JPH08178778A - 半導体圧力検出装置 - Google Patents
半導体圧力検出装置Info
- Publication number
- JPH08178778A JPH08178778A JP6325824A JP32582494A JPH08178778A JP H08178778 A JPH08178778 A JP H08178778A JP 6325824 A JP6325824 A JP 6325824A JP 32582494 A JP32582494 A JP 32582494A JP H08178778 A JPH08178778 A JP H08178778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor pressure
- stem
- case
- pressure sensor
- sensor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L23/00—Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid
- G01L23/24—Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid specially adapted for measuring pressure in inlet or exhaust ducts of internal-combustion engines
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
- G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、スペーサーを使用せずに少ない
工程数で安価に作製できる半導体圧力検出装置を得るこ
とを目的とする。 【構成】 ステム上面６１には、このステム上面６１と
ほぼ同じ大きさの台座５と半導体圧力センサチップ３と
が装着されている。これらの半導体圧力センサチップ３
及び台座５には、リード７を挿入するためのリード挿入
用穴１０が形成されている。 【効果】 従来はスペーサーを使用していたが、半導体
圧力センサチップ３及び台座５がステム上面６１と同程
度の大きさなので、これらがスペーサーの役目を果た
し、スペーサーを不要にすることができる。
工程数で安価に作製できる半導体圧力検出装置を得るこ
とを目的とする。 【構成】 ステム上面６１には、このステム上面６１と
ほぼ同じ大きさの台座５と半導体圧力センサチップ３と
が装着されている。これらの半導体圧力センサチップ３
及び台座５には、リード７を挿入するためのリード挿入
用穴１０が形成されている。 【効果】 従来はスペーサーを使用していたが、半導体
圧力センサチップ３及び台座５がステム上面６１と同程
度の大きさなので、これらがスペーサーの役目を果た
し、スペーサーを不要にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力検出装
置、特に、自動車エンジンの燃焼体等の高温になる被圧
力検出体を計測する半導体圧力検出装置に関するもので
ある。
置、特に、自動車エンジンの燃焼体等の高温になる被圧
力検出体を計測する半導体圧力検出装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の半導体圧力検出装置を示
す側断面図である。図において、圧力を検出する半導体
圧力センサチップ３ａは台座５ａに搭載され、台座５ａ
はステム６上に載置されている。また、半導体圧力セン
サチップ３ａには薄肉状に成形されたダイヤフラム４が
形成されており、検出された圧力はこのダイヤフラム４
で電気信号に変換される。変換された電気信号は、ワイ
ヤ９によりリード７を介して外部回路（図示しない）に
伝達される。
す側断面図である。図において、圧力を検出する半導体
圧力センサチップ３ａは台座５ａに搭載され、台座５ａ
はステム６上に載置されている。また、半導体圧力セン
サチップ３ａには薄肉状に成形されたダイヤフラム４が
形成されており、検出された圧力はこのダイヤフラム４
で電気信号に変換される。変換された電気信号は、ワイ
ヤ９によりリード７を介して外部回路（図示しない）に
伝達される。
【０００３】また、半導体圧力センサチップ３ａ等を囲
むようにケース８がステム６に接着されている。ケース
８とステム６とに囲まれた空間内には、シリコンオイル
２が気密に充填されており、このシリコンオイル２の充
填量を減少させるために、セラミックスや絶縁物で造ら
れたスペーサー１６がステム６の上面６１に設けられて
いる。ケース８の中心には貫通穴１ａが形成されてお
り、ケース８の頂部には金属ダイヤフラム１が設けられ
ている。
むようにケース８がステム６に接着されている。ケース
８とステム６とに囲まれた空間内には、シリコンオイル
２が気密に充填されており、このシリコンオイル２の充
填量を減少させるために、セラミックスや絶縁物で造ら
れたスペーサー１６がステム６の上面６１に設けられて
いる。ケース８の中心には貫通穴１ａが形成されてお
り、ケース８の頂部には金属ダイヤフラム１が設けられ
ている。
【０００４】従来の半導体圧力検出装置は上述したよう
に構成され、自動車エンジンの燃焼体等のように高温に
なる被圧力検出体を計測する場合、半導体圧力センサチ
ップ３ａへの熱の影響を緩和するためにまず金属ダイヤ
フラム１で圧力を受ける。この圧力をシリコンオイル２
を介して半導体圧力センサチップ３ａで検出している。
このような構造の半導体圧力検出装置では、シリコンオ
イル２の熱膨張による圧力変動を抑制するために、シリ
コンオイル２の充填量を減少させることが重要である。
そのため、半導体圧力センサチップ３ａの周囲の空間
に、シリコンオイル２の充填量を減少させる目的でスペ
ーサー１６を装着している。
に構成され、自動車エンジンの燃焼体等のように高温に
なる被圧力検出体を計測する場合、半導体圧力センサチ
ップ３ａへの熱の影響を緩和するためにまず金属ダイヤ
フラム１で圧力を受ける。この圧力をシリコンオイル２
を介して半導体圧力センサチップ３ａで検出している。
このような構造の半導体圧力検出装置では、シリコンオ
イル２の熱膨張による圧力変動を抑制するために、シリ
コンオイル２の充填量を減少させることが重要である。
そのため、半導体圧力センサチップ３ａの周囲の空間
に、シリコンオイル２の充填量を減少させる目的でスペ
ーサー１６を装着している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
圧力検出装置では、シリコンオイル２の充填量を減少さ
