JPH05210231A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05210231A JPH05210231A JP1678592A JP1678592A JPH05210231A JP H05210231 A JPH05210231 A JP H05210231A JP 1678592 A JP1678592 A JP 1678592A JP 1678592 A JP1678592 A JP 1678592A JP H05210231 A JPH05210231 A JP H05210231A
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- Japan
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- gelatin layer
- gelatin
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフター作成工程を簡単にすることと、
位相シフト効果を向上すること。 【構成】 位相シフターを、透明基板上の未露光部領域
に設けられた銀成分を含まないゼラチン層と、未露光部
領域に隣接した露光部領域に上記ゼラチン層とは段差を
有して設けられた銀塩含有ゼラチン層からなるで構成し
た。 【効果】 位相シフトマスクの複雑な作成工程が簡略化
されるとともに、位相シフターの表面汚染を防止でき
る。また、ゼラチンの優れた透過率のためｉ線以下の短
波長の光にも対応でき、位相差を自在に調節できて位相
シフト効果の幅を拡大できる効果がある。さらに、パタ
ーン部の露光部領域にある銀塩含有のゼラチン層が還元
されて黒化した銀塩の濃度も自在に調節できる利点を有
する。
位相シフト効果を向上すること。 【構成】 位相シフターを、透明基板上の未露光部領域
に設けられた銀成分を含まないゼラチン層と、未露光部
領域に隣接した露光部領域に上記ゼラチン層とは段差を
有して設けられた銀塩含有ゼラチン層からなるで構成し
た。 【効果】 位相シフトマスクの複雑な作成工程が簡略化
されるとともに、位相シフターの表面汚染を防止でき
る。また、ゼラチンの優れた透過率のためｉ線以下の短
波長の光にも対応でき、位相差を自在に調節できて位相
シフト効果の幅を拡大できる効果がある。さらに、パタ
ーン部の露光部領域にある銀塩含有のゼラチン層が還元
されて黒化した銀塩の濃度も自在に調節できる利点を有
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は銀塩含有ゼラチン層と銀
成分を含まないゼラチン層とからなる位相シフターを有
する位相シフトマスク及びその製造方法に関するもので
ある。
成分を含まないゼラチン層とからなる位相シフターを有
する位相シフトマスク及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】１６Ｍ（メガ）から６４ＭＤＲＡＭにか
けてのリソグラフィー技術として近年光の位相差を利用
してコントラストを上げる位相シフト法が注目を浴びて
いる。この光の位相差を反転する位相シフターの材料で
あるシフタ材は、従来ＥＢレジストであるＰＭＭＡ等の
電子ビームレジスト膜やＳＯＧ膜あるいはＣｒ膜等が用
いられて来た。
けてのリソグラフィー技術として近年光の位相差を利用
してコントラストを上げる位相シフト法が注目を浴びて
いる。この光の位相差を反転する位相シフターの材料で
あるシフタ材は、従来ＥＢレジストであるＰＭＭＡ等の
電子ビームレジスト膜やＳＯＧ膜あるいはＣｒ膜等が用
いられて来た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、位相シフトマ
スクにおいて、ｇ線やｉ線さらにはエキシマレーザ等の
露光光に対する透過率やガラス基板との屈折率の差が重
要なファクターとなっており、ＰＭＭＡ等のＥＢレジス
トやＳＯＧあるいはＣｒ等の従来のシフタ材では位相シ
フターとして充分な効果を得ることができなかった。
スクにおいて、ｇ線やｉ線さらにはエキシマレーザ等の
露光光に対する透過率やガラス基板との屈折率の差が重
要なファクターとなっており、ＰＭＭＡ等のＥＢレジス
トやＳＯＧあるいはＣｒ等の従来のシフタ材では位相シ
