JPS58223394A - 面発光型半導体レ−ザ装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本宅中」は、〆１冒ｉ′ヒ（七改善したＩＪ白梵な（構
成の面ジ色）し・１；す半導体レーザ装置及びその製造
方法に関する。

従来周知の］ａｉ光尾型増生木レーザば、１］口の１再
常の半導体レーザとｔｊ、異なり、基板面と垂直な方向
にレーザ光を出射する。第１図に示す従来の代表的々面
定九帖半導１本レーザは１　ｉｌを極１と、ｎ型ＩｎＰ
　基（反２と、１）型■１１１−ｐＧＯｐＡｓｑＰ１−
ｑストップエッチｍ５と−ｎ型ＩｎＰ　　クラッド層４
と、Ｉｎ１−１１ＧＱ１１ＡｓｖＰ１−、活Ｖト層５と
、ｐｊＦｑＩｎＰ　　クラッド層６と、ｐ型Ｉ　ｎ　１
、−ｒＣｒ’ｒ〜ｓ　ｓ　Ｐ　１　、　　ｓコンタクト
層７と、電流制限用のＳ　ｊＸＮｙＭ８と。

及び光取出し悪９とから構成される。このような従来の
面発光４−！２半導体レーザは、レーザ光伝搬方向に沿
った活訃領域の長さが短いため、レーザ先金発生するた
めには非常に大きい磁流を活は領域に集中して流さなけ
ればならない。この／ζめ、次のような柿々の［ト１題
／バ光生するｒ、ｉｌの問題へとして、レーザ発振し７
きい値−流が４つめて高ぐなることである。第２として
、太電流の局部集中により生ずる完熱ｈＸ、レーザ装置
′直のｌＩＵユ能の力比や故障金引き起こすことである
。＠ろと１〜て、半導体レーザ装置において直接変調を
実現するのに使用する変調器は、大ＰＩＥ流を高速処理
できる装置／１；心安とされ、高価となり捷た比較的困
難であることである。μＪ：に渇げた問題は面光元型レ
ーリ°の実用「ヒの大きな障害となっている。

従って１本究明の１］的は、１−記イノ℃来装置の欠改
をヴ服Ｊ−る［ｍ宅光増生導木レーザ装置及び製造方法
を提供することである。この目的を達成するため１本究
明は、レーザ光を余生させるためｌ／）活計領域を傾数
蘭設け、これら複数の活叶領域の内少なぐとも１つの領
域をレーザ光を生せしめるための光増幅領域として使用
し、捷た別の少なぐとも１つの頒１威ケレーザ光変調用
と（〜て使用するように構成する。

＋ｙ、’−Ｆ図而を参照図面本宅間を説明する。

第２図は１本宅間に依る面発光型半導体レーザの第１の
実施例の断面図を示す。捷ず初めに、帆６図の工程図を
参照して本面発光型半導体レーザの製造方法について説
明する。尚、第２図乃至第６図の図面において、麻１図
の各部分に付范、する部分には同一の番号を付しである
。窮５図（ａ）ＶＣ示されるように、ｎ型ＩｎＰ　　基
板の一方の面にに工ピタギシャル成艮１支術を用いて、
ｎ型Ｉ　ｎ　４　　ｐＧａｐＡｓｑＰ４−ｑストシブニ
ッチ層６（例えば厚さ［１，３ｌ１ｍ　　）、　　ｎ　
１１１Ｍ　ＩｎＰ　層１４（例えば厚さ６／Ｌｍ）、Ｉ
　ｎ　１−１］　Ｇ　’　ｕ　Ａ　８　ｖ　ｌ　１−ｖ
活ＰＪｌｌＩ５（例えば厚さ３ｘｍ）、ｎ型ＩｎＰ　　
クラ、ノド層４（例えば厚さ５１ｉｍ）、Ａび■ｎ１−
ｕＧａｕＡＳｖＰ１−ｖ活ｈｔ層５′（例えば厚さ辱μ
ｍ）、丙びｎ型ＩｎＰＩ脅１４’（ｉ＋ｌｌえは厚さ２
ｔｔｍ）、及びｎ型■ｎ１−ｒＧａｒＡｓ８Ｐ１−８コ
ンタクト＋４１５（例えば厚さ０、３　）Ｌ７ｎ、　）
　’ｆｒ：ｌｌ’Ａ次エピタキシャル成長させる。尚。

