JPS5832234A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5832234A JPS5832234A JP56131176A JP13117681A JPS5832234A JP S5832234 A JPS5832234 A JP S5832234A JP 56131176 A JP56131176 A JP 56131176A JP 13117681 A JP13117681 A JP 13117681A JP S5832234 A JPS5832234 A JP S5832234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- incident angle
- room
- magnetic recording
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性金属薄膜を記録層とする磁気゛ 記録
媒体の製造方法に関し、斜方蒸着の工業化に際して起る
問題点の解決を目的としている。
媒体の製造方法に関し、斜方蒸着の工業化に際して起る
問題点の解決を目的としている。
磁気記録は高密度化の要求に対して、磁気記録媒体の抗
磁力を大きくすることで対応してきたがより短波長化が
進むに従って、磁化されるのは、媒体の表面近くだけに
なるため、抗磁力の増大のみでは出力を大きくできず、
飽和磁束密度の大きい材料へと移行がはじまっている。
磁力を大きくすることで対応してきたがより短波長化が
進むに従って、磁化されるのは、媒体の表面近くだけに
なるため、抗磁力の増大のみでは出力を大きくできず、
飽和磁束密度の大きい材料へと移行がはじまっている。
そのひとつは従来の塗布形の延長上で、バインダ等の非
磁性材料で稀釈されるものの、本質的に飽和磁束密度の
大きい、鉄等の強磁性金属又は合金の微粒子を、ｉ化鉄
の代りに用いるもので、もう一方は、・くインダを用い
ない、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする媒体で、前記
薄膜の形成に真空蒸着を用いることか、ら蒸着テープの
名で一部実用に供されるに至っている。
磁性材料で稀釈されるものの、本質的に飽和磁束密度の
大きい、鉄等の強磁性金属又は合金の微粒子を、ｉ化鉄
の代りに用いるもので、もう一方は、・くインダを用い
ない、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする媒体で、前記
薄膜の形成に真空蒸着を用いることか、ら蒸着テープの
名で一部実用に供されるに至っている。
この蒸着テープは、歴史も浅く、工業規模での検討改良
を金石に待つ課題も多くある。
を金石に待つ課題も多くある。
そのひとつは、抗磁力の制御で、特に大きい抗磁力を安
定に制御する技術開発は重要なテーマである。
定に制御する技術開発は重要なテーマである。
蒸着で安定に抗磁力を制御できる可能性のあるのは特公
昭４１−１９３８９号公報に開示されているいわゆる斜
方蒸着である。
昭４１−１９３８９号公報に開示されているいわゆる斜
方蒸着である。
しかしこの方法での難点は、蒸着効率が低い′ことと、
入射角が変化すると抗磁力が変化する現象が大きい抗磁
力になる程、顕著になることである。
入射角が変化すると抗磁力が変化する現象が大きい抗磁
力になる程、顕著になることである。
本発明は、入射角変化によシ生ずる抗磁力変化を実用レ
ベルに抑えるようにしようとするもので、以下に図面を
用い本発明の説明を行う。
ベルに抑えるようにしようとするもので、以下に図面を
用い本発明の説明を行う。
第１図は本発明の実施例において用いる蒸着装置を示す
ものである。この図では蒸着装置が二基構成になってい
る例を示しであるがこれにこだわることなく、以下に述
べる要件を満たす、種々の変形は当然本発明に含まれる
ものである。
ものである。この図では蒸着装置が二基構成になってい
る例を示しであるがこれにこだわることなく、以下に述
べる要件を満たす、種々の変形は当然本発明に含まれる
ものである。
図に示すように基板１は、送り出し軸１１より回転キャ
ン４に治って移動し、捲き取り軸１２にて捲きあげられ
るよう構成される。この図では、捲き取り系の他の要素
であるフリーローラ、エキスパンダローラ等は省略され
ているが、必要に応じて当然構成要素となるのはいうま
でもない。
ン４に治って移動し、捲き取り軸１２にて捲きあげられ
るよう構成される。この図では、捲き取り系の他の要素
であるフリーローラ、エキスパンダローラ等は省略され
ているが、必要に応じて当然構成要素となるのはいうま
でもない。
又回転キャンは機能として、冷却支持を兼ねるもの゛で
、例えば、冷却さｎた、５ＵＳ３０４の薄板を電子ビー
ム溶接して作成したエンドレスベルトを代替に用いるこ
ともできるし、くり返し蒸着を行うために複数個のキャ
ンを用いることも本発明の範囲である。
