JPS58219774A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS58219774A JPS58219774A JP57102445A JP10244582A JPS58219774A JP S58219774 A JPS58219774 A JP S58219774A JP 57102445 A JP57102445 A JP 57102445A JP 10244582 A JP10244582 A JP 10244582A JP S58219774 A JPS58219774 A JP S58219774A
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- Japan
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- photoelectric conversion
- electrode
- conversion device
- auxiliary
- auxiliary electrode
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非単結晶°半導体を用いたハイブリッド型の大
電力用光電変換装置およびその作製方法に関する。
電力用光電変換装置およびその作製方法に関する。
本発明は透光性基板（代表的にはガラス基板）上に長方
形を有する光電変換装置を複数個短辺方向に配列し、こ
の複数個の光電変換装置を直列に電気的に連結電極部で
接続して大電力（大電圧、大電流）を作ろうとするもの
である。
形を有する光電変換装置を複数個短辺方向に配列し、こ
の複数個の光電変換装置を直列に電気的に連結電極部で
接続して大電力（大電圧、大電流）を作ろうとするもの
である。
なる特願昭５４−９００９７．９００９８．９００９９
（８５４゜７．１６出願）光電変換装置が知られてい
る。
（８５４゜７．１６出願）光電変換装置が知られてい
る。
しかしこれらの出願の前三件に関しては、透光性の絶縁
基板上に第１の透明導電膜を設け、その上部に光電変換
装置を作製し、さらにその上面の第２の電極を構成しつ
つもこの透明導電膜の導電性が金属と異なシ２０〜１０
０−”／６と大きい。
基板上に第１の透明導電膜を設け、その上部に光電変換
装置を作製し、さらにその上面の第２の電極を構成しつ
つもこの透明導電膜の導電性が金属と異なシ２０〜１０
０−”／６と大きい。
このためこの電極部での直列抵抗を下げるという努力が
なされていない。しかし本発明人の出願になる三件の特
許願においては、かかる透明導電膜のシート抵抗を実質
的に下げるため、金属の補助電極を設け、さらに同時に
作られる金属膜を逆流防止ダイオードの光遮閉電極とし
て用いている等の多くの特徴を有する。
なされていない。しかし本発明人の出願になる三件の特
許願においては、かかる透明導電膜のシート抵抗を実質
的に下げるため、金属の補助電極を設け、さらに同時に
作られる金属膜を逆流防止ダイオードの光遮閉電極とし
て用いている等の多くの特徴を有する。
しかし本発明人の出願になる特許願においても、さらに
光電変換装置を作製する設計の観点よシみると、さらに
そのシート抵抗を実質的に補助電極によシ下げつつも、
加えてこの補助電極の基板全体をしめる比率を１０％（
実効変換効率が真性変換効率の０．９倍になる〕以下と
し、実効変換効率を高める努力が十分でない。加えてそ
の製造方法においても、蒸着用マスクの精度の検討も十
分でない。
光電変換装置を作製する設計の観点よシみると、さらに
そのシート抵抗を実質的に補助電極によシ下げつつも、
加えてこの補助電極の基板全体をしめる比率を１０％（
実効変換効率が真性変換効率の０．９倍になる〕以下と
し、実効変換効率を高める努力が十分でない。加えてそ
の製造方法においても、蒸着用マスクの精度の検討も十
分でない。
本発明はかかる欠点を補ない、大電力用特に大電流用の
光電変換装置を作製せんとする時の電極に関するもので
ある。
光電変換装置を作製せんとする時の電極に関するもので
ある。
すなわち遮光性導電膜はシート抵抗が１０〜５０％であ