活１１ミ１酌５と５′は同一の禁止帯幅全有するように
形成きれる。

次に、第６図（匂に示されるように、フォトリソグラフ
ィ法及び選択エツチング法を用いて基板２及びストップ
エｌチ層３を部分的に除去して円形の乎面杉伏を有する
光取出し窓９（例えば最小直径１５１μｍ）を形成する
。また、コンタクト−１５の表面に電流制限用のＳｉｘ
Ｎｙ層８を化学的気相堆積法等により堆積させる。尚、
この１１！８は。

モ面杉伏が例えば円形の穴（例えばＩＮ経径３ＵＩｔを
有し　これは上記の光取出し窓と整列した（σ置に形１
ｊＷされる。次Ｖ乙第６図（ｃ）に示されるように上記
方法りごて設けた上下の窓及び穴よりｐ　４（ｊ７不純
吻拡散金行なって１図示のように帆１の活１牛層５に丑
で達する深さのｐ型拡散領域１１と、第２の活は層５′
に丑で達する深さのｐ型拡散領域１１′を形成する、そ
の目的は、　　Ｉｎ’、Ｐ　　Ｊ：りも禁１ト帯幅の小
さい■ｎ１−１１Ｇａ１１Ａｓｖ１）１−ｖ中で接合を
［し成してレーザ光振に必要な市流果束を行うことであ
る。禁１ト帝幅の小さい所で接合を形成すると、その禁
止帯幅の小さい所の方から曲流が流れるためでイりる。

これらｐ型拡散領域１１及び１１′の杉ｂ’Ｚの陵、１
−８Ｌ：／）全面にＮＵ極１８を蒸着等により堆積する
Ｏ 最後に、哨６図（ｄ）に示きれるように、醒極は。

フォトリソグラフィ法及び選択エツチング法により整１
杉されて層８の穴を覆う部分のみが残り、これが増幅１
１　ｐ　ｒＩｉ：極を構成する。ｌ′史に、フォ）　Ｉ
Ｉソグラフィ法及び選択エノ千ング法により、ｐ型拡散
領域１１′を囲みしかも麻２活訃層ｂ′を越えてクラッ
ト１曽４にｉ室する環状の絶縁溝１９（１列えば１唱６
０μｍ）が形成される。その目的は、増幅用ｐ醒極から
注入された曲流を活ヰ領１或１６に集中させることと、
二車へテロ溝Ｊ′ｌａによるとじ込め作用を行なわせる
ためである。最後に、環状の共ｉ１’ｈ　ｎ准極１７と
変調用ｐ成極１６を夫々溝１９の外囲の１−１５の表面
と基板ンの表面とに暇付けて合金［ヒする。

ｌ夕、上のような製造方法で形成された本宅間の面姥光
型半導体レーザば、互すに離間した２層の同一の禁止帯
幅を有する活ｊＩ＋層５及び５′を備えている。活（牛
１幀５の活性領域１２は変調１１４活１牛頒威として作
用し、一方活ｇｈ層５′の活訃頒１或１６けレーザ光増
幅用の活ヒ１珪頁１戎として作用する。この半導体１／
−ザを使；−目する場合、捷ず初めに増１面用ｐ成極１
δと共１１３ｉ　ｒ１成１甑１７との間にレーザ光光し
きい値屯流（ソ、下の増幅曲流を流して準活ヰ伏態にす
る。次に、レーザブＩオ望む時間中、増幅曲流に加えて
史に変調用Ｔ）　Ｆｌｔ極１６と共１＋ｌｉ　ｎ成極１
７との間Ｖこ変調曲流を流して、これら増幅曲流と変調
電流との材」／バ１／−ザ光尤しきいイ直醒流り、七の
曲流ＩＩ〔１（／こなるようにする。１尚、ここで１史
用するしへい１直市流とけ、変調用ｐ目イ極１６と増幅
用ｐ市）愼１８と全短絡１−てこれらをｍ源のＦＥ　＃
１；、憧Ｖこ接＠ｌ〜。