フターとして充分な効果を得ることができなかった。
【０００４】また、位相シフトマスクにおける位相シフ
ターの加工面においても、露光光の位相を制御良く反転
するためには垂直な加工面が必要となるためＲＩＥ等に
よるドライエッチング技術が必要であった。しかし、こ
のドライエッチング技術は位相シフター作成工程を複雑
にするばかりでなく位相シフターの表面汚染の原因にな
る恐れがある。
ターの加工面においても、露光光の位相を制御良く反転
するためには垂直な加工面が必要となるためＲＩＥ等に
よるドライエッチング技術が必要であった。しかし、こ
のドライエッチング技術は位相シフター作成工程を複雑
にするばかりでなく位相シフターの表面汚染の原因にな
る恐れがある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明は、露
光光に対して透明な透明基板と、その上に形成される光
の位相を反転させる位相シフターからなり、その位相シ
フターは、透明基板上の未露光部領域に設けられた銀成
分を含まないゼラチン層と、未露光部領域に隣接した露
光部領域に上記ゼラチン層とは段差を有して設けられた
銀塩含有ゼラチン層からなる位相シフトマスクである。
光光に対して透明な透明基板と、その上に形成される光
の位相を反転させる位相シフターからなり、その位相シ
フターは、透明基板上の未露光部領域に設けられた銀成
分を含まないゼラチン層と、未露光部領域に隣接した露
光部領域に上記ゼラチン層とは段差を有して設けられた
銀塩含有ゼラチン層からなる位相シフトマスクである。
【０００６】また、この発明は、別の観点から、露光光
に対して透明な透明基板上に、銀塩含有のゼラチン乳化
液を塗布し、マスクを用いて露光することにより未露光
部領域と露光部領域とを形成し、次いで、現像液で処理
して未露光部領域から銀塩を除去することにより、露光
部領域に対して段差を有し、かつ銀成分を含有しないゼ
ラチン層を形成することからなる位相シフトマスクの製
造方法が提供される。
に対して透明な透明基板上に、銀塩含有のゼラチン乳化
液を塗布し、マスクを用いて露光することにより未露光
部領域と露光部領域とを形成し、次いで、現像液で処理
して未露光部領域から銀塩を除去することにより、露光
部領域に対して段差を有し、かつ銀成分を含有しないゼ
ラチン層を形成することからなる位相シフトマスクの製
造方法が提供される。
【０００７】すなわち、この発明は、位相シフターの材
料として銀をゼラチンに含んでなる銀塩含有のゼラチン
乳化液を用いたものである。具体的には、この発明は、
写真用フィルムで利用されている銀塩含有のゼラチン乳
化層を用いたリソグラフィー方法を利用したもので銀塩
含有のゼラチン乳化液を露光光に対して透明な透明基板
膜上に塗布し、塗布された銀塩含有のゼラチン乳化層の
露光後、続いて行われる現像・定着の両処理により未露
光部の銀塩含有のゼラチン乳化層からそこの銀粒子が脱
離し、それによって銀塩含有のゼラチン乳化層の露光・
現像の両処理により形成される、還元されて黒化した銀
塩である露光膜と、銀塩含有のゼラチン乳化層から銀塩
を脱離した未露光膜との間に露光部領域に対して段差が
生じるという現象をもとに開発されたものである。この
現象を利用して従来より提唱されているＥＢレジストや
ＳＯＧやＣｒ等のシフター材だけからなる位相シフトマ
スクや光吸収型の位相シフトマスクをシフタ材の断面形
状良く、かつ容易に作成できる。
料として銀をゼラチンに含んでなる銀塩含有のゼラチン
乳化液を用いたものである。具体的には、この発明は、
写真用フィルムで利用されている銀塩含有のゼラチン乳
化層を用いたリソグラフィー方法を利用したもので銀塩
含有のゼラチン乳化液を露光光に対して透明な透明基板
膜上に塗布し、塗布された銀塩含有のゼラチン乳化層の
露光後、続いて行われる現像・定着の両処理により未露
光部の銀塩含有のゼラチン乳化層からそこの銀粒子が脱
離し、それによって銀塩含有のゼラチン乳化層の露光・
現像の両処理により形成される、還元されて黒化した銀
塩である露光膜と、銀塩含有のゼラチン乳化層から銀塩
を脱離した未露光膜との間に露光部領域に対して段差が
生じるという現象をもとに開発されたものである。この
現象を利用して従来より提唱されているＥＢレジストや
