JPS58221274A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS58221274A JPS58221274A JP10250682A JP10250682A JPS58221274A JP S58221274 A JPS58221274 A JP S58221274A JP 10250682 A JP10250682 A JP 10250682A JP 10250682 A JP10250682 A JP 10250682A JP S58221274 A JPS58221274 A JP S58221274A
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- JP
- Japan
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- target
- thin film
- insulator
- electron beam
- resistance material
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は薄膜の製造方法に関し、特に絶縁性。
もしくは高抵抗薄膜の電子ビーム蒸着方法に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
絶縁性の高いＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を発光層とする″ｉ１ｍ
！！ＥＬ素子の製造工程において、上記ＺｎＳ ：Ｍｎ
薄膜の形成には、主として電子ビーム蒸着法が用いられ
ている。即ち上記ＺｎＳ：Ｍｎよりなるペレットをター
ゲットに用い、これに電子ビームを照射して上記ターゲ
ットからＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎを蒸発させるのである
が、この際ｚｎＳ：Ｍｎのような絶縁性もしくは高抵抗
材料よりなるターゲット表面には容易に電子が帯電する
。そのため電子ビームのパワーが小さいと照射された電
子は上記ターゲット表面に帯電された電子に反発され、
ターゲット表面に到達することが出来ず、従って蒸着は
行われない。ところが電子ビームのパワーがあるしきい
値を越えると、突発的にターゲット材料の蒸発が開始さ
れる。このときの蒸着レートは上記ＺｎＳ：Ｍｎの場合
凡そ３０００ （人／ｌｌ１ｈ〕であって、これ以下の
レートによる蒸着は再現性は期待できない。
！！ＥＬ素子の製造工程において、上記ＺｎＳ ：Ｍｎ
薄膜の形成には、主として電子ビーム蒸着法が用いられ
ている。即ち上記ＺｎＳ：Ｍｎよりなるペレットをター
ゲットに用い、これに電子ビームを照射して上記ターゲ
ットからＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎを蒸発させるのである
が、この際ｚｎＳ：Ｍｎのような絶縁性もしくは高抵抗
材料よりなるターゲット表面には容易に電子が帯電する
。そのため電子ビームのパワーが小さいと照射された電
子は上記ターゲット表面に帯電された電子に反発され、
ターゲット表面に到達することが出来ず、従って蒸着は
行われない。ところが電子ビームのパワーがあるしきい
値を越えると、突発的にターゲット材料の蒸発が開始さ
れる。このときの蒸着レートは上記ＺｎＳ：Ｍｎの場合
凡そ３０００ （人／ｌｌ１ｈ〕であって、これ以下の
レートによる蒸着は再現性は期待できない。
ところが良好な膜質を有するＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を形成す
るには、１０００ （人／ｍ１ｎ）以下の蒸着レートを
再現性よ〈実施し得るようにすることが必要である。
るには、１０００ （人／ｍ１ｎ）以下の蒸着レートを
再現性よ〈実施し得るようにすることが必要である。
従来の薄膜の製造方法では、このような低レートの蒸着
を再現性よ〈実施することができなかった。
を再現性よ〈実施することができなかった。
（Ｃ１発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して、電子ビーム蒸着
法において絶縁体もしくは高抵抗材料よりなるターゲッ
トを使用する場合に、上記ターゲット表面での帯電を防
止し、もって蒸着レートを安定にＬつ再現性良く制御し
得るｉ膜の製造方法を堤供することにある。
法において絶縁体もしくは高抵抗材料よりなるターゲッ
トを使用する場合に、上記ターゲット表面での帯電を防
止し、もって蒸着レートを安定にＬつ再現性良く制御し
得るｉ膜の製造方法を堤供することにある。
＋ｄｌ 発明の構成
上記目的は本発明において、絶縁体もしくは高抵抗材料
よりなるターゲット表面に帯電する電子を、不活性ガス
イオンビームを照射して中和することにより達成される
。
よりなるターゲット表面に帯電する電子を、不活性ガス
イオンビームを照射して中和することにより達成される
。
ｔｅ＋ 発明の実施例
以下本発明に係る薄膜の製造方法の一実施例を、使用し
た電子ビーム蒸着装置と共に図面により説明する。
た電子ビーム蒸着装置と共に図面により説明する。
図は上記電子ビーム蒸着装置を示す要部断面図であって
、１は表面にＺｎＳ”：Ｍｎよりなる薄膜を形成すべき
被処理試料、２ばＺｎＳ：Ｍｎよりなるターゲット、３
はターゲソ１−を保持するボート、４は電子ビームを放
射する電子銃、６はアルゴン（Ａｒ）のような不活性ガ
スのイオンビーム発生装置、７はそのＡｒのイオン化用
高周波電源、８は電子レンズ系、９は真空容器（ペルジ
ャー）である。
、１は表面にＺｎＳ”：Ｍｎよりなる薄膜を形成すべき
被処理試料、２ばＺｎＳ：Ｍｎよりなるターゲット、３
はターゲソ１−を保持するボート、４は電子ビームを放
射する電子銃、６はアルゴン（Ａｒ）のような不活性ガ
スのイオンビーム発生装置、７はそのＡｒのイオン化用
高周波電源、８は電子レンズ系、９は真空容器（ペルジ
ャー）である。
上記Ａｒイオンビーム発生装置６は、Ａｒイオンビーム
（矢線Ａ）がＺ ｎ Ｓ ； Ｍ ｎターゲ・ノド２に
均一に照射されるように取り付けられている。
（矢線Ａ）がＺ ｎ Ｓ ； Ｍ ｎターゲ・ノド２に
均一に照射されるように取り付けられている。
次に上記電子ビーム蒸着装置を用いてＺｎＳ：Ｍｎ薄膜
を形成する方法について説明する。
を形成する方法について説明する。
まず真空容器９内の圧力が凡そ０．５〜１×１０（Ｔｏ
ｒｒ）になるよう、Ａｒの流量と排気量を調節する。被
処理試料１は凡そ２００（”Ｃ）に加熱する。
ｒｒ）になるよう、Ａｒの流量と排気量を調節する。被
