JPS5830183A - 半導体レ−ザアレイ光検知方法 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ光検知方法Info
- Publication number
- JPS5830183A JPS5830183A JP12809781A JP12809781A JPS5830183A JP S5830183 A JPS5830183 A JP S5830183A JP 12809781 A JP12809781 A JP 12809781A JP 12809781 A JP12809781 A JP 12809781A JP S5830183 A JPS5830183 A JP S5830183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor laser
- resonators
- laser array
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーずビー▲プリンタや光デイスクヘッドの
ｊｔａｉとして半導体レーザアレイを使用する場合の、
レーザからの出方光をモニターする方法に関する。
ｊｔａｉとして半導体レーザアレイを使用する場合の、
レーザからの出方光をモニターする方法に関する。
従来この種の光源として半導体レーザな使用する場合、
半導体レーザの出方特性は駆動電流中温という欠点があ
った。
半導体レーザの出方特性は駆動電流中温という欠点があ
った。
ヒれに対し、半導体レーずはその共振器の両端からほは
岡出力のレーザ光が互−に反対方向へ送出され、出力変
動紘双方のレーザ光にＩｉ１様に生じる喪め、一方を信
号用に、他方をモニター用にそれそれ使用するという方
法がある． ζの方法がプレイ状の半導体レーザ１＝適
用できれば極めて好都合であるが、次の理由の丸め従来
は不可能であ−）良． す表わち、プレイ状に構成され
大半導体レーザで紘陶接するレーず共振器の両端の発光
部の間隔が狭く１００μｍｌ１度であり、かつ後述する
ように値にの発光部から出力されるレーザビームが広が
−りており、空間的に個々のレーザ光出力を独立に電工
ターするζと拡小可能である。
岡出力のレーザ光が互−に反対方向へ送出され、出力変
動紘双方のレーザ光にＩｉ１様に生じる喪め、一方を信
号用に、他方をモニター用にそれそれ使用するという方
法がある． ζの方法がプレイ状の半導体レーザ１＝適
用できれば極めて好都合であるが、次の理由の丸め従来
は不可能であ−）良． す表わち、プレイ状に構成され
大半導体レーザで紘陶接するレーず共振器の両端の発光
部の間隔が狭く１００μｍｌ１度であり、かつ後述する
ように値にの発光部から出力されるレーザビームが広が
−りており、空間的に個々のレーザ光出力を独立に電工
ターするζと拡小可能である。
本発明はζの線層を解決するもので、半導体レーザアレ
イの各発光部から出力されるレーザ光を互いの干渉象《
、正確に４！ターする大めの手段を提供するζとを詞的
とするものである． 以下、本発明を実Ｊｌ！１例を参
履してｓｐｉｉ＋に艇明する。
イの各発光部から出力されるレーザ光を互いの干渉象《
、正確に４！ターする大めの手段を提供するζとを詞的
とするものである． 以下、本発明を実Ｊｌ！１例を参
履してｓｐｉｉ＋に艇明する。
第ＩＩＩｌ紘做来の光モニタ一方法を半導体レーザアレ
イ（一例として、３遍）に適用し大１１ｉｒｉｌｏ図を
示す。ここで＼１は牛導体レーザアレイ、Ｌｌ。
イ（一例として、３遍）に適用し大１１ｉｒｉｌｏ図を
示す。ここで＼１は牛導体レーザアレイ、Ｌｌ。
Ｌｂ、 Ｌｃはそれぞれ早導体レーザの共振器（以下共
振器と略記する）、Ｄ、、Ｄｂ、ＤＣは各々光検知器で
ある。この場合、共振器り、 、 Ｌ、 、 Ｌ、の開
口は一般に建クロンオーダーであるえめ、光の回折効果
により、出射されるレーザビームは大き＊ｍき角を有す
る。従って、共振器−の出方をモニターすぺ素光検知器
Ｄ１にａ偽の共振器へまたはＬｏからのレーザ光が漏れ
込んでくる九め、−のレーザ光力のみを正確にモニター
すること紘で！ない。すなわち合糸振器からのレーザビ
ームを空間的に分離することは■離である。
振器と略記する）、Ｄ、、Ｄｂ、ＤＣは各々光検知器で