せるためにスペーサー１６を装着するので、スペーサー
１６を装着するための工程数や部品点数が増加すると共
に、半導体圧力検出装置が高価になるという問題点があ
った。この発明は、このような問題点を解決するために
なされたもので、スペーサーを使用せずに少ない工程数
で安価に作製できる半導体圧力検出装置を得ることを目
的とする。
圧力検出装置では、シリコンオイル２の充填量を減少さ
せるためにスペーサー１６を装着するので、スペーサー
１６を装着するための工程数や部品点数が増加すると共
に、半導体圧力検出装置が高価になるという問題点があ
った。この発明は、このような問題点を解決するために
なされたもので、スペーサーを使用せずに少ない工程数
で安価に作製できる半導体圧力検出装置を得ることを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る発明は、中心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に
金属ダイヤフラムが設けられたケースと、このケースに
空間を形成するように接着されるステムと、このステム
上に載置され、ステム上面に近い大きさに拡大されると
共にリードが挿入されるリード挿入用穴が設けられた台
座と、この台座上に載置され上記ステム上面に近い大き
さに拡大されると共にリードが挿入されるリード挿入用
穴が設けられかつ薄肉状のダイヤフラムが形成された半
導体圧力センサチップと、この半導体圧力センサチップ
に接続されたワイヤと、このワイヤに接続されると共に
上記リード挿入用穴に挿入され上記ステムを貫通するリ
ードと、上記ケース及び上記ステムとの間に形成された
空間内に気密に充填されるシリコンオイルとを備えたも
のである。
に係る発明は、中心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に
金属ダイヤフラムが設けられたケースと、このケースに
空間を形成するように接着されるステムと、このステム
上に載置され、ステム上面に近い大きさに拡大されると
共にリードが挿入されるリード挿入用穴が設けられた台
座と、この台座上に載置され上記ステム上面に近い大き
さに拡大されると共にリードが挿入されるリード挿入用
穴が設けられかつ薄肉状のダイヤフラムが形成された半
導体圧力センサチップと、この半導体圧力センサチップ
に接続されたワイヤと、このワイヤに接続されると共に
上記リード挿入用穴に挿入され上記ステムを貫通するリ
ードと、上記ケース及び上記ステムとの間に形成された
空間内に気密に充填されるシリコンオイルとを備えたも
のである。
【０００７】この発明の請求項第２項に係る発明は、中
心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に金属ダイヤフラム
が設けられたケースと、このケースに空間を形成するよ
うに接着されるステムと、このステム上に載置された台
座と、この台座上に載置され薄肉状のダイヤフラムが形
成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧力セ
ンサチップに接続されたワイヤと、このワイヤに接続さ
れると共に上記ステムを貫通するリードと、上記ケース
及び上記ステムとの間に形成された空間内に気密に充填
されるシリコンオイルとを備えた半導体圧力検出装置で
あって、上記ステムには上記半導体圧力センサチップ及
び上記台座の周囲を囲むようにステム突出部が形成され
たものである。
心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に金属ダイヤフラム
が設けられたケースと、このケースに空間を形成するよ
うに接着されるステムと、このステム上に載置された台
座と、この台座上に載置され薄肉状のダイヤフラムが形
成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧力セ
ンサチップに接続されたワイヤと、このワイヤに接続さ
れると共に上記ステムを貫通するリードと、上記ケース
及び上記ステムとの間に形成された空間内に気密に充填
されるシリコンオイルとを備えた半導体圧力検出装置で
あって、上記ステムには上記半導体圧力センサチップ及
び上記台座の周囲を囲むようにステム突出部が形成され
たものである。
【０００８】この発明の請求項第３項に係る発明は、中
心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に金属ダイヤフラム
が設けられたケースと、このケースの上記貫通穴に対応
する位置に薄肉状に形成されたダイヤフラムの裏面凹部
が配置するようにケースに接着された半導体圧力センサ
チップと、この半導体圧力センサチップにフリップチッ
プ実装された厚膜基板と、この厚膜基板を上記ケースに
固定する押さえ板と、上記厚膜基板に接続されたリード
と、上記ケースの貫通穴及び上記半導体圧力センサチッ
プで形成される空間内に気密に充填されるシリコンオイ
ルとを備えたものである。
心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に金属ダイヤフラム
が設けられたケースと、このケースの上記貫通穴に対応
する位置に薄肉状に形成されたダイヤフラムの裏面凹部
が配置するようにケースに接着された半導体圧力センサ
チップと、この半導体圧力センサチップにフリップチッ
プ実装された厚膜基板と、この厚膜基板を上記ケースに
固定する押さえ板と、上記厚膜基板に接続されたリード
と、上記ケースの貫通穴及び上記半導体圧力センサチッ
プで形成される空間内に気密に充填されるシリコンオイ
ルとを備えたものである。
【０００９】この発明の請求項第４項に係る発明は、請
求項第３項記載の半導体圧力検出装置に、厚膜基板に増
幅、温度補償機能を有するＩＣチップがバンプにより実
装されたものである。
求項第３項記載の半導体圧力検出装置に、厚膜基板に増
幅、温度補償機能を有するＩＣチップがバンプにより実
装されたものである。
【００１０】
【作用】この発明の請求項第１項においては、半導体圧
力センサチップ及び台座がステム上面と同程度の大きさ
なので、スペーサーを使用せずにシリコンオイルの充填
量を減少でき、熱膨張によるシリコンオイルの圧力変動
を抑制する。
力センサチップ及び台座がステム上面と同程度の大きさ
なので、スペーサーを使用せずにシリコンオイルの充填
量を減少でき、熱膨張によるシリコンオイルの圧力変動
を抑制する。
【００１１】この発明の請求項第２項においては、ステ
ム突出部によりシリコンオイルの充填量を減少でき、ス
ペーサーを装着する必要がなくなる。
ム突出部によりシリコンオイルの充填量を減少でき、ス
