JPS58219914A - 一酸化炭素吸収液の調製法 - Google Patents
一酸化炭素吸収液の調製法Info
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- JPS58219914A JPS58219914A JP57100657A JP10065782A JPS58219914A JP S58219914 A JPS58219914 A JP S58219914A JP 57100657 A JP57100657 A JP 57100657A JP 10065782 A JP10065782 A JP 10065782A JP S58219914 A JPS58219914 A JP S58219914A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、−酸化炭素（以下ＣＯと記す）の吸収液に係
り、特にＣＯを含有する各種ガス源からＣＯ分離、濃縮
して回収するための安定な吸収液の調製法に関する。
り、特にＣＯを含有する各種ガス源からＣＯ分離、濃縮
して回収するための安定な吸収液の調製法に関する。
化学工業や製鉄工業等において１合成化学用原料ガスの
製造あるいは省エネルギのために１例えばプロセス排ガ
スからＣＯを分離、濃縮して回収することが大きな技術
的課題になっている。
製造あるいは省エネルギのために１例えばプロセス排ガ
スからＣＯを分離、濃縮して回収することが大きな技術
的課題になっている。
ＣＯを含有するガス源からＣＯを分離、濃縮しうる方法
には、現在、第一銅塩の溶液等の吸収液を使用する吸収
法、およびそれとは原理的に異る深冷分離法が知られて
いる。後者の深冷分離法は、複雑な溶却、熱回収シ具・
から構成されており、操作温度が低温であるため、装置
材料として高価なものを使用する必要があり、また低温
を得名ために、動力消費量が大きくなるという欠点があ
る。
には、現在、第一銅塩の溶液等の吸収液を使用する吸収
法、およびそれとは原理的に異る深冷分離法が知られて
いる。後者の深冷分離法は、複雑な溶却、熱回収シ具・
から構成されており、操作温度が低温であるため、装置
材料として高価なものを使用する必要があり、また低温
を得名ために、動力消費量が大きくなるという欠点があ
る。
一方、吸収法に使用されるＣＯ吸収液とじては、従来、
アンモニア性第一銅水溶液または。
アンモニア性第一銅水溶液または。
塩酸性第一銅塩水溶液が用いられてきた。しかし、いず
れも水溶液単位体積あたりのＣＯ吸収量が小さいという
問題があった。これに対し本発明者らは、塩化第一銅（
以下ＣｕＱｔと記す）をトリスジメチルアミンホスフィ
ンオキシト（以下ＨＭＰＡと記す）に溶解せしめた。Ｃ
Ｏ吸収量の高い吸収液を開発した（特願昭５５−９２／
Ａ７号厄この吸収液は単位体積あたりのＣＯ吸収量が水
溶液系のものに較べて非常に高く、実際のプＪセスの適
用時には１種々の利点がある。
れも水溶液単位体積あたりのＣＯ吸収量が小さいという
問題があった。これに対し本発明者らは、塩化第一銅（
以下ＣｕＱｔと記す）をトリスジメチルアミンホスフィ
ンオキシト（以下ＨＭＰＡと記す）に溶解せしめた。Ｃ
Ｏ吸収量の高い吸収液を開発した（特願昭５５−９２／
Ａ７号厄この吸収液は単位体積あたりのＣＯ吸収量が水
溶液系のものに較べて非常に高く、実際のプＪセスの適
用時には１種々の利点がある。
しかし、上記吸収液はＣＯ以外忙水分を吸収するという
性質があり、このだめ原料ガス中に通常含まれる水分が
操作中に吸収液中に混入してくることは避けられない。
性質があり、このだめ原料ガス中に通常含まれる水分が
操作中に吸収液中に混入してくることは避けられない。
ところで、吸収液法におけるＣＯ分離・濃縮プロセスで
は、一般に、低温でのＣＯ吸収、およびＣＯを吸収した
液゛を加熱することによるＣＯの放散というサイクルが
繰り返し行われるが、前述の吸収液に水分が混入すると
、放散塔またはリボイラ等で加熱される際９次式に従っ
て塩化第一銅の加水分解が生じ、それに伴いＯｕ＋０が
沈殿し、液中のＣＯ吸収に有効な一価の銅の濃度が低下
する。このことは吸収液のｃ’ｏ吸収吸収能カが経済的