ＳＯＧやＣｒ等のシフター材だけからなる位相シフトマ
スクや光吸収型の位相シフトマスクをシフタ材の断面形
状良く、かつ容易に作成できる。
【０００８】又、ゼラチン乳化液の優れた透過率のため
ｉ線以下の短波長の光にも対応でき、位相差を自在に調
節できて位相シフト効果の幅を拡大できる。すなわち、
一般に、ゼラチン乳化液の透過率曲線から、ｉ線（３６
５ｎｍ）付近でも９９．５％の高い透過率を示し、一
方、ＰＭＭＡ等のＥＢレジストやＳＯＧでは透過率が略
９０％程度であることによる。
ｉ線以下の短波長の光にも対応でき、位相差を自在に調
節できて位相シフト効果の幅を拡大できる。すなわち、
一般に、ゼラチン乳化液の透過率曲線から、ｉ線（３６
５ｎｍ）付近でも９９．５％の高い透過率を示し、一
方、ＰＭＭＡ等のＥＢレジストやＳＯＧでは透過率が略
９０％程度であることによる。
【０００９】さらに、パターン部の露光部領域にある、
銀塩含有のゼラチン乳化層が還元されて黒化した銀塩の
濃度も自在に調節できる利点を有する。
銀塩含有のゼラチン乳化層が還元されて黒化した銀塩の
濃度も自在に調節できる利点を有する。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図１を参照して説明す
る。図１は銀塩含有のゼラチン乳化液を利用して形成し
た位相シフターを有するハーフトーン型位相シフトマス
クを示す。図１において、位相シフトマスクは、露光光
に対して透明なガラス基板３と、位相シフターからな
り、その位相シフターは、ガラス基板上の未露光部領域
Ｍに設けられた膜厚Ａが３μｍの銀成分を含まないゼラ
チン層１と、ガラス基板上の未露光部領域Ｍに隣接した
露光部領域Ｎに設けられた、膜厚Ｂが３．５μｍで、略
１６％に透過率が制御された、ゼラチン層４が還元され
て黒化した銀塩２とで構成される。
る。図１は銀塩含有のゼラチン乳化液を利用して形成し
た位相シフターを有するハーフトーン型位相シフトマス
クを示す。図１において、位相シフトマスクは、露光光
に対して透明なガラス基板３と、位相シフターからな
り、その位相シフターは、ガラス基板上の未露光部領域
Ｍに設けられた膜厚Ａが３μｍの銀成分を含まないゼラ
チン層１と、ガラス基板上の未露光部領域Ｍに隣接した
露光部領域Ｎに設けられた、膜厚Ｂが３．５μｍで、略
１６％に透過率が制御された、ゼラチン層４が還元され
て黒化した銀塩２とで構成される。
【００１１】更に、銀成分を含まないゼラチン層１と銀
塩２との間にはゼラチン層１に対して高さｄが０．５μ
ｍの段差Ｄが存在する。本実施例では、ゼラチン層の屈
折率ｎがｎ＝１．３〜１．４であることから、この段差
Ｄの高さｄをλを露光光の波長とした時にｄ＝λ／〔２
（ｎー１）〕に制御することで位相差を生じさせること
ができる。以下製造方法について説明する。
塩２との間にはゼラチン層１に対して高さｄが０．５μ
ｍの段差Ｄが存在する。本実施例では、ゼラチン層の屈
折率ｎがｎ＝１．３〜１．４であることから、この段差
Ｄの高さｄをλを露光光の波長とした時にｄ＝λ／〔２
（ｎー１）〕に制御することで位相差を生じさせること
ができる。以下製造方法について説明する。
【００１２】図４〜図６は、銀塩含有のゼラチン乳化液
を使った位相シフターを有するハーフトーン型位相シフ
トマスクの作成方法を示す。図４に示すように、露光光
に対して透明な透明基板３上に、銀塩含有のゼラチン乳
化液を塗布し、マスク（図示せず）を用いて露光するこ
とにより未露光部領域Ｍと露光部領域Ｎとを形成する。
を使った位相シフターを有するハーフトーン型位相シフ
トマスクの作成方法を示す。図４に示すように、露光光
に対して透明な透明基板３上に、銀塩含有のゼラチン乳
化液を塗布し、マスク（図示せず）を用いて露光するこ
とにより未露光部領域Ｍと露光部領域Ｎとを形成する。
【００１３】この際、銀塩含有のゼラチン乳化液を塗布
して膜厚Ｃが４μｍに調整された銀塩含有のゼラチン層
４を形成し、次いで、光源としてｇ線フィルタを使用
し、露光光５を、露光量として１５０Ｌｘで２秒間照射
し、銀塩含有のゼラチン層４を露光する。次いで、現像
液で処理した後定着を行う（図５、図６参照）。
して膜厚Ｃが４μｍに調整された銀塩含有のゼラチン層
４を形成し、次いで、光源としてｇ線フィルタを使用
し、露光光５を、露光量として１５０Ｌｘで２秒間照射
