JPS5830128A - ウエハのチヤツク装置 - Google Patents
ウエハのチヤツク装置Info
- Publication number
- JPS5830128A JPS5830128A JP56127788A JP12778881A JPS5830128A JP S5830128 A JPS5830128 A JP S5830128A JP 56127788 A JP56127788 A JP 56127788A JP 12778881 A JP12778881 A JP 12778881A JP S5830128 A JPS5830128 A JP S5830128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- substrate
- points
- fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路等を形成するウェハ等の板材を
高精ｆＫ保持するウェハのチャック装置に関する奄ので
ある。
高精ｆＫ保持するウェハのチャック装置に関する奄ので
ある。
ウェハチャックは半導体装置等に多く用すらｎる。
第１図は投影式了ライナに使用している例である。
１はウェハチャック、２はウェハ、４は投影光学式、５
はマスク％ ６はスライドテーブル、８は７ライナベー
スである。まｔ７は露光光を示す、ウェハチャック１は
ウェハ２ｔ−吸着し、マスクＩ（ターンの結偉面５に合
わせてウェハ２を固定する。従来の球面座方式のウェハ
チャック１ではこの固定する精度が悪くパターンのウェ
ハへの焼付がうまくゆかない、すなわち、ウェハ２の表
面と結像面３の合わせ精度は２μｌが１１ｍ１ｔ’であ
る。しかし、半導体集積回路ツバ膚−ン幅が５μ−から
２μｍ以下になるにりｎ、＃像面５とクエへ２の面を±
１μｌ内に合わせる必要がでてきており１球面座方式〈
かゎるチャ雫りが必要となってきた。
はマスク％ ６はスライドテーブル、８は７ライナベー
スである。まｔ７は露光光を示す、ウェハチャック１は
ウェハ２ｔ−吸着し、マスクＩ（ターンの結偉面５に合
わせてウェハ２を固定する。従来の球面座方式のウェハ
チャック１ではこの固定する精度が悪くパターンのウェ
ハへの焼付がうまくゆかない、すなわち、ウェハ２の表
面と結像面３の合わせ精度は２μｌが１１ｍ１ｔ’であ
る。しかし、半導体集積回路ツバ膚−ン幅が５μ−から
２μｍ以下になるにりｎ、＃像面５とクエへ２の面を±
１μｌ内に合わせる必要がでてきており１球面座方式〈
かゎるチャ雫りが必要となってきた。
第２図に従来の球面座方式のウェハチャックを示す、従
来のウェハチャックはウェハ２を吸着するウェハチャダ
ク面１０と、チャック用真空管路１１、球面座１２１球
面座固定用真空管路１５、ウェハ面上方にセダトさｆＬ
ｔつきあて棒１４及びウェハチャリグのよ下機構１５か
らなる。
来のウェハチャックはウェハ２を吸着するウェハチャダ
ク面１０と、チャック用真空管路１１、球面座１２１球
面座固定用真空管路１５、ウェハ面上方にセダトさｆＬ
ｔつきあて棒１４及びウェハチャリグのよ下機構１５か
らなる。
第５図に球面鰻重式のウェハチャダグの動作を示す、（
ａ）は上下機構１５に１９ウエハチヤツク１【下げ、ウ
ェハ２ｔのせてウェハチャヅク用の真空刀１８にエクチ
ャダクした状態である。ここではウニ八属１０は傾いて
おり、マスクパターン結像面３から離ｎている。この時
球面座用真空１９は働いていなく、球面座ｊ２Ｆｉ７リ
ーである０次にｌｂｌの１うに上下機構１５に工９ウェ
ハチャヴクを上げてつきあて棒１４にウェハ２の周辺部
をつきあてる。つきあて棒ｆ４Ｆｉクエへ局辺の３点に
配置さ九ておハつきあて棒１４の先端を結ぶ面はあらか
じめマスクパターン結像面５に平行ニナっている。この
ため上下機構１５とあらかじめ決めらｆまた与圧１７で
上げ続けると１球面座Ｓ２によってウェハ面９がマスク
パターン結像面１５と平行にな−）た所で止まる。上下
機構１５が停止したら（ｏ）のようにそのまま球面座１
２１ｉ−球面座用真空１９を働かせて固定する。最後Ｋ
（ｄ）のように上下機構１５によりウェハチャック１
を下げる。下げる量は、つきあて棒１４の先端とマスク
バ４−ン結像面５との距離１６であり、Ｔｏらかしめ決
めておく０以上でウェハ面９とマスクパターン結像面５
は±２Ａｍ２点の精度で合致したことになる。
