JPS5822854B2 - カデンリユウシソウサケンビキヨウ - Google Patents
カデンリユウシソウサケンビキヨウInfo
- Publication number
- JPS5822854B2 JPS5822854B2 JP49083859A JP8385974A JPS5822854B2 JP S5822854 B2 JPS5822854 B2 JP S5822854B2 JP 49083859 A JP49083859 A JP 49083859A JP 8385974 A JP8385974 A JP 8385974A JP S5822854 B2 JPS5822854 B2 JP S5822854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- horizontal
- deflection
- electromagnetic field
- distortion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 38
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 29
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 21
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 241001417527 Pempheridae Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910000595 mu-metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は走査型電子顕微鏡のような荷電粒子走査顕微鏡
、特に本発明は荷電粒子ビームに対する外界干渉を補償
する装置に関連する。
、特に本発明は荷電粒子ビームに対する外界干渉を補償
する装置に関連する。
本発明によって解決される問題は、走査型電子顕微鏡の
ような荷電粒子走査装置を高培率で使用する時に遭遇す
る一種の可視波形歪である。
ような荷電粒子走査装置を高培率で使用する時に遭遇す
る一種の可視波形歪である。
この歪は時間的に反復する電界又は磁界によって起こる
も。
も。
ので、顕微鏡内に荷電粒子ビームの望ましくない歪を生
じる。
じる。
このような外界の影響は当然電界又は磁界の強さと方向
によって顕微鏡に種々の影響を与える。
によって顕微鏡に種々の影響を与える。
例えば、走査型電子顕微鏡が使用されている研究室内で
60Hzの電力線に接続されたはんだごて又はコーヒー
沸かし等に通電するとこの附近VC60Hz電磁界を生
じる。
60Hzの電力線に接続されたはんだごて又はコーヒー
沸かし等に通電するとこの附近VC60Hz電磁界を生
じる。
これらの電磁界の影響に対するこの電子線の感度のだめ
、電子線は所定進路から変位される。
、電子線は所定進路から変位される。
この例で′″コーヒー沸しの電磁界”と“はんだとての
電磁界″との組合せは合成電値界を生じる。
電磁界″との組合せは合成電値界を生じる。
一時的に通電される研究室内の他の装置は同様に室内の
全電磁場に影響する。
全電磁場に影響する。
60Hz電力線によるこれらの装置の通電、及び室内の
人口の存在もビームの電磁界干渉に影響を与える。
人口の存在もビームの電磁界干渉に影響を与える。
電子線に対するこの電磁界の全影響は、外部電磁界の周
期的測定装置と、走査中のビーム偏向を制御する装置と
を組込んだ本発明の装置を使用することにより補償され
歪を除去することができる。
期的測定装置と、走査中のビーム偏向を制御する装置と
を組込んだ本発明の装置を使用することにより補償され
歪を除去することができる。
上記の歪問題を解決する従来技術は外部電磁界から電子
線を避蔽する方法であった。
線を避蔽する方法であった。
この方法は高価な材料(例えばミューメタル)を多量に
必要とし又他の難点もある。
必要とし又他の難点もある。
他の解決法は顕微鏡の周囲に広い無電磁界領域を設ける
方法であった。
方法であった。
この広い無電磁界領域は例えばヘルムホルツ・コイルで
得られ、これは研究室の作業地域を包囲する大型装置で
ある。
得られ、これは研究室の作業地域を包囲する大型装置で
ある。
この大型コイルは寸法、価額、及び不完全な総合性能の
点で問題がある。
点で問題がある。
外部電磁界と歪の問題に対する本発明による解決は、外
部電磁界によって起こる電子線扁位を補償するだめビー
ム偏向走査制御装置に印加される負又は反対の信号を生
じる波形発生器を使用することで得られる。
部電磁界によって起こる電子線扁位を補償するだめビー
ム偏向走査制御装置に印加される負又は反対の信号を生
じる波形発生器を使用することで得られる。
これらの修正信号は外部電磁界と同期して発生され、こ
の修正信号出力を正常電子線偏向信号に加えることによ
って電子線の全電磁界同期回向をゼロにすることができ
る。
の修正信号出力を正常電子線偏向信号に加えることによ
って電子線の全電磁界同期回向をゼロにすることができ
る。
本発明の好適実施例の装置は、顕微鏡の60へ。
ルツ電源と同期されるように(例えば走査型電子顕微鏡
の同期/走査制御装置で発生される60ヘルツの垂直走
査同期パルスを介して)任意に選択された2個の波形関
数発生器を有する。
の同期/走査制御装置で発生される60ヘルツの垂直走
査同期パルスを介して)任意に選択された2個の波形関
数発生器を有する。
この一方の関数発生器は歪の一成分(垂直)を修正する
