JPS58220480A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS58220480A JPS58220480A JP57103310A JP10331082A JPS58220480A JP S58220480 A JPS58220480 A JP S58220480A JP 57103310 A JP57103310 A JP 57103310A JP 10331082 A JP10331082 A JP 10331082A JP S58220480 A JPS58220480 A JP S58220480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- light
- copper
- lead
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は皿状の反射板を備えた赤色または赤外領域の光
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
発光半導体素子には例えばＧａＰを用いた発光ダイオー
ド（ＬＩＤ）のように、主発光面だけでなく素子全体が
発光するものが知られている。この棟の発光半導体素子
を組み込んだ光半導体装置では、一般にその輝度を高め
るために反射板が用いられている。
ド（ＬＩＤ）のように、主発光面だけでなく素子全体が
発光するものが知られている。この棟の発光半導体素子
を組み込んだ光半導体装置では、一般にその輝度を高め
るために反射板が用いられている。
第１図は上記反射板を用いたＬＥＤランプの１例を示し
ている。同図において、１は皿状の反射板であり、２．
３はリードである。このリード２の先端には反射板１が
リードと一体に形成されており、この反射板１上にはＬ
ＥＤ素子４がマウントされている。該ＬＥＤ素子４はボ
ンディングワイヤ５を介してもう一つのり一ド３と接続
されている。６は透明なエポキシ樹脂からなる外囲器で
ある。ｒ４ｉＪ記反射板１の材質としてはリード２．３
と同様、銅、鉄表面Ｋｍメッキ層を有するもの等が用い
られるが、第２図゛に示すように少なくともその反射面
には銀メッキ層７が形成されている。銅は波長４００
ｎｍ〜７００ ｎｍの可視領域の光に対して９７％と極
めて商い反射率を有しており、この鈑メッキ層７によっ
て反射板１は充分にその効果を発揮できるようになって
いる。
ている。同図において、１は皿状の反射板であり、２．
３はリードである。このリード２の先端には反射板１が
リードと一体に形成されており、この反射板１上にはＬ
ＥＤ素子４がマウントされている。該ＬＥＤ素子４はボ
ンディングワイヤ５を介してもう一つのり一ド３と接続
されている。６は透明なエポキシ樹脂からなる外囲器で
ある。ｒ４ｉＪ記反射板１の材質としてはリード２．３
と同様、銅、鉄表面Ｋｍメッキ層を有するもの等が用い
られるが、第２図゛に示すように少なくともその反射面
には銀メッキ層７が形成されている。銅は波長４００
ｎｍ〜７００ ｎｍの可視領域の光に対して９７％と極
めて商い反射率を有しており、この鈑メッキ層７によっ
て反射板１は充分にその効果を発揮できるようになって
いる。
ところで、第１図のＬＥＤランプを製造する場合に通常
はリードフレームが用いられており、反射板１がリード
２と一体に形成されたリードフレームも用いられている
。第３図はそのようなリードフレームの繰り返し単位部
分を示す斜視図である。同図において８はリードフレー
ムの金属細条であり、該金属細条８とＩＮ方同に前記第
１図のリード２．３が延長形成されている。そして一方
のり一ド２の先端には皿状の反射板１がリードと一体形
成されている。また、各リード２．３は金属細条８と平
行に配置された橋絡細条９に、より合体連結され、支持
されている。
はリードフレームが用いられており、反射板１がリード
２と一体に形成されたリードフレームも用いられている
。第３図はそのようなリードフレームの繰り返し単位部
分を示す斜視図である。同図において８はリードフレー
ムの金属細条であり、該金属細条８とＩＮ方同に前記第
１図のリード２．３が延長形成されている。そして一方
のり一ド２の先端には皿状の反射板１がリードと一体形
成されている。また、各リード２．３は金属細条８と平
行に配置された橋絡細条９に、より合体連結され、支持
されている。
第４図（ａ）（ｂ）は第３図のリードフレームの材質を
説明するための図で、何れも第３図ＩＹ−ＩＶ線に沿う
断面図である。従来のリードフレームとしては、第４図
（ａ）のように鉄の芯材ノ０の外側に銅メッキ層１１を
形成し、更にその外側に銀メッキ層７を形成したもの、
あるいは第４図（ｂ）のように銅の芯材１２の表面に銀
メッキ層２を、：： 形成したものが用いられていた。
説明するための図で、何れも第３図ＩＹ−ＩＶ線に沿う
断面図である。従来のリードフレームとしては、第４図
（ａ）のように鉄の芯材ノ０の外側に銅メッキ層１１を
形成し、更にその外側に銀メッキ層７を形成したもの、
あるいは第４図（ｂ）のように銅の芯材１２の表面に銀
メッキ層２を、：： 形成したものが用いられていた。
〔背景技術の問題点〕