るため、その抵抗値を考慮して直列接続をさせる場合直
列接続のため電圧は単にその接続の数だけ大きくするこ
とができる。しかし同時に直列抵抗も単純に大きくなり
、結果として大効率を得るための直列抵抗を５ｆＬ以下
好ましくは０゜２〜１ｆＬＫすることは不可能であった
。
るため、その抵抗値を考慮して直列接続をさせる場合直
列接続のため電圧は単にその接続の数だけ大きくするこ
とができる。しかし同時に直列抵抗も単純に大きくなり
、結果として大効率を得るための直列抵抗を５ｆＬ以下
好ましくは０゜２〜１ｆＬＫすることは不可能であった
。
このため本発明においては、複数の光電変換装置を長方
形に設け、それを複数個短辺方向に配列し、さらにこの
配列されたそれぞれを第１の光電変換装置の下側電極を
その隣りに配置する第２の光電変換装置の上側電極に直
列接続せしめている。しかしこの下側電極が工ＴＯ（酸
化インジュームに１〜ｌｏ％酸化スズを添加）を主とし
て用いるため、そのシート抵抗が下がらず、４ｇ島り 結果としてそのシート抵抗〕１ｊｌＪ抵抗で４・ノ、こ
のため長方形の光電変換装置の長辺の長さと短辺の長さ
の比（長辺／短辺）を１５以上にとシ、みかけ土の直列
抵抗を下げていた０ しかしかかる従来の方法においても、光電変換装置を１
０〜２０段直列にし、さらにそのパネルを５〜１０段直
列にした時には、その抵抗値は１００〜１２０Ｖ、 １
０Ａ以上の電流をモジュールにて得んとする時、根本的
な欠陥問題になってしまった。
形に設け、それを複数個短辺方向に配列し、さらにこの
配列されたそれぞれを第１の光電変換装置の下側電極を
その隣りに配置する第２の光電変換装置の上側電極に直
列接続せしめている。しかしこの下側電極が工ＴＯ（酸
化インジュームに１〜ｌｏ％酸化スズを添加）を主とし
て用いるため、そのシート抵抗が下がらず、４ｇ島り 結果としてそのシート抵抗〕１ｊｌＪ抵抗で４・ノ、こ
のため長方形の光電変換装置の長辺の長さと短辺の長さ
の比（長辺／短辺）を１５以上にとシ、みかけ土の直列
抵抗を下げていた０ しかしかかる従来の方法においても、光電変換装置を１
０〜２０段直列にし、さらにそのパネルを５〜１０段直
列にした時には、その抵抗値は１００〜１２０Ｖ、 １
０Ａ以上の電流をモジュールにて得んとする時、根本的
な欠陥問題になってしまった。
本発明はかかる欠点を除去するためになされたもので、
下側透明導電膜の下側（基板側に金属の補助電極を形成
し、実効抵抗でパネルレベルで５北以下好ましくは０．
２〜１ｎにしたものである。
下側透明導電膜の下側（基板側に金属の補助電極を形成
し、実効抵抗でパネルレベルで５北以下好ましくは０．
２〜１ｎにしたものである。
以下に図面に従ってその詳細を説明する。
第１図は本発明の光電変換装置の平面図およびた、て断
面図を示す。
面図を示す。
図面は１０〜５０ｃｍ″′の透光性基板に設けたもので
、この基板（１）としては０．３〜３ｍｍの厚さのガラ
ス例えばコーＹイングアｏ５９ガラス、硬質ガラスまた
は白板ガラスを用いた。
、この基板（１）としては０．３〜３ｍｍの厚さのガラ
ス例えばコーＹイングアｏ５９ガラス、硬質ガラスまた
は白板ガラスを用いた。
さらにそのガラス板上に下側電極としての補助電極（２
）を連結電極（７）を真空蒸着法により０．５〜３μ代
表的には１μの厚さにアルミニュームまたは銅がその側
周辺を台形構造を有して具備している。またこの上面に
工ＴＯ（酸化スズが２〜８％添加された酸化インジュー
ム）を約５０ ＯＡ、さらにその上に酸化アンチモンが
２〜８チ添加された酸化スズが約２０ＯＡの厚さに真空
蒸着法により積層して形成した透光性の透明導電膜（３
）を形成している。このシート抵抗はＥｒ−４Ｑ 、Ｊ
Ｌ／、、代表的には２５ユんである。さらにこの上面に
Ｐ工Ｎ接合を少なくともひとつ有する（Ｐ工ＮｉたはＰ
工ＮＰ工Ｎ１Ｐ工ＮＰ工Ｎ・・・・Ｐ工Ｎ）非単結晶半
導体（４）をプラズマ気相法により形成している。この
非単結晶半導体は珪素を主成分とする非晶質、微結晶性
を有するセミアモルファス半導体または繊維構造を有す
る半導体またはそれらを層状に複合化して形成させたも
ので、エネルギバンド巾は入射光側よシＷ（広いＥｇ）
