JPS5830284A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5830284A JPS5830284A JP56128371A JP12837181A JPS5830284A JP S5830284 A JPS5830284 A JP S5830284A JP 56128371 A JP56128371 A JP 56128371A JP 12837181 A JP12837181 A JP 12837181A JP S5830284 A JPS5830284 A JP S5830284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- solid
- low light
- state imaging
- conversion section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮倫装置の改良に関する。
半導体基板を利用した固体撮儂装置の主要部分は、光電
変換部と電荷転送部と入力出力等を含めた周辺回路部分
である。このような固体撮儂装置の感度を上げるには絵
素の開口率を大きくするととが望ましい。しかし電荷転
送部にＣＣＤ（電荷結合素子）を使用したものは、絵素
の開口率が２０〜４０−で半分にも満たない。光電変換
部以外の部分は、光遮蔽の為アルミニウム等の金属膜で
おおわれている。このような構造の固体撮偉装置におい
ては、透明キャリゾを通過して来九光の一部が光電変換
部に入シ、電荷に変換される。しかしながら、残りの直
接光電変換部に入らず光遮蔽用金属に当った光は、金属
面の反射率に従りて反射され上面の封入ガラスに尚たる
。ここでもこの光の一部はガラス面の反射率に従い再び
素子面の方向に反射される。このような多重反射は１本
来光電変換部に入るべき光以外の不必要表光を光電変換
部に入れることになり、正確な撮儂の妨害となる。多重
反射による光が光電変換部に入ると、強い光の部分はそ
の周辺が明るくボつてくるいわゆるフレア現象を起すし
、又素子面の金属が鏡面に近けれに幾重にも重なった映
倫とｌ）見苦しいものとなる。
変換部と電荷転送部と入力出力等を含めた周辺回路部分
である。このような固体撮儂装置の感度を上げるには絵
素の開口率を大きくするととが望ましい。しかし電荷転
送部にＣＣＤ（電荷結合素子）を使用したものは、絵素
の開口率が２０〜４０−で半分にも満たない。光電変換
部以外の部分は、光遮蔽の為アルミニウム等の金属膜で
おおわれている。このような構造の固体撮偉装置におい
ては、透明キャリゾを通過して来九光の一部が光電変換
部に入シ、電荷に変換される。しかしながら、残りの直
接光電変換部に入らず光遮蔽用金属に当った光は、金属
面の反射率に従りて反射され上面の封入ガラスに尚たる
。ここでもこの光の一部はガラス面の反射率に従い再び
素子面の方向に反射される。このような多重反射は１本
来光電変換部に入るべき光以外の不必要表光を光電変換
部に入れることになり、正確な撮儂の妨害となる。多重
反射による光が光電変換部に入ると、強い光の部分はそ
の周辺が明るくボつてくるいわゆるフレア現象を起すし
、又素子面の金属が鏡面に近けれに幾重にも重なった映
倫とｌ）見苦しいものとなる。
本発明では、上述したように素子面と封入ガ２ス面との
多重反射により本来必要でない光が光電変換部に入りフ
レア現象を起こすのを防いで、正確な撮曹機能を持った
固体撮儂装置を提供することにある。
多重反射により本来必要でない光が光電変換部に入りフ
レア現象を起こすのを防いで、正確な撮曹機能を持った
固体撮儂装置を提供することにある。
すなわち本発明は、半導体基板上に複数の光電変換部を
有し、該光電変換部で変換された電荷を所定の方向に転
送する為の複数の電極と、該電極により転送された電荷
を電気信号として取り出す手段を有する固体撮倫装置に
おいて、該光電変換部を除いた部分の少くとも一部を、
光透過率と光反射率の低い物質でおおうようにしたフィ
ルターを取りつけである事を特１とする固体撮儂装置で
ある。
有し、該光電変換部で変換された電荷を所定の方向に転
送する為の複数の電極と、該電極により転送された電荷
を電気信号として取り出す手段を有する固体撮倫装置に
おいて、該光電変換部を除いた部分の少くとも一部を、
光透過率と光反射率の低い物質でおおうようにしたフィ
ルターを取りつけである事を特１とする固体撮儂装置で
ある。
本発明は、素子の金属面での反射をおさえる為に蚊金属
面上に光透過率が低くしかも光反射率も低い物質を接着
しておき、上方よシ来た光がこの物質に轟たると吸収さ
れて多重反射を防止し、よってフレア現象等を防ぐもの
である。
面上に光透過率が低くしかも光反射率も低い物質を接着
しておき、上方よシ来た光がこの物質に轟たると吸収さ
れて多重反射を防止し、よってフレア現象等を防ぐもの