、例えば、冷却さｎた、５ＵＳ３０４の薄板を電子ビー
ム溶接して作成したエンドレスベルトを代替に用いるこ
ともできるし、くり返し蒸着を行うために複数個のキャ
ンを用いることも本発明の範囲である。
回転キャン４と対向して配設される蒸発源は、衆知のい
ずれであってもよいが、電子ビーム加熱が好ましい。第
１図では、蒸５発源容器３と蒸着材料２を模式的に示し
てあり、電子源は、図示していない。
ずれであってもよいが、電子ビーム加熱が好ましい。第
１図では、蒸５発源容器３と蒸着材料２を模式的に示し
てあり、電子源は、図示していない。
真空層６は、上室６と下室７に分けられている。
１３は仕切り板である。上室６．下室７は通常独立した
排気系１０，９によシそれぞれ排気される。
排気系１０，９によシそれぞれ排気される。
８は入射角を限定するマスクであるが、蒸発源の中心を
Ｓとし、マスクの先端をＰｏとした時ＳＰ８の延長が、
基板（キャンの周側面に沿っている）と交わる点りにた
てた法線とのなす角、θ１が蒸気の入射角を表わすもの
である。
Ｓとし、マスクの先端をＰｏとした時ＳＰ８の延長が、
基板（キャンの周側面に沿っている）と交わる点りにた
てた法線とのなす角、θ１が蒸気の入射角を表わすもの
である。
Ｐｏの近傍よりガス噴射されるようマスク８は構成され
る。こｎにより、磁性体蒸気はＰｏ近傍−にたい積しな
いため、長尺対応時に常にＳＰｏで決するθ、を一定化
することができる訳である。
る。こｎにより、磁性体蒸気はＰｏ近傍−にたい積しな
いため、長尺対応時に常にＳＰｏで決するθ、を一定化
することができる訳である。
これを満足すｔば、マ、スクの形状は円弧の一部であっ
てもよいし、直線の組み合わせであってもよいし、制限
を受けるものではない。又ガス導入は公知の安定導入の
永めの流量、圧力制御技術により行うのが好ましいが、
ガスの種類は目的により活性、不活性、混合ガスのいず
れであっても良い。
てもよいし、直線の組み合わせであってもよいし、制限
を受けるものではない。又ガス導入は公知の安定導入の
永めの流量、圧力制御技術により行うのが好ましいが、
ガスの種類は目的により活性、不活性、混合ガスのいず
れであっても良い。
次に具体的に本発明の実施例について説明する。
〔実施例１〕
基板トシてポリエチレンテレフタレート１０．５μｍ（
６００幅）を用い、入射角θ１＝７０°で、００８０％
Ｎｉ２Ｏ％の合金層を０．１μｍの厚さに形成した。下
室の真空度は２×１０ Ｔｏｙｙであった。
６００幅）を用い、入射角θ１＝７０°で、００８０％
Ｎｉ２Ｏ％の合金層を０．１μｍの厚さに形成した。下
室の真空度は２×１０ Ｔｏｙｙであった。
得られた磁性層の抗磁力は１０６０〔６ｅ〕で角形化は
０．９６であった。
０．９６であった。
比較例としてＡｒガスを０ 、１１７ｍ ｉ ｎ （Ｉ
Ｋｐ／ｃｒｌ ）導入しながら実施した本発明とガス
導入なしで実施した従来例を第２図に示した。長手方向
にサンプリングを行うと共に幅方向の分布をエラーノζ
−の形で示した。
Ｋｐ／ｃｒｌ ）導入しながら実施した本発明とガス
導入なしで実施した従来例を第２図に示した。長手方向
にサンプリングを行うと共に幅方向の分布をエラーノζ
−の形で示した。
これよシ明らかなように、本発明によらない場合、抗磁
力が大きくなるとともに、幅方向の均一性も劣化するこ
とが理解される。
力が大きくなるとともに、幅方向の均一性も劣化するこ
とが理解される。
以下の実施例についても同様の比較をしたが２．０００
ｍ蒸着時点とスタート直後の比較のみを〔実施例２〕 ポリエチレンテレフタレート１６μｍ（５００幅）上に
、入射角θ１＝７３°でＣｏ１００チからなる磁性層を
０．２μｍの厚さに形成した。Ａｒ０．ＩＱ ７ｍ ｉ
ｎ （１’Ｆｙ／Ｃｄｌ ）導入下で蒸着した全長は２
０５０ｍで、真空度は下室で１ 、７Ｘ１０ Ｔｏｒ
ｒであった。得られた抗磁力は、本発明では、初期、１
０００ｍ 、２０００ｍ時点で１２００［ＯｅＪ角形比
は０−９７でｖ辿ｐ均一性も変化しなかったのに比べ。
ｍ蒸着時点とスタート直後の比較のみを〔実施例２〕 ポリエチレンテレフタレート１６μｍ（５００幅）上に
、入射角θ１＝７３°でＣｏ１００チからなる磁性層を
０．２μｍの厚さに形成した。Ａｒ０．ＩＱ ７ｍ ｉ
ｎ （１’Ｆｙ／Ｃｄｌ ）導入下で蒸着した全長は２
０５０ｍで、真空度は下室で１ 、７Ｘ１０ Ｔｏｒ
ｒであった。得られた抗磁力は、本発明では、初期、１
０００ｍ 、２０００ｍ時点で１２００［ＯｅＪ角形比
は０−９７でｖ辿ｐ均一性も変化しなかったのに比べ。
導入Ａｒなしで形成した場合１０００ｍ時点では抗磁力
は１２２０〜１４１０ｂｏｅ］にばらついた。
は１２２０〜１４１０ｂｏｅ］にばらついた。
この時マスク先端にたい積したＣｏ厚みは１９１１１と
なり、入射角が実質的に変化していた。
なり、入射角が実質的に変化していた。
〔実施例３〕
ボＩＪ ｘｙ し７ｆ Ｌ／７ ｊ’ レ−） １ ’
、 、 ５ｐｍ （５００−幅圧に入射角θ１工６０°
