JPS5831541A - 箔供給装置 - Google Patents

箔供給装置

Info

Publication number
JPS5831541A
JPS5831541A JP56128721A JP12872181A JPS5831541A JP S5831541 A JPS5831541 A JP S5831541A JP 56128721 A JP56128721 A JP 56128721A JP 12872181 A JP12872181 A JP 12872181A JP S5831541 A JPS5831541 A JP S5831541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foil
collet
center
press
vacuum suction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56128721A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Kagino
鍵野　実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP56128721A priority Critical patent/JPS5831541A/ja
Publication of JPS5831541A publication Critical patent/JPS5831541A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/011—Apparatus therefor
    • H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、リードフレーム等の金属基板におけるペレッ
ト取付位置に金属箔を供給する箔供給装置に関するもの
である。
一般に、リードフレーム勢の金属基板のペレット取付位
置に、例えばＩＣ，Ｌ８Ｉ等の大伽積の半導体ペレット
を接合するにおいては、予じめそのペレットの蝦付位置
に金Ｉ１４箔（以下箔と祢す）を供線する作業が必賛と
される。
第１図は、その箔供給装置を示しており、ＨＸＸ直置、
ボビン１より導出される画状の箔２な上刃３および押え
＆４で挾持し、下刃５にて箔２を所定長に切断し、該箔
２なコレットＳで１層してその吸着した箔２をリードフ
レーム等の金属基板１（第４図）まで搬送し、眼箔２を
金属基板１のペレット取付位置に圧着するよう構成され
ている。
しかしながら、かかる装置におけるコレット６は、第２
図に示すように箔圧着ｌｉＬ１６Ｍの中央部に真空ポン
プ（図示せず）に連通された真空吸引孔εｂが設けられ
ているので、箔ｇｌＬ着の際、第３図に示すように、箔
２の一部が吸引孔６ｂ内に吸い込まれ易く、その後、第
４図に示すように、箔２を金属基板１に圧着した場合、
吸い込まれた福分の下側に空間が形成される。そのため
、第５ｖに示すように、ペレツ）８を接合した場合、上
記空間に残貿する気体が接合部内に呆（ボイドノ９とな
って現われ、それがベレツ）８０接合ＩＭ直を低下させ
たり、重子の特性劣化やｇ３鵬性の低下を招来さぜる。
本発明はかかる一点ｔ′ｓ消するためなされたもので、
ボビンより導出される帯状の箔を上刃寂よび下刃にて所
定長に切断し、真空吸引孔を有するコレットにて鉄箔な
吸着し、咳箔を金属基板上へ圧着する箔供給装置におい
て、前記コレットはその圧着面中心部外方に少くとも１
つ以上の真空吸引孔を有する構造とされていることを％
倣とする箔供給装置を提供するものでめる。
以下、本発明の好細な図面に示す実施例に基ついて説明
する。
第６図は本発明に係る箔供給装置を示し、該装置１ｄホ
ヒｙ　１０　、　上刃１１　、押、を板１２　、下刃１
３およびコレット１４を備えている。
上記装置において、下刃１３はその上ｖＩＪｉａａが凹
状に、またコレット１４はその圧着面１４！１が凸状に
形成されており、上１ｉ１１３ａの曲率が圧ｊｌ［１［
ｌ１４ａの曲率と同じが、それよりもやや大きくしであ
る。また、コレット１４の圧着向１４ａの中央部外方に
Ｆｉ壷数個の真空吸引孔１４ｂが設けられている（第７
図）。
而して、上記装置は、ボビン１０より導出される帯”状
の箔１５を上刃１１および押え板１２で挾持し、下刃１
３にて箔１５を所定長に切断し、区箔１５をコレット１
４で＠着してその吸着した箔１５を金属基板１６（第８
図）ｔで搬送し、縫箔１５を金属基板１６のベレット取
付位置に圧着するよう構成されている。
以上の実施例からも明らかなように、本発明の箔供給装
置は、そのコレットの圧着面外方に真空吸引孔を有する
ので、箔吸着の除箔の変形部分はその中心部外方に形成
され、そのため箔圧着の吸質形部分の気体は容易に放出
される。したがって、接合部にはボイドが残、貿せず、
半尋体ペレットの接合が確実となり（′Ｉ！幀性が向上
する。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第５図は従来の箔供給装置の貌明図、第６図〜
第８図は本発明に係る箔惧給装賑の睨明図である。 １．１０・・・・・・ボビン ２．１ｓ・・・・・・箔 ３．１１・・・・・・上刃 ５．１３・・・・・・下刃 ６．１４・・・・・・コレット ６ａ、１４ａ・・・圧着面 ６ｂ、１４ｂ・・・真空吸引孔 １３ａ　　・・・・・・上面 （７３１７）代理人　弁理士　　則　近　愈　佑（ほか
１名） 第　ｔ　目 第２園　　　　　第３− １ 第４　図　　　　　第５図 ４６　關 １４ 第　７　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ボビンよ襲導出される帯状の箔を上刃および下刃にて所
    定長に切断し、真空吸引孔な有するコレクトにて該箔を
    吸着し、ａＳを金属基板上へ圧着する箔供給装置におい
    て、前記コレットはその圧着面中心部外方に少くとも１
    つ以上の臭空畝４１孔を有する構造とされていることを
    ％鎗とする箔供給＊＊。
JP56128721A 1981-08-19 1981-08-19 箔供給装置 Pending JPS5831541A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56128721A JPS5831541A (ja) 1981-08-19 1981-08-19 箔供給装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56128721A JPS5831541A (ja) 1981-08-19 1981-08-19 箔供給装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5831541A true JPS5831541A (ja) 1983-02-24

