものではない。
本発明は腐蝕抜き加工による圧電振動子の特徴である超
小型化、低価格化を損なうことなく、さ・らに従来の機
械加工による比較的大型な圧電振動子に匹敵する性能が
容易に得られるという点でその効果は非常に太きい。
小型化、低価格化を損なうことなく、さ・らに従来の機
械加工による比較的大型な圧電振動子に匹敵する性能が
容易に得られるという点でその効果は非常に太きい。
第1図は従来の側面電極を有さない腐蝕抜き加工による
水晶振動子の一例。 第2図は従来の側面電極を有する腐蝕抜き加工による水
晶振動子の一例。 第3図は従来の側面電極を有する腐蝕抜き加工による水
晶振動子の他の例。 第4図は本発明の一実施例。 第5図は本発明の応用例。111380.水晶振動子、
2,3・・曲表面電極、4゜5・・・・・・裏面電極、
6・・・・・・導電性薄膜、7・・・・・・水晶薄板、
8・・・・・・フォトレジスト、9・・・・・・水晶振
動子、10.11・・・・・・表面電極、12,13・
・・・・・側面電極、14・・・・・・フォトレジスト
、15・・・・・・水晶薄板、16.17.18.19
,20.21・・・・・・導電性薄膜、22・・・・・
・水晶振動子、23.24・・・・・・表面電極、25
.26・・・・・・裏面電極、27,28゜29.30
・・・・・・側面電極、31.32・・・・・・マスク
、33.34,35.36・・・・・・導電性薄膜、3
7・・・・・・側面電極、38・・・・・・又部の導電
性薄膜、39・・・・・・フォトレジスト、40,41
・・・・・・側面電極。
水晶振動子の一例。 第2図は従来の側面電極を有する腐蝕抜き加工による水
晶振動子の一例。 第3図は従来の側面電極を有する腐蝕抜き加工による水
晶振動子の他の例。 第4図は本発明の一実施例。 第5図は本発明の応用例。111380.水晶振動子、
2,3・・曲表面電極、4゜5・・・・・・裏面電極、
6・・・・・・導電性薄膜、7・・・・・・水晶薄板、
8・・・・・・フォトレジスト、9・・・・・・水晶振
動子、10.11・・・・・・表面電極、12,13・
・・・・・側面電極、14・・・・・・フォトレジスト
、15・・・・・・水晶薄板、16.17.18.19
,20.21・・・・・・導電性薄膜、22・・・・・
・水晶振動子、23.24・・・・・・表面電極、25
.26・・・・・・裏面電極、27,28゜29.30
・・・・・・側面電極、31.32・・・・・・マスク
、33.34,35.36・・・・・・導電性薄膜、3
7・・・・・・側面電極、38・・・・・・又部の導電
性薄膜、39・・・・・・フォトレジスト、40,41
・・・・・・側面電極。
Claims (1)
- 1 音叉型圧電振動子の外形形状に腐蝕抜き加工されて
いる圧電性薄板の表、真冬平面に導電性薄膜が形成され
ている音叉型圧電振動子の側面電極形成方法において、
前記導電性薄膜によって表裏面に電極形成する第1の工
程、前記電極の形成されている薄板の表面に、少なくと
も第1の導電性薄膜と第2導電性薄膜とをスパッタリン
グにより表面と裏面の両方向からスパッタリングして薄
板の表、真冬平面に少なくとも各2層、側面に少なくと
も4層の導電性薄膜を形成する第2の工程、その後外側
に形成されている2層の導電性薄膜を内側に形成されて
いる導電性薄膜を耐食膜として腐食加工により除去する
第3の工程を有することを特徴とする音叉型圧電振動子
の側面電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52069593A JPS5821965B2 (ja) | 1977-06-13 | 1977-06-13 | 音叉型圧電振動子の側面電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52069593A JPS5821965B2 (ja) | 1977-06-13 | 1977-06-13 | 音叉型圧電振動子の側面電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS544094A JPS544094A (en) | 1979-01-12 |
| JPS5821965B2 true JPS5821965B2 (ja) | 1983-05-06 |
Family
ID=13407274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52069593A Expired JPS5821965B2 (ja) | 1977-06-13 | 1977-06-13 | 音叉型圧電振動子の側面電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821965B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000005812A1 (fr) * | 1998-07-24 | 2000-02-03 | Seiko Epson Corporation | Oscillateur piezoelectrique et son procede de production |
| JP2008042794A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Citizen Holdings Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5583316A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Citizen Watch Co Ltd | Electrode structure of tuning-fork type crystal vibrator |
| JPS5961210A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Kinseki Kk | 水晶振動子の金属膜構造 |
| JP6673669B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2020-03-25 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片の製造方法、ウエハ及び圧電振動片 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS51100693A (en) * | 1975-03-04 | 1976-09-06 | Citizen Watch Co Ltd | Atsudenshindoshino denkyokumakukoseiho |
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-
1977
- 1977-06-13 JP JP52069593A patent/JPS5821965B2/ja not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6961981B2 (en) | 1998-07-24 | 2005-11-08 | Seiko Epson Corporation | Method of producing a piezoelectric resonator |
| JP2008042794A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Citizen Holdings Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS544094A (en) | 1979-01-12 |
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