−Ｎ（せまいＦｉｇ）としている。この半導体に関して
は、本発明人の特許になる米国特許！２５４４２９ （
対応日本時−許５３−８３４６７、８３４６８８５３．
’ｉ’、 ８出願〕および米国特許４２３９５５４
（対応日本特許５３−８６８６７、８６８６ＢＳ５３．
７． ’ｌ’ｉ’出Ｂ）Ｋその詳細が述べられている。
）を連結電極（７）を真空蒸着法により０．５〜３μ代
表的には１μの厚さにアルミニュームまたは銅がその側
周辺を台形構造を有して具備している。またこの上面に
工ＴＯ（酸化スズが２〜８％添加された酸化インジュー
ム）を約５０ ＯＡ、さらにその上に酸化アンチモンが
２〜８チ添加された酸化スズが約２０ＯＡの厚さに真空
蒸着法により積層して形成した透光性の透明導電膜（３
）を形成している。このシート抵抗はＥｒ−４Ｑ 、Ｊ
Ｌ／、、代表的には２５ユんである。さらにこの上面に
Ｐ工Ｎ接合を少なくともひとつ有する（Ｐ工ＮｉたはＰ
工ＮＰ工Ｎ１Ｐ工ＮＰ工Ｎ・・・・Ｐ工Ｎ）非単結晶半
導体（４）をプラズマ気相法により形成している。この
非単結晶半導体は珪素を主成分とする非晶質、微結晶性
を有するセミアモルファス半導体または繊維構造を有す
る半導体またはそれらを層状に複合化して形成させたも
ので、エネルギバンド巾は入射光側よシＷ（広いＥｇ）
−Ｎ（せまいＦｉｇ）としている。この半導体に関して
は、本発明人の特許になる米国特許！２５４４２９ （
対応日本時−許５３−８３４６７、８３４６８８５３．
’ｉ’、 ８出願〕および米国特許４２３９５５４
（対応日本特許５３−８６８６７、８６８６ＢＳ５３．
７． ’ｌ’ｉ’出Ｂ）Ｋその詳細が述べられている。
さらにこの上面に上側電極（５）がアルミニュームの真
空蒸着法により形成され、積層型の光電変換装置（６ｏ
）、 、（ａ 馬（ａ ２）を同一基板上にハイブリッ
ト方式によシ構成させている。
空蒸着法により形成され、積層型の光電変換装置（６ｏ
）、 、（ａ 馬（ａ ２）を同一基板上にハイブリッ
ト方式によシ構成させている。
さらにその平面図ｃＡ）トそ（７） Ａ−Ａ’、 Ｂ−
Ｂ’、 Ｃ！−０’。
Ｂ’、 Ｃ！−０’。
Ｄ−Ｄ’のたて断面図よυ明らかな如く、長方形の第１
の光電変換装置（６０）はその短辺方向にその隣りに第
２の光電変換装置（６１）さらにその右隣りに第３０光
電変換装置（６２）を連結電極（７）の部分で電気的に
互いに直列接続がなされるよう構成させている。
の光電変換装置（６０）はその短辺方向にその隣りに第
２の光電変換装置（６１）さらにその右隣りに第３０光
電変換装置（６２）を連結電極（７）の部分で電気的に
互いに直列接続がなされるよう構成させている。
またこの連結電極に関しては、補助電極を真空蒸着法に
よ９１回のマスクにて特にフォトエツチング工程等を行
なうことなく作製するためこの補助電極用マスクに部分
的な蒸着の際、たわみが発生しマスクぼけがおきること
を防ぐ細線を構成させている。このため連結電極におけ
る下側電極は第１図（ａ） Ｋ示す如く各補助電極ごと
に独立しており、それらを互いに導通するとともに、隣
シあった光電変換装置を直列接続するために上側電極（
５）が設けられている。
よ９１回のマスクにて特にフォトエツチング工程等を行
なうことなく作製するためこの補助電極用マスクに部分
的な蒸着の際、たわみが発生しマスクぼけがおきること
を防ぐ細線を構成させている。このため連結電極におけ
る下側電極は第１図（ａ） Ｋ示す如く各補助電極ごと
に独立しており、それらを互いに導通するとともに、隣
シあった光電変換装置を直列接続するために上側電極（
５）が設けられている。
以上の如くにして作り、さらに光電変換装置パネルにお
いて、光電変換装置は長辺１０〜５゜ａｍ、短辺２〜１
０ ｃ ｍ、例えば２０ｃｍのハネルで長辺１Ｂ Ｏｆ
ｆｌ、短辺３．５ｃｍと、した。さらにこの長方形の光
電変換装置を直列に５段連結をした。補助電極（２）は
巾０．５ｍｍ、長さ３ｃｍであり、連結電極は巾２ｍｍ
とし、補助電極間かくけ９．５ｍｍとし、補、助電極に
よシその透明導電膜のシート抵抗をパネルレベルで１１
５の４ｎにすることができた。
いて、光電変換装置は長辺１０〜５゜ａｍ、短辺２〜１
０ ｃ ｍ、例えば２０ｃｍのハネルで長辺１Ｂ Ｏｆ