ａ）は上下機構１５に１９ウエハチヤツク１【下げ、ウ
ェハ２ｔのせてウェハチャヅク用の真空刀１８にエクチ
ャダクした状態である。ここではウニ八属１０は傾いて
おり、マスクパターン結像面３から離ｎている。この時
球面座用真空１９は働いていなく、球面座ｊ２Ｆｉ７リ
ーである０次にｌｂｌの１うに上下機構１５に工９ウェ
ハチャヴクを上げてつきあて棒１４にウェハ２の周辺部
をつきあてる。つきあて棒ｆ４Ｆｉクエへ局辺の３点に
配置さ九ておハつきあて棒１４の先端を結ぶ面はあらか
じめマスクパターン結像面５に平行ニナっている。この
ため上下機構１５とあらかじめ決めらｆまた与圧１７で
上げ続けると１球面座Ｓ２によってウェハ面９がマスク
パターン結像面１５と平行にな−）た所で止まる。上下
機構１５が停止したら（ｏ）のようにそのまま球面座１
２１ｉ−球面座用真空１９を働かせて固定する。最後Ｋ
（ｄ）のように上下機構１５によりウェハチャック１
を下げる。下げる量は、つきあて棒１４の先端とマスク
バ４−ン結像面５との距離１６であり、Ｔｏらかしめ決
めておく０以上でウェハ面９とマスクパターン結像面５
は±２Ａｍ２点の精度で合致したことになる。
以上の動作はウェハ１枚毎に行なう、これはウェハ２の
個々の厚さむらや、ウェハチャダグへの吸着むらにより
生ずるウェハ面９のタエへチャック面１０からの距離の
バックｄＰ（±５μ−〜±１０μＩ）を修正する几めで
ある。
個々の厚さむらや、ウェハチャダグへの吸着むらにより
生ずるウェハ面９のタエへチャック面１０からの距離の
バックｄＰ（±５μ−〜±１０μＩ）を修正する几めで
ある。
以上のＬうな方式では次のような欠点がある。
第１Ｆｉ先に述べたように、ウェハ面９とパターン結像
面が合わないときの点である。これは平行出しと高さ合
わせの２者に問題がある。ｍち平行出しは第１としてウ
ェハチャック用の真９管路１１の剛性により球面座１２
がう壕（働かな−ことくわ９％第２として球面座１２會
固定する時真空力により動くことＫあり、第３としてつ
きあての再現性がｆｋＴＡことにあり、第４として上下
機構１５でつきあて時に与圧をかける時の剛性不足によ
るたわみ等の問題がある。高さ合わせは上下機構１５の
再現性がないこと、上記つきあての再現性がなｈこと、
上下機構１５でつきあて時に与圧倉かける時の剛性不正
による友わみ等の問題がある。
面が合わないときの点である。これは平行出しと高さ合
わせの２者に問題がある。ｍち平行出しは第１としてウ
ェハチャック用の真９管路１１の剛性により球面座１２
がう壕（働かな−ことくわ９％第２として球面座１２會
固定する時真空力により動くことＫあり、第３としてつ
きあての再現性がｆｋＴＡことにあり、第４として上下
機構１５でつきあて時に与圧をかける時の剛性不足によ
るたわみ等の問題がある。高さ合わせは上下機構１５の
再現性がないこと、上記つきあての再現性がなｈこと、
上下機構１５でつきあて時に与圧倉かける時の剛性不正
による友わみ等の問題がある。
第２は、ウェハ面９に接触すると込う欠点である。こｆ
ｉはつきあて棒１４先端の汚れ、逆にウェハ面？への汚
Ａ、ウェ八２の破損等を招く。
ｉはつきあて棒１４先端の汚れ、逆にウェハ面？への汚
Ａ、ウェ八２の破損等を招く。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、高
精度にウニ八属をマスクパターン面に合わせるウニへの
チェダクａｔｔ−提供するＫある。
精度にウニ八属をマスクパターン面に合わせるウニへの
チェダクａｔｔ−提供するＫある。
即ち本発明は３点のビポ曽トにウェハチャダグを載置し
、ビボ呼トを上下微動させることＫＬ９ウェ八面へ属意
の面に合わせることにある。ビボダトの上下微動はピエ
ゾ素子等にエフ行なう、ウェハ面の位置決めにはウェハ
面を検出し、こｎｖ上下動にフィードパ雫りする。
、ビボ呼トを上下微動させることＫＬ９ウェ八面へ属意
の面に合わせることにある。ビボダトの上下微動はピエ
ゾ素子等にエフ行なう、ウェハ面の位置決めにはウェハ
面を検出し、こｎｖ上下動にフィードパ雫りする。
以下本発明を図に示す５ｊ！施例にもとづいて具体的に
説明する。
説明する。
第４１ＯＫ本発明の一実施例１示す。、ベース２０上に
３ケ所円周上に配置したピエゾ微動上下４＃檎（以下微
動機構２１と称す）、該微動機構２１に周囲全支持され
九りエハチャ豐グ１．該ウェハチャヴク１をベース２０