Family

ID=14991782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56128721A Pending JPS5831541A (ja) 1981-08-19 1981-08-19 箔供給装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5831541A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6222053A (ja) * 1985-07-23 1987-01-30 Toa Denpa Kogyo Kk 氷点降下法による浸透圧測定方法及び測定装置
JP2002280398A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造装置および製造方法
JP2002368023A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004006599A (ja) * 2002-04-01 2004-01-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
EP1076360A3 (en) * 1999-08-09 2005-02-02 Sony Chemicals Corporation Process for mounting semiconductor device and mounting apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6222053A (ja) * 1985-07-23 1987-01-30 Toa Denpa Kogyo Kk 氷点降下法による浸透圧測定方法及び測定装置
EP1076360A3 (en) * 1999-08-09 2005-02-02 Sony Chemicals Corporation Process for mounting semiconductor device and mounting apparatus
JP2002280398A (ja) * 2001-03-22 2002-09-27 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造装置および製造方法
JP2002368023A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2004006599A (ja) * 2002-04-01 2004-01-08 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200515616A (en) Wafer structure for preventing contamination of bond pads during SMT process and process for the same
JP2002076096A (ja) 半導体素子のピックアップ方法
JPS5831541A (ja) 箔供給装置
JP2000133659A (ja) 部品の貼り着け方法とその装置
JP3484936B2 (ja) チップ状部品の取扱方法および装置
JPS5884440A (ja) シ−ト貼付方法
JP2803957B2 (ja) 半導体チップピックアップ装置
CN217446799U (zh) 一种新型多功能纽扣
JPS58180035A (ja) ボンデイング装置
JPH045642U (ja)
JP2754884B2 (ja) ボンディング装置およびボンディング方法
JPS6087141A (ja) 薄物部品の分離供給チヤツク
JPS60258022A (ja) ワツシヤ型部品分離装置
JPS6088548U (ja) 半導体ウエ−ハの真空吸着具
JP3003018U (ja) ポケット付台紙
JPS63315434A (ja) 混成集積回路の製造方法
JPH0730047A (ja) 半導体装置のリードフレーム並びにその製造装置及び方法
JPS54150076A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH09223767A (ja) リードフレーム
JPH0476043U (ja)
JPH04119645A (ja) 半導体素子の製造方法
JPS59188134A (ja) 真空吸着治具
JPH0666027U (ja) Ｉｃチップ取扱い装置
JPS62170636U (ja)
JPS6298236U (ja)