ある。この場合、共振器り、 、 Ｌ、 、 Ｌ、の開
口は一般に建クロンオーダーであるえめ、光の回折効果
により、出射されるレーザビームは大き＊ｍき角を有す
る。従って、共振器−の出方をモニターすぺ素光検知器
Ｄ１にａ偽の共振器へまたはＬｏからのレーザ光が漏れ
込んでくる九め、−のレーザ光力のみを正確にモニター
すること紘で！ない。すなわち合糸振器からのレーザビ
ームを空間的に分離することは■離である。
この問題を解決するために、光検知器をレーず発ｌｌ５
ｓに充分近づける方法があるが、これにＦｉ機械的精度
がｌｉ［求され、素子のコストが高くなってしまう。本
発明においては第３図に示すように、レーザ共振ｉＩ！
Ｌａ、Ｌｆｂ、Ｌｏからのレーザ光をすべて１個の検知
ＩＩＤで受けることが特徴である。すなわち曽遠しえよ
うに、各共振器からのレーザビームを空間的に分離する
ことは不可能な大め、本発明で社これらを時間的に分割
してモニターする鳥ので、まずｉＪ［の実施例にクーて
説明する。
ｓに充分近づける方法があるが、これにＦｉ機械的精度
がｌｉ［求され、素子のコストが高くなってしまう。本
発明においては第３図に示すように、レーザ共振ｉＩ！
Ｌａ、Ｌｆｂ、Ｌｏからのレーザ光をすべて１個の検知
ＩＩＤで受けることが特徴である。すなわち曽遠しえよ
うに、各共振器からのレーザビームを空間的に分離する
ことは不可能な大め、本発明で社これらを時間的に分割
してモニターする鳥ので、まずｉＪ［の実施例にクーて
説明する。
一般に、レーザビームプリンタ中太ディスタヘッドの場
合レーずビームによ′４走査を行なうが、との走査と走
査の閾に紘、１ｌｉｆＩＡ備号が入らないブランキング
時間が存在する。すなわち第３図に示すように、各走査
のデータ信号が送られる区Ｍ札の前後にはそれぞれ長ｉ
ｉがｊＴするブランキング時間３ｎ、３ｎ＋、がある。
合レーずビームによ′４走査を行なうが、との走査と走
査の閾に紘、１ｌｉｆＩＡ備号が入らないブランキング
時間が存在する。すなわち第３図に示すように、各走査
のデータ信号が送られる区Ｍ札の前後にはそれぞれ長ｉ
ｉがｊＴするブランキング時間３ｎ、３ｎ＋、がある。
なお’ｆｉ ＃ ’ｎ＋１は同期パルスで、その立下が
りが各走査の鴎始時期を示す。
りが各走査の鴎始時期を示す。
本実施例で紘第番図に示すように、６共振器Ｌａ。
Ｌｂ、Ｌｃの駆動償号町＋ Ｂｂ＊ １！ｃの各データ
信号区間２ｎの前後のブランキング時間３ｎおよび３ｎ
＋、中１＝パルス３，１ ｔ ５ｎｂ ｔ〜Ｃおよび’
ｎ＋１” 。
信号区間２ｎの前後のブランキング時間３ｎおよび３ｎ
＋、中１＝パルス３，１ ｔ ５ｎｂ ｔ〜Ｃおよび’
ｎ＋１” 。
５ｎ＋ｌｂ” ｎ＋１’を互−にかつ同期パルス稲１゜
４１１ｂ ｌ ｔｎＣとも位ＩＩＡが重電ら傘−ように
挿入し、ブランキング時間中は各共振器は同期パルス４
１゜４ｎｂ 、 ４ＩＩＣＷよる捻か、Ｌ、はパルス５
． ａ 、 Ｓｎ、 ａの間、Ｌｂはパルス５１１ｂ
ｔ ｓ叶□ｂの間、Ｌｃはパルスへ” ’ｎ＋□Ｃの間
の李それぞれ発振してレーザ光を出力するようにする。
４１１ｂ ｌ ｔｎＣとも位ＩＩＡが重電ら傘−ように
挿入し、ブランキング時間中は各共振器は同期パルス４
１゜４ｎｂ 、 ４ＩＩＣＷよる捻か、Ｌ、はパルス５
． ａ 、 Ｓｎ、 ａの間、Ｌｂはパルス５１１ｂ
ｔ ｓ叶□ｂの間、Ｌｃはパルスへ” ’ｎ＋□Ｃの間
の李それぞれ発振してレーザ光を出力するようにする。
光検知器りはこれらのレーず光をすべて受光し、その出
力レベルを、パルス５ｎａ 、 ５．＋１！１の間にサ
ンンプリング・ホールドして共振器Ｌａの出力レベルを
検知する。次−で岡−に、パルス５ｒｌｂ 、 Ｓｎ＋
ｌｂの開にテンプリング・ホールドしてへの出力レベル
、ｉ九パルス５゜Ｃ２５ｎ＋、Ｃの間にテンプリング・
ホールドしてＬｃの出力レベルをそれぞれ検知する。
力レベルを、パルス５ｎａ 、 ５．＋１！１の間にサ
ンンプリング・ホールドして共振器Ｌａの出力レベルを
検知する。次−で岡−に、パルス５ｒｌｂ 、 Ｓｎ＋
ｌｂの開にテンプリング・ホールドしてへの出力レベル
、ｉ九パルス５゜Ｃ２５ｎ＋、Ｃの間にテンプリング・
ホールドしてＬｃの出力レベルをそれぞれ検知する。
かくして１個の光検知器りにより、各共振器Ｌ３゜Ｌｂ
、 Ｌｏのレーザ光出力レベルを検知することができる
