JPS58223380A - 発光ダイオ−ドアレイ - Google Patents
発光ダイオ−ドアレイInfo
- Publication number
- JPS58223380A JPS58223380A JP57105554A JP10555482A JPS58223380A JP S58223380 A JPS58223380 A JP S58223380A JP 57105554 A JP57105554 A JP 57105554A JP 10555482 A JP10555482 A JP 10555482A JP S58223380 A JPS58223380 A JP S58223380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- region
- type
- growth layer
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光ダイオードに関し、とくに同一基板内に複
数個の発光ダイオードを配列するいわゆる発光ダイオー
ドアレイ（ａｒｒａ）’ ）に係わる本のである。
数個の発光ダイオードを配列するいわゆる発光ダイオー
ドアレイ（ａｒｒａ）’ ）に係わる本のである。
周知の如く、発光ダイオード（以下ＬＥＩ）と略す）と
は半導体結晶内に形成されたｐｎ接合に順方向電流を流
して発光させるダイオードである。このＬ Ｅ Ｄにを
求される特性のうち型砂なものは発光波長特性、発光効
率、寿命、価格などであり、そのために用途に応じて種
々の半導体材料、製作技術が開発され、各種ランプ、数
字表示装置、オプトエレクトロニクス用光源などに広く
用いられている。ＬＥＤは用途によっては単一素子とし
て用いられることも多いが、特に数字、文字などの発光
表示装置をＬＥＤで製作する場合には、同一基板内に複
数個のＬＥＤを配列するいわゆるＬＥＤアレイとして製
作される方法が通常よく採られている。ＬＥＤをどの分
野に利用する場合でも、すなわち単一素子として利用す
る場合でも、またアレイとして利用する場合でも発光効
率の高いことが望ま［〜いととは勿論である。しかしな
がら従来の方法によって得られたＬＥＤアレイには発光
効率を低下させている重要な問題点があることが判明し
た。
は半導体結晶内に形成されたｐｎ接合に順方向電流を流
して発光させるダイオードである。このＬ Ｅ Ｄにを
求される特性のうち型砂なものは発光波長特性、発光効
率、寿命、価格などであり、そのために用途に応じて種
々の半導体材料、製作技術が開発され、各種ランプ、数
字表示装置、オプトエレクトロニクス用光源などに広く
用いられている。ＬＥＤは用途によっては単一素子とし
て用いられることも多いが、特に数字、文字などの発光
表示装置をＬＥＤで製作する場合には、同一基板内に複
数個のＬＥＤを配列するいわゆるＬＥＤアレイとして製
作される方法が通常よく採られている。ＬＥＤをどの分
野に利用する場合でも、すなわち単一素子として利用す
る場合でも、またアレイとして利用する場合でも発光効
率の高いことが望ま［〜いととは勿論である。しかしな
がら従来の方法によって得られたＬＥＤアレイには発光
効率を低下させている重要な問題点があることが判明し
た。
この従来のＬＥＤアレイのもつ上記問題点を以下の具体
例によって説明する。
例によって説明する。
従来では、例えば赤色ＬＥＤアレイをＧａＡｔＡｓ結晶
を用いて製作しようとすれば次に述べるような方法が採
られる。第１図（ａｌに断面構造を示すように、まずｎ
型ＧａＡｓ基板１上に液相成長法で設計されたｎ型Ｇａ
ＡｔＡａ結晶層２が不純物密度、厚みをもって形成され
、しかる彼再び液相成長法で股引されたｐ ｍＧａＡｔ
Ａｓ結晶層６が形成される。
を用いて製作しようとすれば次に述べるような方法が採
られる。第１図（ａｌに断面構造を示すように、まずｎ
型ＧａＡｓ基板１上に液相成長法で設計されたｎ型Ｇａ
ＡｔＡａ結晶層２が不純物密度、厚みをもって形成され