ペーサーを装着する必要がなくなる。
【００１２】この発明の請求項第３項においては、半導
体圧力センサチップのダイヤフラム裏面で直接シリコン
オイルの圧力を受ける構造なので、シリコンオイルの使
用量を微量にすることができ、検出精度を向上すると共
に、フリップチップ実装を用いたことで、半導体圧力検
出装置の振動に対する信頼性も向上する。
体圧力センサチップのダイヤフラム裏面で直接シリコン
オイルの圧力を受ける構造なので、シリコンオイルの使
用量を微量にすることができ、検出精度を向上すると共
に、フリップチップ実装を用いたことで、半導体圧力検
出装置の振動に対する信頼性も向上する。
【００１３】この発明の請求項第４項においては、ワイ
ヤを使用せずにバンプ１７でＩＣチップを実装するの
で、ＩＣチップを半導体圧力検出装置と一体化でき半導
体圧力検出装置の小型化を図ると共に、半導体圧力検出
装置の振動に対する信頼性も向上する。
ヤを使用せずにバンプ１７でＩＣチップを実装するの
で、ＩＣチップを半導体圧力検出装置と一体化でき半導
体圧力検出装置の小型化を図ると共に、半導体圧力検出
装置の振動に対する信頼性も向上する。
【００１４】
実施例１．図１は、この発明の実施例１による半導体圧
力検出装置を示す側断面図であり、図２（ａ）は図１の
要部概略平面図である。なお、各図中、同一符号は同一
又は相当部分を示している。これらの図において、ステ
ム上面６１には、このステム上面６１とほぼ同程度の大
きさの台座５及び半導体圧力センサチップ３が装着され
ている。これらの半導体圧力センサチップ３及び台座５
には、リード７を挿入するためのリード挿入用穴１０が
設けられている。
力検出装置を示す側断面図であり、図２（ａ）は図１の
要部概略平面図である。なお、各図中、同一符号は同一
又は相当部分を示している。これらの図において、ステ
ム上面６１には、このステム上面６１とほぼ同程度の大
きさの台座５及び半導体圧力センサチップ３が装着され
ている。これらの半導体圧力センサチップ３及び台座５
には、リード７を挿入するためのリード挿入用穴１０が
設けられている。
【００１５】半導体圧力センサチップ３及び台座５の大
きさは、図２（ｂ）に示すように、ステム上面６１の半
径をＲ、ステム上面６１の中心とリード７の中心との距
離をｌ、半導体圧力センサチップの中心とその頂点との
距離をｒとすると、ｌ＜ｒ＜Ｒが成立する範囲で半導体
圧力センサチップ３及び台座５をなるべく大きくするの
が望ましい。
きさは、図２（ｂ）に示すように、ステム上面６１の半
径をＲ、ステム上面６１の中心とリード７の中心との距
離をｌ、半導体圧力センサチップの中心とその頂点との
距離をｒとすると、ｌ＜ｒ＜Ｒが成立する範囲で半導体
圧力センサチップ３及び台座５をなるべく大きくするの
が望ましい。
【００１６】上述したように構成された半導体圧力検出
装置においては、自動車エンジンの燃焼体等のように高
温になる被圧力検出体を計測する場合、半導体圧力セン
サチップ３への熱の影響を緩和するためにまず金属ダイ
ヤフラム１で圧力を受ける。この圧力をシリコンオイル
２を介して半導体圧力センサチップ３で検出している。
このような構造の半導体圧力検出装置では、シリコンオ
イル２の熱膨張による圧力変動を抑制するためにシリコ
ンオイル２の充填量を減少させることが重要である。そ
のため、従来はスペーサーを使用していたが、半導体圧
力センサチップ３及び台座５がステム上面６１と同程度
の大きさなので、これらがスペーサーの役目を果たし、
スペーサーを不要にすることができる。従って、スペー
サーを装着するための工程数や部品点数を減少でき、安
価な半導体圧力検出装置が得られる。
装置においては、自動車エンジンの燃焼体等のように高
温になる被圧力検出体を計測する場合、半導体圧力セン
サチップ３への熱の影響を緩和するためにまず金属ダイ
ヤフラム１で圧力を受ける。この圧力をシリコンオイル
２を介して半導体圧力センサチップ３で検出している。
このような構造の半導体圧力検出装置では、シリコンオ
イル２の熱膨張による圧力変動を抑制するためにシリコ
ンオイル２の充填量を減少させることが重要である。そ
のため、従来はスペーサーを使用していたが、半導体圧
力センサチップ３及び台座５がステム上面６１と同程度
の大きさなので、これらがスペーサーの役目を果たし、
スペーサーを不要にすることができる。従って、スペー
サーを装着するための工程数や部品点数を減少でき、安
価な半導体圧力検出装置が得られる。
【００１７】実施例２．図３は、この発明の実施例２に
よる半導体圧力検出装置を示す側断面図であり、図４は
図３の要部概略平面図である。これらの図において、半
導体圧力センサチップ３ａ及び台座５ａは、ステム上面
６１を突出させたステム突出部６１Ａにより周囲が囲ま
れている。このステム突出部６１Ａは、ステム６を凹型
にプレス加工すること等により簡単に形成することがで
きる。この実施例２においても、ステム突出部６１Ａに
よりシリコンオイル２の充填量を減少させることがで
き、従来のようにスペーサーを装着する必要がなくな
る。
よる半導体圧力検出装置を示す側断面図であり、図４は
図３の要部概略平面図である。これらの図において、半
導体圧力センサチップ３ａ及び台座５ａは、ステム上面
６１を突出させたステム突出部６１Ａにより周囲が囲ま
れている。このステム突出部６１Ａは、ステム６を凹型
にプレス加工すること等により簡単に形成することがで
きる。この実施例２においても、ステム突出部６１Ａに
よりシリコンオイル２の充填量を減少させることがで
き、従来のようにスペーサーを装着する必要がなくな
る。
【００１８】実施例３．図５は、この発明の実施例３に
よる半導体圧力検出装置を示す側断面図である。図にお
いて、半導体圧力センサチップ３ａは、厚膜基板１５に
フリップチップ実装されており、半導体圧力センサチッ
プ３ａの裏面に薄肉状に形成されたダイヤフラム４でシ
リコンオイル２を受けるように、半導体圧力センサチッ
プ３の裏面が接着材１１ａによりケース８に接着されて
いる。厚膜基板１５は、緩衝用の角リング１４を介して
押さえ板１２によりケース８に固定されている。実施例
３による半導体圧力検出装置では、半導体圧力センサチ
ップ３ａのダイヤフラム４裏面で直接シリコンオイル２
の圧力を受ける構造なので、シリコンオイル２の使用量
を微量にすることができ、検出精度を向上させることが
できる。また、フリップチップ実装を用いたことで、半
導体圧力検出装置の振動に対する信頼性も向上させるこ
とができる。
よる半導体圧力検出装置を示す側断面図である。図にお
いて、半導体圧力センサチップ３ａは、厚膜基板１５に
フリップチップ実装されており、半導体圧力センサチッ