に引きつけるバネ２２．ウェハチャック用真空管路１１
１ピエゾコント。−ラ２５．ウェへ属９位ｆｔ−検出す
る円周上に配置さｎ７ｔ５個の静電容量型検出器２４及
び該検出器２４の検出器から各微動機構２１の微動ｒＫ
を演算し、ビエゾコントーラ２５を動かすメインコント
σ−２２５からなる。
３ケ所円周上に配置したピエゾ微動上下４＃檎（以下微
動機構２１と称す）、該微動機構２１に周囲全支持され
九りエハチャ豐グ１．該ウェハチャヴク１をベース２０
に引きつけるバネ２２．ウェハチャック用真空管路１１
１ピエゾコント。−ラ２５．ウェへ属９位ｆｔ−検出す
る円周上に配置さｎ７ｔ５個の静電容量型検出器２４及
び該検出器２４の検出器から各微動機構２１の微動ｒＫ
を演算し、ビエゾコントーラ２５を動かすメインコント
σ−２２５からなる。
動作手順は以下の如くである。まずウェハ２ｔチャヴク
上に載せ吸着する。この時のウェハ面９を検出器２４に
より検出し、そｎぞれｍ、ａＫｌ、Ｚ＠とする。ここで
第４図のようにＸ、Ｙ座標を決めメインコントローラ２
５で各微動機構２１の微動量Δｚ、８△ｚ１．Δ２．を
求める。以下に計算方法を示す、各検出点でのＩＦ（Ｘ
、、Ｙｌｍｇ、）、 ＣＸ１．Ｙ、ａｖｌ）。
上に載せ吸着する。この時のウェハ面９を検出器２４に
より検出し、そｎぞれｍ、ａＫｌ、Ｚ＠とする。ここで
第４図のようにＸ、Ｙ座標を決めメインコントローラ２
５で各微動機構２１の微動量Δｚ、８△ｚ１．Δ２．を
求める。以下に計算方法を示す、各検出点でのＩＦ（Ｘ
、、Ｙｌｍｇ、）、 ＣＸ１．Ｙ、ａｖｌ）。
（Ｘ、、Ｙ、ｇ、） ｆ面の一般式
％式％（１）
に代入し、各係数を求める。ウェハ面は次式の如くなる
。
。
ｚ、＝ Ａ、 Ｘ＋Ｂ、 Ｙ＋Ｃ，（２）一方、マスク
パターン結像面３はあらかじめ下記の如く決まって論る
とする。
パターン結像面３はあらかじめ下記の如く決まって論る
とする。
Ｅ ＠＝Ａ１ Ｘ＋Ｂ＠ Ｙ＋Ｃ＠ （３）よっ
て、ウェハ面９とパターン結像面５との差をΔ２とすれ
ば Δｚ−Ｈ−Ｅ、−（ＡＭ−Ａ、）Ｘ＋（Ｂｌｌ−Ｂ、）
Ｙ＋ｃＨ−ＣＷ（４） ウェハ面９１ｔパタ一ン結倫面５に一致させるＶＣは３
つの微動機構２１の座標で一致させれば良く。
て、ウェハ面９とパターン結像面５との差をΔ２とすれ
ば Δｚ−Ｈ−Ｅ、−（ＡＭ−Ａ、）Ｘ＋（Ｂｌｌ−Ｂ、）
Ｙ＋ｃＨ−ＣＷ（４） ウェハ面９１ｔパタ一ン結倫面５に一致させるＶＣは３
つの微動機構２１の座標で一致させれば良く。
各座標でのΔ２が微動機構２１の微動量となる。
すなわち、各微動機構２１０座標ｋ （ＩＣ，Ｉ ＹＣ
，） ａ（ｘ、、、 Ｙａｌ）−ＣＸｃｓ、Ｙｃｈ）
とすればΔｚ１．ΔＥ１．Δｚ１は（４）弐に代入し求
まる。
，） ａ（ｘ、、、 Ｙａｌ）−ＣＸｃｓ、Ｙｃｈ）
とすればΔｚ１．ΔＥ１．Δｚ１は（４）弐に代入し求
まる。
Δ！！＋−（Ａｒ（ｗ）ＸＣＨ＋（ＢｒＢ、）Ｙ）１→
Ｃ１ｌ”’Ｃｗ 、（５）ｂｘＨ−（ＡＨ（、
）Ｘｇ １＋ＣＢ（Ｂ、）Ｙ（１ｚ＋ｃＨ−Ｃ，（６）
ｔｓｚ ４（ｋ（ｋ、） Ｘ６ ％Ｂｋｌ’−Ｂｙ）Ｙ
Ｃ−−（、（７）以上の値會ピエゾコントローラ２ｓＫ
与え、％微動機構２１ｔ−動かせばウニ凸面９はパター
ン結曹面５に一致する。検出の誤差や、微動の誤差があ
る時は、再度ウェハ面９を検出し、一致していなければ
、一致するまで、あるｂはあらかじめ決めておいた回数
だけ上記動作を繰り返せば良い。
Ｃ１ｌ”’Ｃｗ 、（５）ｂｘＨ−（ＡＨ（、
）Ｘｇ １＋ＣＢ（Ｂ、）Ｙ（１ｚ＋ｃＨ−Ｃ，（６）
ｔｓｚ ４（ｋ（ｋ、） Ｘ６ ％Ｂｋｌ’−Ｂｙ）Ｙ
Ｃ−−（、（７）以上の値會ピエゾコントローラ２ｓＫ
与え、％微動機構２１ｔ−動かせばウニ凸面９はパター
ン結曹面５に一致する。検出の誤差や、微動の誤差があ
る時は、再度ウェハ面９を検出し、一致していなければ
、一致するまで、あるｂはあらかじめ決めておいた回数
だけ上記動作を繰り返せば良い。
微動機構は３ケ所供動く必要はなく、２ケ所のみ個々に
微動するようにしてもよい、この場合は第５因のように
上下動機構１２が別に必要となるがチャックく対する構
剛性は１ケ所の支柱が（支）定されることにエフ向上す
る。又この場合、微動量は式（４）でＣＭ−Ｃ１の、＊
１−上下動構１２が調節し、（Ａｌｌ ＊ｗ）ｘ＋＜
ｓＨ−Ｂｗ ） Ｙ ｔ−１１動機構が調節する。
微動するようにしてもよい、この場合は第５因のように