、しかる彼再び液相成長法で股引されたｐ ｍＧａＡｔ
Ａｓ結晶層６が形成される。
このｎ型ＧａＡ／Ｊｓ層２とｐ型ＧａＡｔＡｓ層６とで
形成されるｐｎ接合がＬＥＤの主たる発光領域になるの
であるが、このｐｎ接合を液相成長で得るのは拡散法で
得られるｐｎ接合よりも発光効率が高いからである。
形成されるｐｎ接合がＬＥＤの主たる発光領域になるの
であるが、このｐｎ接合を液相成長で得るのは拡散法で
得られるｐｎ接合よりも発光効率が高いからである。
さてとの結晶を用いてＬＥＤアレイを製作するには、発
光面側となるｐ型Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ層６を電気的に分
離しなければならない。従来においては、第１図（ｂ）
に分離された後の断面構造を示すように、５ｉ０２など
の絶縁膜５を付着させた後所定の寸法の窓をあけそこか
らＳｅ、Ｔｅなどのｎ型不純物を選択的に拡散し、ｎ型
成長層２に到達するようなｎ型拡散領域４を形成するの
である。これで個々のＬＥＤとなる領域が島状に分離さ
れることになる。
光面側となるｐ型Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ層６を電気的に分
離しなければならない。従来においては、第１図（ｂ）
に分離された後の断面構造を示すように、５ｉ０２など
の絶縁膜５を付着させた後所定の寸法の窓をあけそこか
らＳｅ、Ｔｅなどのｎ型不純物を選択的に拡散し、ｎ型
成長層２に到達するようなｎ型拡散領域４を形成するの
である。これで個々のＬＥＤとなる領域が島状に分離さ
れることになる。
第１図から容易に判るように、ｐ型表面からｎ型不純物
が拡散していく時には深さ方向ばかりでなく横方向にも
拡散していくととになるから、後で光の取り出し窓とな
る領域の幅Ｂは肝心な発光面である液相成長によって形
成されたｐｎ接合の領域の幅Ａに比して必然的に遥かに
狭い構造となる。
が拡散していく時には深さ方向ばかりでなく横方向にも
拡散していくととになるから、後で光の取り出し窓とな
る領域の幅Ｂは肝心な発光面である液相成長によって形
成されたｐｎ接合の領域の幅Ａに比して必然的に遥かに
狭い構造となる。
従って発光効率が良く且つ光の取り出し窓の面に平行で
光が取り出し易くなっている液相成長のｐｎ接合面積は
広いに屯拘らず、光を外に取り出す窓は小さくなってし
捷うために、結果的に発光効率が低下していだのである
。加えて拡散によって形成されたｐｎ接合はそれ自体発
光効率が悪く１つ光の取り出しにくい状態となっている
。
光が取り出し易くなっている液相成長のｐｎ接合面積は
広いに屯拘らず、光を外に取り出す窓は小さくなってし
捷うために、結果的に発光効率が低下していだのである
。加えて拡散によって形成されたｐｎ接合はそれ自体発
光効率が悪く１つ光の取り出しにくい状態となっている
。
この従来のＬＥＤアレイでは個々のＬＥＤの大きさを小
さくし、且つＬＥＤ間の距離を短くする程、すなわち高
集積度化する程上述した発光効率がより低下していくこ
とになる。
さくし、且つＬＥＤ間の距離を短くする程、すなわち高
集積度化する程上述した発光効率がより低下していくこ
とになる。
本発明の目的はこの従来のＬＥＤのもつ問題点、すなわ
ち発光効率を低下させる原因を除去し、・発光効率の高
いＬＥＤアレイを提供することにある。
ち発光効率を低下させる原因を除去し、・発光効率の高
いＬＥＤアレイを提供することにある。
本発明の一実施例についてＧａＡｔＡｓ赤色ＬＥＤアレ
イを例にとって詳細に説明する。
イを例にとって詳細に説明する。
本発明においても主たる発光領域となるｐｎｎ接合域域
形成法は従来法と同様に液相成長法で行われる。すなわ
ち、第１図（ａｌと全く同じ方法で得られた第２図（ａ
）に断面構造で示すものをＬＥＤプレイ製作のための結
晶板として用いるのである。ＬＥＤアレイをこの基板上
に配列構成するためＫは、アレイ内の各Ｌ Ｅ Ｄを電
気的に分離しなければならないのであるが、本発明のＬ