もので、他の関数発生器は他の直角成分(水平)を修正
するものである。
もので、他の関数発生器は他の直角成分(水平)を修正
するものである。
各関数発生器は外部干渉波形によって生じるビーム歪に
対し位相が逆で振幅が等しい波形を与えるように通常手
動でプログラム即ち調整することができる。
対し位相が逆で振幅が等しい波形を与えるように通常手
動でプログラム即ち調整することができる。
上記関数発生器は。24個の電位差計からなり、それぞ
れ正及び負の電圧源に接続される。
れ正及び負の電圧源に接続される。
従って各電位差計は各ワイパに電源電圧限界内で正又は
負の出力電圧を与えるように調整できる。
負の出力電圧を与えるように調整できる。
各ワイパは上記波形を同期して動作する多重スイッチの
入力端に接続される。
入力端に接続される。
この電位差計の順次走査で得られる段付電圧波形はフィ
ルタを通して平滑化され、誤差を修正するためビーム偏
向コイル回路に供給される。
ルタを通して平滑化され、誤差を修正するためビーム偏
向コイル回路に供給される。
ビーム歪の修正は、先づ同期−走査制御装置の垂直掃引
部からビーム偏向装置の垂直偏向コイル7への入力を一
時停止することから始める。
部からビーム偏向装置の垂直偏向コイル7への入力を一
時停止することから始める。
この一時停止によりビームは連続的に固定水平方向に同
一線上を反覆走査するので、普通の陰極線管の可視出力
モニタ上には、外部電磁界による水平ビーム偏向が広い
垂直帯域内の揺れ又は波状曲線の歪として表示される。
一線上を反覆走査するので、普通の陰極線管の可視出力
モニタ上には、外部電磁界による水平ビーム偏向が広い
垂直帯域内の揺れ又は波状曲線の歪として表示される。
又ビーム扁向即ち歪がなげれば直線状表示が現われる。
次いで個々の電位計を調整してこのビーム偏向回路に対
する入力電圧を変えることにより、総ての揺れがほぼ完
全に除去され、歪を修正することができる。
する入力電圧を変えることにより、総ての揺れがほぼ完
全に除去され、歪を修正することができる。
次に他の直角偏向装置に対しても(″水平方向゛′干渉
を補償するため)同一操作が行われる。
を補償するため)同一操作が行われる。
本発明装置では上記のように荷電粒子走査線に及ぼす外
部電磁界の影響を″相殺する″関数波形を発生する。
部電磁界の影響を″相殺する″関数波形を発生する。
本発明の一特徴によれば、被検試料上に荷電粒子織が集
束ビームとして入射される荷電粒子線走査装置の改良が
行われる。
束ビームとして入射される荷電粒子線走査装置の改良が
行われる。
このビームは所定のパターン(即ちラスタ)で試料を走
査し、又走査された試料表面にある荷電粒子数を記録す
る装置が設けられる。
査し、又走査された試料表面にある荷電粒子数を記録す
る装置が設けられる。
本発明の改良装置は、外部電磁界による所定位置のビー
ム偏向を測定する装置、外部電磁界によるビーム偏向に
対して相補的なビーム走査修正信号を発生する装置、及
びビーム走査装置にビーム修正信号を印加する装置を有
する。
ム偏向を測定する装置、外部電磁界によるビーム偏向に
対して相補的なビーム走査修正信号を発生する装置、及
びビーム走査装置にビーム修正信号を印加する装置を有
する。
従って本発明の一目的は荷電粒子走査型顕微鏡を提供す
ることKある。
ることKある。
他の一目的は、顕微鏡に容易にプログラムされるビーム
偏向補償を特徴とする走査型顕微鏡を提供することにあ
る。
偏向補償を特徴とする走査型顕微鏡を提供することにあ
る。
更に他の一目的は、電界又は磁界環境を変化するだめ容
易に調整でき、か2走査型顕微鏡に使用されるビーム偏
向補償装置を提供することにある。
易に調整でき、か2走査型顕微鏡に使用されるビーム偏
向補償装置を提供することにある。
本発明の他の目的と利点とは添付図面による下記の詳細
な説明から明らかであろう。
な説明から明らかであろう。
第1図の数字10は、本出願人の有する米国特許第36
78333号に詳述されている電界放出走査型電子顕微
鏡を示す。
78333号に詳述されている電界放出走査型電子顕微
鏡を示す。
一般にこのような走査型顕微鏡は、試料16上のスポラ
I・として検束される荷電粒子ビーム14の発生源とな
る電界放出先端12を有する。
I・として検束される荷電粒子ビーム14の発生源とな
る電界放出先端12を有する。
図示の実施例では電界放出先端12は、部分的高真空(
例えば10−10mmHg )下に電圧装置18で大き
な角電位が印加されて電子ビームを生じる。
例えば10−10mmHg )下に電圧装置18で大き
な角電位が印加されて電子ビームを生じる。
この電子ビームは電圧装置22から適当な加速電圧が印
加される陽極20によって集束される。
加される陽極20によって集束される。
集束ビーム14は偏向−収差除去器(stigm−at
or )24によって走査される。
or )24によって走査される。
試料16に関する情報は、試料から放射される荷電粒子
、例えば、透過電子、二次電子、反射電子、吸収電子、
光子X線、正イオン等、入射ビームによって発生されれ
る個々又は全部の粒子を検出することによって得られる
。
、例えば、透過電子、二次電子、反射電子、吸収電子、
光子X線、正イオン等、入射ビームによって発生されれ
る個々又は全部の粒子を検出することによって得られる
。
例えばシンチレーション型装置の検出器26は上記粒子
の一つの存在を検出するのにしばしば使用される。
の一つの存在を検出するのにしばしば使用される。
この検出器26は粒子の衝撃を光信号に変換し更に(例
えば光電子倍管30で電気的信号に変換する。
えば光電子倍管30で電気的信号に変換する。