。なお前述しえように、このようにして検知され大レー
ザ出力レベルをそれぞれ共振器の電源側に帰還しレーず
電流を調整することにより、レーザ光出力を温度変化等
により変動することなく一定に保つことができる。
、 Ｌｏのレーザ光出力レベルを検知することができる
。なお前述しえように、このようにして検知され大レー
ザ出力レベルをそれぞれ共振器の電源側に帰還しレーず
電流を調整することにより、レーザ光出力を温度変化等
により変動することなく一定に保つことができる。
次シニ、本発明の第２の実施例について説明する。
この場合は第Ｓ図に示すように、第ｎ番目の走査のプヲ
ンキンダ時ｌ＠３！１中に設は九パルス６ｎａによりレ
ーザ共振器−を駆動し、レーザ出力を光検知器りで受光
して出力レベルをテンプリング−ホールドし、ＡＩＩＩ
ＩＬ、の出力レベルとする０次いで同様に、第ｎ＋１番
目、第ｎ＋１番目の走査のブランキング時間へ＋１ 、
’ｓ＋ｓ中に歇叶えそれぞれパルス＠１１＋ｌｂ” ＜
１．４＊ｅにより共振器−１Ｌｃを順次駆動し、光検知
ｓＤで受光して出力レベルをテンプリング・ホールドし
、共振器Ｌｂ、Ｌｃの出力レベルとする。なお轟然のヒ
とながら、パルス６−９’叶、ｂ” 峠１’はいずれも
同期パ＃ ｘ ４ｎａ 、 ４ｏ＋□ｂ 。
ンキンダ時ｌ＠３！１中に設は九パルス６ｎａによりレ
ーザ共振器−を駆動し、レーザ出力を光検知器りで受光
して出力レベルをテンプリング−ホールドし、ＡＩＩＩ
ＩＬ、の出力レベルとする０次いで同様に、第ｎ＋１番
目、第ｎ＋１番目の走査のブランキング時間へ＋１ 、
’ｓ＋ｓ中に歇叶えそれぞれパルス＠１１＋ｌｂ” ＜
１．４＊ｅにより共振器−１Ｌｃを順次駆動し、光検知
ｓＤで受光して出力レベルをテンプリング・ホールドし
、共振器Ｌｂ、Ｌｃの出力レベルとする。なお轟然のヒ
とながら、パルス６−９’叶、ｂ” 峠１’はいずれも
同期パ＃ ｘ ４ｎａ 、 ４ｏ＋□ｂ 。
１叶、Ｃとは位騙が重ｔ＆ないように設ける。
このように、本実施例にお−ては舎プッン中ンダ時間ご
とに共振器り、 、 Ｌｂ、 Ｌｃを順次駆動して、そ
れぞれレーず出力を光検知器りにより単独に検知するこ
とができ、第１の実施例の場合と同機に壺し−ず出力レ
ベルなレーず電源側に帰還し、レーデ光出力を一定に保
つことができる。
とに共振器り、 、 Ｌｂ、 Ｌｃを順次駆動して、そ
れぞれレーず出力を光検知器りにより単独に検知するこ
とができ、第１の実施例の場合と同機に壺し−ず出力レ
ベルなレーず電源側に帰還し、レーデ光出力を一定に保
つことができる。
ｅお上記ＩＩ 、＠ｘの実施例において、し〜ザアレイ
の嵩子龜が増加し大形になった場合、これに対応して光
検知器も大患（することが必要であるが、火影の光検知
Ｓ紘製作上園難であり、この場金紘複敏個の光検知器を
並置し、それセれ並列接続し、１個の大形の光検知器と
同様にして用いることができる。
の嵩子龜が増加し大形になった場合、これに対応して光
検知器も大患（することが必要であるが、火影の光検知
Ｓ紘製作上園難であり、この場金紘複敏個の光検知器を
並置し、それセれ並列接続し、１個の大形の光検知器と
同様にして用いることができる。
以上説明し丸ように、本発明によるとき紘半導体レーザ
アレイの各レーザな時分割的書二動作させ、それぞれの
レーず光出力を単独に検出することができ、これをレー
ず電源測に帰還すること６二よりレーザ光出力を常に一
定に保つ等、大きな効果を得ることができる。
アレイの各レーザな時分割的書二動作させ、それぞれの
レーず光出力を単独に検出することができ、これをレー
ず電源測に帰還すること６二よりレーザ光出力を常に一
定に保つ等、大きな効果を得ることができる。
第１図は半導体レーずアレイの従来のレーザ光出力検出
方法を示す断函図、第′２図は本発明の実施例によるレ
ーザ光出力検出方法を示す断面類、第３図は従来のレー
ザ駆動信号を示す説明図、第４図および第５図はそれぞ
れ本発明の１１１および＠２の実施例におけるレーザ駆
動信号を示す説明図である。 １−・半導体レーダアレイ、３ｎ、：５ｎ＋、−プラン
中ンダ時間、４ｎａ ＋ ’ｆｌｂｅ ’ＨＣ２’ｎ＋
１” ’４１ｍ＋１”’ｎ＋１’ 、’ａ−Ｈ” ｐ
’ｎ−１−２ｂ、’ｏ＋ｇ’−・・同期パルス、５
ａ ｒ ５． ｂ ＋ ５ｎ ｃ ＋ ６
ｎ−）−１” ｔ ｓｎ十ｌ ｂ＊ ＋５．＋１