ＥＤアレイは次に述べるような製作工程によって得られ
る。なお、本発明を理解しやすくするために、この工程
はＬＥＤアレイを一方向に配列構成する場合を例としで
ある。
形成法は従来法と同様に液相成長法で行われる。すなわ
ち、第１図（ａｌと全く同じ方法で得られた第２図（ａ
）に断面構造で示すものをＬＥＤプレイ製作のための結
晶板として用いるのである。ＬＥＤアレイをこの基板上
に配列構成するためＫは、アレイ内の各Ｌ Ｅ Ｄを電
気的に分離しなければならないのであるが、本発明のＬ
ＥＤアレイは次に述べるような製作工程によって得られ
る。なお、本発明を理解しやすくするために、この工程
はＬＥＤアレイを一方向に配列構成する場合を例としで
ある。
第２図（ａ）の断面構造をもつ結晶板の表面から、Ｓｅ
％Ｔｅなどのｎ型不純物を選択的に拡散する。
％Ｔｅなどのｎ型不純物を選択的に拡散する。
その拡散によってできるｎ型Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ領域４
は液相成長法によって得られたｎ型ＧａＡ７Ａｓ層２に
達するようにされているわけである。基板表面から見た
拡散領域４は、第２図（ｂ）に示すようにＬ Ｅ Ｄを
一方向に配列する領域６を残し、ｐ型Ｇ ａ ＡｔＡ
ｓ層に対するオーミック接触のだめの金属電極が配置さ
れる領域（光取り出しの行われない領域）に形成される
。その後表面に露出している拡散によって形成されたｐ
ｎ接合を覆うような形で拡散領域４の上にＳＩＯ□、８
１３Ｎ４などの絶縁膜を形成する。
は液相成長法によって得られたｎ型ＧａＡ７Ａｓ層２に
達するようにされているわけである。基板表面から見た
拡散領域４は、第２図（ｂ）に示すようにＬ Ｅ Ｄを
一方向に配列する領域６を残し、ｐ型Ｇ ａ ＡｔＡ
ｓ層に対するオーミック接触のだめの金属電極が配置さ
れる領域（光取り出しの行われない領域）に形成される
。その後表面に露出している拡散によって形成されたｐ
ｎ接合を覆うような形で拡散領域４の上にＳＩＯ□、８
１３Ｎ４などの絶縁膜を形成する。
しかる後ＬＥＤアレイにおいて各ＬＥＤを電気的に分離
するためには、従来のように拡散法によるのではなく第
２図（Ｃ）に表面構造を示したように、ｐ型ＧａＡｔＡ
ｓ液相成長層６を選択的にｎ ｍ Ｇａ ＡｔＡ ｇ液
相成長層２に達するように除去し、一部ｎ型拡散領域４
に食い込むような形の切り込み領域６を設けるのである
。ｐ型ＧａＡｔＡｓ成長層の選択的な除去は、通常は化
学的エツチングがとられるが、他の物理的化学的な方法
、例えばスパッタリング法などが用いられても良い。こ
のようにすることによって、第２図（ｃ）のｘ −ｘ’
方向の断面図は、第２図（ｃ）−１に示すように各ＬＥ
Ｄとなる領域６が電気的に分離された構造となる。すな
わち、発光効率の高い液相成長法によって得られたｐｎ
接合発光面積と光地り出し窓の面積は＃Ｉぼ等しくなり
、１つ発光効率の良くない拡散法によって得られるｐｎ
接合は、第２図（ｃ）のＹ−Ｙ’力方向断面図でおる第
２図（ｃ） −２からも判るように、ｐ型ＧａＡｔＡｓ
層に対するオーミック接触のための金属電極が配置され
る部分において若干残存しているだけとなる。
するためには、従来のように拡散法によるのではなく第
２図（Ｃ）に表面構造を示したように、ｐ型ＧａＡｔＡ
ｓ液相成長層６を選択的にｎ ｍ Ｇａ ＡｔＡ ｇ液
相成長層２に達するように除去し、一部ｎ型拡散領域４
に食い込むような形の切り込み領域６を設けるのである
。ｐ型ＧａＡｔＡｓ成長層の選択的な除去は、通常は化
学的エツチングがとられるが、他の物理的化学的な方法
、例えばスパッタリング法などが用いられても良い。こ
のようにすることによって、第２図（ｃ）のｘ −ｘ’
方向の断面図は、第２図（ｃ）−１に示すように各ＬＥ
Ｄとなる領域６が電気的に分離された構造となる。すな
わち、発光効率の高い液相成長法によって得られたｐｎ
接合発光面積と光地り出し窓の面積は＃Ｉぼ等しくなり