ぞして共１市ｎ　ｆｉｔ（銘１７をぞの貫電５極に接読
して（小用するとき、レーザ光眼を開始する最低曲流全
意味す／−）。

上記のＪ：うな接続で１史１．ｔｌするとＡ６本″ｉら
明の面光尤ノ＋ｉＱ半導イ本レーザは１次のような効果
が得られる。壕ず鳴１に、従来の面宛光増生Ｊ４仏レー
ザと比較して、レーザ光伝ｊ般方向に沿って活性領域が
２倍の犬をざとなっているため、レーザ光光しきｔハ値
が低（なることである。しかも約２倍の有効パワーが得
られる。その理由は、第１図に示した従来型の面宅光を
レーザ素子の場合活性層のｊ早さは半導体結晶の電子的
１’４Ｅ質により決まる有効な限ＩＷがあり、活性層の
厚さを単純に増大しても効果はないが１本宅間の構造の
場合は各活性層金ト記有効限度内の厚さにしてしかも複
数個設けているので全ての活性１−が有効に作用するか
らである。

第２に、活ＶＩユ領域がｑ、いに離間して２ケ所に設け
ら力、るため、印ＪＪｎ市流が分散され、従って電流集
中に」：る局部的ｈ１熱／Ｊ（生じにくぐなり、レーザ
装看の熱劣ｆヒに」＝る性能低下並びに故障を回避でき
ることである。刑６ｖ乙　レーザ光の直接変調を行う場
合Ｖ（、レーザ光しきい値醒流の数分の１の曲流を制御
するだけでよぐ、容易に変調をυ１乏−ることが「■能
であることである。

第４図は１本宅間に依る而発尤増生導体レーザ装置の嘉
２の実施例並びにその製造工程を示す。

■４図（ｎ）ＶＣ示された完成したル２の実施例の面光
光型半導体レーザば、第７図に示した本宅間の実施例の
半導体レーザと構成が類似している。異なる点は、ボ２
の実施し１１の半導体レーザが、第２図に示すような絶
縁溝１ソを有していないこと、またＪ１ρ１層ｐ准極及
び共＋１ｆ＋　ｎ　４ｆ極が角なっていること、半導体
レーザの構造の下部り月二部Ｊ−りも横方向に延びてい
ること、２層の活肖三層５及び５′の間に灯１２のｎ型
Ｉｎ１−ｐＧ”ｐＡｓｑＰｌ−ｑストノブエフ刊脅６′
（例えば厚さＯ６，５μｍ）とπ２のｎ　８！！　Ｉ　
ｎ　］〕　　クラッド層４′（例えば厚さ５μｍ）の２
＠のエピタキシャルｌｌｖを含むことである。以下・そ
の製造方法について説明する。

ポ４図（匂に示されるように、基板２の一方の面七ニエ
ヒタキゾヤル１攻長技術を用いて１薗次９層のエピタキ
シャル層３，１４．ｂ、４．３’、４’、ｂ’。

１４′及び１５を形成する。次に、第４図（ｅ）に示さ
れるように、第６図と同様の方法にて光取出し窓９並び
に電流制限１輌８を形成し、その後ｐ型不純物拡散を行
なって２つのｐ型拡散領域１１及び１１′を形成する。

