JPS5824441Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5824441Y2 JPS5824441Y2 JP1978182298U JP18229878U JPS5824441Y2 JP S5824441 Y2 JPS5824441 Y2 JP S5824441Y2 JP 1978182298 U JP1978182298 U JP 1978182298U JP 18229878 U JP18229878 U JP 18229878U JP S5824441 Y2 JPS5824441 Y2 JP S5824441Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding wire
- lead frame
- bonded
- package
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、大型半導体チップを搭載したパッケージを有
する半導体装置に関する。
する半導体装置に関する。
従来、セラミック・パッケージに半導体チップを搭載し
た半導体装置として第１図に見られるものが知られてい
る。
た半導体装置として第１図に見られるものが知られてい
る。
第１図に於いて、１はセラミック・パッケージのベース
部、１ａはキャビティ、２はキャップ部、２ａはキャビ
ティ、３はリード・フレーム、４は封止ガラス部、５は
半導体チップ、６はボンディング・ワイヤをそれぞれ示
す。
部、１ａはキャビティ、２はキャップ部、２ａはキャビ
ティ、３はリード・フレーム、４は封止ガラス部、５は
半導体チップ、６はボンディング・ワイヤをそれぞれ示
す。
図から明らかなように、この従来例では、ベース部１の
キャビティ１ａよりキャップ部２のキャビティ２ａが大
で゛あるから、リード・フレーム３の内側端はキャビテ
ィ内に露出した状態となっている。
キャビティ１ａよりキャップ部２のキャビティ２ａが大
で゛あるから、リード・フレーム３の内側端はキャビテ
ィ内に露出した状態となっている。
従って、一端が半導体チップ５にボンディングされてい
るボンディング・ワイヤ６の他端は容易にリード・フレ
ーム３の内側端にボンディングでき、また、その後でベ
ース部１にキャップ部２を固着する際にも何等の支障も
生じない。
るボンディング・ワイヤ６の他端は容易にリード・フレ
ーム３の内側端にボンディングでき、また、その後でベ
ース部１にキャップ部２を固着する際にも何等の支障も
生じない。
ところで、近年、半導体チップ５は大型化する傾向にあ
り、第１図に見られるベース部１のキャビティ１ａには
搭載できない状態となりつつある。
り、第１図に見られるベース部１のキャビティ１ａには
搭載できない状態となりつつある。
また、このような状態にあるからといって、パッケージ
自体を大型にすることも規格の面で制約がある。
自体を大型にすることも規格の面で制約がある。
そこでベース部１のキャビティ１ａをキャップ部２のキ
ャビティ２ａと同様に大きくすることが行なわれている
。
ャビティ２ａと同様に大きくすることが行なわれている
。
第２図はベース部１のキャビティ１ａを大きく形成した
半導体装置の要部側断面図であり、第１図に関して説明
した部分と同部分を同記号で指示しである。
半導体装置の要部側断面図であり、第１図に関して説明
した部分と同部分を同記号で指示しである。
さて、第２図に見られるような構造にした場合、最早や
リード・フレーム３の表面をキャビティ内に露出させる
ことは不可能になり、ベース部１とキャップ部２との衝
合部分に閉じ込められてしまう。
リード・フレーム３の表面をキャビティ内に露出させる
ことは不可能になり、ベース部１とキャップ部２との衝
合部分に閉じ込められてしまう。
従って、勿論、ボンディング・ワイヤ６の他端とのボン
ディング部分も前記衝合部分に存在することになる。
ディング部分も前記衝合部分に存在することになる。
このような構造にした場合、ベース部１にキャップ部２
を載置して加熱処理を行ない封止ガラス４を溶融してベ
ース部１とキャップ部２とを一体化するまでの作業中に
ボンディング・ワイヤ６に種々の無理な力や衝撃が加わ
って、特に矢印で指示しである部分で断線を生じ易い。
を載置して加熱処理を行ない封止ガラス４を溶融してベ
ース部１とキャップ部２とを一体化するまでの作業中に
ボンディング・ワイヤ６に種々の無理な力や衝撃が加わ
って、特に矢印で指示しである部分で断線を生じ易い。
本考案は、外形寸法が従来のものと変りないパッケージ
に於いて、キャビティを大にして大型の半導体チップを
搭載するようにしても、ボンディング・ワイヤの断線を
生じないようにするものであり、以下これを詳細に説明
する。
に於いて、キャビティを大にして大型の半導体チップを
搭載するようにしても、ボンディング・ワイヤの断線を
生じないようにするものであり、以下これを詳細に説明
する。
第３図は本考案半導体装置に使用されるリード・フレー
ムの実施例を表わすもので、ａは要部斜視図、ｂはボン
ディング・ワイヤの配置状態を説明する説明図であり、
また、１〜３はそれぞれ異なる実施例を表わし、いずれ
の図も第１図及び第２図に関して説明した部分と同じ部
分を同記号で指示しである。
ムの実施例を表わすもので、ａは要部斜視図、ｂはボン
ディング・ワイヤの配置状態を説明する説明図であり、
また、１〜３はそれぞれ異なる実施例を表わし、いずれ
の図も第１図及び第２図に関して説明した部分と同じ部
分を同記号で指示しである。
第３図１〜３のいずれの実施例に於いても、ボンディン
グ・ワイヤ６の他端がボンディングされるリード・フレ
ーム３の部分に、そのボンディング部分及びボンディン
グ・ワイヤ６の一部を受容する凹所３ａが形成されてい
る。
グ・ワイヤ６の他端がボンディングされるリード・フレ
ーム３の部分に、そのボンディング部分及びボンディン
グ・ワイヤ６の一部を受容する凹所３ａが形成されてい
る。
従って、その凹所３ａにボンディングされたボンディン
グ・ワイヤ６は、その周辺に在るリード・フレーム３の
凸所３ｂに防御され、故意に行なわない限り、他の物体
に触れることはまずない。
グ・ワイヤ６は、その周辺に在るリード・フレーム３の
凸所３ｂに防御され、故意に行なわない限り、他の物体
に触れることはまずない。
従って、パッケージの封止作業中にボンディング・ワイ
ヤ６が断線する惧れは殆んどなくなる。
ヤ６が断線する惧れは殆んどなくなる。
尚、凹所３ａの構造は図示例に限らず、多くの改変が可
能であり、要はリード・フレーム３の端部に形成できて
、その中にボンディング・ワイヤ６の端部を受容してそ
れを保護することができる構造であれば良い。
能であり、要はリード・フレーム３の端部に形成できて
、その中にボンディング・ワイヤ６の端部を受容してそ
れを保護することができる構造であれば良い。
以上の説明で判るように、本考案に依れば、半導体チッ
プに一端がボンディングされたボンディング・ワイヤの
他端とパッケージ外に導出されるリード・フレームとの
ボンディングが前記パッケージに於けるベース部とキャ
ップ部との衝合部分で行なわれている半導体装置に於い
て、前記リード・フレームの少なくとも前記ボンディン
グ・ワイヤとボンディングされる部分に形成された凹所
、その凹所内に配置され且つそこでボンディングされた
ポンチ゛イング・ワイヤ端を備えることに依り、ボンデ
ィング・ワイヤとリード・フレームとのボンディング後
、パッケージの封止に致る作業中にボンディング・ワイ
ヤが切断される事故は殆んど起きず、信頼性が高い半導
体装置を得ることができる。
