JPS5822738B2 - フオト・マスクの製造方法 - Google Patents

フオト・マスクの製造方法

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JPS5822738B2
JPS5822738B2 JP52049587A JP4958777A JPS5822738B2 JP S5822738 B2 JPS5822738 B2 JP S5822738B2 JP 52049587 A JP52049587 A JP 52049587A JP 4958777 A JP4958777 A JP 4958777A JP S5822738 B2 JPS5822738 B2 JP S5822738B2
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JP
Japan
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chalcogen glass
film
chalcogen
glass
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JP52049587A
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English (en)
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JPS53134368A (en
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有井勝之
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Landscapes

  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カルコゲン・ガラスを用いたフォト・マスク
の製造方法に関する。
近年、フォト・マスクとしてカルコゲン・ガラスを用い
たものが開発されている。
このフォト・マスクは、例えはクロムを用いたフォト・
マスクと比較すると、 （イ）殆んどドライ・プロセスで作製することができ、
ウェット・プロセスは極く僅わしか用いない○ （ロ）カルコゲン・ガラス膜は例えばスパッタリング法
で作製できるから広い範囲に亘り均質に形成することが
可能であって、近年の大面積ウェハ（例えば４〔吋〕、
５〔吋〕等）に対処するのに好適である。
（ハ）低分子の無機物質であるから解像力が非常に高い
。
等の利点がある。
次に、カルコゲン・ガラス・フォト・マスクを製作する
工程の概略を第１図乃至第３図を用いて説明する。
第１図参照 （１） 通常のソーダライム・ガラス（或いはアルミ
ノ・ボロシリケート・ガラス）基板１に例えばスパッタ
リング法を適用して例えばＡｓ２８８からなるカルコゲ
ン・ガラス膜２を例えば厚さ１０００［人〕に形成する
。
（２）例えばスパッタリング法を適用して金属膜、例え
ばＡｇ膜３を例えば厚さ６００［Ｉλ〕に形成する。
第２図参照 （３）原版フォト・マスク４を介してＡ、９膜３上に選
択に光照射を行なう。
この時の光としては例えば波長４０５ｎｍの光を使用す
る。
この工程に依り所謂フォト・ドーピングを生じ、ＡＩ膜
３のＡｇがカルコゲン・ガラス膜２中にドープされ、Ａ
Ｉ拡散領域２１が形成される。
第３図参照 （４）ここで初めてウェット工程が適用され、Ａｇ膜３
が除去される。
以上 このようにし、て得られたカルコゲン・ガラス・フォト
・マスクは、カルコゲン・ガラス膜２の部分は透光性で
あるがＡ、９拡散領域２１の部分は非透光性になり、マ
スキング効果を発揮できる。
尚、前記ではカルコゲン・ガラスとしてＡｓ２８８を用
いているが、これはＡｓ２Ｓｘ （２，６＜ｘ＜１８
）の範囲で適宜選択される。
ところで、実験の結果、前記カルコゲン・ガラス・フォ
ト・マスクには重大な欠点があることが判った。
即ち、このカルコゲン・ガラス・フォトマスクを使用す
る場合の光として、前記フォト・ドーピングを行なった
際に用いた光と同様な波長の光を適用すると、Ａｇ拡散
領域２′からカルコゲン・ガラス膜２中へＡ！ｑが拡散
される現象を生じ、フォト・マスクとしてのパターン精
度が低下することである。
本発明は、極めて簡単な定着操作を行なって前記の如き
パターン精度の低下を防止しようとするものであり、以
下これを説明する。
本発明では、前記の如くして作製したフォト・マスクに
於けるカルコゲン・ガラス膜２を結晶化させることに依
り、フォト・ドープされたｌ’を定着させることができ
ることを見出した。
即ち、第３図の状態で完成されたフォト・マスクではカ
ルコゲン・ガラス膜２は非結晶の状態に在るので、これ
に例えばレーザ光を照射してカルコゲン・ガラスの転移
温度以上に加熱し、次いで冷却すると、その時の結晶化
作用でＡＪ’は定着される。
この処理工程を経たカルコゲン・ガラス・フォト・マス
クは最早や如何なる波長の光で照射されてもＡｇ拡散領
域２′中のＡＪ’がカルコゲン・ガラス膜２中に滲出す
ることはなくなり、マスク・パターンの精度は良好に維
持される。
以上の説明で判るように、本発明に依れば、カルコゲン
・ガラス・フォト・マスクを製造する際、簡単な熱処理
工程を付加するのみで金属拡散領域内の金属がフォト・
マスクの使用中にカルコゲン・ガラス膜内に滲出するこ
とを防止して、長期に亘りマスク・パターンを製作当初
の状態に維持することができ、カルコゲン・ガラス・フ
ォト・マスクの利用効果を一層向上することができる。
才た、スルコゲン・ガラス膜を結晶化させる為の加熱手
段にレーザ照射を利用しているので、その加熱は局部的
であり、必要部分以外に熱に依る悪影響を与えることが
ない。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図はカルコゲン・ガラス・フォト・マス
クの製造工程説明図である。 図に於いて、１は基板、２はカルコゲン・ガラス膜、３
はＡ、！ｉ’膜、４は原版フォト・マスク ２／はＡ、
９拡散領域をそれぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 透光性基板上にカルコゲン・ガラス膜及び金属膜を
    順次形成し、次いで光を選択的に照射してフォト・ドー
    ピングを行なってカルコボン・ガラス膜に金属拡散領域
    を形成し、次いで金属膜を除去し、しかる後レーザ光照
    射に依りカルコゲン・ガラスの転移温度以上の加熱及び
    その後の冷却を行なってカルコゲン・ガラスを結晶化す
    る工程が含まれることを特徴とするフォト・マスクの製
    造方法。
JP52049587A 1977-04-28 1977-04-28 フオト・マスクの製造方法 Expired JPS5822738B2 (ja)

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JPS53134368A JPS53134368A (en) 1978-11-22
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JPS53134368A (en) 1978-11-22

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