この後、第４図（ｄ）に示されるように増幅用ｐ［相；
１愼１８を数例けて会金比（−たｒ麦。

フォトリングラフィ法及び選択エツチング法ケ１１いて
基板２並びにエピタキシャル層３，１４．ｂ及び４の光
取出し窓９より右側の部分全除去する。

最後に、哨４図（Ｏ）に示されるように、変調用ｐ市１
執１６と共Ｊｎｎ接極７′が夫々基板２の上面と采２の
ストップエッチ層５′の右端部の上面とに１収ｆ、Ｊけ
られて合金１ヒされる。このようにして、半導体レーザ
装置ｔが完成する。尚、Ｑｌ１４ｊｎ電極１７′は図示
のような厚みの薄いＫ１５分に数例は斥ければならない
ため、嘉４図（ｄ）に示す二［程のうち増幅用ｐ電極１
８を収り愕けて合金［にを終ｒした後、電極ず＼Ｊのザ
ブマウントに叡付けて篭成捷での加工を行なってもよい
。このザブマウントの材利け、熱と電気を良好に伝える
祠４［が可能であり、望ま［〜（はＩｎＰあるｈはＳｌ
やＧｏＡ、ｓ等の抵抗の低め半導体材料である。また、
−１＝記の製造においては、ｐ型不純物拡散法を用いた
が、別の方法例えばイオンビームドープ法等も用いるこ
とができる。

＠４図（ａ）の半導体レーザ装置は、第２図の装置と同
様Ｖこ、同一の禁止帯幅分有する２層の活１隼層５及び
５′に２つの活１２４Ｅ領域１２及び１３を有している
。増幅用ｐ亀偵に印加された電流は、拡散領域１１′を
経て活性領域１６に集中されそして共＋Ｈ１ｎ屯＋ｔ！
、、１７′に達する。変調用１〕電極に印加された電流
け、拡散領域１１を経て活性領域１２に集中されそして
共、市ｎ准極１７′に達する。このようにして、１−１
７加される電流／Ｉ；２つの活性領域１２及び１′りに
分散され、よって嘉１の実施例と同様な幼果を与える。

君５図は１本宅間に依る而宅光増生導体レーザ寝装置の
ゼロの寿／＋ｆｔｊ１列、１及びＶこその製義工程金示
す。

この嘔６の火ＩＡ１１ｙｌｌの構造は、第４図の君２の
実施１り１１の構造ＶＣ頌似しているが、その製造方法
に不純吻拡＠去を使用しておらず、エビタギンヤル成長
ＩＩ在ｖＣ１鼾１＆ドープ″「る方法のみｆ：１史ｌ目
しでいる。従って、不純吻拡散領域の代わりに電流制限
層２Ｕ會設けている６以下、その製造工程を説明する。

君５図（８）に示されるように、基板２ｈ５用意され。

その−力の面ｈＫ君１１０１目のエピタキシャル成長を
行なう。この第１回目のエピタキシャル成長においては
、ｎ型Ｉｎ１　　ｐＧａｐＡｓｑＰｌ−ｑストップエッ
チ４５．ｎ型ＩｎＰ　　クラッド層４．＠１のＩｎ１．
、−ｕＧｏ　１１ＡｓｖＰ　１−ｙ活性１−５、＠１の
ｐ型ＩｎＰクラシト層６（例えばＩｆさ２μｍ）及び１
１型Ｉ　ｎ　１−　ｐ　ｒＧｏ　ｐｔＡｓ　ｑｔｐ　１
−ｑｔ成電流限層２０（例えば厚さ２μｍ）の５１曽の
エピタキシャル層をこの順序で形成する。次に、鼾５図
（Ｃ）において、フォ）　Ｉ＋メソグラフィ法び選択エ
ツチング法により戚流割限１曽２０に穴（例えば直径３
０μｍ）を形成する。

次に、巣５図（ｄ）において、第２回目のエビタギシャ
ルｔｊＺ長を行ない、これによって間流ＷｒｌＪ限１−
２０の表面」二に、ｐノ盾ＩｎＰ　バッファ１脅２２（
汐ｊ１えば厚ｉ　６　ｔｌｍ　）−ｐ　型Ｉ　ｎ　１−
　ｐ　Ｇ　Ｑｐ　Ａ　ｓ　ｑ　Ｐ　４−　ｑ　　ストッ
プエッチ層２１（例えば厚さ０．６／Ｌ７７１）、嘉２
のｐ　４！！Ｉ　ｎ　Ｐ　　クラッド層６’、’Ｊ４２
のＩ　ｎ　１−　ｕＧａ、１Ａｓ　　Ｐ　　　活訃層５
’、第２のｎ型Ｉ　ｎ　Ｐ　　クラツｉ−ｖ ド１−４及びｎ型Ｉｎ１−ｒＧａｒＡｓ８Ｐ１−８コン
タクｒ−ｒ偕１ｂの６層のエピタキシャル層ケこの順序
で１ヒ成する。尚、ＩｎＰの結晶成長時の１生質によっ
て、電流制限嗜ンＯの穴はＩｎＰが満たされて平坦にな
る。