上述のように、反射板を備えた従来の光半導体装置は少
なくとも反射板の反射面に高価な銀メッキを施して反射
効果を得ていたため、コストが高くなるという間融があ
った。また、このような光半導体装置の製造に通常用い
られている反射板を備えたリードフレームとして、従来
は全面一に銀メッキ層を形成したものを用いていたため
そのコストが著しく高いという問題があった。リードフ
レームの反射板表面にだけ銀メッキを施すようＫすれば
銀の使用量を節減することは可能であるが、貴金属の高
騰が激しい現在、これも間融の根本的な解決にはならな
い。
なくとも反射板の反射面に高価な銀メッキを施して反射
効果を得ていたため、コストが高くなるという間融があ
った。また、このような光半導体装置の製造に通常用い
られている反射板を備えたリードフレームとして、従来
は全面一に銀メッキ層を形成したものを用いていたため
そのコストが著しく高いという問題があった。リードフ
レームの反射板表面にだけ銀メッキを施すようＫすれば
銀の使用量を節減することは可能であるが、貴金属の高
騰が激しい現在、これも間融の根本的な解決にはならな
い。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、銀メッキ層
を全く使用せず、しかも′反射板の充分な反射効果を有
する光半導体装置を提供するものである。
を全く使用せず、しかも′反射板の充分な反射効果を有
する光半導体装置を提供するものである。
本発明の光半導体装置は、波長６００ ｎｍ〜９００
ｎｍの赤色領域から赤外領域にある光を発光する発光半
導体素子が皿状反射板上にマウントされており、少なく
とも該反射板の反射面が銅でできていることを特徴とす
るものである。
ｎｍの赤色領域から赤外領域にある光を発光する発光半
導体素子が皿状反射板上にマウントされており、少なく
とも該反射板の反射面が銅でできていることを特徴とす
るものである。
発明者等は波長６００ ｎｍ〜９００ ｎｍの光に対し
て銅が銀と同等の極めて高い反射率を有していることを
見い出し、この事実に基づいて上記発明に至ったもので
ある。即ち、各波長の光に対する銀および銅の夫々の反
射率を調べたところ第５図に示す結果が得られた。同図
において曲線Ｘは銅の反射率を示し、曲線ｙは銀の反射
率を示している。この結果に示されるようＫ、銅は青色
・緑色・黄色の光に対しては反射率が小さいが、波長６
００〜７００ｎｍの赤色の光に対する反射率は９３〜９
８％と銀の反射率（９５〜９７％）に略等しい反射率を
有している。また波長７００〜９００ ｎｍの赤外領域
の光に対しても、銅は銀と略同等の高い反射率を有して
いることがわかる。
て銅が銀と同等の極めて高い反射率を有していることを
見い出し、この事実に基づいて上記発明に至ったもので
ある。即ち、各波長の光に対する銀および銅の夫々の反
射率を調べたところ第５図に示す結果が得られた。同図
において曲線Ｘは銅の反射率を示し、曲線ｙは銀の反射
率を示している。この結果に示されるようＫ、銅は青色
・緑色・黄色の光に対しては反射率が小さいが、波長６
００〜７００ｎｍの赤色の光に対する反射率は９３〜９
８％と銀の反射率（９５〜９７％）に略等しい反射率を
有している。また波長７００〜９００ ｎｍの赤外領域
の光に対しても、銅は銀と略同等の高い反射率を有して
いることがわかる。
従って、前記特徴を有する本発明の発光半導体装置は反
射板が充分に効果を発揮して＾い輝度を得ることができ
、かっ高価な蝦を全く使用する必要がないからコスト低
減の効果が極めて大きい。しかも、下記実施例に示すよ
うに、赤の可視光領域の光半導体装置では、鋼の色彩が
マツチングすることにより銀反射面を有する従来の光半
導体装置よりも高い輝度を得ることができる。
射板が充分に効果を発揮して＾い輝度を得ることができ
、かっ高価な蝦を全く使用する必要がないからコスト低
減の効果が極めて大きい。しかも、下記実施例に示すよ
うに、赤の可視光領域の光半導体装置では、鋼の色彩が
マツチングすることにより銀反射面を有する従来の光半
導体装置よりも高い輝度を得ることができる。
本発明の光半導体装置に使用するリードフレームが従来
のリードフレームに比較してコストを著しく低減できる
ことは言うまでもなく明らかである。
のリードフレームに比較してコストを著しく低減できる
ことは言うまでもなく明らかである。
第６図および第７図は、夫々本発明の光半導体装置の製
造に用いるリードフレームの断面図であり、このリード
フレームは何れも第３図と同様の形状を有している。第
６図のリードフレームは、鉄の芯材２ｏの表面に銅メッ
キ層２１が形成されている。また、第７図のリードフレ
ームは総て銅の芯材２３だけでできている。
造に用いるリードフレームの断面図であり、このリード
フレームは何れも第３図と同様の形状を有している。第
６図のリードフレームは、鉄の芯材２ｏの表面に銅メッ
キ層２１が形成されている。また、第７図のリードフレ
ームは総て銅の芯材２３だけでできている。
そして上記リードフレームを用いた以外は第１図と同様
の構造を有するＧａＰ／ＧｍＡｓの赤色ＬＥＤランプを
製造した。こうして得られた本発明の実施例になる赤色
ＬＥＤランプは、何れもＧａＰ／ＧａＡｇによる従来の