上下動機構１２が別に必要となるがチャックく対する構
剛性は１ケ所の支柱が（支）定されることにエフ向上す
る。又この場合、微動量は式（４）でＣＭ−Ｃ１の、＊
１−上下動構１２が調節し、（Ａｌｌ ＊ｗ）ｘ＋＜
ｓＨ−Ｂｗ ） Ｙ ｔ−１１動機構が調節する。
ウェハ面の検出は静電容量方式でなくても電気−＝ｒイ
クロ、超音波センサ、光センサ、エアマイクロ等検出時
にウェハ姿勢に影響せずプロセスに悪影響かない限り何
でも良い、又、検出子の数は１つ全走査しても良いし、
いくつでも良い、悪は直線上にない５点でウェハ面を検
出してウニへ属會決定できれば良す。
クロ、超音波センサ、光センサ、エアマイクロ等検出時
にウェハ姿勢に影響せずプロセスに悪影響かない限り何
でも良い、又、検出子の数は１つ全走査しても良いし、
いくつでも良い、悪は直線上にない５点でウェハ面を検
出してウニへ属會決定できれば良す。
ピエゾ嵩子のかわりＫｆｆ、体応用の微動機構、モータ
による微動機構等が考えられる。
による微動機構等が考えられる。
ウェハ面は式（１）で求まるが４点以上のデータから平
均面を求めた方がより正確である。
均面を求めた方がより正確である。
第６図は本発明による別の実施例を示す図である。第４
図に加え、チャック底部と、ベース２０上の板バネ支持
リング４１０間を５つの板バネ４０で連結し、ウェハ千
ヤプクの水平方向の剛性ヶ向上させたものである。上下
方向の姿勢変化は板バネ４０が上下方向剛性と水平軸回
りのひねり剛性が低いので十分性なえる。板バネ４０の
配ｆＩＬは上下方向の姿勢変化か可能なように、上下方
向剛性と水平軸回りのひねり剛性が低く、かつ水平方向
剛性が高ければどこでも良い、又、板バネでなくと′％
１．切込みの入った鉄材や１円板バネ等、何でも良い。
図に加え、チャック底部と、ベース２０上の板バネ支持
リング４１０間を５つの板バネ４０で連結し、ウェハ千
ヤプクの水平方向の剛性ヶ向上させたものである。上下
方向の姿勢変化は板バネ４０が上下方向剛性と水平軸回
りのひねり剛性が低いので十分性なえる。板バネ４０の
配ｆＩＬは上下方向の姿勢変化か可能なように、上下方
向剛性と水平軸回りのひねり剛性が低く、かつ水平方向
剛性が高ければどこでも良い、又、板バネでなくと′％
１．切込みの入った鉄材や１円板バネ等、何でも良い。
以上説明しｔように本発明に工れば１次のような作用効
果が得られる。
果が得られる。
（１） 従来のウニ凸面とマククパターン合せ精度が
数倍向上し、±（Ｌ５Ｊｆｌ以下になり、微細）（ター
ン焼付が可能となる。
数倍向上し、±（Ｌ５Ｊｆｌ以下になり、微細）（ター
ン焼付が可能となる。
（２）ウェハ面に接触しないでもウェハ面合せができ、
ウェハを破損することがなく１歩留向上がはかれる。
ウェハを破損することがなく１歩留向上がはかれる。
（３）動作が早くなる。
（４）上下機構と、平行合わせ機構を一つにできるので
コンパクトになる。
コンパクトになる。
第１図は、従来のウニへチャヴクを投影式アライナに使
用しｉ例を示す図、第２図は従来のウエハチャヴクの構
造【示す図、第３図−）〜鯰）は１ｆ来のウニへチャダ
クの動作を示す図、第４図（ａ）は本発明のウニへのチ
ャダク装置の一実施例を示す図。 第４図（Ｂは第Ａ！！５（ａ）のＡ−メ矢視図、第５図
は第４図と異なる他の一実施例を示す図、第６図（ａｌ
は更に第４５！５と異なる他の一実施例１示す部分断面
図、第６図（ｂ）は第６９葎）のＢ−ｙｌ矢視断面■で
ある。 １・・・ウニへチャック、 ？−・ウニへ、２０・・
・ペース％ ２１黴動機構、２２・・・バネ、２Ｂ・・
・ピエゾ；ントローラ、２４・・・静電容量検出器、２
５・・・メインコントローラ、Ｓａ−・・ｔｉ！１足支
柱％ ４０・・・板バネ。 代理人弁理士 薄 １）利 ＊（ｙｊ）Ｃ“、−、−一
１ ケ ｌ 図 り ２１１！１ 才 ４ 図 （Ｌ′） グ ５Ｉ！Ｉ 芽 乙 図 （’） （ｂ′＞
用しｉ例を示す図、第２図は従来のウエハチャヴクの構
造【示す図、第３図−）〜鯰）は１ｆ来のウニへチャダ
クの動作を示す図、第４図（ａ）は本発明のウニへのチ
ャダク装置の一実施例を示す図。 第４図（Ｂは第Ａ！！５（ａ）のＡ−メ矢視図、第５図
は第４図と異なる他の一実施例を示す図、第６図（ａｌ
は更に第４５！５と異なる他の一実施例１示す部分断面
図、第６図（ｂ）は第６９葎）のＢ−ｙｌ矢視断面■で