次に、＠５図（ｅ）に示されるように、コンタクト１曽
１５上にＳ　ｌ　ＸＮ　ｙ　１層８をｒヒ学的気相堆積
法等により形成する。、続いて、フォトリソグラフィ法
及び選択エツチング法により・基板２に光取出し窓９（
例えば最小直径１！：ｌｏｌｔｍ）を形成し、〃１つ１
−８にこの窓９と整列した光増幅醒極暇出し窓２５（例
えば直径３０１１ｍ）″ｆ：杉成形成。次に、嘉５図（
ｆ）Ｋ示されるように）−８の表面を楡うように増幅用
ｎ市、痙２４を収付けて合鋭１ヒし／ζ後、再びフォト
リソグラフィ法及び選択エツチング法により僑阪ン並ひ
に層３，４．Ｊ６．２０及び２２の窓ンより右１０１１
の部分を除去する。第４図で説明ｌ−たのと同様に電極
２４ｆｆ：Ｔ取付けた画素ｆをサブマウントに暇付ける
こともでへる。この後窮５図（θ）に示きれるように変
調用ｎ電極２６と）Ｉ＜　１ｉｊｉ　ｐ　ｔｇ。

票とをＬ１又Ｎけて合令１ヒし、それによってレーザ装
崎は完成する。

窮５図の第６の実ｇｉｑ列の面宛光増生導体し−ザ榛喀
は、同様に２１冑の同一の禁止帯ｌｉ＠を有する活性１
−５及びｈ′において２つのｔ占曲頒１或１２及び１３
を＋１Ｍえている。前１４夕のπ１及び嘉２実施例にお
いては、ｐ型拡故領域１１及び１１′金設けて、１、　
ｎ　Ｐ　　よりもｄ、、ｌ−、帯１１％の小さイＩ　ｎ
　４−ｔ、Ｇ　’　１、Ａｓｖｌ〕１−ｖ活性層す及び
ｂ′中で接合を形成し、それＫよってレーザ余振に必髪
な屯流果東全ｒテなっている。しか［７，この泪６の実
施例では、電流；間！服１（☆２［Ｊｒ設けることＶＣ
より電流の流れる装置を匍ｊ限してｄ睨流の集束効果を
与λ−る。面、［胃幅用活曲唄賊１６への電流の集中は
、絶脈層として作用する層８の開口を図示の如（活性・
直載１６と整列して設けることによりｉｌＪ　ｔｇヒで
ある。

君６図は、本宅明に依る面宛光型半導体レーザ装置の石
４の実施例並びにその製１告上程を示す。

この第４の央娩例の特徴は、結晶基板の両方の面ｖコエ
ビタキノヤル層を同時ｌＬ成長さけ−でレーザ裟ｉｉｔ
を形成でなること、更に（朶い光敗出］−窓及び絶縁溝
ｋｒｌ鴻成する必要がないこと、１１しびに電極り−ド
線奮芥易ｆ（Ｃ収出Ｗることである。従って、製造が比
較的容易になり、レーザ光の単色俳ｈ（あＪ！９必要と
されない使用目的のレーザ装置の製造ＶＣは有利である
ｎπ４の実施Ｖ／！ｌの半導体レーザの製造工程をｌｄ
　Ｆに説明する。捷ずυめに、第６図（春）に示される
ように、薄板２ヶ用線し、この基板の両方の］１月に、
ｎ型［ｎＰ　クラッド啼４及び４′、同一の５襞止帝幅
をイ］゛するｆｎｌ−ｕ”ｕＡＳｖ１〕ｉ−ｖ活ｔ＜１
１１５及び！’）’−ｎ　型１ｎＰ　Ｉ（１１４及び１
４′、及びｎ帖Ｉ　ｎ　１□ＧＯｒ　Ａ　８　ｓ　Ｐ　
１、−ｓコンタクト層１５及びコ５′σ）エピタキシャ
ル層をこの順序で）Ｉぞ成する。