プ３ａの裏面に薄肉状に形成されたダイヤフラム４でシ
リコンオイル２を受けるように、半導体圧力センサチッ
プ３の裏面が接着材１１ａによりケース８に接着されて
いる。厚膜基板１５は、緩衝用の角リング１４を介して
押さえ板１２によりケース８に固定されている。実施例
３による半導体圧力検出装置では、半導体圧力センサチ
ップ３ａのダイヤフラム４裏面で直接シリコンオイル２
の圧力を受ける構造なので、シリコンオイル２の使用量
を微量にすることができ、検出精度を向上させることが
できる。また、フリップチップ実装を用いたことで、半
導体圧力検出装置の振動に対する信頼性も向上させるこ
とができる。
【００１９】実施例４．図６は、この発明の実施例４に
よる半導体圧力検出装置を示す側断面図である。実施例
４の半導体圧力検出装置は、実施例３における半導体圧
力検出装置の厚膜基板１５の半導体圧力センサチップ３
ａが実装された面の裏面に、増幅、温度補償機能を備え
たＩＣチップ１６をバンプ１７により実装するものであ
る。従来、このようなＩＣチップは半導体圧力検出装置
と別々に設けられ、しかもワイヤにより電気的に接続さ
れていた。これに対し、実施例４による半導体圧力検出
装置では、ワイヤを使用せずにバンプ１７で実装するこ
とにより、ＩＣチップ１６を半導体圧力検出装置と一体
化でき半導体圧力検出装置の小型化を図ることができ
る。また、半導体圧力検出装置の振動に対する信頼性も
向上させることができる。
よる半導体圧力検出装置を示す側断面図である。実施例
４の半導体圧力検出装置は、実施例３における半導体圧
力検出装置の厚膜基板１５の半導体圧力センサチップ３
ａが実装された面の裏面に、増幅、温度補償機能を備え
たＩＣチップ１６をバンプ１７により実装するものであ
る。従来、このようなＩＣチップは半導体圧力検出装置
と別々に設けられ、しかもワイヤにより電気的に接続さ
れていた。これに対し、実施例４による半導体圧力検出
装置では、ワイヤを使用せずにバンプ１７で実装するこ
とにより、ＩＣチップ１６を半導体圧力検出装置と一体
化でき半導体圧力検出装置の小型化を図ることができ
る。また、半導体圧力検出装置の振動に対する信頼性も
向上させることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、中心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に金属
ダイヤフラムが設けられたケースと、このケースに空間
を形成するように接着されるステムと、このステム上に
載置されステム上面に近い大きさに拡大されると共にリ
ードが挿入されるリード挿入用穴が設けられた台座と、
この台座上に載置され上記ステム上面に近い大きさに拡
大されると共にリードが挿入されるリード挿入用穴が設
けられかつ薄肉状のダイヤフラムが形成された半導体圧
力センサチップと、この半導体圧力センサチップに接続
されたワイヤと、このワイヤに接続されると共に、上記
リード挿入用穴に挿入され上記ステムを貫通するリード
と、上記ケース及び上記ステムとの間に形成された空間
内に気密に充填されるシリコンオイルとを備えたので、
スペーサーを使用せずにシリコンオイルの充填量を減少
でき、スペーサーを装着するための工程数や部品点数を
減少でき、安価な半導体圧力検出装置が得られるという
効果を奏する。
第１項は、中心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に金属
ダイヤフラムが設けられたケースと、このケースに空間
を形成するように接着されるステムと、このステム上に
載置されステム上面に近い大きさに拡大されると共にリ
ードが挿入されるリード挿入用穴が設けられた台座と、
この台座上に載置され上記ステム上面に近い大きさに拡
大されると共にリードが挿入されるリード挿入用穴が設
けられかつ薄肉状のダイヤフラムが形成された半導体圧
力センサチップと、この半導体圧力センサチップに接続
されたワイヤと、このワイヤに接続されると共に、上記
リード挿入用穴に挿入され上記ステムを貫通するリード
と、上記ケース及び上記ステムとの間に形成された空間
内に気密に充填されるシリコンオイルとを備えたので、
スペーサーを使用せずにシリコンオイルの充填量を減少
でき、スペーサーを装着するための工程数や部品点数を
減少でき、安価な半導体圧力検出装置が得られるという
効果を奏する。
【００２１】この発明の請求項第２項は、中心に貫通穴
が形成され貫通穴の頂部に金属ダイヤフラムが設けられ
たケースと、このケースに空間を形成するように接着さ
れるステムと、このステム上に載置された台座と、この
台座上に載置され薄肉状のダイヤフラムが形成された半
導体圧力センサチップと、この半導体圧力センサチップ
に接続されたワイヤと、このワイヤに接続されると共に
上記ステムを貫通するリードと、上記ケース及び上記ス
テムとの間に形成された空間内に充填されるシリコンオ
イルとを備えた半導体圧力検出装置であって、上記ステ
ムには上記半導体圧力センサチップ及び上記台座の周囲
を囲むようにステム突出部が形成されているので、ステ
ムをプレス加工により簡単に作製したステム突出部によ
りスペーサーを不要にすることができ、スペーサーを装
着するための工程数や部品点数を減少でき、安価な半導
体圧力検出装置が得られるという効果を奏する。
が形成され貫通穴の頂部に金属ダイヤフラムが設けられ
たケースと、このケースに空間を形成するように接着さ
れるステムと、このステム上に載置された台座と、この
台座上に載置され薄肉状のダイヤフラムが形成された半
導体圧力センサチップと、この半導体圧力センサチップ
に接続されたワイヤと、このワイヤに接続されると共に
上記ステムを貫通するリードと、上記ケース及び上記ス
テムとの間に形成された空間内に充填されるシリコンオ
イルとを備えた半導体圧力検出装置であって、上記ステ
ムには上記半導体圧力センサチップ及び上記台座の周囲
を囲むようにステム突出部が形成されているので、ステ
ムをプレス加工により簡単に作製したステム突出部によ
りスペーサーを不要にすることができ、スペーサーを装
着するための工程数や部品点数を減少でき、安価な半導
体圧力検出装置が得られるという効果を奏する。
【００２２】この発明の請求項第３項は、中心に貫通穴
が形成され貫通穴の頂部に金属ダイヤフラムが設けられ
たケースと、このケースの上記貫通穴に対応する位置に
薄肉状に形成されたダイヤフラムの裏面凹部が配置する
ようにケースに接着された半導体圧力センサチップと、
この半導体圧力センサチップにフリップチップ実装され
た厚膜基板と、この厚膜基板を上記ケースに固定する押
さえ板と、上記厚膜基板に接続されたリードと、上記ケ