でＣｏａｓ％Ｃｒ１５％からなる磁性層を形成した。真
空度ハ１×Ｖ１゜ＴｏｒｒＳＡｒｏ、２Ｒ／ｍ１ｎ（１
％ｍ／ｃｎ）、Ａｒｏ、ｏｓＱ ７ｍ ｉ ｎの２点に
ついて比較した。Ｉｏｏｏｍ時点７ ・ と初期値は抗磁力９８０ 〔Ｏｓ ］、角形比ｏ、９８
で幅方向もいずれも均一であった。
、 、 ５ｐｍ （５００−幅圧に入射角θ１工６０°
でＣｏａｓ％Ｃｒ１５％からなる磁性層を形成した。真
空度ハ１×Ｖ１゜ＴｏｒｒＳＡｒｏ、２Ｒ／ｍ１ｎ（１
％ｍ／ｃｎ）、Ａｒｏ、ｏｓＱ ７ｍ ｉ ｎの２点に
ついて比較した。Ｉｏｏｏｍ時点７ ・ と初期値は抗磁力９８０ 〔Ｏｓ ］、角形比ｏ、９８
で幅方向もいずれも均一であった。
この例を詳細に検討したところ、２０００ｍ。
３０００ ｍと長尺化するにつれてＡｒ ０．２ Ｑ
７ｍ ｉｎに比べてＡｒ Ｏ，０５ｆｉ／ｍｉｎでは若
干抗磁力変化の兆しがあり、若干の流量依存が傾向とし
てみられるが、噴射孔の径や、間隔等によシ、必要流量
性最適化するのが好ましい。
７ｍ ｉｎに比べてＡｒ Ｏ，０５ｆｉ／ｍｉｎでは若
干抗磁力変化の兆しがあり、若干の流量依存が傾向とし
てみられるが、噴射孔の径や、間隔等によシ、必要流量
性最適化するのが好ましい。
〔実施例４〕
ポリアミド基板８．６μｍ 上に、Ｃｏ８０チｌ’Ｊｉ
２０チから成る磁性層を０．１５μｍの厚さに形成した
。下室にはマスクより酸素を導入し、真空度４．５Ｘ１
０−６Ｔｏｙｙで蒸着した。θ１＝４６０で導入０２量
は０．２２Ｌ／ｍｉｎ （Ｉｆ＆／ｃｒｌ）とした。
２０チから成る磁性層を０．１５μｍの厚さに形成した
。下室にはマスクより酸素を導入し、真空度４．５Ｘ１
０−６Ｔｏｙｙで蒸着した。θ１＝４６０で導入０２量
は０．２２Ｌ／ｍｉｎ （Ｉｆ＆／ｃｒｌ）とした。
抗磁力は９２０〔Ｏｅ〕、角形比０．８８で４０００ｍ
長にわたって幅方向、長手方向とも均一であった。
長にわたって幅方向、長手方向とも均一であった。
θｙ１ ＝ ２０ ’の場合１０００ｍで抗磁力が約１
５％増加し、 −２０００ｍで同じく３４％増加し、３
ｏｏＯｍでは蒸着膜厚を制御するのに、フィルム移動速
度を４０量落すか、投入する電子ビームの電力を３０％
増加させる必要が生じ、本発明は設定条件を維持できる
もので膜厚制ａ性に於ても欠点を克、服するものである
といえる。
５％増加し、 −２０００ｍで同じく３４％増加し、３
ｏｏＯｍでは蒸着膜厚を制御するのに、フィルム移動速
度を４０量落すか、投入する電子ビームの電力を３０％
増加させる必要が生じ、本発明は設定条件を維持できる
もので膜厚制ａ性に於ても欠点を克、服するものである
といえる。
他に、ＲＦイオンブレーティングとして、フィルムと蒸
発源の間に高周波電極を配設し、１３．５６ＭＨｚ
の高周波でイオンブレーテインクを行って本発明の効果
を確認するとともに、Ｆｅ５Ｃｏ −Ｖ、Ｃｏ−ＷＳＣ
ｏ −Ｍｎ、 Ｃｏ−Ｔ ｉ、 Ｃｏ−５ｔ、 Ｃｏ−
Ｎｉ −Ｃｒ。
発源の間に高周波電極を配設し、１３．５６ＭＨｚ
の高周波でイオンブレーテインクを行って本発明の効果
を確認するとともに、Ｆｅ５Ｃｏ −Ｖ、Ｃｏ−ＷＳＣ
ｏ −Ｍｎ、 Ｃｏ−Ｔ ｉ、 Ｃｏ−５ｔ、 Ｃｏ−
Ｎｉ −Ｃｒ。
Ｃｏ−Ｐｔ等についても確認した。
又、導入ガスについては、Ｎ２．Ｃｏ２．Ｃｏ、等につ
いても検討を加え本発明お効果−を確かめた。
いても検討を加え本発明お効果−を確かめた。
これらの結果を綜合しても、抗磁力発生のメカニズム（
例えば、結晶磁気異方性、形状異方性、歪等）によらず
本発明が有効であることが確認できたことになり、その
工業的有価値性は極めて大きいものである。
例えば、結晶磁気異方性、形状異方性、歪等）によらず
本発明が有効であることが確認できたことになり、その
工業的有価値性は極めて大きいものである。
第１図は本発明の実施例において用いる蒸着装置を示す
図、第２図は本発明の詳細な説明するための図である。 １・・・・・・基板、３・・・・・・蒸発源容器、４・
・・可回転キャン、６・・・・・・真空槽、８・・・・
・・マスク、１１・・・・・・送り出し軸、１２・・・
川ｍき取り軸、９．１ｏ・・・・・・排気系。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名鶴
１ 図
図、第２図は本発明の詳細な説明するための図である。 １・・・・・・基板、３・・・・・・蒸発源容器、４・
・・可回転キャン、６・・・・・・真空槽、８・・・・
・・マスク、１１・・・・・・送り出し軸、１２・・・
川ｍき取り軸、９．１ｏ・・・・・・排気系。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名鶴
１ 図
Claims (1)
- 冷却支持体に沿って移動する高分子成形物基板上に、前
記基板上への蒸着気流の入射角規制用のマスクを用いて
、強磁性材料を蒸着するに際し、前記マスクの入射角規