に低下すると七を意味する。
は、一般に、低温でのＣＯ吸収、およびＣＯを吸収した
液゛を加熱することによるＣＯの放散というサイクルが
繰り返し行われるが、前述の吸収液に水分が混入すると
、放散塔またはリボイラ等で加熱される際９次式に従っ
て塩化第一銅の加水分解が生じ、それに伴いＯｕ＋０が
沈殿し、液中のＣＯ吸収に有効な一価の銅の濃度が低下
する。このことは吸収液のｃ’ｏ吸収吸収能カが経済的
に低下すると七を意味する。
２ Ｃ！ｕ Ｇｌ＋ Ｈ２０４：！ ０ｕｌｌＯ↓＋２
ｗａｔ本発明の目的は、上記先願技術を改善し、吸収
液中に水分が混入しても吸収性能の低下を生じないｇｏ
吸収液を提供するにある。
ｗａｔ本発明の目的は、上記先願技術を改善し、吸収
液中に水分が混入しても吸収性能の低下を生じないｇｏ
吸収液を提供するにある。
本発明は、（塩化第一銅とトリス（ジメチルアミノンホ
スフィンオキシトおよび有機溶媒を含む一酸化炭素吸収
液を調製するに際し、トリス（ジメチルアミノ）ホスフ
ィンオキシト中の不純物であるジメチルアミンを除去す
ることを特徴とする一酸化炭素吸収液の調製法。）、で
ある。
スフィンオキシトおよび有機溶媒を含む一酸化炭素吸収
液を調製するに際し、トリス（ジメチルアミノ）ホスフ
ィンオキシト中の不純物であるジメチルアミンを除去す
ることを特徴とする一酸化炭素吸収液の調製法。）、で
ある。
上記目的を達盛スるため９本発明においては。
吸収液の一組成をなすトリス（ジメチルアミノ）ホスフ
ィンオキシト中にしばしば含まれるジメチルアミンを除
去して、吸収液を調製することを特徴とするものである
。
ィンオキシト中にしばしば含まれるジメチルアミンを除
去して、吸収液を調製することを特徴とするものである
。
即ち、市販のトリス（ジメチルアミノ）ホスフィンオキ
シト中には、不純物としてジメチルアミンが含まれるが
９発明者らは、前記の塩化第一銅の加水分解反応が、ジ
メチルアミンの存在下で加速されることを見出し０本発
明を達成するに到った。
シト中には、不純物としてジメチルアミンが含まれるが
９発明者らは、前記の塩化第一銅の加水分解反応が、ジ
メチルアミンの存在下で加速されることを見出し０本発
明を達成するに到った。
なお、ジメチルアミノの除去法として、例えばトリス（
ジメチルアミノ）ホスフィンオキシト中に鄭ガスを吹込
み、揮発性のジメチルアミノを弾数させても良い０ま九
、ジメチルアミンは、アルカリ性であり、フリーの状態
でトリス（ジメチルアミノ）ホスフィンオキシト中に微
量存在すると、蟲腋するホスフィンオキシトはＰＨ５以
上を示す。（ＰＨはトリス（ジメチルアξ〕）ホスフィ
ンオキシト１ｆを１００９ Ｏ１８０に投入し画定した
。） 以下１本発明を試験例及び実施例をもって説明する。・ 試験例１ 役付試験管に市販のトリス（ジメチルアンノンホスフィ
ンオキシドを１５０ｓ−採取し、これＫＯｕａｔを７５
ｍｍｏｌ溶解せしめ九のち、トルエンで５０−に希釈
した。この液を２本ａｌａｌｌＬ、１本目にはＨ畠０を
０．５ ｓｇ ＠加し、他の１本には、ジメチルアミン
のν、５ｖｐｏ１７ Ｌ溶液を０．８７ ｍ （ジメチ
ルアミノ８．５ ｖｓｇＩＱｔｓ ｕｓ ｏ Ｕ−５ｓ
ｍｇ ）添加し、そレ−ｔ’ｊＬｔ−９０００で５０分
間加熱して、生成したＯｕｉ Ｏを定量した。
ジメチルアミノ）ホスフィンオキシト中に鄭ガスを吹込
み、揮発性のジメチルアミノを弾数させても良い０ま九
、ジメチルアミンは、アルカリ性であり、フリーの状態
でトリス（ジメチルアミノ）ホスフィンオキシト中に微
量存在すると、蟲腋するホスフィンオキシトはＰＨ５以
上を示す。（ＰＨはトリス（ジメチルアξ〕）ホスフィ
ンオキシト１ｆを１００９ Ｏ１８０に投入し画定した
。） 以下１本発明を試験例及び実施例をもって説明する。・ 試験例１ 役付試験管に市販のトリス（ジメチルアンノンホスフィ
ンオキシドを１５０ｓ−採取し、これＫＯｕａｔを７５
ｍｍｏｌ溶解せしめ九のち、トルエンで５０−に希釈
した。この液を２本ａｌａｌｌＬ、１本目にはＨ畠０を
０．５ ｓｇ ＠加し、他の１本には、ジメチルアミン
のν、５ｖｐｏ１７ Ｌ溶液を０．８７ ｍ （ジメチ
ルアミノ８．５ ｖｓｇＩＱｔｓ ｕｓ ｏ Ｕ−５ｓ