この電気的信号は次に同期的に走査される表示装置32
(例えば陰極線管の輝度を変調するのに使用される。
(例えば陰極線管の輝度を変調するのに使用される。
表示装置32と収差除去器24は通常同期−走査制御装
置34の掃引発振器によって駆動され、この制御装置3
4は試料16上のビーム14の運動と表示装置即ちモニ
タ32上の表示とに同期を与える水平掃引部24Hと垂
直掃引部34Vとを有する。
置34の掃引発振器によって駆動され、この制御装置3
4は試料16上のビーム14の運動と表示装置即ちモニ
タ32上の表示とに同期を与える水平掃引部24Hと垂
直掃引部34Vとを有する。
収差除去器24は一対の偏向コイル(公知のだめ図面省
略)を含み、この除去器24の一方のコイルは垂直コイ
ルと呼ばれ垂直掃引部34Vで駆動されるから試料表面
に沿いビーム14を直角方向に制御できる。
略)を含み、この除去器24の一方のコイルは垂直コイ
ルと呼ばれ垂直掃引部34Vで駆動されるから試料表面
に沿いビーム14を直角方向に制御できる。
他方のコイルは水平コイルと呼ばれ水平掃引部34Hで
駆動される。
駆動される。
上記のように、通常の歪の問題は普通の電源装置によっ
て発生され、この電源装置は一定周波数であるから直接
修正できる。
て発生され、この電源装置は一定周波数であるから直接
修正できる。
図示の実施例は60ヘルツの修正をするものであるから
米国で使用さ。
米国で使用さ。
れる60ヘルツ電源装置に用いられる。
上記一定周波数(例えば60ヘルツ)の歪に対する直接
修正信号は関数発生器36Vと36Hとにより印加され
、これら関数発生器は同期−走査制御装置34に同期さ
れる。
修正信号は関数発生器36Vと36Hとにより印加され
、これら関数発生器は同期−走査制御装置34に同期さ
れる。
勿論、修正すべき固定周波数歪が主電源周波数と異なる
場合には、関数発生器36に別の周波数源が必要である
。
場合には、関数発生器36に別の周波数源が必要である
。
第2図は、垂直部36Vと水平部36Hとを含む関数発
生器36の詳細が示される。
生器36の詳細が示される。
この関数発生器の各部は独立に調整できる電圧源のバン
ク、即ち垂直部36Vはv7.v2→vN、又は水平部
36HばHl、H2→HNを含む。
ク、即ち垂直部36Vはv7.v2→vN、又は水平部
36HばHl、H2→HNを含む。
図示のよりに電圧源vNとHNは電源38.40で駆動
される可変電位差計で、これらの両電圧源は共通の電源
を使用してもよく、各電圧源vNとHNはそれぞれ独立
して切換装置42Vと42H及びフィルタ44Vと44
Hを経て収差除去器24の垂直及び水平コイルに接続さ
れる。
される可変電位差計で、これらの両電圧源は共通の電源
を使用してもよく、各電圧源vNとHNはそれぞれ独立
して切換装置42Vと42H及びフィルタ44Vと44
Hを経て収差除去器24の垂直及び水平コイルに接続さ
れる。
切換装置42V及び42Hは集束ビーム14とモニタ3
2との同期−走査制御装置24に応動する装置46Vと
46Hで制御される。
2との同期−走査制御装置24に応動する装置46Vと
46Hで制御される。
この応動装置46V及び46Hによって切換装置42V
及び42Hは修正すべき歪の周波数に応じて再循環動作
される。
及び42Hは修正すべき歪の周波数に応じて再循環動作
される。
従って干渉電磁界周皮数の各サイクルに対して一定の修
正信号がビーム掃引部に印加され、各修正信号は歪周波
数の全サイクルのI/Hの期間だけ印加される。
正信号がビーム掃引部に印加され、各修正信号は歪周波
数の全サイクルのI/Hの期間だけ印加される。
図示の実施例では、電圧印加装置(切換装置42)は同
期−走査制御装置34で再循環動作されるので60ヘル
ツの歪修正に対しては全修正信号は1/60秒毎に印加
される(第2図)。
期−走査制御装置34で再循環動作されるので60ヘル
ツの歪修正に対しては全修正信号は1/60秒毎に印加
される(第2図)。
後述の実施例では24個の独立した電圧調整装置として
電位差計(■8.HN)が使用されるので、24個の区
分修正信号がビーム14の水平及び垂直走査部に印加さ
れる。
電位差計(■8.HN)が使用されるので、24個の区
分修正信号がビーム14の水平及び垂直走査部に印加さ
れる。
歪修正を行うだめに選択された特定モードは下記に説明
する。
する。
本発明の実施例を前記米国特許に記載されている型式の
走査型電子顕微鏡に組込んだものとして第3図に示す。
走査型電子顕微鏡に組込んだものとして第3図に示す。
第3図の回路で印加される修正信号の効果は第4図に示
される。
される。
第4図はモニタ32の表示面を示しX線50はテレビジ
ョン型陰極線管モニタの通常の水平走査線を示す。
ョン型陰極線管モニタの通常の水平走査線を示す。
動作中にビーム14が受ける外界(電界又は磁界)の影
響のためこのビームは水平又は垂直方向(普通両方向同
時)に偏向される。
響のためこのビームは水平又は垂直方向(普通両方向同
時)に偏向される。
ビームが偏向されると、ビームの指示位置とモニタ32
の掃引部で得られる画像はビーム14の所望位置を反映
しない。
の掃引部で得られる画像はビーム14の所望位置を反映
しない。
第4図は垂直走査中に外界の影響を受けた水平歪の性質
を示すい この例ではビームの垂直走査は一時停止される(例えば
垂直掃引部34Vから垂直偏向コイルへの人力をオフに
して)。
を示すい この例ではビームの垂直走査は一時停止される(例えば
垂直掃引部34Vから垂直偏向コイルへの人力をオフに
して)。
水平走査によってビーム14は試料の同一線上を水平方
向に反鏡走査し、モニタ32はビーム14の垂直走査が