ある。 １・・・ウニへチャック、 ？−・ウニへ、２０・・
・ペース％ ２１黴動機構、２２・・・バネ、２Ｂ・・
・ピエゾ；ントローラ、２４・・・静電容量検出器、２
５・・・メインコントローラ、Ｓａ−・・ｔｉ！１足支
柱％ ４０・・・板バネ。 代理人弁理士 薄 １）利 ＊（ｙｊ）Ｃ“、−、−一
１ ケ ｌ 図 り ２１１！１ 才 ４ 図 （Ｌ′） グ ５Ｉ！Ｉ 芽 乙 図 （’） （ｂ′＞
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ペース上の直線上になｈ少くとも５点く配置され
、且つェへチャヅクを少くとも３点上に載置できるよう
な支持支柱と、ウェハチャックをよ紀支持支柱に固定す
るための固着手段と、ウェハチャック上のクエへ属の位
置を少なくと１厘線上にない５ケ所で検出する検出手段
と、上記支持支柱のうち少なくとも２本ｋｉｎｋＫ上下
させる上下機構と、上記検出手段から検出されるウニ八
属の位置くもとづいて所望のウニ八属の形状にすべく、
上記５本の支持支柱の相対的高さ全制御する制御手段と
を備えて、ウニへチャダグ上のウニ八属を所望形状にす
ることを特徴とするウェハのチャック装置。 λ 上記上下機構は、上記支持支柱が全部側々に上下す
るように構成したことｔ−％黴とする特許請求の範囲第
１１［記載のウェハの装置。 五 上記上下機構はピエゾ素子にて構成されたことを特
徴とする特徴請求の範囲第１項またＦｉ第２項記載のウ
ェハのチャック装置。 歳 上記ウェハチャックとベース間を上下微動方向剛性
及び水平軸回りのひねり剛性が低く１水平方向の剛性の
高い構造材で連結すること１−＊＊徴とする特許請求の
範囲第１項ｔたは第２項記載のクエへのチャック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127788A JPS5830128A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ウエハのチヤツク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127788A JPS5830128A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ウエハのチヤツク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830128A true JPS5830128A (ja) | 1983-02-22 |
| JPH0454369B2 JPH0454369B2 (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=14968689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56127788A Granted JPS5830128A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ウエハのチヤツク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830128A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169046U (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | シャープ株式会社 | 吸着器 |
| US5410259A (en) * | 1992-06-01 | 1995-04-25 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Probing device setting a probe card parallel |
| US5806193A (en) * | 1995-11-09 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Tilt and movement apparatus using flexure and air cylinder |
| KR100574919B1 (ko) * | 1999-06-16 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조용 이온 주입 장비의 디스크 사이트 어셈블리및 이를 이용한 웨이퍼의 리프팅 보정방법 |
