JPS5828830A - パターン形成法 - Google Patents
パターン形成法Info
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- JPS5828830A JPS5828830A JP56117346A JP11734681A JPS5828830A JP S5828830 A JPS5828830 A JP S5828830A JP 56117346 A JP56117346 A JP 56117346A JP 11734681 A JP11734681 A JP 11734681A JP S5828830 A JPS5828830 A JP S5828830A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
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- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はジ精セフソン集積回路等のリフトオフバター
ニングに利用されるフォトレジストステンシルの形成方
法に関慣るものである。
ニングに利用されるフォトレジストステンシルの形成方
法に関慣るものである。
リフトオフ法代は、第１図に示すような、断面構造が“
きのこ”型をしたフォトレジスト（第１図（ａ））ステ
ンシル（抜き型）の開孔部に、種々の薄膜層１２，１３
を推積し（第１図（ｂ））、ついでステンシルを構成す
るフォトレジスト層を有機浴媒を用いて溶融し去る際に
不要の薄膜層１３を除去して、所望のパターンを有する
薄膜層を得る（第１図（ｃ））方法である。ジョセフソ
ン集積回路の製造プロセスにおいては、薄膜層の開孔部
１４は接合領域に又薄膜層１２は超伝導線路に対比する
。
きのこ”型をしたフォトレジスト（第１図（ａ））ステ
ンシル（抜き型）の開孔部に、種々の薄膜層１２，１３
を推積し（第１図（ｂ））、ついでステンシルを構成す
るフォトレジスト層を有機浴媒を用いて溶融し去る際に
不要の薄膜層１３を除去して、所望のパターンを有する
薄膜層を得る（第１図（ｃ））方法である。ジョセフソ
ン集積回路の製造プロセスにおいては、薄膜層の開孔部
１４は接合領域に又薄膜層１２は超伝導線路に対比する
。
第１図（ａ）はステンシルの形状パラメータＷ。Ｗ１Δ
を示すが、ステンシル基部の巾Ｗ１１は接合領域の形状
を規定し、罵は超伝導酬路の線巾を規定し、又４は薄膜
層１２．１３の５）離の難易度を決定する。
を示すが、ステンシル基部の巾Ｗ１１は接合領域の形状
を規定し、罵は超伝導酬路の線巾を規定し、又４は薄膜
層１２．１３の５）離の難易度を決定する。
リフトオフ法、特にジ，セフソン集棺回闇のパターニン
グに用いられるリフトオフ法においては、ステンシルの
最大中Ｗ８．ひさしの深さΔ、基部の巾Ｗ、のいずれを
も制御よく、形成する必要かある。
グに用いられるリフトオフ法においては、ステンシルの
最大中Ｗ８．ひさしの深さΔ、基部の巾Ｗ、のいずれを
も制御よく、形成する必要かある。
従来、このようなステンシルを得るためには、第一層と
なるポジ型フォトレジストを塗布・ペイキングし、第一
層表面を弗素を含む分子のガスプラズマ、例えば四フツ
化炭素ＣＦ、ガスプラガス中に曝し、第二層となるポジ
型フォトレジストを塗布・ペイキングして、二層構造フ
ォトレジスト層を形成する工程と、該二層構造フォトレ
ジスト層をマスク露光し、第二層を現憎し、第一層表面
を酸素プラズマ中に曝し、第一層を現像する工程よりな
るフォトレジストステンシルの形成方法が用いられた。
なるポジ型フォトレジストを塗布・ペイキングし、第一
層表面を弗素を含む分子のガスプラズマ、例えば四フツ
化炭素ＣＦ、ガスプラガス中に曝し、第二層となるポジ
型フォトレジストを塗布・ペイキングして、二層構造フ
ォトレジスト層を形成する工程と、該二層構造フォトレ
ジスト層をマスク露光し、第二層を現憎し、第一層表面
を酸素プラズマ中に曝し、第一層を現像する工程よりな
るフォトレジストステンシルの形成方法が用いられた。
この方法においては第一層の現像を行う際に、過現象に
よって発生するひさし構造によって”きのこ゛型断面を
有するステンシルを得ているのであり、びさし深さΔが
頭分でなかったり、基底部巾Ｗ、が制御しにくかったり
する欠点があった。
よって発生するひさし構造によって”きのこ゛型断面を
有するステンシルを得ているのであり、びさし深さΔが
頭分でなかったり、基底部巾Ｗ、が制御しにくかったり
する欠点があった。
この本発明けこイシらの欠点を除去せしめたフォトレジ
ストステンシルの形成方法を提供することある。この発
明によれば第一層となるポジ型フォトレジストを塗布・
ペイキングし、第一層表面を弗素を含む分子のガスプラ
ズマに曝し、第二層となるポジ型フォトレジストを塗布
・ペイキングして、二層構造フォトレジスト層を形成す
る工程と、該二層構造レジスト層をマスク露光し、第二
層を現像し、第一層表面を酸素分子の含むカスのプラズ
マ中に曝し、第一層を現像する工程古、第一層のフすト
レジストと第二層のフォトレジストの未露光部分に対す
る溶解速度γ１．γ２の比γ、／ｒ２が１以上であるエ
ツチング液で、第二層をザイドエッチングする工程を含
む事を特徴とするフォトレジストステンシルの形成方法
が得られる。
ストステンシルの形成方法を提供することある。この発
明によれば第一層となるポジ型フォトレジストを塗布・
ペイキングし、第一層表面を弗素を含む分子のガスプラ
ズマに曝し、第二層となるポジ型フォトレジストを塗布