処理試料１は凡そ２００（”Ｃ）に加熱する。
この状態でＡｒイオンビームを照射しながら電子ビーム
をターゲット２に照射する。
をターゲット２に照射する。
前述した如＜Ａｒイオンビーム（矢線Ａ）を照射しない
場合には、ターゲットを加熱する電子ビーム（矢線Ｂ）
は、ＺｎＳ：Ｍｎターゲ・ノド２上に徐々に帯電した電
荷と反発し合い、ついにはターゲット２に当らなくなる
。しかし本実施例では電子とは極性を異にするＡｒイオ
ンビーム（矢線Ａ）の照射を受けて、ターゲット２表面
の余分な電荷は中和されるので、電子ビーム（矢線Ｂ）
が反発されることがない。従ってターゲット２は電子ビ
ームの加速エネルギに応じて安定に加熱される。
場合には、ターゲットを加熱する電子ビーム（矢線Ｂ）
は、ＺｎＳ：Ｍｎターゲ・ノド２上に徐々に帯電した電
荷と反発し合い、ついにはターゲット２に当らなくなる
。しかし本実施例では電子とは極性を異にするＡｒイオ
ンビーム（矢線Ａ）の照射を受けて、ターゲット２表面
の余分な電荷は中和されるので、電子ビーム（矢線Ｂ）
が反発されることがない。従ってターゲット２は電子ビ
ームの加速エネルギに応じて安定に加熱される。
因に、電子ビームの加速電圧凡そ５．５（ｋＶ）。
電子銃のエミッション電流凡そ７０〜１００１００（に
おいて、凡そ２００〔人／ｍ１ｎ）の蒸着レートが得ら
れた。これを従来の製造方法では、安定に蒸着を行うに
はエミッション電流を５００ （ｍＡ）以上流し、蒸着
レートを３０００ ［人］以上としなければならなかっ
たのと比較すれば、本発明の効果が理解されよう。
おいて、凡そ２００〔人／ｍ１ｎ）の蒸着レートが得ら
れた。これを従来の製造方法では、安定に蒸着を行うに
はエミッション電流を５００ （ｍＡ）以上流し、蒸着
レートを３０００ ［人］以上としなければならなかっ
たのと比較すれば、本発明の効果が理解されよう。
なお本発明の薄膜の製造方法は、薄膜ＥＬ素子の製造工
程におけるＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を形成する場合に限定され
ることなく、如何なる場合においても絶縁性もしくは高
抵抗薄膜を形成する際使用し得ることは特に説明するま
でもない。
程におけるＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を形成する場合に限定され
ることなく、如何なる場合においても絶縁性もしくは高
抵抗薄膜を形成する際使用し得ることは特に説明するま
でもない。
ｆｆ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、絶縁性もしくは高抵抗
材料よりなるターゲットを使用して電子ビーム蒸着法を
実施する際に、上記ターゲットに帯電することがないの
で、蒸着レートを所望の如く制御することが可能となる
。従って絶縁性もしくは高抵抗薄膜の膜質が向上する。
材料よりなるターゲットを使用して電子ビーム蒸着法を
実施する際に、上記ターゲットに帯電することがないの
で、蒸着レートを所望の如く制御することが可能となる
。従って絶縁性もしくは高抵抗薄膜の膜質が向上する。
図は本発明に係る薄膜の製造方法の一実施例を、使用し
た装置と共に説明するための要部断面図である。 図において、１は表面にＺｎＳ：Ｍｎよりなる薄膜を形
成すべき被処理試料、２はＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎより
なるターゲット、３はターゲットを保持するボート、４
は電子ビームを放射する電子銃、６はアルゴン（Ａｒ）
のような不活性ガスのイオンビーム発生装置、７はその
Ａｒのイオン化用高周波電源、８は電子レンズ系、９は
真空容器（ペルジャー）、矢線Ａはアルゴンイオンビー
ム、矢１［Ｂは電子ビームを示す。 才］トン（カミヘ
た装置と共に説明するための要部断面図である。 図において、１は表面にＺｎＳ：Ｍｎよりなる薄膜を形
成すべき被処理試料、２はＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎより
なるターゲット、３はターゲットを保持するボート、４
は電子ビームを放射する電子銃、６はアルゴン（Ａｒ）
のような不活性ガスのイオンビーム発生装置、７はその
Ａｒのイオン化用高周波電源、８は電子レンズ系、９は
真空容器（ペルジャー）、矢線Ａはアルゴンイオンビー
ム、矢１［Ｂは電子ビームを示す。 才］トン（カミヘ
Claims (1)
- 絶縁体もしくは高抵抗材料よりなるターゲットに電子ビ
ームを照射して前記ターゲットの構成材料を蒸発させる
ことにより、被処理試料表面に絶縁体もしくは高抵抗材
料よりなる薄膜を形成するに際し、前記ターゲット表面
に不活性ガスのイオンビームを前記電子ビームと共に照
射することを特徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10250682A JPS58221274A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10250682A JPS58221274A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58221274A true JPS58221274A (ja) | 1983-12-22 |
Family
ID=14329280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10250682A Pending JPS58221274A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58221274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113763A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-05-31 | Sharp Corp | 電子衝撃型蒸着装置 |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP10250682A patent/JPS58221274A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113763A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-05-31 | Sharp Corp | 電子衝撃型蒸着装置 |
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