、１つ発光効率の良くない拡散法によって得られるｐｎ
接合は、第２図（ｃ）のＹ−Ｙ’力方向断面図でおる第
２図（ｃ） −２からも判るように、ｐ型ＧａＡｔＡｓ
層に対するオーミック接触のための金属電極が配置され
る部分において若干残存しているだけとなる。
第２図（ｃｌ−３は第２図（ｃｌのｘ−ｘ’方向の断面
図である。第２図（ｄ）け、第２図（ｃｌのＬ Ｅ Ｄ
アレイのｐ型（ｚａＡｔＡｓ成長層にオーミック接触の
だめの金属電極７を形成して完成させた表面配置構成図
の例である。
図である。第２図（ｄ）け、第２図（ｃｌのＬ Ｅ Ｄ
アレイのｐ型（ｚａＡｔＡｓ成長層にオーミック接触の
だめの金属電極７を形成して完成させた表面配置構成図
の例である。
このように本発明によるＬ Ｅ Ｄアレイにおいては、
実質的な発光面積（すなわち効率の高い液相成長法によ
って得られるｐｎ接合面積）と光取り出し面積とがほぼ
同じと女るので従来のような発光損失を極めて少なくす
ることができ、結果的にＬＥＤアレイの発光効率を高め
ることができるのである。しかも拡散法によって形成さ
れている余分なｐｎ接合の面積はわずかになるので、各
ＬＥＤの光取り出し面積を同じにしても接合面積は従来
のＬＥＤよりも小さくなっているから電流密度を高くす
ることができ、発光強度も増加するといった利点も合わ
せもつのである。
実質的な発光面積（すなわち効率の高い液相成長法によ
って得られるｐｎ接合面積）と光取り出し面積とがほぼ
同じと女るので従来のような発光損失を極めて少なくす
ることができ、結果的にＬＥＤアレイの発光効率を高め
ることができるのである。しかも拡散法によって形成さ
れている余分なｐｎ接合の面積はわずかになるので、各
ＬＥＤの光取り出し面積を同じにしても接合面積は従来
のＬＥＤよりも小さくなっているから電流密度を高くす
ることができ、発光強度も増加するといった利点も合わ
せもつのである。
本発明による第２図に示すＬＥＤアレイは、上述したよ
うに従来のＬＥＤアレイに比し遥かに発光効率が上昇す
るのであるが、なお発光効率の低い拡散法によるｐｎ接
合領域が若干残存している。
うに従来のＬＥＤアレイに比し遥かに発光効率が上昇す
るのであるが、なお発光効率の低い拡散法によるｐｎ接
合領域が若干残存している。
本発明を更に明確にする目的で、第２図（ａ）のＬＥＤ
アレイの発光効率をよね向上させる実施例を第３図に基
づいて説明する。
アレイの発光効率をよね向上させる実施例を第３図に基
づいて説明する。
第２図（、）に示したような基板の表面から第３図（ａ
）に平面図を示したように、ｐ型ＧａＡｔＡｓ成長層３
の上からＳｅやＴｅなどのｎ型不純物を選択的に拡散し
、ｎ型拡散領域４を複数個形成する。拡散深さはｎ型Ｇ
ａ Ａ ／、Ａ ｍ成長層２に達するようにする。
）に平面図を示したように、ｐ型ＧａＡｔＡｓ成長層３
の上からＳｅやＴｅなどのｎ型不純物を選択的に拡散し
、ｎ型拡散領域４を複数個形成する。拡散深さはｎ型Ｇ
ａ Ａ ／、Ａ ｍ成長層２に達するようにする。
このｎ型拡散領域４の大きさ、形状及び配置は、最後に
発光力となるｐ型Ｇ ａ Ａ ｔＡ ｍ成長層６にオー
ミック接触のための金属電極がその上に配置形成される
ことになるので、それによって決められることになる。
発光力となるｐ型Ｇ ａ Ａ ｔＡ ｍ成長層６にオー
ミック接触のための金属電極がその上に配置形成される
ことになるので、それによって決められることになる。
このｎ型拡散領域４を援う形でｓｔｏｗ、８１３Ｎ４な
どの絶縁層５が形成された彼前述した切り込み領域６を
設ける。この切り込み領域６は第３図（ｂ）にＬＥＤプ
レイの完成後の平面図を示したように発光面となる領域
３と電極７とを残して全面に亘るようにし、深さはｎ型
Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ層２に達するよう設けられるのであ
る。
どの絶縁層５が形成された彼前述した切り込み領域６を
設ける。この切り込み領域６は第３図（ｂ）にＬＥＤプ
