JPS5826237A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
- Publication number
- JPS5826237A JPS5826237A JP12488881A JP12488881A JPS5826237A JP S5826237 A JPS5826237 A JP S5826237A JP 12488881 A JP12488881 A JP 12488881A JP 12488881 A JP12488881 A JP 12488881A JP S5826237 A JPS5826237 A JP S5826237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- header
- sensor chip
- chip
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ストレンゲージを用いて圧力を検出す
る圧力センサ、特に絶対圧型圧力センサを取付は支持す
るパッケージに関するものである。
る圧力センサ、特に絶対圧型圧力センサを取付は支持す
るパッケージに関するものである。
よく知られているように、この種の圧力センサはシリコ
ンなどの半導体単結晶の一部に不純物を拡散してゲージ
抵抗を形成し、外部から与えられる圧力歪によるゲージ
抵抗の抵抗変化を測定して、その圧力値を得るもので、
機能的には絶対圧形と差圧形とがあり、この発明は絶対
圧形を対象としている。
ンなどの半導体単結晶の一部に不純物を拡散してゲージ
抵抗を形成し、外部から与えられる圧力歪によるゲージ
抵抗の抵抗変化を測定して、その圧力値を得るもので、
機能的には絶対圧形と差圧形とがあり、この発明は絶対
圧形を対象としている。
＠１図にこの種の圧力センサチップ（ｌＯ）の −
断面構造を示しである。すなわち、この＃！１図におい
て、このチップ（１０）は周囲に支持部（１１）を形成
したシリコンダイアフラム（１２）ト、シリコン台座（
１３）とをロー材（１７）により接着してなり、内部空
間（１４）を税対真空とし、これによってダイアプラム
（１２−）は外気圧によりへこませられ、またこのダイ
アプラム（１２）の上部ａ一部に不純物拡散法でゲージ
抵抗（１５）を形成すると共に、支持部（１１）上にリ
ード引出し用の電極（１６）、（１６）を設けたもので
ある。
て、このチップ（１０）は周囲に支持部（１１）を形成
したシリコンダイアフラム（１２）ト、シリコン台座（
１３）とをロー材（１７）により接着してなり、内部空
間（１４）を税対真空とし、これによってダイアプラム
（１２−）は外気圧によりへこませられ、またこのダイ
アプラム（１２）の上部ａ一部に不純物拡散法でゲージ
抵抗（１５）を形成すると共に、支持部（１１）上にリ
ード引出し用の電極（１６）、（１６）を設けたもので
ある。
ところで、この絶対正形圧カセンサチツプ（１０）をパ
ッケージするために、この圧力センサチップ（１０）を
パッケージのヘラグーに直接、接着材あるいはロー材な
どで取付けるようにしている力ζこの取付は手段ではシ
リコンとヘッダー材料との熱膨張率の、差によって、ダ
イアプラムに自然発生的な歪が加えられてしまい、この
歪応力の値を補正しなければならず、しかもこの歪応力
は製造時に加えられる加熱あるいは冷却プロセスなどで
不規則に変動して、精密には制御することができず、量
産のための大きな障害となっている。
ッケージするために、この圧力センサチップ（１０）を
パッケージのヘラグーに直接、接着材あるいはロー材な
どで取付けるようにしている力ζこの取付は手段ではシ
リコンとヘッダー材料との熱膨張率の、差によって、ダ
イアプラムに自然発生的な歪が加えられてしまい、この
歪応力の値を補正しなければならず、しかもこの歪応力
は製造時に加えられる加熱あるいは冷却プロセスなどで
不規則に変動して、精密には制御することができず、量
産のための大きな障害となっている。
そこで従来は第２図に示すように、前記した熱膨張率の
差によって生ずる応力を極力減少させるため、ヘッダー
（２１）上に例えば面積が１〜２．５ｍビ、高さが０．
２〜０．５ｍｍ程度の微小なシリコン単結晶の支持台（
２２）を介在させ、圧力センサチップ（１０）とこれら
を、例えばＡｕ −８ｉ共晶半田（２３）などにより接
着取付けするようにしており、このように微小な支持台
の介入によって、ヘッダー側で生ずる歪応力がチップ側
に及ぶことを極力少なくし得るのであるが、一方、この
手段では、圧力センサの基本材料であるところの、材料
的にもろいシリコン単結晶を種々加工しなければならず
、その加工が非常に困難であるという不都合があった。
差によって生ずる応力を極力減少させるため、ヘッダー
（２１）上に例えば面積が１〜２．５ｍビ、高さが０．
２〜０．５ｍｍ程度の微小なシリコン単結晶の支持台（
２２）を介在させ、圧力センサチップ（１０）とこれら
を、例えばＡｕ −８ｉ共晶半田（２３）などにより接
着取付けするようにしており、このように微小な支持台
の介入によって、ヘッダー側で生ずる歪応力がチップ側
に及ぶことを極力少なくし得るのであるが、一方、この
手段では、圧力センサの基本材料であるところの、材料
的にもろいシリコン単結晶を種々加工しなければならず
、その加工が非常に困難であるという不都合があった。
、なお第２図中、（２４）は圧力導入パイプ付キャップ
、（２５）は外部入出力リード、（２６）は電極（１６
）とリード（２５）とを接続するＡｕ線である。
、（２５）は外部入出力リード、（２６）は電極（１６
）とリード（２５）とを接続するＡｕ線である。
この発明は従来のこのような実情に鑑み、前記したシリ
コン単結晶支持台の介在が、ヘッダー（２１）Ｉｆから
の微小凸部の突出と同義である点ニ着目し、この微小凸
起上に圧力センサチップ（す）を接着取付けすることで
、前記支持台を加工せずに同様の目的を達成させるよう
にしたものである。
コン単結晶支持台の介在が、ヘッダー（２１）Ｉｆから
の微小凸部の突出と同義である点ニ着目し、この微小凸
起上に圧力センサチップ（す）を接着取付けすることで
、前記支持台を加工せずに同様の目的を達成させるよう
にしたものである。
以下、この発明の一実施例につき、第３図を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
この＠３図実施例において、前記＠２図従来例と同一符
号は同一または相当部分を示しており、この実施例では
ヘッダー（３１）の中央部に、前記支持台（２２）に代
わるところの、同様に面積が１〜２．５ ｍ７Ｆ１′、
高さが０．２〜０．５ｍｍ程度の微小凸部（３１ｍ ）
を一体的に突出させ、この微小凸部（３１ｍ）上にＡｕ
−８１共晶半田（２３）などで前記圧力センサチップ（
１０）を接着取付けしたものである。
号は同一または相当部分を示しており、この実施例では
ヘッダー（３１）の中央部に、前記支持台（２２）に代
わるところの、同様に面積が１〜２．５ ｍ７Ｆ１′、
高さが０．２〜０．５ｍｍ程度の微小凸部（３１ｍ ）
を一体的に突出させ、この微小凸部（３１ｍ）上にＡｕ