| WO2011111327A1 (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | アライメント方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法 |
| CN111730430A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-02 | 华海清科(北京)科技有限公司 | 具有可调节的吸盘转台的磨削设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
| JPS5319901A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-23 | Mobil Oil | Method of prospecting by earthquake |
| JPS5373078A (en) * | 1976-12-13 | 1978-06-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Fine adjustment mechanism of electromagnetic driving type |
| JPS5613726A (en) * | 1979-07-14 | 1981-02-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Gap setter in proximity-aligner |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP56127788A patent/JPS5830128A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
| JPS5319901A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-23 | Mobil Oil | Method of prospecting by earthquake |
| JPS5373078A (en) * | 1976-12-13 | 1978-06-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Fine adjustment mechanism of electromagnetic driving type |
| JPS5613726A (en) * | 1979-07-14 | 1981-02-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Gap setter in proximity-aligner |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169046U (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | シャープ株式会社 | 吸着器 |
| US5410259A (en) * | 1992-06-01 | 1995-04-25 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Probing device setting a probe card parallel |
| US5806193A (en) * | 1995-11-09 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Tilt and movement apparatus using flexure and air cylinder |
| KR100574919B1 (ko) * | 1999-06-16 | 2006-04-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조용 이온 주입 장비의 디스크 사이트 어셈블리및 이를 이용한 웨이퍼의 리프팅 보정방법 |