・ペイキングして、二層構造フォトレジスト層を形成す
る工程と、該二層構造レジスト層をマスク露光し、第二
層を現像し、第一層表面を酸素分子の含むカスのプラズ
マ中に曝し、第一層を現像する工程古、第一層のフすト
レジストと第二層のフォトレジストの未露光部分に対す
る溶解速度γ１．γ２の比γ、／ｒ２が１以上であるエ
ツチング液で、第二層をザイドエッチングする工程を含
む事を特徴とするフォトレジストステンシルの形成方法
が得られる。
前記この発明によれば形状パラメータの制御性のよいス
テンシル形成法を実現できる。
テンシル形成法を実現できる。
以下、この発明について図面を用いて詳細に説明する。
第２図は、この発明の一実施例であるフォトレジストス
テンシルの形成プロセスを示す図面である。
テンシルの形成プロセスを示す図面である。
基板２１上に第一層となるポジ型フォトレジスト２２を
塗布・ペイキングし、これを弗素を含む分子のプラズマ
（第１のプラズマ）中に曝すと、表面に耐診剤性の強化
された表面層２３が形成される。（第２図（ａ））。こ
の上に第二層となるポジ型フォトレジスト２４を塗布ペ
イキングする（第２図（ｂ））この二層構造フォトレジ
スト層をマスク露光し、第二層に対する現像液中に浸せ
ば、未感光配分を残して、第一層表面が露出する。この
時の未露光部分の巾をＷ、露光部分をＷとする。露出し
た第一層表面を酸素を含むプラズマ（第二のプラズマ）
中に曝して、耐溶剤性の強化された表面層２３をこの霧
出部分において除去し、第一層を現像すれば、第２図（
ｄ）の構造が得られる。
塗布・ペイキングし、これを弗素を含む分子のプラズマ
（第１のプラズマ）中に曝すと、表面に耐診剤性の強化
された表面層２３が形成される。（第２図（ａ））。こ
の上に第二層となるポジ型フォトレジスト２４を塗布ペ
イキングする（第２図（ｂ））この二層構造フォトレジ
スト層をマスク露光し、第二層に対する現像液中に浸せ
ば、未感光配分を残して、第一層表面が露出する。この
時の未露光部分の巾をＷ、露光部分をＷとする。露出し
た第一層表面を酸素を含むプラズマ（第二のプラズマ）
中に曝して、耐溶剤性の強化された表面層２３をこの霧
出部分において除去し、第一層を現像すれば、第２図（
ｄ）の構造が得られる。
ついで、第一層のフォトレジストと第二層のフォトレジ
ストに対する溶解速度γ１．γ２の比γ、／γ２が１以
上であるエツチング液中に浸せば、第２図（ｅ）に示す
如く、きのこ型の断面を有するステンシルが得られる。
ストに対する溶解速度γ１．γ２の比γ、／γ２が１以
上であるエツチング液中に浸せば、第２図（ｅ）に示す
如く、きのこ型の断面を有するステンシルが得られる。
ステンシルの形状パラメータＶＶ、、Ｗ８Δ、Ｗｏはマ
スクより転写された巾Ｗ。Ｗｌ、に対して次の関係にあ
る。
スクより転写された巾Ｗ。Ｗｌ、に対して次の関係にあ
る。
嶌、＝Ｗ、、＋２７．−を
鴨＝〜Ｉ宿−２γＩＩｌｌ
■ｉ−呵、−２γ２・ｔ
Δ−（７’２−１１）・ｔ
ここにｔ′はサイドエッチングの時間である。
第一、第二のフォトレジストの種類及び膜厚、第一、第
二のプラズマの種々、サイドエツチングのためのエツチ
ング液等は、得るべきフォトレジストステンシルの使用
目的に応じて、形状パラメータの大きさ及び鞘層、プロ
セスにおける耐件等につき、所期の性能を満たすように
、選択する必要がある。−例として、第一、第二のフォ
トレジストとして商品名ＡＺ１３７０、ＡＺ２４１５、
第一のプラズマとしで純四フッ化炭素ガスプラズマ、第
二のプラズマとして純酸素プラズマ、サイドエツチング
のためのエツチング液として商品名ＡＺ２４０１を適当
な量の水で稀釈したものを用いる事ができる。
二のプラズマの種々、サイドエツチングのためのエツチ
ング液等は、得るべきフォトレジストステンシルの使用
目的に応じて、形状パラメータの大きさ及び鞘層、プロ
セスにおける耐件等につき、所期の性能を満たすように
、選択する必要がある。−例として、第一、第二のフォ
トレジストとして商品名ＡＺ１３７０、ＡＺ２４１５、
第一のプラズマとしで純四フッ化炭素ガスプラズマ、第
二のプラズマとして純酸素プラズマ、サイドエツチング
のためのエツチング液として商品名ＡＺ２４０１を適当
な量の水で稀釈したものを用いる事ができる。
以上述べたようにこの発明による、フォトレジストステ
ンシル形成法においては、ステンシルの重要なパラメー
タの大きさ及び確度は、フォトマスノ上のパターンの大
きさ及び精度と、サイドエッチングの時間及び制御精度
のみによって決定されるので、極めて、制御よく、所期
のきのこ型断面を有するステンシルか（４）られ、リフ
トオフ法による回路パターニングに利用して、その益す
るところ犬である。
ンシル形成法においては、ステンシルの重要なパラメー
タの大きさ及び確度は、フォトマスノ上のパターンの大
きさ及び精度と、サイドエッチングの時間及び制御精度
のみによって決定されるので、極めて、制御よく、所期
のきのこ型断面を有するステンシルか（４）られ、リフ
トオフ法による回路パターニングに利用して、その益す
るところ犬である。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はフォトレジストステン
シルの形状パラメータ及びリットオフ法によるパターニ
ングを説明するための図面である。図において、１１は
フォトレジスト１２，１３は薄膜層、１４は開口部を示
す。 第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例であるフォ
トレジストステンンルの形成プロセスを説明するだめの