である。
次に本発明を図面を用いてよシ詳細に説明する。
第１図はＣＯＤを利用した従来の固体撮儂装置の平面図
である。光電変換部１で光電変換されて蓄積された電荷
は垂直電荷転送部２を通や、水平電荷転送部３を経て出
力口！ｉ８４から電気信号として読み出される。光電変
換部１以外の領域は大部分が表面保護の酸化膜１０を介
してアルミニウム５でおおわれ光遮蔽されている。
である。光電変換部１で光電変換されて蓄積された電荷
は垂直電荷転送部２を通や、水平電荷転送部３を経て出
力口！ｉ８４から電気信号として読み出される。光電変
換部１以外の領域は大部分が表面保護の酸化膜１０を介
してアルミニウム５でおおわれ光遮蔽されている。
第２図は第１図のＡ−Ａ’面にそった断面図である。す
なわち、半導体基板６上に光電変換部１゜電荷転送部２
，３．ｉ！光アルミ５等が形成されたチップを上表面に
透明ガラス７を有する容器で封入している。本構造の固
体撮惨装置は、透明ガラス７を通して入射しアルきニウ
ム５にあたった光はアルミニウム７０表面と封入ガラス
フの裏向とで多重反射を繰返し１本来入るべきでない光
が光電変換部１に入９．光電変換された余分な電荷を発
生させ受儂管等に再現される儂をみだしてしまうＯ 第３図は多重反射を防止する為に１本発明の一実施例に
よってフィルターを接着した断面図である。す表わち、
固体撮儂装置のｊヅプは第１，２図のものと同様のもの
で半導体基板６の光電変換部ｌ以外の部分は酸化膜１０
を介して遮光用のアルミニウム５が設けられている。チ
ップ上面にはガラス等の透明なフィルター基板８が設け
られ。
なわち、半導体基板６上に光電変換部１゜電荷転送部２
，３．ｉ！光アルミ５等が形成されたチップを上表面に
透明ガラス７を有する容器で封入している。本構造の固
体撮惨装置は、透明ガラス７を通して入射しアルきニウ
ム５にあたった光はアルミニウム７０表面と封入ガラス
フの裏向とで多重反射を繰返し１本来入るべきでない光
が光電変換部１に入９．光電変換された余分な電荷を発
生させ受儂管等に再現される儂をみだしてしまうＯ 第３図は多重反射を防止する為に１本発明の一実施例に
よってフィルターを接着した断面図である。す表わち、
固体撮儂装置のｊヅプは第１，２図のものと同様のもの
で半導体基板６の光電変換部ｌ以外の部分は酸化膜１０
を介して遮光用のアルミニウム５が設けられている。チ
ップ上面にはガラス等の透明なフィルター基板８が設け
られ。
このフィルター基板８にはアルミニウム５に対応する部
分に光透過率と光反射率の低い物質９が位置するように
形成されている。このフィルター基板８が固体撮儂素子
チップ表面に接着されている。
分に光透過率と光反射率の低い物質９が位置するように
形成されている。このフィルター基板８が固体撮儂素子
チップ表面に接着されている。
光透過率及び光反射率の低い物質９けエマルジ冒／や有
機材料の黒色染楓で作れる。
機材料の黒色染楓で作れる。
、 本フィルターを接着した固体撮儂装置では、光電変
換部以外の場所に入った光は、光透過率及び光反射率の
低い物質９に吸収されて封入ガラス面との多重反射は少
くなり、いわゆるスζア現象の防止に役立つ。
換部以外の場所に入った光は、光透過率及び光反射率の
低い物質９に吸収されて封入ガラス面との多重反射は少
くなり、いわゆるスζア現象の防止に役立つ。
又本発明は白黒用固体撮儂装置のみならず、カッー用固
体撮健装置にも効果があり、又−次元ラインセンサーに
も有効であることは明らかである。
体撮健装置にも効果があり、又−次元ラインセンサーに
も有効であることは明らかである。
第１図は従来の固体撮儂装置の平面図である。
第２図は第１図のＡ−Ａ’面にそった断面図である。
第３図は本発明の一実施例による断面図で第１図のＡ−
Ａ／に対応するものである。 以下の番号は各図面共通である。 １・・・・・・光電変換部％２・・・・・・垂直電荷転
送部、３・・・・・・水平電荷転送部、４・・・・・・
出力回路、５・・・・・・光遮蔽用アルミニウム、６・
・・・・・半導体基板、７・・・・・・封入ガラス、８
・・・・・・フィルター基板、９・・・・・・光透過率
及び光反射率の低い物質、１０・・・・・・酸化膜。 手続補正書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特 許 願第１Ｒ８
３フ１号２、発情の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ａ 補正の対象 明細書のｒ発明の詳細な説明」Ｏ欄 ６ 補正Ｏ内容 明細書第６頁１４行１０ｒス々ア現象」を「ツレア現象
」に訂正する。
Ａ／に対応するものである。 以下の番号は各図面共通である。 １・・・・・・光電変換部％２・・・・・・垂直電荷転
送部、３・・・・・・水平電荷転送部、４・・・・・・
出力回路、５・・・・・・光遮蔽用アルミニウム、６・