ＬＥＤランプに比較して７％ｉｉＪ後の高輝度化が達成
されていた。
の構造を有するＧａＰ／ＧｍＡｓの赤色ＬＥＤランプを
製造した。こうして得られた本発明の実施例になる赤色
ＬＥＤランプは、何れもＧａＰ／ＧａＡｇによる従来の
ＬＥＤランプに比較して７％ｉｉＪ後の高輝度化が達成
されていた。
第１図は反射板を備えたＬＥＤランプの構造を示す説明
図、第２図は従来のＬＥＤランプに具備されていた反射
板の一例を示す断面図、第３図は第１図のＬＥＤランプ
の製造に用いられるリードフレームの形状を示す斜視図
、第４図（ａ）（ｂ）は夫々従来用いられているＷ２Ｂ
図のリードフレームのＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図、第５
図は各波長の光に対する銀と銅の反射率を比較して示す
線図、第６図および第７図は夫々本発明の実施例の光半
導体装置に使用するリードフレームを示す第４図同様の
断面図である。 １・・・皿状反射板、２，３・・・：□リード、（・・
・発光半導体素子、５・・・ボンディングワイヤ、６・
・・透明樹脂外囲器、８・・・リードフレームの金属細
条、９・・・橋絡細条、２０・・・鉄の芯材、２１・・
・銅メツ′キ層、２２・・・銅の芯材。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦５Ｉ−１図 管３図 才４図 （ａ） （ｂ） ５１Ｆ６図 チアＦ 才５図
図、第２図は従来のＬＥＤランプに具備されていた反射
板の一例を示す断面図、第３図は第１図のＬＥＤランプ
の製造に用いられるリードフレームの形状を示す斜視図
、第４図（ａ）（ｂ）は夫々従来用いられているＷ２Ｂ
図のリードフレームのＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図、第５
図は各波長の光に対する銀と銅の反射率を比較して示す
線図、第６図および第７図は夫々本発明の実施例の光半
導体装置に使用するリードフレームを示す第４図同様の
断面図である。 １・・・皿状反射板、２，３・・・：□リード、（・・
・発光半導体素子、５・・・ボンディングワイヤ、６・
・・透明樹脂外囲器、８・・・リードフレームの金属細
条、９・・・橋絡細条、２０・・・鉄の芯材、２１・・
・銅メツ′キ層、２２・・・銅の芯材。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦５Ｉ−１図 管３図 才４図 （ａ） （ｂ） ５１Ｆ６図 チアＦ 才５図
Claims (1)
- 波長６００〜９００ ｎｍの光を発光する発光半導体素
子が皿状反射板上にマウントされ、少なくとも該反射板
の反射面が銅でできていることを特徴とする光半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103310A JPS58220480A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57103310A JPS58220480A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220480A true JPS58220480A (ja) | 1983-12-22 |
Family
ID=14350635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57103310A Pending JPS58220480A (ja) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220480A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60237473A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-26 | Canon Inc | 照明装置 |
| JPH0178058U (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-25 | ||
| JPH01167065U (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-22 |
-
1982
- 1982-06-16 JP JP57103310A patent/JPS58220480A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60237473A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-26 | Canon Inc | 照明装置 |
| JPH0178058U (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-25 | ||
| JPH01167065U (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-22 |
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