レイの完成後の平面図を示したように発光面となる領域
３と電極７とを残して全面に亘るようにし、深さはｎ型
Ｇ ａ ＡｔＡ ｓ層２に達するよう設けられるのであ
る。
従って、ＬＥＤアレイの中の１個のＬＥＤの断面図（第
３図（ｂ）のＹ −Ｙ’力方向断面図）である第３図（
ｃｌからも理解されるように、拡散によって形成される
ｐｎ接合は、電極７と発光領域６とを接続する電極下の
部分にのみ存在することになるから、第２図の構造のＬ
ＥＤアレイよりも更に発光効率、発光強度が向上するの
である。
３図（ｂ）のＹ −Ｙ’力方向断面図）である第３図（
ｃｌからも理解されるように、拡散によって形成される
ｐｎ接合は、電極７と発光領域６とを接続する電極下の
部分にのみ存在することになるから、第２図の構造のＬ
ＥＤアレイよりも更に発光効率、発光強度が向上するの
である。
以上、Ｇ ａ Ａ、Ｌ Ａ ＠赤色Ｔ、 Ｅ Ｄアレイ
を実施例として本発明を述べてきたが、他のＩＩ−Ｖ族
化合物半導体、戒いはＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体を用い
たＬＥＤアレイにも適用できることは勿論である。また
、第２図と全く逆の伝導型のＬＥＤプレイであっても何
ら差し支えがない。さらに、切り込み領域の形成は第２
図の例では表面のオーミック電極形成前で行っているが
後でも良い。さらにまた、この切り込み領域内に合成樹
脂などを流し込む方法を併用しても良いことは勿論であ
る。
を実施例として本発明を述べてきたが、他のＩＩ−Ｖ族
化合物半導体、戒いはＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体を用い
たＬＥＤアレイにも適用できることは勿論である。また
、第２図と全く逆の伝導型のＬＥＤプレイであっても何
ら差し支えがない。さらに、切り込み領域の形成は第２
図の例では表面のオーミック電極形成前で行っているが
後でも良い。さらにまた、この切り込み領域内に合成樹
脂などを流し込む方法を併用しても良いことは勿論であ
る。
第１図（ａ）はｎ型ＧａＡｓ結晶基板にｎ型ＧａＡｔＡ
ａ。 ｐ型ＧａＡｔＡｓ成長層を液相成長法によって得た結晶
板の断面構造図。 第１図（ｂ）は従来のＧａＡｔＡｓ Ｌ Ｅ Ｄアレイ
の断面構造図。 第２図（ａｌけ第１図（ａ）と同様、ｎ型ＧａＡｓ結晶
基板にｎ型ＧａＡｔＡｓｘ ｐ型ＧａＡｔＡｓ成長層を
液相成長法によって得た結晶板の断面図。 第２図（ｂ）は本発明による第２図（、）に選択的にｎ
型不純物を拡散した後の表面から見た平面図。 第２図（ｃ）は本発明による切り込み領域が形成された
後のＧａＡｔＡａ Ｌ Ｅ Ｄアレイの平面図であり、
同（ｃ）−１は第２図（Ｃ）のｘ−ｘ’力方向同（ｅ）
−２けＹｙ／方向、同（ｃ）−３はｘ −ｘ’力方向各
断面図。 第２図（ｄ）は本発明による切り込み領域が形成された
後金属電極が設けられて完成したＧａＡｔＡｓＬＥＤア
レイの平面図。 第３図（ａ）は本発明により第２図（ａ）の表面から選
択的にｎ型不純物を拡散し拡散領域を形成した基板を表
面から見た平面図。 第３図（ｂ）は本発明による切り込み領域が形成され完
成されたＧａＡｔＡｓ Ｌ ＥＤアレイの平面図。 第３図（ｃ）は第３図（ｂ）のＹ−Ｙ’力方向断面図で
ある。 １− ｎ型Ｇ ａ Ａ ！１基板； ２−＝ ｎ型Ｇａ
ＡｔＡｓ結晶層；６・・・ｐ型ＧａＡｔＡｓ結晶層；４
・・・ｎ型拡散領域；５・・・絶縁膜；６・・・切り込
み領域；７・・・電極。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代理人：弁理士海津保三 同 ：弁理士 平 山 −幸 Ｐ へ第３図 （Ｇ） ３５５−
ａ。 ｐ型ＧａＡｔＡｓ成長層を液相成長法によって得た結晶
板の断面構造図。 第１図（ｂ）は従来のＧａＡｔＡｓ Ｌ Ｅ Ｄアレイ
の断面構造図。 第２図（ａｌけ第１図（ａ）と同様、ｎ型ＧａＡｓ結晶
基板にｎ型ＧａＡｔＡｓｘ ｐ型ＧａＡｔＡｓ成長層を