・・・・・半導体基板、７・・・・・・封入ガラス、８
・・・・・・フィルター基板、９・・・・・・光透過率
及び光反射率の低い物質、１０・・・・・・酸化膜。 手続補正書（自発） 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特 許 願第１Ｒ８
３フ１号２、発情の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ａ 補正の対象 明細書のｒ発明の詳細な説明」Ｏ欄 ６ 補正Ｏ内容 明細書第６頁１４行１０ｒス々ア現象」を「ツレア現象
」に訂正する。
Claims (1)
- 半導体基板上に複数の光電変換部を有し、該光電変換部
で変換された電荷を所定の方向に転送する為の複数の電
極と、＃電極により転送された電荷を電気信号として取
り出す手段を有する固体撮儂装置において、＃光電変換
部を除いた部分の少くとも一部を、光反射率の低い物質
でおおった事を特徴とする固体撮倫装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56128371A JPS5830284A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56128371A JPS5830284A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830284A true JPS5830284A (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=14983164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56128371A Pending JPS5830284A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830284A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2542919A1 (fr) * | 1983-03-18 | 1984-09-21 | Hitachi Ltd | Dispositif a l'etat solide de formation d'images en couleurs, comportant un filtre colore |
| JPS61119361U (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-28 | ||
| US5455624A (en) * | 1991-06-12 | 1995-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid image pick-up element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519885A (en) * | 1978-07-29 | 1980-02-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Color solid imaging element plate |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP56128371A patent/JPS5830284A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519885A (en) * | 1978-07-29 | 1980-02-12 | Dainippon Printing Co Ltd | Color solid imaging element plate |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2542919A1 (fr) * | 1983-03-18 | 1984-09-21 | Hitachi Ltd | Dispositif a l'etat solide de formation d'images en couleurs, comportant un filtre colore |
| JPS61119361U (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-28 | ||
| US5455624A (en) * | 1991-06-12 | 1995-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid image pick-up element |
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