一時停止されたまま全画像をつくる。
向に反鏡走査し、モニタ32はビーム14の垂直走査が
一時停止されたまま全画像をつくる。
従ってこのモニタ表示はビーム14の固定水平走査中に
検出された信号を表わす一本の垂直線52になる。
検出された信号を表わす一本の垂直線52になる。
水平歪がないと仮定すると、歪のないビーム14は試料
を左から右へ一本の直線通路で走査するので線52は直
線となり、又同じ相対水平位置に反覆信号を与え、この
信号はモニタ32上に垂鶴≠−亡て表示される。
を左から右へ一本の直線通路で走査するので線52は直
線となり、又同じ相対水平位置に反覆信号を与え、この
信号はモニタ32上に垂鶴≠−亡て表示される。
図示の波状線は、試料の被検査区域を左か・ら右に水平
方向に走査するビームに重畳した外部電磁界の影響によ
って、この区域の上部から下部までの表示間に、偏向を
生じた結果発生したものである。
方向に走査するビームに重畳した外部電磁界の影響によ
って、この区域の上部から下部までの表示間に、偏向を
生じた結果発生したものである。
本発明は、特定の偏向コイルに印加すべきビーム直線化
信号を発生することにより、外界の干渉。
信号を発生することにより、外界の干渉。
による図示のようなビーム偏向を修正するものである。
全垂直ラホタ内のビームの各水平掃引に対する修正信号
を発生する必要がないことは確認できた。
を発生する必要がないことは確認できた。
その代りに上記走査型電子顕微鏡の約12oO本のラス
タは、モニタ32の掃引群はSGI =24で示すよう
な24区分に分割する。
タは、モニタ32の掃引群はSGI =24で示すよう
な24区分に分割する。
従って正又は負(即ち左又は右)のビーム移動関数は、
外界の影響による望ましくない水平偏向を修正するため
、これらの24の各掃引群に対して発生される。
外界の影響による望ましくない水平偏向を修正するため
、これらの24の各掃引群に対して発生される。
ビームが各掃引群SGを走査する時各ビーム移動関数が
発生してビーム14に印加されるので、上記の波状線5
2は直線になる。
発生してビーム14に印加されるので、上記の波状線5
2は直線になる。
第3図の回路に関する下記の説明は、各掃引群SGのビ
ーム関数がどのように決定されかつ印加されるかを示す
。
ーム関数がどのように決定されかつ印加されるかを示す
。
各掃引群SGは関連するビーム位置修正器VNj HN
。
。
を有しこれは運営電圧源62から結電される電位差計6
0である。
0である。
掃引群に対する各ビーム歪修正関数は特定の電位差計の
電圧として発生され、切換装置42Hと42Vを経てビ
ーム掃引部に印加される。
電圧として発生され、切換装置42Hと42Vを経てビ
ーム掃引部に印加される。
図示の実施例では、例えばFairchild 。S
em 1conductor Corporatio
n jNat 1onalS em 1conduct
or Corporation又は5ilicox社の
370S型のような半導体多重スイッチ64が使用され
る。
em 1conductor Corporatio
n jNat 1onalS em 1conduct
or Corporation又は5ilicox社の
370S型のような半導体多重スイッチ64が使用され
る。
選択されたスイッチは8チヤンネルの容量を有し、他の
2個のスイッチと接続され、各水平及び垂直関数発生器
36Hと36Vの24個の電位差計の切換えを行う。
2個のスイッチと接続され、各水平及び垂直関数発生器
36Hと36Vの24個の電位差計の切換えを行う。
更に各スイッチ64は8個の電位差計60に接続される
。
。
公知の論理回路66はこれらのスイッチを順次可能化(
ena−ble)して作動させ、次に特定の偏向コイル
(収。
ena−ble)して作動させ、次に特定の偏向コイル
(収。
差除去器24内の)に各ビーム歪修正関数を連続的に送
る。
る。
従って各スイッチ54の出力は特定の偏向コイルの、駆
動増幅器68に供給される。
動増幅器68に供給される。
電位差計60の出力は掃引群に対する階段関数で、又次
の順番の電位差計(例えばVl からv2へ等)に急流
に移動するから、線52の相補的波形に近似させるため
この移動を平滑にすることが望ましい。
の順番の電位差計(例えばVl からv2へ等)に急流
に移動するから、線52の相補的波形に近似させるため
この移動を平滑にすることが望ましい。
従ってフィルタ44が第3図の回路に設けられる。
又一方の副回路が他の副回路に電気的影響を与えないよ
うに種々の副回路(切換装置42、フィルタ44等)を
独立させるため分離用増幅器、例えばスイッチ分離器と
して増幅器70S、又フィルタ分離器として増幅器70
Fが設けられる。
うに種々の副回路(切換装置42、フィルタ44等)を
独立させるため分離用増幅器、例えばスイッチ分離器と
して増幅器70S、又フィルタ分離器として増幅器70
Fが設けられる。
切換装置42は1/60秒毎に(上記60ヘルツの修正
装置では)1面々のプログラムによって連続動作される
ように同期−走査制御装置34に同期される。
装置では)1面々のプログラムによって連続動作される
ように同期−走査制御装置34に同期される。
従って上記の各垂直及び水平関数発生器、即ち36V及
び36Hは試料16とモニタ32の掃引開始で始動され
る。
び36Hは試料16とモニタ32の掃引開始で始動され
る。
カウンタ即ち計数器AとBは発生器36Vと36Hを制
御装置34に接続し、又掃引群のビーム歪修正のだめ各
スイッチを連続作動させる。
御装置34に接続し、又掃引群のビーム歪修正のだめ各
スイッチを連続作動させる。