し、銀塩含有のゼラチン層４を露光する。次いで、現像
液で処理した後定着を行う（図５、図６参照）。
【００１４】この際、まず、原液（コニカ製のハイドロ
キノンを主成分とするＣＤＨ１００を使用）：純水＝
１：４のＨＲＰ（ハイ・レゾリューション・プレート）
現像液を用いて、２０℃、２１０秒間のディップ現像を
行った後停止を純水を用いた状態で２０℃、１８０秒間
行い、続いて、ＨＲＰ定着液を用いて、２０℃、１８０
秒間定着を行い、その後、２０℃、１８０秒間純水を用
いて水洗いを行った。また、露光光５を上記のように設
定した結果、銀塩含有のゼラチン層４が還元されて黒化
した銀塩２の透過率が１６％になるように調節できる。
この露光部領域Ｎにある銀塩含有のゼラチン層４が還元
されて黒化される程度は、図４の露光光５の露光量に比
例する。
キノンを主成分とするＣＤＨ１００を使用）：純水＝
１：４のＨＲＰ（ハイ・レゾリューション・プレート）
現像液を用いて、２０℃、２１０秒間のディップ現像を
行った後停止を純水を用いた状態で２０℃、１８０秒間
行い、続いて、ＨＲＰ定着液を用いて、２０℃、１８０
秒間定着を行い、その後、２０℃、１８０秒間純水を用
いて水洗いを行った。また、露光光５を上記のように設
定した結果、銀塩含有のゼラチン層４が還元されて黒化
した銀塩２の透過率が１６％になるように調節できる。
この露光部領域Ｎにある銀塩含有のゼラチン層４が還元
されて黒化される程度は、図４の露光光５の露光量に比
例する。
【００１５】このようにして、図６に示すように、銀成
分を含まないゼラチン層１とゼラチン層４が還元されて
黒化した銀塩２との間に銀塩２に対して高さがｄの段差
Ｄが形成される。この高さｄをｄ＝λ／〔２（ｎー
１）〕に設定することでπの位相差を生じさせることが
できる。このように銀塩含有のゼラチン層４の露光部と
未露光部との間に形成される段差Ｄを形成するために
は、現像・定着の両処理時に未露光部の銀が除去され後
退するという性質を利用している。
分を含まないゼラチン層１とゼラチン層４が還元されて
黒化した銀塩２との間に銀塩２に対して高さがｄの段差
Ｄが形成される。この高さｄをｄ＝λ／〔２（ｎー
１）〕に設定することでπの位相差を生じさせることが
できる。このように銀塩含有のゼラチン層４の露光部と
未露光部との間に形成される段差Ｄを形成するために
は、現像・定着の両処理時に未露光部の銀が除去され後
退するという性質を利用している。
【００１６】このようにして銀塩含有のゼラチン乳化液
を使った位相シフターを有するハーフトーン型位相シフ
トマスクが形成される。このハーフトーン型位相シフト
マスクおいては、図２のマスク上の光の振幅分布の形状
や、図３のウエハ上の光強度分布の形状から、ゼラチン
の優れた透過率のためｉ線以下の短波長の光にも対応で
き、位相シフト効果の幅を拡大できることが分かる。
を使った位相シフターを有するハーフトーン型位相シフ
トマスクが形成される。このハーフトーン型位相シフト
マスクおいては、図２のマスク上の光の振幅分布の形状
や、図３のウエハ上の光強度分布の形状から、ゼラチン
の優れた透過率のためｉ線以下の短波長の光にも対応で
き、位相シフト効果の幅を拡大できることが分かる。
【００１７】すなわち、図２から、未露光部領域Ｍにあ
る銀成分を含まないゼラチン層１における光の振幅の方
が露光部領域Ｎにある、ゼラチン層４が還元されて黒化
した銀塩２における光の振幅より突出していることが分
かる。また、図３から、未露光部領域Ｍにある銀成分を
含まないゼラチン層１における光強度の方が露光部領域
Ｎにある、ゼラチン層４が還元されて黒化した銀塩２に
おける光強度より突出していることが分かる。
る銀成分を含まないゼラチン層１における光の振幅の方
が露光部領域Ｎにある、ゼラチン層４が還元されて黒化
した銀塩２における光の振幅より突出していることが分
かる。また、図３から、未露光部領域Ｍにある銀成分を
含まないゼラチン層１における光強度の方が露光部領域
Ｎにある、ゼラチン層４が還元されて黒化した銀塩２に
おける光強度より突出していることが分かる。
【００１８】なお、上記実施例ではハーフトーン型位相
シフトマスクの位相シフターに銀塩含有のゼラチン乳化
液を使ったものを示したが、従来のＣｒパターンの上に
この発明の方法で銀塩含有のゼラチン乳化液を塗布して