ースの貫通穴及び上記半導体圧力センサチップで形成さ
れる空間内に気密に充填されるシリコンオイルとを備え
たので、半導体圧力センサチップのダイヤフラム裏面で
直接シリコンオイルの圧力を受ける構造なので、シリコ
ンオイルの使用量を微量にすることができ、検出精度を
向上することができると共に、フリップチップ実装を用
いたことで、半導体圧力検出装置の振動に対する信頼性
も向上することができるという効果を奏する。
が形成され貫通穴の頂部に金属ダイヤフラムが設けられ
たケースと、このケースの上記貫通穴に対応する位置に
薄肉状に形成されたダイヤフラムの裏面凹部が配置する
ようにケースに接着された半導体圧力センサチップと、
この半導体圧力センサチップにフリップチップ実装され
た厚膜基板と、この厚膜基板を上記ケースに固定する押
さえ板と、上記厚膜基板に接続されたリードと、上記ケ
ースの貫通穴及び上記半導体圧力センサチップで形成さ
れる空間内に気密に充填されるシリコンオイルとを備え
たので、半導体圧力センサチップのダイヤフラム裏面で
直接シリコンオイルの圧力を受ける構造なので、シリコ
ンオイルの使用量を微量にすることができ、検出精度を
向上することができると共に、フリップチップ実装を用
いたことで、半導体圧力検出装置の振動に対する信頼性
も向上することができるという効果を奏する。
【００２３】この発明の請求項第４項は、請求項第３項
記載の半導体圧力検出装置に、厚膜基板に増幅、温度補
償機能を有するＩＣチップがバンプにより実装されてい
るので、ワイヤを使用せずにＩＣチップを半導体圧力検
出装置と一体化して半導体圧力検出装置の小型化を図る
ことができると共に、半導体圧力検出装置の振動に対す
る信頼性も向上することができるという効果を奏する。
記載の半導体圧力検出装置に、厚膜基板に増幅、温度補
償機能を有するＩＣチップがバンプにより実装されてい
るので、ワイヤを使用せずにＩＣチップを半導体圧力検
出装置と一体化して半導体圧力検出装置の小型化を図る
ことができると共に、半導体圧力検出装置の振動に対す
る信頼性も向上することができるという効果を奏する。
【図１】 この発明の実施例１による半導体圧力検出装
置を示す側断面図である。
置を示す側断面図である。
【図２】 図１の要部概略平面図である。
【図３】 この発明の実施例２による半導体圧力検出装
置を示す側断面図である。
置を示す側断面図である。
【図４】 図３の要部概略平面図である。
【図５】 この発明の実施例３による半導体圧力検出装
置を示す側断面図である。
置を示す側断面図である。
【図６】 この発明の実施例４による半導体圧力検出装
置を示す側断面図である。
置を示す側断面図である。
【図７】 従来の半導体圧力検出装置を示す側断面図で
ある。
ある。
１ 金属ダイヤフラム、１ａ 貫通穴、２ シリコンオ
イル、３、３ａ 半導体圧力センサチップ、４ ダイヤ
フラム、５、５ａ 台座、６ ステム、６１ステム上
面、６１Ａ ステム突出部、７ リード、８ ケース、
９ ワイヤ、１０ リード挿入用穴、１１ 半田、１１
ａ 接着材、１２ 押さえ板、１３ リード、１４ 角
リング、１５ 厚膜基板、１６ ＩＣチップ、１７ バ
ンプ。
イル、３、３ａ 半導体圧力センサチップ、４ ダイヤ
フラム、５、５ａ 台座、６ ステム、６１ステム上
面、６１Ａ ステム突出部、７ リード、８ ケース、
９ ワイヤ、１０ リード挿入用穴、１１ 半田、１１
ａ 接着材、１２ 押さえ板、１３ リード、１４ 角
リング、１５ 厚膜基板、１６ ＩＣチップ、１７ バ
ンプ。
Claims (4)
- 【請求項１】 中心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に
金属ダイヤフラムが設けられたケースと、このケースに
空間を形成するように接着されるステムと、このステム
上に載置されステム上面に近い大きさに拡大されると共
にリードが挿入されるリード挿入用穴が設けられた台座
と、この台座上に載置され上記ステム上面に近い大きさ
に拡大されると共にリードが挿入されるリード挿入用穴
が設けられかつ薄肉状のダイヤフラムが形成された半導
体圧力センサチップと、この半導体圧力センサチップに
接続されたワイヤと、このワイヤに接続されると共に上
記リード挿入用穴に挿入され上記ステムを貫通するリー
ドと、上記ケース及び上記ステムとの間に形成された空
間内に気密に充填されるシリコンオイルとを備えたこと
を特徴とする半導体圧力検出装置。 - 【請求項２】 中心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に
金属ダイヤフラムが設けられたケースと、このケースに
空間を形成するように接着されるステムと、このステム
上に載置された台座と、この台座上に載置され薄肉状の
ダイヤフラムが形成された半導体圧力センサチップと、
この半導体圧力センサチップに接続されたワイヤと、こ
のワイヤに接続されると共に上記ステムを貫通するリー
ドと、上記ケース及び上記ステムとの間に形成された空
間内に気密に充填されるシリコンオイルとを備えた半導
体圧力検出装置であって、上記ステムには上記半導体圧
力センサチップ及び上記台座の周囲を囲むようにステム
突出部が形成されていることを特徴とする半導体圧力検
出装置。 - 【請求項３】 中心に貫通穴が形成され貫通穴の頂部に
金属ダイヤフラムが設けられたケースと、このケースの
上記貫通穴に対応する位置に薄肉状に形成されたダイヤ
フラムの裏面凹部が配置するようにケースに接着された
半導体圧力センサチップと、この半導体圧力センサチッ
プにフリップチップ実装された厚膜基板と、この厚膜基
板を上記ケースに固定する押さえ板と、上記厚膜基板に
接続されたリードと、上記ケースの貫通穴及び上記半導
体圧力センサチップで形成される空間内に気密に充填さ
れるシリコンオイルとを備えたことを特徴とする半導体
圧力検出装置。 - 【請求項４】 厚膜基板に増幅、温度補償機能を有する
ＩＣチップがバンプにより実装されていることを特徴と
する請求項第３項記載の半導体圧力検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6325824A JPH08178778A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 半導体圧力検出装置 |