計数器Aは垂直及び水平同期制御装置(34Vと34H
)に接続され、掃引群SGを1から24まで計数し、又
適当に切換装置42v1−3及び42 Hl−、を選択
し、これらの切換装置によって前記のように特定の偏向
コイルに独立したビーム歪修正関数が供給されろ。
)に接続され、掃引群SGを1から24まで計数し、又
適当に切換装置42v1−3及び42 Hl−、を選択
し、これらの切換装置によって前記のように特定の偏向
コイルに独立したビーム歪修正関数が供給されろ。
計数器Bは水平同期制御装置34Hと計数器Aに接続さ
れ、水平掃引群を計数して各掃引群を識別し、この情報
を計数器Aに供給して各掃引群を連続作動させる。
れ、水平掃引群を計数して各掃引群を識別し、この情報
を計数器Aに供給して各掃引群を連続作動させる。
ビーム修正に関しては第3図に示される垂直関数発生器
36Vについて上記に説明した。
36Vについて上記に説明した。
第3図の回路の下部は水平関数発生器36Hを示し、こ
れは実質的に上記の関数発生器36Vと同一である。
れは実質的に上記の関数発生器36Vと同一である。
垂直歪の影響を測定するだめ、ビーム14は垂直走査が
一時停止され代りに水平走査信号で試料を垂直に走査す
る。
一時停止され代りに水平走査信号で試料を垂直に走査す
る。
しかし垂直方向の掃引群の選択と修正の便宜上、垂直方
向は水平掃引速度で走査されモニタ32上に水平表示(
前と同様)される。
向は水平掃引速度で走査されモニタ32上に水平表示(
前と同様)される。
又電位差計60のHに波状線52を直線にするように調
整され、修正完了と同時に顕微鏡は正常動作に戻り、計
数器A及びBは各掃引群に対する個々の水平及び垂直ビ
ーム歪関数を連続的に送る。
整され、修正完了と同時に顕微鏡は正常動作に戻り、計
数器A及びBは各掃引群に対する個々の水平及び垂直ビ
ーム歪関数を連続的に送る。
ビーム歪の修正は一時に直角方向の一方向のみで達成さ
nるので、発生の恐れのある他軸に対する影響を除去し
、又は試料の表面効果を修正するため垂直又は水平関数
修正の測定を反覆する必要がある。
nるので、発生の恐れのある他軸に対する影響を除去し
、又は試料の表面効果を修正するため垂直又は水平関数
修正の測定を反覆する必要がある。
勿論、歪修正はモニタ32のラスタを基準にして行われ
、水平線掃引線の各群に対して修正が行われる。
、水平線掃引線の各群に対して修正が行われる。
便宜上上記掃引はその持続時間も距離も短いから、水平
−向は掃引群SGの全水平掃引に対して一元的に修正さ
れると仮定する。
−向は掃引群SGの全水平掃引に対して一元的に修正さ
れると仮定する。
もしこの仮定がある型式の歪に対して成立しないことが
判明した場合には、水平掃引は複数の走査群に分割され
、又修正信号はこの分割によって印加されよう。
判明した場合には、水平掃引は複数の走査群に分割され
、又修正信号はこの分割によって印加されよう。
しかし任意関数発生器(時間的又は空間的に発生される
)が、関数発生器(水平部)36Hの計数器AとBの機
能に代るだめには顕微鏡内に組込まれるべきであろう。
)が、関数発生器(水平部)36Hの計数器AとBの機
能に代るだめには顕微鏡内に組込まれるべきであろう。
この修正用回路は垂直パターンの各水平掃引の同一性と
、これに伴う修正信号印加の容易性を利用することによ
り大幅に単純化される。
、これに伴う修正信号印加の容易性を利用することによ
り大幅に単純化される。
同様に、掃引群SGの数は各線50を一群にすることを
含み任意の数に設定できる。
含み任意の数に設定できる。
勿論、計算機を利用すれば発生される個々の関数の記憶
と、個々のビーム歪修正信号の連続的印加は容易に行わ
れる。
と、個々のビーム歪修正信号の連続的印加は容易に行わ
れる。
本発明の実施の態様を列挙すれば下記の通りである。
■ ビーム走査装置が、はぼ直角方向に走査ビームを偏
向する装置を含み、ビーム走査修正信号発生装置がスプ
リアスビーム偏向とほぼPI −及び反対方向の少くと
も一方に偏向修正を生じる装置と、上記走査ビーム偏向
装置に該修正信号を重畳する装置とを含むことを特徴と
する特許請求範囲の荷電粒子走査顕微鏡。
向する装置を含み、ビーム走査修正信号発生装置がスプ
リアスビーム偏向とほぼPI −及び反対方向の少くと
も一方に偏向修正を生じる装置と、上記走査ビーム偏向
装置に該修正信号を重畳する装置とを含むことを特徴と
する特許請求範囲の荷電粒子走査顕微鏡。
2 ビーム修正信号発生装置がビーム走査の区分識別装
置と、走査の各区分に対するビーム修正信号を発生する
装置とを含むことを特徴とする。
置と、走査の各区分に対するビーム修正信号を発生する
装置とを含むことを特徴とする。
上記第1項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
3 修正信号印加装置が走査の各区分に対する修正信号
を記憶する装置を含むことを特徴とする上記第2項記載
の荷電粒子走査顕微鏡。
を記憶する装置を含むことを特徴とする上記第2項記載
の荷電粒子走査顕微鏡。
4 修正信号印加装置が予め決められた順序に従って記
憶された修正信号を選択的に印加する装置を含むことを
特徴とする上記第3項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
憶された修正信号を選択的に印加する装置を含むことを
特徴とする上記第3項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
5 記録装置が走査表示装置C1その走査がビーム偏向
と同期されることを特徴とする、上記第4項記載の荷電