液相成長法によって得た結晶板の断面図。 第２図（ｂ）は本発明による第２図（、）に選択的にｎ
型不純物を拡散した後の表面から見た平面図。 第２図（ｃ）は本発明による切り込み領域が形成された
後のＧａＡｔＡａ Ｌ Ｅ Ｄアレイの平面図であり、
同（ｃ）−１は第２図（Ｃ）のｘ−ｘ’力方向同（ｅ）
−２けＹｙ／方向、同（ｃ）−３はｘ −ｘ’力方向各
断面図。 第２図（ｄ）は本発明による切り込み領域が形成された
後金属電極が設けられて完成したＧａＡｔＡｓＬＥＤア
レイの平面図。 第３図（ａ）は本発明により第２図（ａ）の表面から選
択的にｎ型不純物を拡散し拡散領域を形成した基板を表
面から見た平面図。 第３図（ｂ）は本発明による切り込み領域が形成され完
成されたＧａＡｔＡｓ Ｌ ＥＤアレイの平面図。 第３図（ｃ）は第３図（ｂ）のＹ−Ｙ’力方向断面図で
ある。 １− ｎ型Ｇ ａ Ａ ！１基板； ２−＝ ｎ型Ｇａ
ＡｔＡｓ結晶層；６・・・ｐ型ＧａＡｔＡｓ結晶層；４
・・・ｎ型拡散領域；５・・・絶縁膜；６・・・切り込
み領域；７・・・電極。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代理人：弁理士海津保三 同 ：弁理士 平 山 −幸 Ｐ へ第３図 （Ｇ） ３５５−
Claims (1)
- 半導体結晶上に液相成長により第１の伝導型を有する成
長層と、引き＃５２き液相成長により上記第１とは逆の
第２の伝導型を有する成長層とが形成されることによっ
て得られたｐｎ接合を有する半導体基板上に発光ダイオ
ードを複数個配列せしめた発光ダイオードアレイにおい
て、との発光ダイオードプレイを構成する各発光ダイオ
ードの発光面にオーミック接触を設けるために配置され
る金属電極領域にｔ’ｔぼ対応する第２の成長層領域が
選択拡散によって上記第１の伝導型を有する成長層と同
一の伝導型に変換されておシ、また各発光ダイオードの
発光面となる第２の成長層領域と実質的に上記金属電極
領域に対応する上記伝導型変換された第２の成長層領域
とを残しその他の部分の第２の成長層が除来されている
ことを特徴とする発光ダイオードプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57105554A JPS58223380A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57105554A JPS58223380A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223380A true JPS58223380A (ja) | 1983-12-24 |
| JPS6328510B2 JPS6328510B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=14410773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57105554A Granted JPS58223380A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005682B2 (en) | 2003-02-12 | 2006-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP57105554A patent/JPS58223380A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005682B2 (en) | 2003-02-12 | 2006-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328510B2 (ja) | 1988-06-08 |
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