−８１共晶半田（２３）などで前記圧力センサチップ（
１０）を接着取付けしたものである。
従ってこの実施例構成にあっても、前記＃！２図従来例
の場合と同様にヘッダー（３１）側で生ずる歪応力がチ
ップ（１０）側に影響するのを充分に避けることができ
る。
の場合と同様にヘッダー（３１）側で生ずる歪応力がチ
ップ（１０）側に影響するのを充分に避けることができ
る。
以上詳述したようにこの発明によるときは、従来のシリ
コン単結晶支持台に代えて、ヘッダーに微小凸部を一体
的に突出させ、この微小凸部上に圧力センサチップな接
着取付けするようにしたから、別途支持台を加工する必
要がなぐ、額小凸部の形成はヘッダーと一体的であるた
めに容易であり、また接着取付けについても従来と同様
の作業形態ですみ、ヘッダー側の歪応力がセンサ側に達
するのを極力阻止できて、圧力センサチップ自身の本来
有している特性を充分に活用し得て、外部圧力を正確に
測定できるものである。
コン単結晶支持台に代えて、ヘッダーに微小凸部を一体
的に突出させ、この微小凸部上に圧力センサチップな接
着取付けするようにしたから、別途支持台を加工する必
要がなぐ、額小凸部の形成はヘッダーと一体的であるた
めに容易であり、また接着取付けについても従来と同様
の作業形態ですみ、ヘッダー側の歪応力がセンサ側に達
するのを極力阻止できて、圧力センサチップ自身の本来
有している特性を充分に活用し得て、外部圧力を正確に
測定できるものである。
第１図は絶対圧影圧カセンサチツプの概要構造を示す断
面図、第２図は従来例による絶対圧膨圧カセンサチツプ
のパッケージを示す断面図、第３図はこの発明の一実施
例を適用した同上パッケージを示す断面図である。 （ｌＯ）・・・・圧カセ／サチッグ、（１２）・・・・
シリコンダイアフラム、（１３）・ ・・・シリコン台
座、（１５）・ｅ・・ゲージ抵抗、（１６）φ・・・電
ｉ、’（３１）・・・・ヘッダー、（３１ｍ）・・・・
微小凸部。 代理人 Ｓ 舒 信 −（外１名）
面図、第２図は従来例による絶対圧膨圧カセンサチツプ
のパッケージを示す断面図、第３図はこの発明の一実施
例を適用した同上パッケージを示す断面図である。 （ｌＯ）・・・・圧カセ／サチッグ、（１２）・・・・
シリコンダイアフラム、（１３）・ ・・・シリコン台
座、（１５）・ｅ・・ゲージ抵抗、（１６）φ・・・電
ｉ、’（３１）・・・・ヘッダー、（３１ｍ）・・・・
微小凸部。 代理人 Ｓ 舒 信 −（外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ゲージ抵抗を形成したシリコンダイアフラム。 およびシリコン台座からなる圧力センサチップを有し、
ヘッダー面には一体的に微小凸部を形成させ、この微小
凸部上に前記圧力センサチップのシリコン台座を接着取
付けしたことを特徴とする圧力センナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12488881A JPS5826237A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12488881A JPS5826237A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5826237A true JPS5826237A (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=14896573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12488881A Pending JPS5826237A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826237A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201227A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| JPS60201226A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| JPS60201228A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| JPS60201229A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| US5249469A (en) * | 1988-05-17 | 1993-10-05 | Jonsson & Billquist Development Ab | Pressure gauge |
| US5986316A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-16 | Denso Corporation | Semiconductor type physical quantity sensor |
| WO2019123853A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
-
1981
- 1981-08-07 JP JP12488881A patent/JPS5826237A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201227A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| JPS60201226A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| JPS60201228A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| JPS60201229A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-11 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 圧力センサ |
| US5249469A (en) * | 1988-05-17 | 1993-10-05 | Jonsson & Billquist Development Ab | Pressure gauge |
| US5986316A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-16 | Denso Corporation | Semiconductor type physical quantity sensor |
| WO2019123853A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
| JP2019109196A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
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