ｆｌ、短辺３．５ｃｍと、した。さらにこの長方形の光
電変換装置を直列に５段連結をした。補助電極（２）は
巾０．５ｍｍ、長さ３ｃｍであり、連結電極は巾２ｍｍ
とし、補助電極間かくけ９．５ｍｍとし、補、助電極に
よシその透明導電膜のシート抵抗をパネルレベルで１１
５の４ｎにすることができた。
このためこの補助電極のない状態にてＡＭＩ（１００ｍ
Ｗ／ｃｎＩ＋） ＫてＴｏ ｃ ｓ ４〜４．５Ｖ、工
５ｃ＝３Ａ 変す 換効率４゜５係であったものが、Ｙ発明の補助電極を設
けることにょシＶｏｃａ４．５〜５． ＯＶ、工ｓ０３
、８Ａ、変換効率７〜８゜２％、Ｋまで高めることかで
きた。
Ｗ／ｃｎＩ＋） ＫてＴｏ ｃ ｓ ４〜４．５Ｖ、工
５ｃ＝３Ａ 変す 換効率４゜５係であったものが、Ｙ発明の補助電極を設
けることにょシＶｏｃａ４．５〜５． ＯＶ、工ｓ０３
、８Ａ、変換効率７〜８゜２％、Ｋまで高めることかで
きた。
第２図は本発明の補助電極の部分（第１図りの○印の部
分（６０）を拡大したものである。図面において明らか
な如く、本発明においてガラス基板上に密接して補助電
極がその側周辺を台形を有して構成し、この台形の望み
角αα→は６０″以下好１しくは４５〜３０°を有せし
めている。これはこの電極上にこの後の工程において透
明導電膜半導体膜、上側電極を構成する際、この電極の
凸部周辺に十分均質な厚さの被膜を構成させる上にきわ
めて重要である。さらにかかる台形は５０〜２００μの
厚さのステンレスマスクを利用して選択的にアルミニュ
ーム、銅、ニッケルヲ真空蒸着法で完成するときわめて
製造が容易である。
分（６０）を拡大したものである。図面において明らか
な如く、本発明においてガラス基板上に密接して補助電
極がその側周辺を台形を有して構成し、この台形の望み
角αα→は６０″以下好１しくは４５〜３０°を有せし
めている。これはこの電極上にこの後の工程において透
明導電膜半導体膜、上側電極を構成する際、この電極の
凸部周辺に十分均質な厚さの被膜を構成させる上にきわ
めて重要である。さらにかかる台形は５０〜２００μの
厚さのステンレスマスクを利用して選択的にアルミニュ
ーム、銅、ニッケルヲ真空蒸着法で完成するときわめて
製造が容易である。
さらに本発明においては、この補助電極（２）をおおっ
て透光性導電膜（３）を形成しておシ、これはその後の
２００〜３００°Ｃの温度でのグロー放電法を利用する
プラズマ気相法に′より半導体層を形成する際、この補
助電極を構成する金属が半導体中に拡散し）上側電極と
ショート状態を作つたり、またニア・・エネルギ４ｔｈ
をもつ再結合中心を半導体内に作らせないためにきわめ
て重要である。すなわち補助型、極をおおう透光性導電
膜は補助電極を構成する金属の拡散防止すなわちブロッ
キング効果をさせている。
て透光性導電膜（３）を形成しておシ、これはその後の
２００〜３００°Ｃの温度でのグロー放電法を利用する
プラズマ気相法に′より半導体層を形成する際、この補
助電極を構成する金属が半導体中に拡散し）上側電極と
ショート状態を作つたり、またニア・・エネルギ４ｔｈ
をもつ再結合中心を半導体内に作らせないためにきわめ
て重要である。すなわち補助型、極をおおう透光性導電
膜は補助電極を構成する金属の拡散防止すなわちブロッ
キング効果をさせている。
第２図（Ａ）においては、上側は耐電性向上のため祈Ｒ
Ｗ（１ｆ）を充填している。第２図（Ｂ）は第２図（Ａ
）の補助電極を下側にアルミニュームまたは銅α］を０
．５〜３μ代表的には１〜１．５μ形成し、その上面に
ニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンの如き耐熱
性金属（１４を５００〜２０００Ａの厚さに同じマスク
によ多連続真空蒸着をさせて整合をとって形成せしめた
２層の補助電極としたものである。
Ｗ（１ｆ）を充填している。第２図（Ｂ）は第２図（Ａ
）の補助電極を下側にアルミニュームまたは銅α］を０
．５〜３μ代表的には１〜１．５μ形成し、その上面に
ニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンの如き耐熱