| WO2011111327A1 (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | アライメント方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法 |
| JP5029786B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2012-09-19 | パナソニック株式会社 | アライメント方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法 |
| US8318392B2 (en) | 2010-03-12 | 2012-11-27 | Panasonic Corporation | Alignment method and method for manufacturing flat panel display |
| CN111730430A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-02 | 华海清科(北京)科技有限公司 | 具有可调节的吸盘转台的磨削设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0454369B2 (ja) | 1992-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI797662B (zh) | 用於半導體工業中之晶圓幾何量測之工具架構 | |
| JP4171159B2 (ja) | リソグラフィック投影装置のオフアキシレベリング | |
| JP5586580B2 (ja) | 半導体ウェーハアライメントのための装置及び方法 | |
| US6313567B1 (en) | Lithography chuck having piezoelectric elements, and method | |
| US3729966A (en) | Apparatus for contouring the surface of thin elements | |
| US12072176B2 (en) | Measuring apparatus and method of wafer geometry | |
| CN107976875A (zh) | 一种基片对准装置及对准方法 | |
| JP2002076098A (ja) | アライメント装置 | |
| JP7152081B2 (ja) | 実装装置及び実装装置における平行度検出方法 | |
| US4234254A (en) | Unit for measuring planeness | |
| JP6275632B2 (ja) | 常温接合装置及び常温接合方法 | |
| JP2009253119A (ja) | 電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法 | |
| JPH0454369B2 (ja) | ||
| JPS58219735A (ja) | ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置 | |
| TW202028772A (zh) | 探針自我校正系統及其方法 | |
| JP2830614B2 (ja) | パターン位置測定方法及び装置 | |
| JPS60154617A (ja) | 非接触高さ平行出し装置 | |
| CN114530400A (zh) | 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法 | |
| JPH01227448A (ja) | ウエハプローバ | |
| US20040008352A1 (en) | Precision size measuring apparatus | |
| JP3381868B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP3369975B2 (ja) | ロボットのキャリブレーション方法及び装置 | |
| JPH01136332A (ja) | 電子線描画方法 | |
| JPS62254426A (ja) | 平行出し装置 | |
| JPH05315307A (ja) | 基板表面の形状矯正方法および研磨加工方法 |