プに一端がボンディングされたボンディング・ワイヤの
他端とパッケージ外に導出されるリード・フレームとの
ボンディングが前記パッケージに於けるベース部とキャ
ップ部との衝合部分で行なわれている半導体装置に於い
て、前記リード・フレームの少なくとも前記ボンディン
グ・ワイヤとボンディングされる部分に形成された凹所
、その凹所内に配置され且つそこでボンディングされた
ポンチ゛イング・ワイヤ端を備えることに依り、ボンデ
ィング・ワイヤとリード・フレームとのボンディング後
、パッケージの封止に致る作業中にボンディング・ワイ
ヤが切断される事故は殆んど起きず、信頼性が高い半導
体装置を得ることができる。
第１図及び第２図は従来例の要部側断面図、第３図は本
考案装置に使用するリード・フレームの実施例を表わす
もので、ａは要部斜視図、ｂはボンディング・ワイヤの
配置を示す説明図である。 図に於いて、１はベース部、２はキャップ部、３はリー
ド・フレーム、３ａは凹所、４はガラス封止部、５は半
導体チップ、６はボンディング・ワイヤである。
考案装置に使用するリード・フレームの実施例を表わす
もので、ａは要部斜視図、ｂはボンディング・ワイヤの
配置を示す説明図である。 図に於いて、１はベース部、２はキャップ部、３はリー
ド・フレーム、３ａは凹所、４はガラス封止部、５は半
導体チップ、６はボンディング・ワイヤである。
Claims (1)
- 半導体チップに一端がボンディングされたボンディング
・ワイヤの他端とパッケージ外に導出されるリード・フ
レームとのボンディングが前記パッケージに於けるベー
ス部とキャップ部との衝合部分で行なわれている半導体
装置に於いて、前記リード・フレームの少なくとも前記
ボンディング・ワイヤとボンディングされる部分に形成
された凹所、その凹所内に配置され且つそこでポンチ゛
イングされたボンディング・ワイヤ端を備えてなること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978182298U JPS5824441Y2 (ja) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978182298U JPS5824441Y2 (ja) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5599150U JPS5599150U (ja) | 1980-07-10 |
| JPS5824441Y2 true JPS5824441Y2 (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=29193980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978182298U Expired JPS5824441Y2 (ja) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824441Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0656872B2 (ja) * | 1985-03-14 | 1994-07-27 | 九州日立マクセル株式会社 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
-
1978
- 1978-12-28 JP JP1978182298U patent/JPS5824441Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5599150U (ja) | 1980-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08213536A (ja) | パッケージの一面に露出した半導体ダイ取付けパッドを有するダウンセットされたリードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH05226564A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04280664A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| US3234320A (en) | Integrated circuit package | |
| US6215174B1 (en) | Lead frame, mold for producing a resin-sealed semiconductor device, resin-sealed semiconductor device using such a lead frame | |
| JPS5824441Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100253376B1 (ko) | 칩 사이즈 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| JP3616698B2 (ja) | ヒートシンク付きステムの製造方法 | |
| JPS5895852A (ja) | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 | |
| JPH0254665B2 (ja) | ||
| JP2897479B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPS5949695B2 (ja) | ガラス封止半導体装置の製法 | |
| JPS60161646A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JP2662991B2 (ja) | 混成集積回路パッケージ | |
| JP2004221258A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS61267333A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63308358A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2954561B2 (ja) | リードフレーム、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置の成形金型、リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置および樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
| KR0183649B1 (ko) | 리드프레임 조립체 및 그 리드프레임 조립체를 사용한 반도체장치 | |
| KR200331874Y1 (ko) | 반도체의다핀형태패키지 | |
| KR19980073905A (ko) | 합성수지 댐바가 구비된 리드 프레임 및 그 제조방법 | |
| JPH06140551A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6244531Y2 (ja) | ||
| JPH11126864A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6011644Y2 (ja) | 半導体装置 |