| US08/456,306 US5625151A (en) | 1994-12-27 | 1995-06-01 | Silicone oil-filled semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6325824A JPH08178778A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 半導体圧力検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08178778A true JPH08178778A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18181017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6325824A Pending JPH08178778A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 半導体圧力検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5625151A (ja) |
| JP (1) | JPH08178778A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010256187A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 圧力センサ |
| JP2012508387A (ja) * | 2008-11-11 | 2012-04-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 圧力センサ |
| JP2012093212A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 燃焼機用圧力検出装置用パッケージ |
| JP2015503749A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-02-02 | ポスコ | センサー装置及びそれを含む冷却設備の性能評価装置 |
| JP2016109692A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | ケースが絶縁され、オイルが充填されたｍｅｍｓ圧力センサ |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU9766498A (en) * | 1997-10-23 | 1999-05-10 | Texas Instruments Incorporated | Device for performing measurements in a space by means of a chip |
| JPH11211594A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| DE19813756A1 (de) * | 1998-03-27 | 1999-10-07 | Siemens Ag | Messung des Drucks eines Fluids |
| DE69931348D1 (de) * | 1998-12-17 | 2006-06-22 | Chevron Usa Inc | Vorrichtung und verfahren zum schutz von optischen geräten unter rauhen betriebszuständen |
| US6453749B1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-09-24 | Motorola, Inc. | Physical sensor component |
| US6550337B1 (en) * | 2000-01-19 | 2003-04-22 | Measurement Specialties, Inc. | Isolation technique for pressure sensing structure |
| US20020029639A1 (en) * | 2000-01-19 | 2002-03-14 | Measurement Specialities, Inc. | Isolation technique for pressure sensing structure |
| DE10107813A1 (de) | 2001-02-20 | 2002-09-05 | Bosch Gmbh Robert | Drucksensormodul |
| US6769319B2 (en) | 2001-07-09 | 2004-08-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Component having a filter |
| DE10231010B4 (de) * | 2002-07-09 | 2013-02-28 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Verfahren zum Herstellen eines Druckmesswerks |
| CN1726385B (zh) * | 2002-12-12 | 2010-04-21 | 丹福斯有限公司 | 压力传感器 |
| US7082835B2 (en) * | 2003-06-18 | 2006-08-01 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor apparatus and method |
| US7415883B2 (en) * | 2004-06-28 | 2008-08-26 | Zuli Holdings Ltd | Method for protecting resonating sensors and open protected resonating sensors |
| US8162839B2 (en) * | 2003-08-27 | 2012-04-24 | Microtech Medical Technologies Ltd. | Protected passive resonating sensors |
| DE102004048367B4 (de) * | 2004-10-01 | 2010-10-28 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Verfahren zur Befüllung eines Druckmessaufnehmers |
| US7021147B1 (en) | 2005-07-11 | 2006-04-04 | General Electric Company | Sensor package and method |