’ ｔ６、ｍ 、 ６ｎ＋ｌｂｅ ’ｎ−＋４’−レー
ザ光出力検出用駆動ＡｓｙｘＸＤ 、 Ｄａ、 Ｄｂｖ
Ｄ、−光検知器、Ｌ、、Ｌ、。 Ｌｃ・−共Ｉ！器。 ；ｉ′を図 矛２図 矛 ダ 回 ｔ→ 才 ３ 図 １Ａｆｉ３ 夷ｅｔｃ 一
方法を示す断函図、第′２図は本発明の実施例によるレ
ーザ光出力検出方法を示す断面類、第３図は従来のレー
ザ駆動信号を示す説明図、第４図および第５図はそれぞ
れ本発明の１１１および＠２の実施例におけるレーザ駆
動信号を示す説明図である。 １−・半導体レーダアレイ、３ｎ、：５ｎ＋、−プラン
中ンダ時間、４ｎａ ＋ ’ｆｌｂｅ ’ＨＣ２’ｎ＋
１” ’４１ｍ＋１”’ｎ＋１’ 、’ａ−Ｈ” ｐ
’ｎ−１−２ｂ、’ｏ＋ｇ’−・・同期パルス、５
ａ ｒ ５． ｂ ＋ ５ｎ ｃ ＋ ６
ｎ−）−１” ｔ ｓｎ十ｌ ｂ＊ ＋５．＋１
’ ｔ６、ｍ 、 ６ｎ＋ｌｂｅ ’ｎ−＋４’−レー
ザ光出力検出用駆動ＡｓｙｘＸＤ 、 Ｄａ、 Ｄｂｖ
Ｄ、−光検知器、Ｌ、、Ｌ、。 Ｌｃ・−共Ｉ！器。 ；ｉ′を図 矛２図 矛 ダ 回 ｔ→ 才 ３ 図 １Ａｆｉ３ 夷ｅｔｃ 一
Claims (1)
- それぞれ２方向にレーザ光を発生する複数の半導体レー
ザ共振器をアレイ状に構成してなる半導体レーザアレイ
の各レーず共振器からの一方ｔｇｉＪのレーザ光を受光
する共通の光検知器を設け、各レーザ共振器に順次に駆
動パルスを加えて時分割駆動し、上記光検知器の受光出
力を検出することを特徴とする半導体レーザアレイ党検
知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12809781A JPS5830183A (ja) | 1981-08-15 | 1981-08-15 | 半導体レ−ザアレイ光検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12809781A JPS5830183A (ja) | 1981-08-15 | 1981-08-15 | 半導体レ−ザアレイ光検知方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830183A true JPS5830183A (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=14976315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12809781A Pending JPS5830183A (ja) | 1981-08-15 | 1981-08-15 | 半導体レ−ザアレイ光検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830183A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213141A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ−ダイオ−ドパワ−制御装置 |
| JPS6365260U (ja) * | 1986-10-20 | 1988-04-30 | ||
| JPS63163872A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Toshiba Corp | 画像形成装置 |
-
1981
- 1981-08-15 JP JP12809781A patent/JPS5830183A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213141A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ−ダイオ−ドパワ−制御装置 |
| JPS6365260U (ja) * | 1986-10-20 | 1988-04-30 | ||
| JPS63163872A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Toshiba Corp | 画像形成装置 |
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