制部近傍からガスを噴射しながら蒸着を行うことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131176A JPS5832234A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/409,608 US4450186A (en) | 1981-08-20 | 1982-08-19 | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
| DE8282107650T DE3278257D1 (en) | 1981-08-20 | 1982-08-20 | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
| EP82107650A EP0073041B1 (en) | 1981-08-20 | 1982-08-20 | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
| DE198282107650T DE73041T1 (de) | 1981-08-20 | 1982-08-20 | Verfahren und einrichtung zur herstelling von magnetischen aufzeichnungstraegern. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131176A JPS5832234A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832234A true JPS5832234A (ja) | 1983-02-25 |
| JPH0330213B2 JPH0330213B2 (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=15051776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56131176A Granted JPS5832234A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832234A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841443A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製法 |
| JPS59124035A (ja) * | 1982-12-30 | 1984-07-18 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS60157728A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61250836A (ja) * | 1985-04-29 | 1986-11-07 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| CN113151787A (zh) * | 2016-07-05 | 2021-07-23 | 佳能特机株式会社 | 蒸镀装置及蒸发源 |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP56131176A patent/JPS5832234A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5841443A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製法 |
| JPS59124035A (ja) * | 1982-12-30 | 1984-07-18 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS60157728A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61250836A (ja) * | 1985-04-29 | 1986-11-07 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| CN113151787A (zh) * | 2016-07-05 | 2021-07-23 | 佳能特机株式会社 | 蒸镀装置及蒸发源 |
| CN113151787B (zh) * | 2016-07-05 | 2023-05-23 | 佳能特机株式会社 | 蒸镀装置及蒸发源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330213B2 (ja) | 1991-04-26 |
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