性金属（１４を５００〜２０００Ａの厚さに同じマスク
によ多連続真空蒸着をさせて整合をとって形成せしめた
２層の補助電極としたものである。
かくすることに゛よ、シ透明導電膜の酸素と補助あ２
電極とが２００〜３００’Ｏの雰囲気にてＶ化し、その
境界に酸化物絶縁層が形成されてしまうことを防いだ。
境界に酸化物絶縁層が形成されてしまうことを防いだ。
第３図の（Ａ）、（Ｂ）、（０）、ＣＤ）は第１図の光
電変換装置ノくネルを形成するための蒸着用またはプラ
ズマＣｖＤ用のマスクを第１図（Ａ）Ｋ対応して示した
ものである。
電変換装置ノくネルを形成するための蒸着用またはプラ
ズマＣｖＤ用のマスクを第１図（Ａ）Ｋ対応して示した
ものである。
第３図（Ａ）は第２図に示す補助電極を形成するための
ステンレスマスクである。
ステンレスマスクである。
すなわち補助電極用の開口（１呻、連続電極用の開口（
ロ）を有し、開口α呻のためにマスク（７）の辺が真空
蒸着の際たわむことを防ぐため、細線α萄が０．１〜１
ｍｍの巾で作られている。これは補助電極を単に真空蒸
着を１図（４）に示すマスクを用いて形成させるのみの
きわめて簡単な製造方法を用いる際きわめて重要である
。
ロ）を有し、開口α呻のためにマスク（７）の辺が真空
蒸着の際たわむことを防ぐため、細線α萄が０．１〜１
ｍｍの巾で作られている。これは補助電極を単に真空蒸
着を１図（４）に示すマスクを用いて形成させるのみの
きわめて簡単な製造方法を用いる際きわめて重要である
。
さらにこの細線の部分のみ蒸着の際基板よシ離間して蒸
着金属のまわりこみを促してもよい。
着金属のまわりこみを促してもよい。
このステンレスマスクは第２図に示す台形を有せしめる
ため、１５０〜２００μと厚めのステンレスマスクを用
いた。さらに第３図（Ｂ）は補助電極上に選択的に重さ
ねた、透明導電膜を真空蒸着法により形成するためのマ
スクαＱを示す。透明導電膜は開口−の領域に形成され
る。
ため、１５０〜２００μと厚めのステンレスマスクを用
いた。さらに第３図（Ｂ）は補助電極上に選択的に重さ
ねた、透明導電膜を真空蒸着法により形成するためのマ
スクαＱを示す。透明導電膜は開口−の領域に形成され
る。
第３図（０）はプラズマ気相法により非晶質または微結
晶性を有する、水素またはノ・ロゲン元素が再結合中心
中和用に添加された非単結晶半導体を形成するた、めの
マスクである。非単結晶半導体は珪素、ｓ ｉ、Ｎ、、
（ｏ ＜ｘ＜ ４） ＋ ｓ １ｘａｒ−ｘ （ｏ
＜ｘ〈ｌ） ｒＳ ｉ ｘＧ ｅ＋−Ａ（ｏイｘ＜１）
、 ５ｉｘＳｎ、−、（ｏ＜ｘ＜ １）を用いて、Ｐ
工Ｎ接合を少なくとも１つ積層して形成した。
晶性を有する、水素またはノ・ロゲン元素が再結合中心
中和用に添加された非単結晶半導体を形成するた、めの
マスクである。非単結晶半導体は珪素、ｓ ｉ、Ｎ、、
（ｏ ＜ｘ＜ ４） ＋ ｓ １ｘａｒ−ｘ （ｏ
＜ｘ〈ｌ） ｒＳ ｉ ｘＧ ｅ＋−Ａ（ｏイｘ＜１）
、 ５ｉｘＳｎ、−、（ｏ＜ｘ＜ １）を用いて、Ｐ
工Ｎ接合を少なくとも１つ積層して形成した。
マスクシカの開口（イ）にかかる半導体層を作った。
最後に第４のマスクに）によシ、これら第１〜第３のマ
スクをそれらに合わせマーク（９）によシ位置合わせし
て上側電極を開口（ハ）に真空蒸着法によシ作製するこ
とで第１図に示す光電変換装置パネルを構成させた。
スクをそれらに合わせマーク（９）によシ位置合わせし
て上側電極を開口（ハ）に真空蒸着法によシ作製するこ
とで第１図に示す光電変換装置パネルを構成させた。
本発明は以上の如く多くて４回の金属マスクを用いて漸
次積層して形成していくのみであり、特に印刷したフォ
ト“エツチング法による化学エツチング除去工程がなく
、きわめて簡単に多量生産が可能となるという特徴を有
する。
次積層して形成していくのみであり、特に印刷したフォ
ト“エツチング法による化学エツチング除去工程がなく
、きわめて簡単に多量生産が可能となるという特徴を有
する。
第４図は本発明の光電変換装置パネルを直列（ハ）およ
び並列（３２）構造としたもので、モジュール化してい
る。
び並列（３２）構造としたもので、モジュール化してい
る。
図面において各パネル（ハ）、 （３２）は連結部ＱＱ