| JP4893238B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2012-03-07 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| DE102007049446A1 (de) | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Cequr Aps | Katheter-Einführeinrichtung |
| US8547239B2 (en) * | 2009-08-18 | 2013-10-01 | Cequr Sa | Methods for detecting failure states in a medicine delivery device |
| US8672873B2 (en) | 2009-08-18 | 2014-03-18 | Cequr Sa | Medicine delivery device having detachable pressure sensing unit |
| US9211378B2 (en) | 2010-10-22 | 2015-12-15 | Cequr Sa | Methods and systems for dosing a medicament |
| US8371176B2 (en) | 2011-01-06 | 2013-02-12 | Honeywell International Inc. | Media isolated pressure sensor |
| WO2013084294A1 (ja) * | 2011-12-06 | 2013-06-13 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
| CN102518153B (zh) * | 2011-12-13 | 2014-04-09 | 河海大学 | 沉井刃脚触底探测装置 |
| US8516897B1 (en) | 2012-02-21 | 2013-08-27 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor |
| EP3112830B1 (en) | 2015-07-01 | 2018-08-22 | Sensata Technologies, Inc. | Temperature sensor and method for the production of a temperature sensor |
| US10119877B2 (en) * | 2015-07-16 | 2018-11-06 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | High-temperature headers for sensing elements |
| DE102015226642A1 (de) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Robert Bosch Gmbh | Sensor zur Erfassung eines Drucks eines fluiden Mediums |
| US9638559B1 (en) | 2016-02-10 | 2017-05-02 | Sensata Technologies Inc. | System, devices and methods for measuring differential and absolute pressure utilizing two MEMS sense elements |
| US10113927B2 (en) | 2016-02-24 | 2018-10-30 | Honeywell International Inc. | Flip chip pressure sensor assembly |
| CN107290099B (zh) | 2016-04-11 | 2021-06-08 | 森萨塔科技公司 | 压力传感器、用于压力传感器的插塞件和制造插塞件的方法 |
| EP3236226B1 (en) | 2016-04-20 | 2019-07-24 | Sensata Technologies, Inc. | Method of manufacturing a pressure sensor |
| DE102016218667A1 (de) | 2016-09-28 | 2018-03-29 | Robert Bosch Gmbh | Drucksensorvorrichtung sowie Drucksensor |
| US10428716B2 (en) | 2016-12-20 | 2019-10-01 | Sensata Technologies, Inc. | High-temperature exhaust sensor |
| US10545064B2 (en) | 2017-05-04 | 2020-01-28 | Sensata Technologies, Inc. | Integrated pressure and temperature sensor |
| US10502641B2 (en) | 2017-05-18 | 2019-12-10 | Sensata Technologies, Inc. | Floating conductor housing |
| US10323998B2 (en) | 2017-06-30 | 2019-06-18 | Sensata Technologies, Inc. | Fluid pressure sensor |
| US10724907B2 (en) | 2017-07-12 | 2020-07-28 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure sensor element with glass barrier material configured for increased capacitive response |
| US10557770B2 (en) | 2017-09-14 | 2020-02-11 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure sensor with improved strain gauge |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE35321T1 (de) * | 1985-01-28 | 1988-07-15 | Kristal Instr Ag | Messwandlereinsatz, verfahren zu seiner herstellung und verwendung fuer einen aufnehmer zur messung mechanischer groessen. |
