JPH0334130B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、強磁性金属薄膜を記録層とする磁気
記録媒体の製造方法に関するものである。

磁気記録の高密度化の要求に対して、これまで
磁気記録媒体の抗磁力を大きくすることで対応し
てきたが、より短波長化が進むに従つて、磁化さ
れるのは、媒体の表面近くだけになるため、抗磁
力の増大のみでは出力を大きくできず、飽和磁束
密度の大きい材料が使用されるようになつて来て
いる。そのひとつは、従来の塗布形の延長上で、
バインダ等の非磁性材料で稀釈されるものの、本
質的に飽和磁束密度の大きい、鉄等の強磁性金属
または合金の微粒子を、酸化鉄の代りに用いる磁
気記録媒体で、他の一つは、バインダを用いな
い、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする媒体で、
前記薄膜の形成に真空蒸着を用いることから蒸着
テープという名称で一部実用に供されるに至つて
いる。

この蒸着テープは、歴史も浅く、工業規模での
検討改良を今後に待つ課題も多くある。

そのひとつは抗磁力の制御である。特に大きい
抗磁力を安定に制御する技術開発は重要なテーマ
である。

蒸着法で安定に抗磁力を制御できる可能性のあ
るのは特公昭41−19389号公報に開示されている
いわゆる斜方蒸着法である。

しかし、この方法を実施するにあたつての難点
は、蒸着効率が低いことと、入射角が変化すると
抗磁力が変化するという現象が起こり、抗磁力が
大きくなるほど、この現象が顕著になることであ
る。

本発明は、入射角変化により生ずる抗磁力変化
を実用レベルに抑えることができる方法を提供す
るものであり、以下、図面を用いて詳述する。

第１図は本発明の方法を実施するための蒸着装
置の要部断面を示すものである。ここでは二室構
成の例を示しているが、本発明の方法を実施する
上でこれにこだわることなく、以下に述べる要件
を満たす装置であれば使用することができる。

高分子成形基板（以下単に基板という）１は送
り出し軸２より回転キヤン３に沿つて移動し、巻
取軸４にて巻きあげられるように構成されてい
る。この図では、巻取系の他の要素であるフロー
ローラやエキスパンダローラ等については省略さ
れているが、必要に応じて構成要素となるのはい
うまでもない。

回転キヤン３は機能として冷却支持を兼ねるも
ので、それに代えて、たとえばSUS304のステン
レス鋼薄板で構成したエンドレスベルトを用いて
もよい。無論、このベルトも冷却して使用する。
また、繰り返し蒸着を行うために複数個のキヤン
を用いることもできる。

回転キヤン３と対向して配設される蒸発源５
は、公知のものを使用することができるけれど
も、発明者らの実験によれば電子ビーム加熱がも
つとも好ましい。図では、蒸発源５を容器６と蒸
着材料７で模式的に示してあり、電子源について
は図示を省略している。

真空槽８内は、仕切板９によつて上室１０と下
室１１とに二分されている。上室１０と下室１１
は通常独立した排気装置１２，１３でそれぞれ排
気される。マスク１４は基板１への蒸気の入射角
度を制限するためのものであるが、蒸発源５の中
心をＰとし、マスク１４の先端をＭとしたとき、
PMの延長がキヤン３の周側面上の基板１と交わ
る点にたてた法線ととのなす角θ₁が蒸気の入
射角を表わすものである。

また、マスク１４の先端のＭ点にたてた法線と
のなす角度θ_Mが、マスク１４へ蒸着される蒸気の
入射角である。θ₁とθ_Mとはθ₁＜θ_Mなる関係にある
ことが本発明の要件であり、これを満足すれば、
マスク１４の形状について特に制約がなく、円弧
の一部であつてもよいし、直線の組み合わせであ
つてもよい。

以下、本発明の実施例について詳述する。

実施例 １ 基板として幅500mm、厚さ10.5μmのポリエチレ
ンテレフタレートフイルムを使用し、第１図の装
置にて入射角θ₁＝70゜、θ_M＝80゜（第１図参照）で、
Co80％−Ni20％の合金層を前記基板上に0.1μm
の厚さに形成した。下室の真空度は、２×
10^-5Torrであつた。得られた磁性層の抗磁力は
1050エルステツドで、Ｂ−Ｈ曲線の角形比は0.96
であつた。

そして、比較のためθ_M＝30゜としたこと以外は、
本実施例と同じ条件で磁性層を形成した。

第２図に本実施例で作製した試料と比較例で作
製した試料について、長手方向にサンプリングを
するとともに、その幅方向の抗磁力分布をエラー
バーの形で示した。

これより明らかなように、本発明の方法によれ
ば、抗磁力が一定しており、その幅方向のばらつ
きも非常に小さい。ところが、比較例によれば、
抗磁力が大きくなるとともに、その幅方向のばら
つきも大きくなる。