図面である。 図において２１は基板、２２．２４はポジ型フォトレジ
スト、２３は表面層を示す。
シルの形状パラメータ及びリットオフ法によるパターニ
ングを説明するための図面である。図において、１１は
フォトレジスト１２，１３は薄膜層、１４は開口部を示
す。 第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例であるフォ
トレジストステンンルの形成プロセスを説明するだめの
図面である。 図において２１は基板、２２．２４はポジ型フォトレジ
スト、２３は表面層を示す。
Claims (1)
- 第一層となるポジ型フォトレジストを塗布・ベイキング
し、第一層表面を弗素を含む分子のガスプラスマに曝し
、第二層となるポジ型フォトレジストを塗布・ベイキン
グして、二層構造フォトレジスト層を形成する工程と、
該二層構造フォトレジスト層をマスク露光し、第二層を
現像し、第一層表面を酸素分子を含むガスのプラズマ中
に曝し、第一層を現像する工程と、第一層フォトレジス
トと第二層のフォトレジストの未露光部分に対する溶解
速度ｒ、、ｒ、の比ｒ、／ｒ２が１以上であるエッチン
ク液で第二層をサイドエッチングする工程を含む事を特
徴とするフォトレジストステンシルの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117346A JPS5828830A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | パターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117346A JPS5828830A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | パターン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5828830A true JPS5828830A (ja) | 1983-02-19 |
| JPH0239090B2 JPH0239090B2 (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=14709418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117346A Granted JPS5828830A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | パターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5255175A (en) * | 1989-05-15 | 1993-10-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power generation system having induction generator and controlled bridge rectifier |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154737A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming pattern |
| JPS5655055A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5691434A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Fujitsu Ltd | Method for forming pattern of deposited film by lift-off method |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP56117346A patent/JPS5828830A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154737A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming pattern |
| JPS5655055A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5691434A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Fujitsu Ltd | Method for forming pattern of deposited film by lift-off method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5255175A (en) * | 1989-05-15 | 1993-10-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power generation system having induction generator and controlled bridge rectifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0239090B2 (ja) | 1990-09-04 |
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