| ATE42637T1 (de) * | 1985-09-11 | 1989-05-15 | Kunz Manfred | Drucksensor. |
| DE3705901C2 (de) * | 1987-02-24 | 1996-12-12 | Siemens Ag | Druckmeßwandler |
| US4771639A (en) * | 1987-09-02 | 1988-09-20 | Yokogawa Electric Corporation | Semiconductor pressure sensor |
| US4993266A (en) * | 1988-07-26 | 1991-02-19 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Semiconductor pressure transducer |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP6325824A patent/JPH08178778A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-01 US US08/456,306 patent/US5625151A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012508387A (ja) * | 2008-11-11 | 2012-04-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 圧力センサ |
| US8931348B2 (en) | 2008-11-11 | 2015-01-13 | Robert Bosch Gmbh | Pressure sensor |
| JP2010256187A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 圧力センサ |
| JP2012093212A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 燃焼機用圧力検出装置用パッケージ |
| JP2015503749A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-02-02 | ポスコ | センサー装置及びそれを含む冷却設備の性能評価装置 |
| JP2016109692A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | センサータ テクノロジーズ インコーポレーテッド | ケースが絶縁され、オイルが充填されたｍｅｍｓ圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5625151A (en) | 1997-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5625151A (en) | Silicone oil-filled semiconductor pressure sensor | |
| US20050194685A1 (en) | Method for mounting semiconductor chips and corresponding semiconductor chip system | |
| US8643127B2 (en) | Sensor device packaging | |
| US4563697A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| US5604363A (en) | Semiconductor pressure sensor with package | |
| CN114739571B (zh) | 一种mems压力传感器的封装装置 | |
| JPH08193897A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH11295172A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US20080099861A1 (en) | Sensor device package having thermally compliant die pad | |
| US5444286A (en) | Packaged semiconductor pressure sensor including lead supports within the package | |
| JP2004020216A (ja) | 圧力センサ装置 | |
| US4400682A (en) | Pressure sensor | |
| JPH01169333A (ja) | 半導体圧力変換器 | |
| JPS5826237A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH11160179A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2625225B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2003254821A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPH0738122A (ja) | センサ用パッケージ | |
| JPS6157826A (ja) | 圧力変換器 | |
| JP2735107B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS635232A (ja) | 圧力検出器 | |
| JPS638523A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS61245036A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JPS6327724A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPH07131036A (ja) | 半導体加速度センサ |