JPH02280376A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH02280376A JPH02280376A JP1102853A JP10285389A JPH02280376A JP H02280376 A JPH02280376 A JP H02280376A JP 1102853 A JP1102853 A JP 1102853A JP 10285389 A JP10285389 A JP 10285389A JP H02280376 A JPH02280376 A JP H02280376A
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
産業上の利用分野
本発明は、イメージセンサに使用することができる固体
撮像装置に関するものである。 従来の技術 近年、固体撮像装置は、産業用、家庭用を問わず、撮像
管に替わり急速に普及してきた。しかしながら、転送部
へ光が入射して発生するスミア電荷については、改善す
べき問題がある。このスミア電荷の発生の抑制には、ア
ルミニウムにヨル遮光層が有効であると考えられている
。 以下１図面に基づいて上記従来の固体撮像装置について
説明する。 第３図は、従来の固体撮像装置の感光部および分離部の
断面図である。半導体基板１の表面に光電変換部
撮像装置に関するものである。 従来の技術 近年、固体撮像装置は、産業用、家庭用を問わず、撮像
管に替わり急速に普及してきた。しかしながら、転送部
へ光が入射して発生するスミア電荷については、改善す
べき問題がある。このスミア電荷の発生の抑制には、ア
ルミニウムにヨル遮光層が有効であると考えられている
。 以下１図面に基づいて上記従来の固体撮像装置について
説明する。 第３図は、従来の固体撮像装置の感光部および分離部の
断面図である。半導体基板１の表面に光電変換部
【感光
部）２と電荷転送部（図示せず）を形成し、電荷転送部
上に絶縁層３を介して一層回転送電極４を形広し、さら
に−順回転送電極４の上に層間絶縁層５を介して二層目
転送Ｉ！！極６を形成している。また二層目転送Ｗｔ極
６上に層間絶縁層５を介して遮光層７を形成し、全表面
を保護膜８で覆って保護している。９は光電変換部２の
間の分離領域である。 以上のように構成された固体撮像装置について、以下そ
の動作を説明する。 まず、保護膜８を通過した光が、光電変換部２に入射す
ると、電荷が発生し蓄積される。このとき、光電変換部
２以外に光が入射するとスミア電荷となるため、遮光層
７を用いて、光電変換部２以外への光の入射を防いでい
る。 発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような従来の構成では、スミア電
荷の発生を防ぐために、表面における遮光層７の割合を
亮くすれば、光電変換部に入射する光量が減少するとい
う問題を有していた。 本発明は上記問題を解決するものであり、スミア電荷を
低減し、さらに光電変換部に入射する光量を増やし、開
口率を大きくすることの可能な固体撮像装置を提供する
ことを目的とするものである。 課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明の固体撮像装置は、半
導体表面に光電変換部と電荷転送部を形成し、前記電荷
転送部上に遮光層を形成し、前記光電変換部および前記
遮光層上に保護層を形成し、前記保護層上に前記保護層
よりも屈折率の高い透明層を形成したことを特徴とする
ものである。 作用 上記構成によって、入射した光は保護層よりも屈折率の
高い透明層と保護層との界面で屈折して光電変換部に入
射し、光電変換部に入射する光量が増加し、光電変換部
以外に入射する光量が減少する。 実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す固体搬伝り置の感光部
および分前部の断面図である。本発明の固体撮像装置は
、従来の第３図の固体撮像装置の保護膜８上にさらに、
保護膜８よりも屈折率の高い透明な塩化ビニリデン樹脂
からなる表面膜１０を形成して構成している。 上記構成により、第２図に示すよう１こ、保護膜８より
も屈折率の高い透明な表面膜】Ｏに光が入射すると、光
は表面膜１０と保護膜８との界面において屈折し、光電
変換部２へ入射する。 このように、保護膜８の上に、保護膜８よりも屈折率の
高い表面膜１０を形成することにより、入射光を屈折す
ることが可能となるために、光電変換部２以外に光が入
射して発生するスミア電荷を低減することができ、さら
に光電変換部２に入射する光量を多くし、開口率を大き
くすることができる。また光電変換部２へ入射する光量
を減少することなく、遮光層７の面積を大きくしてスミ
ア電荷を低減することもできる。 なお、本実施例では、表面膜１０として、塩化ビニリデ
ン樹脂を使用しているが、この表面膜１０は、保護ＩＩ
！！８よりも屈折率が高く、可視光線憂こ対して透明で
ある物質であれば良い。 発明の効果 以上のよう１こ本発明によれば、保護層上に、保ａｍよ
りも屈折率が高く、可視光に対して透明な透明層を形成
すること（こより、入射した光は保護層と透明層の界面
で屈折して光電変換部へ入射するため、光電変換部以外
に光が入射して発生するの断面構造図、第２図は本発明
の詳細な説明するための模式図、ｆｆ！３図は従来の固
体撮像装置の断面構造図である。 １・・・半導体基板、２・・・光電変換部、３・・・絶
縁層。 ４・・・−層目転送１！極、５・・・層間絶縁膜、６・
・・二層目転送電極、７・・・遮光層、８・・・保護膜
、９・・・分離領域、１０−・表面膜（透明層）。
部）２と電荷転送部（図示せず）を形成し、電荷転送部
上に絶縁層３を介して一層回転送電極４を形広し、さら
に−順回転送電極４の上に層間絶縁層５を介して二層目
転送Ｉ！！極６を形成している。また二層目転送Ｗｔ極
６上に層間絶縁層５を介して遮光層７を形成し、全表面
を保護膜８で覆って保護している。９は光電変換部２の
間の分離領域である。 以上のように構成された固体撮像装置について、以下そ
の動作を説明する。 まず、保護膜８を通過した光が、光電変換部２に入射す
ると、電荷が発生し蓄積される。このとき、光電変換部
２以外に光が入射するとスミア電荷となるため、遮光層
７を用いて、光電変換部２以外への光の入射を防いでい
る。 発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような従来の構成では、スミア電