屯６図伊）に示した両ｌ出エピタキシャル成長は−１１
ｆｊ常ｊｌＩＭの水平移動式を仮相連続エピタキシャル
成長では夫＆２回のＩｊ、ｌｊ　Ｉ越／バ必要であるが
、気相エビタギソヤル法あイ）いは浸漬法による液相エ
ビタキンヤル法等金応用すれば裏表同時に成長１井能で
あり。

ＪＪＩＩ下時１目］の短縮及び財産（ヒに有利である。

次に、第６図（ｃ）Ｋ示されるＪ二うに、コンタクト（
傾１り′の表面に５ＩＸＮｙ層を形成した後、フォトリ
ソグラフィ法及び選択エツチング法により層８及び１５
に圀えば円１杉の穴（例えば直径５０μｍ）を形成する
。続いて、素子の両面にｐ型不純吻拡散を行なってｐ型
拡散領域１１及び１１′ヲ夫々活け１−５及び５′に達
する深さまで形成する。次に窮６図（ｄ）に示されるよ
うに、再びフォト１１ノグラフイ法及び選択エツチング
法を使用して、基板２の１＝　１１１１１の）−唸４，
５，１４，１りにおける）曽１５の穴の周囲の部分を除
去する。最後に、嘉６図（θ）に示σれるように、変調
用ｐ電極１６、増幅用ｐ電極１８及び共ｉｉ　ｎ電極１
７″を取付けて合宿１ヒし、これによって半導体し〜ザ
装置は完成する。

次に、１坂にに１況明した嘉１乃至ル４の実施し１１の
半導体レーザ装置の夫々のエピタキシャル１−のホ１１
成について説明−ｒる。Ｉｎ１−ｐＧＬ２ｐＡｓｑＰ１
−ｑストンブエノチ層６．６′及び２１の組成（ｐ・ｑ
）は、基本的にはＩｎＰ層とは呉なったエツチング速度
′待翻をイイするように選定される。しかし、第４１ン
１お」：び第５図の構造の嚇合、ストップエッチを輌６
′または２１は１元の、Ｍ路内に存在するため活］牛層
５及び５′の禁止帯幅Ｊ：り広い禁止帯幅を有する必要
／バあり、しかもこのｌ１ｉｉｉｉはオーミックコンタ
クト用のコンタクト１慎の役割も有するので禁止帯Ｉ咄
は狭い方／バ有利である。従って、ストンブエツチＩ１
．１ｉ１５′または２１の組成は、活１牛喘の禁止帯幅
よつやや広い禁止帯幅全有するように選定される。

次に、電流１ｔｊｌｌ限１７２Ｌｌの組成（ｐ′・ｑ’
　）は・エツチング速ｖ待昧がＩｎＰ　と異なった工・
ノチング待訃全有するように選定すればよい。甘た−　
　Ｉｎ１　ｒＧＱｒＡｓ８Ｐ１−８コンタクｈｉ４１　
ｂ　、　１　ｂ’の組成（ｒΦＳ）は、オーミックコン
タクトのため禁止帯幅が狭ぐなるようＶＣ選定するのが
望捷しい／バ。

ストップエッチ層と間係に光の伝１般領賊へ入る１易合
ＶＣは、活訃曖の基面帯幅よりわずかに大へな禁１Ｆ・
帛；甲畠にさ、れ〜ろ。

１臥１−に詳細に、説明した本宅間に１衣れば、従来σ
）囲光元ｇＩｌｌレーザと比べより高い１生能を備えた
寿命の艮い［イｉ定尤八Ｖレーザ装置を１是１其するこ
とが１丁」τ目である。