ｍｇ ）添加し、そレ−ｔ’ｊＬｔ−９０００で５０分
間加熱して、生成したＯｕｉ Ｏを定量した。
その結果、励０のみを添加し丸ものでは２．５−のＯｕ
ｔ Ｏが生成したのみであったが、ジメチルアミ′ン水
Ｓ痕を添加し友ものにおいては、約６倍の１５−一のｃ
ｕｔ ｏが生成した０これにより、０ｕａＬの加水分解
反応が、ジメチルアミンにより加速されることが明らか
になった。なお、ジメチルアミンは。
ｔ Ｏが生成したのみであったが、ジメチルアミ′ン水
Ｓ痕を添加し友ものにおいては、約６倍の１５−一のｃ
ｕｔ ｏが生成した０これにより、０ｕａＬの加水分解
反応が、ジメチルアミンにより加速されることが明らか
になった。なお、ジメチルアミンは。
吸収液のＰＭを上昇させ反応を促進してｉるものと考え
られる。
られる。
実施例１
市販のトリス（ジメチルアミノ）ホスフィンオキシトに
乾燥した塩化水素ガスを０−２５ ｓｆｗＡｄ。
乾燥した塩化水素ガスを０−２５ ｓｆｗＡｄ。
の割合で吹込んだところ、６０分後に先にのべた測定方
法によるＰＨが６に低下した。（吹込前のｐＨｄ１２）
このトリス（ジメチルアミノ）ホスフィンオキシトを用
いて、試験例１と同じ組成の吸収液を調製し、試験例１
と同じくＨ２Ｏを０．５ｙ添加し、９０°Ｃで６０時間
加熱したが、沈殿の生成は全く認められず本発明の有効
性が確認できた。
法によるＰＨが６に低下した。（吹込前のｐＨｄ１２）
このトリス（ジメチルアミノ）ホスフィンオキシトを用
いて、試験例１と同じ組成の吸収液を調製し、試験例１
と同じくＨ２Ｏを０．５ｙ添加し、９０°Ｃで６０時間
加熱したが、沈殿の生成は全く認められず本発明の有効
性が確認できた。
実施例２
栓付試験管に、実施列１と同様に処理したトリス（ジメ
チルアミノ）ホスフィンオキシトｔ−２００ｍｍＱｌ採
取し、これに０ｕＧ４を１００ ｍｍｏｌ溶解せしめた
のち、トルエンで５０−に希釈し、さらにＨ２Ｏを０．
５ｍ／ｉ加したのち、９０°Ｃで６０時間加熱したが、
沈殿の生成は全く認められなかった。この結果、液中の
Ｃ！ｕｏｔ濃度が高くても９本発明は有効であることが
認められる。
チルアミノ）ホスフィンオキシトｔ−２００ｍｍＱｌ採
取し、これに０ｕＧ４を１００ ｍｍｏｌ溶解せしめた
のち、トルエンで５０−に希釈し、さらにＨ２Ｏを０．
５ｍ／ｉ加したのち、９０°Ｃで６０時間加熱したが、
沈殿の生成は全く認められなかった。この結果、液中の
Ｃ！ｕｏｔ濃度が高くても９本発明は有効であることが
認められる。
実施例６
実施例１において、塩化水素ガスに替えて、乾燥窒素ガ
スを１１ ／ｍｌｎの割合で、トリス（ジメチルアミノ
）ホスフィンオキシトに＝吹込んだところ、２０時間後
にＰＨが６に低下した。このトリス（ジメチルアミノ）
ホスフィンオキシトを用いて実施例１と同様の検討を行
ったが、この場合においても、 （ｕ２０の生成は全く
認められなかった。低沸点（ｂ、９７°Ｃ／ ７６０
ｎｒｎＮｌ ）のジメチルアミンが乾燥窒素によシ揮散
除去されたためであり、ジメチルアミンの除去が、液の
安定性を左右していることを示している。
スを１１ ／ｍｌｎの割合で、トリス（ジメチルアミノ
）ホスフィンオキシトに＝吹込んだところ、２０時間後
にＰＨが６に低下した。このトリス（ジメチルアミノ）
ホスフィンオキシトを用いて実施例１と同様の検討を行
ったが、この場合においても、 （ｕ２０の生成は全く
認められなかった。低沸点（ｂ、９７°Ｃ／ ７６０
ｎｒｎＮｌ ）のジメチルアミンが乾燥窒素によシ揮散
除去されたためであり、ジメチルアミンの除去が、液の
安定性を左右していることを示している。
以上９本発明によれば、塩化第一銅とトリス（ジメチル
アミノ）ホスフィンオキシトおよび有機溶媒からなる吸
収液の調製時に、トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン
オキシト中のジメチルアミンを除去することによシ、水
が混入しても容易に分解せず、高温で安定でかつ高性能
のＣＯ吸収液とすることができる。
アミノ）ホスフィンオキシトおよび有機溶媒からなる吸
収液の調製時に、トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン
オキシト中のジメチルアミンを除去することによシ、水
が混入しても容易に分解せず、高温で安定でかつ高性能
のＣＯ吸収液とすることができる。
Claims (3)
- （１）塩化第一銅とトリス←ジメチルアミノ）□ホスフ
ィンオキシトおよび有機溶媒を含む一酸化炭素吸収液を
調製するに際し、トリス（ジメチルアミノ）ホスフィン
オキシト中の不純物であるジメチルアミンを除去するこ
とを特徴とする一酸化炭素吸収液の調製法。 - （２） ）リス（ジメチルアミノ）ホスフィンオキシ
ト中の不純物ジメチルアミノを塩化水素ガスで中和除去
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の一酸
化炭素吸収液の調製法。 - （３） トリス（ジメチルアミノ）ホスフィンオキシ
ト中の不純物ジメチルアミンを乾燥窒素ガスを吹き込み
発散除去することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の一酸化炭素吸収液の調製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100657A JPS58219914A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 一酸化炭素吸収液の調製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100657A JPS58219914A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 一酸化炭素吸収液の調製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219914A true JPS58219914A (ja) | 1983-12-21 |
| JPH0262293B2 JPH0262293B2 (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=14279875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100657A Granted JPS58219914A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 一酸化炭素吸収液の調製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950462A (en) * | 1987-09-30 | 1990-08-21 | Babcock-Hitachi Kabushiki Kaisha | Process for absorbing CO |
| JP2011037774A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Toei Corp | メチレンビスベンゾトリアゾリル（ヒドロキシアルキル）フェノール化合物の製造方法 |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57100657A patent/JPS58219914A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950462A (en) * | 1987-09-30 | 1990-08-21 | Babcock-Hitachi Kabushiki Kaisha | Process for absorbing CO |
| JP2011037774A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Toei Corp | メチレンビスベンゾトリアゾリル（ヒドロキシアルキル）フェノール化合物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262293B2 (ja) | 1990-12-25 |
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