荷の発生を防ぐために、表面における遮光層７の割合を
亮くすれば、光電変換部に入射する光量が減少するとい
う問題を有していた。 本発明は上記問題を解決するものであり、スミア電荷を
低減し、さらに光電変換部に入射する光量を増やし、開
口率を大きくすることの可能な固体撮像装置を提供する
ことを目的とするものである。 課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明の固体撮像装置は、半
導体表面に光電変換部と電荷転送部を形成し、前記電荷
転送部上に遮光層を形成し、前記光電変換部および前記
遮光層上に保護層を形成し、前記保護層上に前記保護層
よりも屈折率の高い透明層を形成したことを特徴とする
ものである。 作用 上記構成によって、入射した光は保護層よりも屈折率の
高い透明層と保護層との界面で屈折して光電変換部に入
射し、光電変換部に入射する光量が増加し、光電変換部
以外に入射する光量が減少する。 実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す固体搬伝り置の感光部
および分前部の断面図である。本発明の固体撮像装置は
、従来の第３図の固体撮像装置の保護膜８上にさらに、
保護膜８よりも屈折率の高い透明な塩化ビニリデン樹脂
からなる表面膜１０を形成して構成している。 上記構成により、第２図に示すよう１こ、保護膜８より
も屈折率の高い透明な表面膜】Ｏに光が入射すると、光
は表面膜１０と保護膜８との界面において屈折し、光電
変換部２へ入射する。 このように、保護膜８の上に、保護膜８よりも屈折率の
高い表面膜１０を形成することにより、入射光を屈折す
ることが可能となるために、光電変換部２以外に光が入
射して発生するスミア電荷を低減することができ、さら
に光電変換部２に入射する光量を多くし、開口率を大き
くすることができる。また光電変換部２へ入射する光量
を減少することなく、遮光層７の面積を大きくしてスミ
ア電荷を低減することもできる。 なお、本実施例では、表面膜１０として、塩化ビニリデ
ン樹脂を使用しているが、この表面膜１０は、保護ＩＩ
！！８よりも屈折率が高く、可視光線憂こ対して透明で
ある物質であれば良い。 発明の効果 以上のよう１こ本発明によれば、保護層上に、保ａｍよ
りも屈折率が高く、可視光に対して透明な透明層を形成
すること（こより、入射した光は保護層と透明層の界面
で屈折して光電変換部へ入射するため、光電変換部以外
に光が入射して発生するの断面構造図、第２図は本発明
の詳細な説明するための模式図、ｆｆ！３図は従来の固
体撮像装置の断面構造図である。 １・・・半導体基板、２・・・光電変換部、３・・・絶
縁層。 ４・・・−層目転送１！極、５・・・層間絶縁膜、６・
・・二層目転送電極、７・・・遮光層、８・・・保護膜
、９・・・分離領域、１０−・表面膜（透明層）。
Claims (1)
- １、半導体表面に光電変換部と電荷転送部を形成し、前
記電荷転送部上に遮光層を形成し、前記光電変換部およ
び前記遮光層上に保護層を形成し、前記保護層上に前記
保護層よりも屈折率の高い透明層を形成したことを特徴
とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1102853A JPH02280376A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1102853A JPH02280376A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280376A true JPH02280376A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14338487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1102853A Pending JPH02280376A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02280376A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
| US5691548A (en) * | 1993-09-28 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device having high sensitivity and exhibiting high degree of light utilization and method of manufacturing the same |
| KR100246059B1 (ko) * | 1991-02-12 | 2000-03-15 | 이데이 노부유끼 | 고체촬상장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5999763A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6149467A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1102853A patent/JPH02280376A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5999763A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6149467A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246059B1 (ko) * | 1991-02-12 | 2000-03-15 | 이데이 노부유끼 | 고체촬상장치 |
| US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
| US5691548A (en) * | 1993-09-28 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device having high sensitivity and exhibiting high degree of light utilization and method of manufacturing the same |
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