以下の実施例についても同様の比較をしたが、
1000m蒸着時点とスタート直後の抗磁力の対比で
示す。

実施例 ２ 長さ2050m、幅500mm、厚さ15μmのポリエチレ
ンテレフタレートフイルム上に、蒸気の入射角θ₁
＝73゜でCo100％からなる磁性層を0.2μmの厚さに
形成した。マスクの先端の角度はθ_M＝80゜で、下
室の真空度は1.7×10^-5Torrであつた。得られた
抗磁力は初期、1000m、2000m時点でそれぞれ
1200エルステツドであり、Ｂ−Ｈ曲線の角形比は
0.97で、幅方向の均一性も変化しなかつた。

一方、比較のため、θ_M＝20゜で形成したところ、
1000m時点では抗磁力は1220〜1410エルステツド
にばらついた。このとき、マスク先端に堆積した
Coの厚みは19mmとなり、入射角が実質的に変化
していた。

実施例 ３ 幅500mm、厚さ11.5μmのポリエチレンテレフタ
レートフイルム上に、入射角θ₁＝60゜でCo85％−
Cr15％からなる磁性層を形成した。真空度を１
×10^-5Torrとし、θ_M＝85゜、θ_M＝75゜の場合につい
て比較検討した。1000m時点と初期値は抗磁力
980エルステツド、Ｂ−Ｈ曲線の角形比0.98で、
幅方向の抗磁力分布はいずれも均一であつた。

この二例についてさらに詳細に検討したとこ
ろ、2000m、3000mと長尺化するにつれてθ_M＝
85゜の場合に比べてθ_M＝75゜の場合では若干抗磁力
が変化する傾向が見受けられた。このことから
も、θ₁＜θ_Mの関係を保持するのはもちろんのこと
であるが、θ_Mをできる限り大きくするのが好まし
い。しかし、蒸発湯面の低下により蒸発位置がず
れると、入射角が変化しやすいことから、θ₁＝75
〜85゜とするのが実際的である。しかし、フイー
ダを配設して蒸発源に蒸発材料を補給し、基板の
長尺化に対応させることにより、蒸発源の湯面位
置を一定に保つようにすればこの限りではない。

実施例 ４ 厚さ8.5μmのポリアミド基板上に、Co80％−
Ni20％からなる磁性層を0.15μmの厚さに形成し
た。下室には酸素を導入し、真空度4.5×
10^-5Torrの真空度に保持して蒸着した。なお、
θ₁＝45゜，θ_M＝80゜とした。

得られた磁性層の抗磁力は920で、Ｂ−Ｈ曲線
の角形比が0.88であつた。そして、基板の4000m
長にわたつて幅方向、長手方向ともその値は実質
的に均一であつた。比較のため、θ_M＝20゜とした
場合、1000mで抗磁力が約15％増加し、2000mで
は34％増加した。そして、3000mでは蒸着膜厚を
制御するのに、フイルム移動速度を40％落すか、
投入する電子ビームの電力を30％増加させる必要
が生じた。これからも本発明は設定条件を維持で
きるもので、膜厚制御性に優れていることがわか
る。

これら実施例で使用した第１の装置以外にも基
板としてのフイルムと蒸発源との間に高周波電極
を配設し、13.56MHzの高周波でイオンプレーテ
イングを行なつても、本発明の効果が得られるこ
とを確認した。そして、蒸発材料として、Fe，
Co−Ｖ，Co−Ｗ，Co−Mn，Co−Ti，Co−Si，
Co−Ni−Cr，Co−Pt等を使用しても、本発明の
効果が得られることを確認した。

以上のように、本発明の方法は、マスクの、磁
性層形成の蒸気入射角度を規制する部分への蒸気
入射角度を、基板への蒸気入射角度よりも大きく
設定しているので、長尺の基板に連続して磁性材
料を蒸着しても、磁性層の抗磁力、Ｂ−Ｈ曲線の
角形比を一定化することができ、そのため品質の
安定した磁気記録再生用の蒸着テープを提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施するための装置の
一例を示す断面図、第２図は本発明の方法により
製造した磁気テープと比較例による特性ならびに
そのばらつきを対比させて示す図である。 １……高分子成形基板、３……回転キヤン、５
……蒸発源、９……仕切板、８……真空槽、１０
……上室、１１……下室、１２，１３……排気装
置、１４……マスク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 冷却支持体に沿つて移動する高分子成形物基
   板に強磁性材料を連続して蒸着する際、磁性層形
   成の蒸気入射角を限定するマスクの、角度限定に
   かかわる部位近傍への蒸気の入射角を、前記磁性
   層形成の入射角より大となすことを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。