JPS5823442A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPS5823442A JPS5823442A JP56121383A JP12138381A JPS5823442A JP S5823442 A JPS5823442 A JP S5823442A JP 56121383 A JP56121383 A JP 56121383A JP 12138381 A JP12138381 A JP 12138381A JP S5823442 A JPS5823442 A JP S5823442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- semiconductor wafer
- jet
- conduit
- corona discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウェハの洗浄方法Ｋかかシ、％に半導
体クエへに処理を施し九のちの純水によるジェットスク
ラブの改良に関する。
体クエへに処理を施し九のちの純水によるジェットスク
ラブの改良に関する。
半導体素子を製造するＩＩ＠において、半導体基板に１
子の活性領域、接合が形成されたのちに施された処理に
対して、この処理後に必須の洗浄を確実にするためジェ
ットスクラブが施されている。
子の活性領域、接合が形成されたのちに施された処理に
対して、この処理後に必須の洗浄を確実にするためジェ
ットスクラブが施されている。
このシェッドスクラバは数百ミクロン径のノズルがルビ
ーなどの硬質Ｏ材料で形成されておシ、このノズルから
１５００〜３０００ボンド／平方インチに加圧して毎分
１６オンスの純水を噴射させて高い洗浄効果を得るもの
である。ところが、半導体素子の製造工程で用いられる
純水は極めて高純度で、比抵抗が例えば１８ＭΩ−ｄ以
上である丸め、ジェット噴射によって静電気帯電にもと
づくコロナ放電潰食（Ｃｏｒｏｎａ ｄｉｓｃｈａｒｇ
ｅ ｅｒｏａＩｏｕ ）が発生し素子の電気的破壊を招
く重大外欠点がある。
ーなどの硬質Ｏ材料で形成されておシ、このノズルから
１５００〜３０００ボンド／平方インチに加圧して毎分
１６オンスの純水を噴射させて高い洗浄効果を得るもの
である。ところが、半導体素子の製造工程で用いられる
純水は極めて高純度で、比抵抗が例えば１８ＭΩ−ｄ以
上である丸め、ジェット噴射によって静電気帯電にもと
づくコロナ放電潰食（Ｃｏｒｏｎａ ｄｉｓｃｈａｒｇ
ｅ ｅｒｏａＩｏｕ ）が発生し素子の電気的破壊を招
く重大外欠点がある。
この発明は従来の衣点を改良するためｋなされ丸亀ので
、半導体素子の活性領域、接合が形成された半導体ウェ
ハにジェットスクラブ洗浄を施すにあた〉、その洗”浄
水として純水にて溶除の容易なイオンをコロナ放電潰食
を抑制できる程度に含ませたものを用いることを特徴と
する半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
、半導体素子の活性領域、接合が形成された半導体ウェ
ハにジェットスクラブ洗浄を施すにあた〉、その洗”浄
水として純水にて溶除の容易なイオンをコロナ放電潰食
を抑制できる程度に含ませたものを用いることを特徴と
する半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
以下にこの発明を１実施例につ會詳細に説明する。表お
、この発明において半導体ウェハに対する洗浄方法は従
来と変らないので説明を省略し、ジェットスクラバに用
いる純水の比抵抗を変えているのでこの点につき詳述す
る。ジエットスクラバに供給する純水の比抵抗を低くす
るだめの手段として給水系にイオナイザを設けている。
、この発明において半導体ウェハに対する洗浄方法は従
来と変らないので説明を省略し、ジェットスクラバに用
いる純水の比抵抗を変えているのでこの点につき詳述す
る。ジエットスクラバに供給する純水の比抵抗を低くす
るだめの手段として給水系にイオナイザを設けている。
第１図に示す装置はジェットノズル（１）の純水導管（
２）の一部をマグネシウム管（３）で形成し、導管中を
流れる純水のイオナイズをはかるようにしたものである
。
２）の一部をマグネシウム管（３）で形成し、導管中を
流れる純水のイオナイズをはかるようにしたものである
。
次に第２図および第３図に示す装置は純水導管（２）中
に一部径大部（２′）を設け、この部分の内部に薄いマ
グネシウム板（３′）を−側面からみて渦巻型になるよ
うに巻いて配置し、導管中を流れる純水を広い面積で接
触させるようにしたものである。なお、叙上の実施例は
イオナイザにマグネシウムを用いたものを示したが、純
水で溶除の容易なアルミニウム、ナトリウム、クロール
なども好適する。
に一部径大部（２′）を設け、この部分の内部に薄いマ
グネシウム板（３′）を−側面からみて渦巻型になるよ
うに巻いて配置し、導管中を流れる純水を広い面積で接
触させるようにしたものである。なお、叙上の実施例は
イオナイザにマグネシウムを用いたものを示したが、純
水で溶除の容易なアルミニウム、ナトリウム、クロール
なども好適する。
この発明によればジェットスクラブによって不所望に発
生するコロナ放電潰食による半導体素子の電気的破壊を
完全に防止でき、半導体素子の製造工程の歩留、品質、
信頼性が顕著に向上された。
生するコロナ放電潰食による半導体素子の電気的破壊を
完全に防止でき、半導体素子の製造工程の歩留、品質、
信頼性が顕著に向上された。
また、この発明は実施にあたシ製造装置、製造工程にさ
したる改変を加える必要がない利点もある。
したる改変を加える必要がない利点もある。
第１図はこの発明の１実施例に用いられる装置の断面図
、第２図は他の１実施例に用いられる装置の１部の断面
図、第３図は第２図のＡＡ’線に沿う断面図である。 １ ジェットノズル ２ 純水導管 ３ マグネシウム管（純水導管の一部に設
けられたイオナイザ） ３′１グネシウム板（イオナイザ） 代理人弁理士 井 上 −男
、第２図は他の１実施例に用いられる装置の１部の断面
図、第３図は第２図のＡＡ’線に沿う断面図である。 １ ジェットノズル ２ 純水導管 ３ マグネシウム管（純水導管の一部に設
けられたイオナイザ） ３′１グネシウム板（イオナイザ） 代理人弁理士 井 上 −男
Claims (1)
- 半導体ウェハに処理を施したのち、ジェットスクラブを
施す半導体ウェハの洗浄方法において、ジェットスクラ
ブの洗浄水として純水で溶除の容易なイオンをコロナ放
電潰食を抑制できる程度に含壕せた純水を用いることを
特徴とする半導体クエへの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121383A JPS5823442A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121383A JPS5823442A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823442A true JPS5823442A (ja) | 1983-02-12 |
Family
ID=14809845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121383A Pending JPS5823442A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823442A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201926A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Fujitsu Ltd | ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 |
-
1981
- 1981-08-04 JP JP56121383A patent/JPS5823442A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02201926A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-10 | Fujitsu Ltd | ウエット洗浄用ホルダ及びウエット洗浄方法 |
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