位相シフターを形成してなるレベンソン型位相シフトマ
スクを作成することも可能である。また、上記実施例の
ハーフトーン型位相シフトマスクの露光部に形成された
銀塩含有のゼラチン層が還元されて黒化した銀塩の透過
率を脱色剤を用いることにより１６％から１００％にす
ることで透過型の位相シフトマスクを作成することも可
能である。
シフトマスクの位相シフターに銀塩含有のゼラチン乳化
液を使ったものを示したが、従来のＣｒパターンの上に
この発明の方法で銀塩含有のゼラチン乳化液を塗布して
位相シフターを形成してなるレベンソン型位相シフトマ
スクを作成することも可能である。また、上記実施例の
ハーフトーン型位相シフトマスクの露光部に形成された
銀塩含有のゼラチン層が還元されて黒化した銀塩の透過
率を脱色剤を用いることにより１６％から１００％にす
ることで透過型の位相シフトマスクを作成することも可
能である。
【００１９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、銀塩含
有のゼラチン乳化液を位相シフターの材料として利用す
ることにより位相シフトマスクの複雑な作成工程が簡略
化されるとともに、位相シフターの表面汚染を防止でき
る。また、ゼラチンの優れた透過率のためｉ線以下の短
波長の光にも対応でき、位相差を自在に調節できて位相
シフト効果の幅を拡大できる効果がある。さらに、パタ
ーン部の露光部領域にある銀塩含有のゼラチン層が還元
されて黒化した銀塩の濃度も自在に調節できる利点を有
する。
有のゼラチン乳化液を位相シフターの材料として利用す
ることにより位相シフトマスクの複雑な作成工程が簡略
化されるとともに、位相シフターの表面汚染を防止でき
る。また、ゼラチンの優れた透過率のためｉ線以下の短
波長の光にも対応でき、位相差を自在に調節できて位相
シフト効果の幅を拡大できる効果がある。さらに、パタ
ーン部の露光部領域にある銀塩含有のゼラチン層が還元
されて黒化した銀塩の濃度も自在に調節できる利点を有
する。
【図１】この発明の一実施例を示す構成説明図である。
【図２】上記実施例のゼラチンを位相シフターの材料と
したハーフトーン型位相シフトマスクにおけるマスク上
の光の振幅分布を示す特性図である。
したハーフトーン型位相シフトマスクにおけるマスク上
の光の振幅分布を示す特性図である。
【図３】上記実施例のゼラチンを位相シフターの材料と
したハーフトーン型位相シフトマスクにおけるウエハ上
の光強度分布を示す特性図である。
したハーフトーン型位相シフトマスクにおけるウエハ上
の光強度分布を示す特性図である。
【図４】上記実施例の形成方法の第１ステップを示す構
成説明図である。
成説明図である。
【図５】上記実施例の形成方法の第２ステップを示す構
成説明図である。
成説明図である。
【図６】上記実施例の形成方法の第３ステップを示す構
成説明図である。
成説明図である。
１ 銀成分を含まないゼラチン層 ２ 銀塩含有のゼラチン層が還元されて黒化した銀塩 ３ 露光光に対して透明なガラス基板 ４ 銀塩含有のゼラチン層 ５ 露光光 Ｍ 未露光部領域 Ｎ 露光部領域 Ｄ 段差
Claims (3)
- 【請求項１】 露光光に対して透明な透明基板と、その
上に形成される光の位相を反転させる位相シフターから
なり、 その位相シフターは、透明基板上の未露光部領域に設け
られた銀成分を含まないゼラチン層と、未露光部領域に
隣接した露光部領域に上記ゼラチン層とは段差を有して
設けられた銀塩含有ゼラチン層からなる位相シフトマス
ク。 - 【請求項２】 位相シフターが、Ｃｒ膜と、Ｃｒ膜上に
形成された少なくとも銀成分を含まないゼラチン層から
なる請求項１による位相シフトマスク。 - 【請求項３】 露光光に対して透明な透明基板上に、銀
塩含有のゼラチン乳化液を塗布し、マスクを用いて露光
することにより未露光部領域と露光部領域とを形成し、
次いで、現像液で処理して未露光部領域から銀塩を除去
することにより、露光部領域に対して段差を有し、かつ
銀成分を含有しないゼラチン層を形成することからなる