Ｊ：述のＡ：宅間に、ち・いては、次のような変更がＨ
ｊｆ能である。Ａ）１乃４ミ氾４の実施例の説明におい
ては−Ｉ　ｎ　Ｇ　ａＡ　ｓ　Ｐ糸？昆晶半尋体全１列
として用いた／バー　ＡｌＧ　’　Ａ　ｓ　　系混晶又
は他のｌ昆晶系半導体材料であって０帖及びｎ型のエピ
タキシャル層ｋ　Ｉｌｇ　ＩＡ：できる任、ＣＱ、の材
料も使用できる。捷た。基１反について、　　ｎａ！！
　Ｉ　ｎＰ　橘＋反Ｖこレーザ＋・Ｋ造を１杉ｂＫ−１
６方法奮司Ｓべた／バ、ｐ型ＩｎＰ基イ反も１史用でき
る。この暢合、）重連の説明のｎ型材料ばｐ壁材料に、
そしてｐ！に！！ｍ’Ｐ）ｔ　ｎ　２１（オｉ４　ｆ／
ｊ　Ｗ’　ｌ嬰えノーＬばよい。

（財）ｌこ、ｊ川の変ＩＪ↓とじて、−に述の実施夕１
１Ｖこおいてば２１帝の活ビト１脅ケ設けてＪ冑１μＩ
Ａ１迫１或と変１藺１偵域を人々１つずつ設けたが、活
性層を６層１メ−１−設けて増中吊−β貞ｊ或を２つり
、」こそして変、？］巾頁Ｉ或を２つ１メ」二を光通ｊ
、＋６上に設けることも可能である。その１箱合、２つ
１ス−にの増幅１１口域にり１して１つの増（１１吊１
月市極と１つの共西山；悼と孕ｌ」」い、また２つ１夕
、上の変調や口１或に付してＣ１１ｊ：１つの変６周＋
ｆ４離１１返と七日己１つの共１１万１１ｉ１暴とを１
史用する。

す！に、前述の各実施例において、ト叫の活１牛領域７
２は２変調１１ｊ領域では々（増幅用領域として使用で
へ、従ってＴ側の活］牛領域１３は変調用領域とｌ−て
使用できる。史に、咀３の実施例のような不純物拡１ｊ
没法を便）］」シ々い１掲合には、８１ゆＮ、Ｉ曽８の
代わりに能の類似の絶１派層例えば８１Ｏ２等も１史用
できる。