Ｋで分とることによシ貿精ｙｔＪ ｔ ｚｆｔｔ Ｌ、
４＃ｔ、 ８１ｋ ｖ ｖｔｙマ、。
Ｋで分とることによシ貿精ｙｔＪ ｔ ｚｆｔｔ Ｌ、
４＃ｔ、 ８１ｋ ｖ ｖｔｙマ、。
またパネル３２は光電変換装置と同時に逆流防止ダイオ
ードを設けた。すなわち局部的に雨ｌたはごみによシ照
射面の強さが異なったシして４並列間の電圧に差が発生
してしまった時 またモジュール内部で電気的に閉回路
を構成してしまうことを防いでいる。また４つの直列回
路のうちひとつの光電変換装置がショー トして破壊し
てしまっても他の、３つが通電し得るようにしたもので
、このモジュール化の、際の逆流防止ダイオードに関し
ては、本発明人の出願になる特許願５４−９００９９に
示されている。
ードを設けた。すなわち局部的に雨ｌたはごみによシ照
射面の強さが異なったシして４並列間の電圧に差が発生
してしまった時 またモジュール内部で電気的に閉回路
を構成してしまうことを防いでいる。また４つの直列回
路のうちひとつの光電変換装置がショー トして破壊し
てしまっても他の、３つが通電し得るようにしたもので
、このモジュール化の、際の逆流防止ダイオードに関し
ては、本発明人の出願になる特許願５４−９００９９に
示されている。
第４図（Ｂ）は（Ａ）のＡ −Ａ’のたて断面図を示す
が照射光（１０）に対しモジュールをさかさに配し、ノ
（ネ／ｌ／（ハ）トフレーム（ハ）の間にポリアミド樹
脂またはエポキシ樹脂を充填して、耐湿防止と機能強度
の増加をはかったものである。
が照射光（１０）に対しモジュールをさかさに配し、ノ
（ネ／ｌ／（ハ）トフレーム（ハ）の間にポリアミド樹
脂またはエポキシ樹脂を充填して、耐湿防止と機能強度
の増加をはかったものである。
このモジュールの外部引出し口（３Ｏ）［よシミカン
偵εを行なった。
以上の説明よシ明らかな如く、本発明は複数の光電変換
装置をその直列抵抗を最少にしつつ直列接続をしたハイ
ブリッド型の光電変換装置およびその作製方法に関する
ものであって、補助電極は連結電極（垂＠に内部に延在
さ一＋！：た〇この方式は斜方向またはその変形で行な
ってもよい。本発明で重要な点は補助電極用のマスクの
たわみを少なくするため、連結電極部に細線を設け、さ
らに補助電極の配線およびその長さも長短比が３以上好
ましくは５〜１５を有する長方形の長辺方向ではなく、
短辺方向に平行にして短く形成し、この補助電極の厚さ
が０．５〜３μとうすくでもその電流密度を１×ｌＯＡ
／ＣｍＬ以下になるように考慮し、十分有効な長さであ
る１〜８ｃｍ代表的には２〜４ｃｍとし、１０ｃｍ以上
になることを防いだことにある。さらにその補助電極に
よる照射ｆｊ−が面積の減少を７チ以下好ましくは２〜
４％とした点にある。
装置をその直列抵抗を最少にしつつ直列接続をしたハイ
ブリッド型の光電変換装置およびその作製方法に関する
ものであって、補助電極は連結電極（垂＠に内部に延在
さ一＋！：た〇この方式は斜方向またはその変形で行な
ってもよい。本発明で重要な点は補助電極用のマスクの
たわみを少なくするため、連結電極部に細線を設け、さ
らに補助電極の配線およびその長さも長短比が３以上好
ましくは５〜１５を有する長方形の長辺方向ではなく、
短辺方向に平行にして短く形成し、この補助電極の厚さ
が０．５〜３μとうすくでもその電流密度を１×ｌＯＡ
／ＣｍＬ以下になるように考慮し、十分有効な長さであ
る１〜８ｃｍ代表的には２〜４ｃｍとし、１０ｃｍ以上
になることを防いだことにある。さらにその補助電極に
よる照射ｆｊ−が面積の減少を７チ以下好ましくは２〜
４％とした点にある。
第１図は本発明の光量変換装置の平面および各部のたて
、断面・図である。 第２図は本発明の補助電極部の拡大図を示すＯ第３図は
本発明の製造工程を示すためのマスクである。 第４図は本発明を応用した光電変換装置のモジュールを
示す。 （Ｅ） 肥３忍
、断面・図である。 第２図は本発明の補助電極部の拡大図を示すＯ第３図は
本発明の製造工程を示すためのマスクである。 第４図は本発明を応用した光電変換装置のモジュールを
示す。 （Ｅ） 肥３忍
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性基板上に長方形を有する光電変換装置を複数