粒子走査顕微鏡。
と同期されることを特徴とする、上記第4項記載の荷電
粒子走査顕微鏡。
6 走査表示装置が陰極線管であることを特徴とする上
記第5項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
記第5項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
7 ビーム走査と陰極線管走査とが垂直配列で配置され
た複数の水平掃引線のラスクパターン内にあることを特
徴とする、上記第6項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
た複数の水平掃引線のラスクパターン内にあることを特
徴とする、上記第6項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
8 垂直配列を複数の走査群に分割する装置、本質的に
全ての走査群に対するビーム偏向の各直角方向のビーム
修正信号を発生する装置、及び上記ビームが該走査群に
よって走査される時上記ビーム偏向装置に選択的に修正
信号を印加する装置を含むことを特徴とする、上記第7
項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
全ての走査群に対するビーム偏向の各直角方向のビーム
修正信号を発生する装置、及び上記ビームが該走査群に
よって走査される時上記ビーム偏向装置に選択的に修正
信号を印加する装置を含むことを特徴とする、上記第7
項記載の荷電粒子走査顕微鏡。
9 修正信号印加装置がビーム走査装置及び表示装置走
査と同期されることを特徴とする、上記第8項記載の荷
電粒子走査顕微鏡。
査と同期されることを特徴とする、上記第8項記載の荷
電粒子走査顕微鏡。
第1図は本発明に使用される走査型電子顕微鏡のブロッ
ク形式の略示図、第2図は本発明による関数発生器のブ
ロック形式の略示図、第3図は第2図の関数発生器の好
適例の略示図で1、第4図は本発明によって行われる修
正を示す走査型電子顕微鏡モニタ表示を示す。 10・・・・・・電界放出走査型電子顕微鏡、12・・
・・・・電界放出先端、14・・・・・・集束ビーム、
16・・・・・・試料、24・・・・・偏向−収差除去
器、26・・・・・・検出器、32・・・・・・モニタ
、34・・・・・・同期−走査制御装置、42・・・・
・・切換装置、44・・・・・・フィルタ、46・・・
・・・応動装置、S G1−24・・・−・・掃引群、
60・・・・・・電位差計、36・・・・・・関数発生
器。
ク形式の略示図、第2図は本発明による関数発生器のブ
ロック形式の略示図、第3図は第2図の関数発生器の好
適例の略示図で1、第4図は本発明によって行われる修
正を示す走査型電子顕微鏡モニタ表示を示す。 10・・・・・・電界放出走査型電子顕微鏡、12・・
・・・・電界放出先端、14・・・・・・集束ビーム、
16・・・・・・試料、24・・・・・偏向−収差除去
器、26・・・・・・検出器、32・・・・・・モニタ
、34・・・・・・同期−走査制御装置、42・・・・
・・切換装置、44・・・・・・フィルタ、46・・・
・・・応動装置、S G1−24・・・−・・掃引群、
60・・・・・・電位差計、36・・・・・・関数発生
器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 荷電粒子源、荷電粒子をビームに集束する装置、該
ビームで顕微鏡内の試料を所定ラスタパターンで走査さ
せる装置、検出された荷電粒子に対応する信号を発生す
る装置を含む検出装置、及びL記試料の表面から放出さ
れる荷電粒子の検出を記録するため該検出装置に接続さ
れた記録装置を含む荷電粒子走査顕微鏡において: 上記ビームの望ましくない偏向を生じる外部電磁界の影
響を修正する波形関数発生器を有し、該波形関数発生器
は、所定のビーム位置の外部電磁界によるビーム偏向を
測定する装置;該ビーム幅向に対して相補的なビーム走
査修正信号を発生する装置;及び該ビーム走査修正信号
をビーム走査装置に印加する装置;を含み、このため上
記外部電磁界によるビーム偏向歪が検出され、又この歪
を除去する修正信号が発生されて上記走査装置に印加さ
れ、所定ラスタパターンで試料をビームが外部電磁界に
よるビーム偏向なしに走査することを特徴とする荷電粒
子走査顕微鏡。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US00382230A US3842272A (en) | 1973-07-24 | 1973-07-24 | Scanning charged particle microprobe with external spurious electric field effect correction |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5044769A JPS5044769A (ja) | 1975-04-22 |
| JPS5822854B2 true JPS5822854B2 (ja) | 1983-05-11 |
Family
ID=23508051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49083859A Expired JPS5822854B2 (ja) | 1973-07-24 | 1974-07-23 | カデンリユウシソウサケンビキヨウ |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3842272A (ja) |