位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1678592A JPH05210231A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1678592A JPH05210231A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05210231A true JPH05210231A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11925843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1678592A Pending JPH05210231A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05210231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0876351A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクおよびその作製方法 |
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| EP2099050A3 (en) * | 2002-12-27 | 2009-10-07 | Fujifilm Corporation | Method for producing a metallic silver pattern on a transparent substrate and manufacture of a light-transmitting electromagnetic wave-shielding film |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP1678592A patent/JPH05210231A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0876351A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクおよびその作製方法 |
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US7125651B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device optical mask therefor, its manufacturing method, and mask blanks |
| EP2099050A3 (en) * | 2002-12-27 | 2009-10-07 | Fujifilm Corporation | Method for producing a metallic silver pattern on a transparent substrate and manufacture of a light-transmitting electromagnetic wave-shielding film |
| US8492296B2 (en) | 2002-12-27 | 2013-07-23 | Fujifilm Corporation | Method for producing light-transmitting electromagnetic wave-shielding film, light-transmitting electromagnetic wave-shielding film and plasma display panel using the shielding film |
| US9034419B2 (en) | 2002-12-27 | 2015-05-19 | Fujifilm Corporation | Method for producing light-transmitting electromagnetic wave-shielding film, light-transmitting electromagnetic wave-shielding film and plasma display panel using the shielding film |
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