個短辺方向に配列し、第１の光電変換装置の下側電極は
その隣シニ配置し記第２の光電変換装置の下側電極がそ
れの隣シの第１の光電変換装置の反対側に配置した第３
の光電変換装置の上側電極に連結数個の光電変換装置を
透光性基板上に電気的に直列接続せしめる半導体装置に
おいて、下側電極は連結電極よね前記光電変換装置の内
部方向に延在する補助電極と、該補助電極をおおうとと
もに該電極間かく土に透光性導電性電極が設けられ、さ
らに前記透光性導電性電極上に光起電力発生用半導体層
が設けられたことを特徴とする光電変換装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、透光性基板上に設
けられた補助電極は０．２〜３μの厚さを有するととも
に、その側面はチー・く状のその望み角が６０°以下を
有した台形を有することを特徴とする光電変換装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、補助電極は連結電
極の方向に垂直向きに光電変換装置の内部方向に延在し
たことを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57102445A JPS58219774A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57102445A JPS58219774A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219774A true JPS58219774A (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=14327661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57102445A Pending JPS58219774A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219774A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188162U (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-30 | ||
| JPS648679A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kyocera Corp | Photovoltaic device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56167372A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar cell |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57102445A patent/JPS58219774A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56167372A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-23 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar cell |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188162U (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-30 | ||
| JPS648679A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kyocera Corp | Photovoltaic device |
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