| JP (1) | JPS5822854B2 (ja) |
| CA (1) | CA1013483A (ja) |
| DD (1) | DD113661A1 (ja) |
| DE (1) | DE2433999C2 (ja) |
| FR (1) | FR2239013B1 (ja) |
| GB (1) | GB1465518A (ja) |
| IT (1) | IT1016963B (ja) |
| NL (1) | NL178923C (ja) |
| SE (1) | SE389762B (ja) |
| SU (1) | SU572230A3 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5243058B2 (ja) * | 1974-04-22 | 1977-10-28 | ||
| JPH06105601B2 (ja) * | 1986-10-08 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| US5463268A (en) * | 1994-05-23 | 1995-10-31 | National Electrostatics Corp. | Magnetically shielded high voltage electron accelerator |
| US6714892B2 (en) * | 2001-03-12 | 2004-03-30 | Agere Systems, Inc. | Three dimensional reconstruction metrology |
| WO2018144690A1 (en) | 2017-02-03 | 2018-08-09 | Gatan, Inc. | Harmonic line noise correction for electron energy loss spectrometer |
| RU2678504C1 (ru) * | 2018-01-09 | 2019-01-29 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" | Устройство получения электронно-микроскопического изображения и локального элементного анализа радиоактивного образца методом электронной микроскопии в радиационно-защитной камере |
| TWI870972B (zh) | 2022-09-26 | 2025-01-21 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 帶電粒子束裝置的擾動補償 |
| WO2025149160A1 (en) | 2024-01-11 | 2025-07-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Disturbance compensation for charged particle beam devices |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE911056C (de) * | 1938-02-10 | 1954-05-10 | Siemens Ag | Elektronenmikroskop |
| US3588586A (en) * | 1968-04-26 | 1971-06-28 | Jeol Ltd | Apparatus for correcting electron beam deflection |
| US3549883A (en) * | 1968-10-07 | 1970-12-22 | Gen Electric | Scanning electron microscope wherein an image is formed as a function of specimen current |
| US3678333A (en) * | 1970-06-15 | 1972-07-18 | American Optical Corp | Field emission electron gun utilizing means for protecting the field emission tip from high voltage discharges |
-
1973
- 1973-07-24 US US00382230A patent/US3842272A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-07-15 DE DE2433999A patent/DE2433999C2/de not_active Expired
- 1974-07-17 CA CA204,960A patent/CA1013483A/en not_active Expired
- 1974-07-19 SE SE7409441A patent/SE389762B/xx unknown
- 1974-07-19 FR FR7425154A patent/FR2239013B1/fr not_active Expired
- 1974-07-22 DD DD180055A patent/DD113661A1/xx unknown
- 1974-07-23 JP JP49083859A patent/JPS5822854B2/ja not_active Expired