【図面の簡単な説明】

■１図に：、＋；（ｉ米の面光光型レーザ装置の断面図
。 第２図は１本宅間に依る面光光型半導体レーザ装置の君
１のソロ施例の断面図、 琳６図（ｎ）乃至Ｚ６図（ｄ）は、４３２図に示された
帆１の実施１’；ｌの半導体レーザ装置の製】前工程を
示す。 適４図（ａ）乃至ル４１：利（（１）は１本宅間の帆２
の実施１列とその製造上・１呈紫示ｒ断曲図。 麻５図（ｎ）乃至麻す図（ｆ）は１本宅間の遍６の実施
例とその裂ｉ告工程を示すＩ断面図。 氾６図（ｔＩ）乃乍嶋６Ｉ図（ｄ）は１本宅間の鳴４の
実施例とその製造上程を示す断面図。 〔符号説明〕 １：＋ｔ４．　　ン＝ｎ型ＩｎＰ基板。 ６　．５’：　ｎ１ｊｑＩｎ　１　　ｐＧ’ｐＡｓｑＰ
１−ｑストップエッチ層ｄ。 ４．４′二〇型ＩｎＰ　　クラッド層。 ５、！ｂ’：Ｉｎ４−１□Ｇ’ｕＡｓｖＰ１−ｖ？占Ｖ
Ｌ層。 ６　、６’：　ｐ型ＩｎＰクラッド層、７：ｐ型Ｉｎ１
−、ＧＤｒＡｓ８Ｐ１−８コンタクト層。 ｓ：５ｉＸＮｙＩ輌、　　　９二光暇出し窓。 １１．１１’：ｐ型拡散領域。 １２：変調用活１生頑域。 １６：増幅用活は領域。 １４　、１４’：　ｎ型１ｎＰ層、 １５、Ｉ５’：ｎ型Ｉｎ１−、ＧＯｒＡｓ８Ｐ１−８コ
ンタクト層。 １６：変調■ｐ電極、　　１７．１７’、１７″：共通
ｎ電極。 １８：増幅用Ｐｉｔ記極、　　　１９：絶縁溝。 ２０　：　ｎａ’ＪＩｎ　１−ｐＧａｐｚＡｓｑ＋Ｐ１
−ｑｔ　ＦｌｉｉＪｔ市ｌｊＳ艮＋４゜２１　：ｐ型ｉ
ｎ　１−ｐＧ’１ｐＡｓｑＰ１−ｑストップエッチ層。 ン２　：　ｐ　ｓ　Ｉ　ｎ　Ｐ　　バッフ　７　ｌ曽。 ２６：光増幅電極取出し窓。 ２４：増幅用ｎ電極、　２５：共通ｎＩｊ極。 ２６：変調用ｎ電極・ 特許出願人　住友亀気工業株式会社 （外２名） 第１図 第２図 第３図（Ｑ） 第　　４　　図　　（Ｃ） Ｉｌ 第５図（σ） ＩＲ５図　（ｂ） 第４図（ｄ） ；）　　５　　図　（ｃ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）レーザ光の伝搬路に沿って複数１固の活性領域を
   設けたことを特徴とする面発光増生４体レーザ装置。 （２、特許請求の範囲第１ｒｊｉ記載の装置において。 前記瞑数貼の活は領域の内生なくとも１つの活は領域が
   光増幅領域として使用され、前記複数個の活曲領域の内
   生なくとも１つの活性領域が光変調領域として使用され
   ること、全特徴とする面発光型半導１本レーザ装置。 （３）特許請求の範囲第２項記載の装置において。 前記光増幅領域に関係した電極と、＠記光変調領威に１
   列係した電極と、及び共通の電極とを有すること、を特
   徴とする面発光型半導体レーザ装置。 （４）特許請求の範囲＠１項記載の装置において。 前記複数個の活性領域の夫々ｖｃ醒流全集中させるため
   の集中手段を有すること、全特徴とする面光光型半導（
   本レーザ装置。 （５）′特許請求の範囲第４項記載の装置において。 前記集中手段が前記活性領域に関係した不純物拡散領域
   であること、を特徴とする面宛光型半導体レーザ装置ｉ
   ＃。 （６）゛持許ｎ青求の範囲第４項記載の装置において、
   前記集中手段が前記腹数個の活１生領域間に配信された
   開口を有する電流制限層であること、全特徴とする面宛
   光型半導体し−ザ装肯。 （７）特許請求の範囲第６＠記載の装置において。 前記光増幅中電極と前記共通電極とは、絶縁溝により分
   離されていること、を特徴とする面箆光型半導体し−ザ
   装＃。 （８）特許請求の範囲第６項記載の装置において。 前記共姐醒極は、前記光増幅開極と前記光変、１ＩＡｌ
   電極との間でかつ前記光増幅領域と前記変調領域との間
   の平面に配置されていること、を特徴とする面宛光型半
   導体レーザ装置。 （９）特許請求の範囲術６項記載の装置において。 前記光増幅領＋１１１！と前記光変調領域とは基板の同
   一の而」二ｒこ１１そｔｒ！されること、を士寺徴とす
   る面光）覧へす半導体レーザ装置。 （１０）″特許請求の範囲犯６項記載の装置において。 前記光増幅ｉｉ＠威と前記光変調領域とは基板の反付則
   の而−１：に１しｊＪｙさノしること、を′特徴とする
   面定光増生纏体レーザ装置。 （印　面宅光型−半導体し−ザ裂隨の製造方法において
   、基板の一方の向上にエピタキシャル成長技術を用いて
   複数個の同一の禁市帯幅を有する活１７ト１直１或をレ
   ーザ）ｆ、；の伝１般路に沿って形成−することｆ′１
   ７１１敷とする面宛光増生導体レーザ装置の製、前方法
   。 （１２）　　ｔ＋６宅光槽半導体レーザ裟置の製Ｊ告方
   法において、基板の両側の面上にエピタキシャル成長技
   術を用いて抜故の同一の懐旧帯幅を有する活計領域をハ
   る成子ゐこと全’ｔ２？　Ｉａとする面定光増生導体し
   −ザ方話。