- 1974-07-23 NL NLAANVRAGE7409951,A patent/NL178923C/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-07-23 IT IT52237/74A patent/IT1016963B/it active
- 1974-07-24 GB GB3272574A patent/GB1465518A/en not_active Expired
- 1974-07-24 SU SU7402048236A patent/SU572230A3/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1465518A (en) | 1977-02-23 |
| US3842272A (en) | 1974-10-15 |
| NL7409951A (nl) | 1975-01-28 |
| SE389762B (sv) | 1976-11-15 |
| NL178923C (nl) | 1988-09-16 |
| DD113661A1 (ja) | 1975-06-12 |
| AU7148674A (en) | 1976-01-22 |
| CA1013483A (en) | 1977-07-05 |
| DE2433999C2 (de) | 1986-06-19 |
| FR2239013A1 (ja) | 1975-02-21 |
| FR2239013B1 (ja) | 1978-01-27 |
| SE7409441L (ja) | 1975-01-27 |
| JPS5044769A (ja) | 1975-04-22 |
| DE2433999A1 (de) | 1975-02-13 |
| IT1016963B (it) | 1977-06-20 |
| NL178923B (nl) | 1986-01-02 |
| SU572230A3 (ru) | 1977-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2969788B2 (ja) | イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置 | |
| US4220853A (en) | Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and arrangement for implementing the method | |
| US4220854A (en) | Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and apparatus for implementing the method | |
| US3833811A (en) | Scanning electron microscope with improved means for focusing | |
| JPS5822854B2 (ja) | カデンリユウシソウサケンビキヨウ | |
| JP3101114B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| GB1000560A (en) | Electron probe system | |
| US3748467A (en) | Scanning electron microscope | |
| GB1594597A (en) | Electron probe testing analysis and fault diagnosis in electronic circuits | |
| JP3330382B2 (ja) | 集積回路の試験・修復装置 | |
| US3909610A (en) | Apparatus for displaying the energy distribution of a charged particle beam | |
| JPH0378739B2 (ja) | ||
| JP3499690B2 (ja) | 荷電粒子顕微鏡 | |
| US3502870A (en) | Apparatus for simultaneously displaying a plurality of images of an object being analyzed in an electron beam device | |
| TW201931423A (zh) | 監測離子束的裝置、控制離子束的裝置與方法 | |
| JP3383175B2 (ja) | 走査型顕微鏡の像表示方法および走査型顕微鏡 | |
| CN110584697A (zh) | 一种校准飞焦点控制和数据采集之间相位差的方法 | |
| JPS62198043A (ja) | 立体観察装置 | |
| JPS5811073B2 (ja) | 粒子線による試料走査形試料像表示装置 | |
| JPH03176955A (ja) | 走査形電子ビーム装置 | |
| JP2575750B2 (ja) | 静電偏向器とストロボ電子ビーム装置 | |
| JPH04277456A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JPH03230462A (ja) | イオンビームのモニタ方法およびその装置 | |
| SU1488100A1 (ru) | Устройство дл электронно-лучевой сварки | |
| JPS6313145B2 (ja) |