JPS583224A - 半導体装置製造用石英治具 - Google Patents
半導体装置製造用石英治具Info
- Publication number
- JPS583224A JPS583224A JP56101782A JP10178281A JPS583224A JP S583224 A JPS583224 A JP S583224A JP 56101782 A JP56101782 A JP 56101782A JP 10178281 A JP10178281 A JP 10178281A JP S583224 A JPS583224 A JP S583224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- jig
- core material
- quartz jig
- metal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/13—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H10P72/135—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterised by a material, a roughness, a coating or the like
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本考案は、半導体基板を熱酸化や熱拡散等の熱処理ある
いは気相堆積処理を行なう時に、拡散炉への半導体基板
の出し入れに伴なう石英治具に関するものであり、石英
治具の強化を図るものである。
いは気相堆積処理を行なう時に、拡散炉への半導体基板
の出し入れに伴なう石英治具に関するものであり、石英
治具の強化を図るものである。
第１図、第２図は、従来の半導体装置製造用石英治具の
外観図である。治具全体が石英で作られており、半導体
基板を支持するための溝２が複数刻み込まれている。こ
れらの溝２に半導体基板を配置し、熱酸化や熱拡散を行
なうものである。
外観図である。治具全体が石英で作られており、半導体
基板を支持するための溝２が複数刻み込まれている。こ
れらの溝２に半導体基板を配置し、熱酸化や熱拡散を行
なうものである。
上記のような従来の石英治具は以下の欠点を有している
。つまり、全体が石英製であるために、溝２が折れたり
、またそれらを支えている支柱１が折れたりすることが
多いという欠点を有している。
。つまり、全体が石英製であるために、溝２が折れたり
、またそれらを支えている支柱１が折れたりすることが
多いという欠点を有している。
本考案は上記のような従来の石英治具の欠点を解消する
ためのものであり、金属酸化物あるいはシリコン炭化物
でつくられた補強材を石英治具の芯材として用い、一部
又は全体を石英で被覆した治具を提供するものである。
ためのものであり、金属酸化物あるいはシリコン炭化物
でつくられた補強材を石英治具の芯材として用い、一部
又は全体を石英で被覆した治具を提供するものである。
以下、本発明の一実施例を示して詳細に説明する。第５
図、第４図は従来の石英治具に、金属酸化物あるいはシ
リコン炭化物を芯材５として用い１、 石英で被覆した
石英治具である。本発明による効果として下記の点が上
げられる。
図、第４図は従来の石英治具に、金属酸化物あるいはシ
リコン炭化物を芯材５として用い１、 石英で被覆した
石英治具である。本発明による効果として下記の点が上
げられる。
半導体基板を支える溝２に対し衝撃が加わり折れたりし
ても、芯材が折れない限り欠落することはなく、継続使
用することが可能である。
ても、芯材が折れない限り欠落することはなく、継続使
用することが可能である。
次に補強材となる芯材の材料については下記の性質が要
求される。熱に対して安定であり、半導体基板の処理濃
度において変質、変形が小さいこと、処理基板、処理装
置を汚染しないこと、弗酸や弗−と硝階などの混合液に
おかされないことが上げられる。
求される。熱に対して安定であり、半導体基板の処理濃
度において変質、変形が小さいこと、処理基板、処理装
置を汚染しないこと、弗酸や弗−と硝階などの混合液に
おかされないことが上げられる。
上記条件を満たす材料としてはす７アイヤＡｔ、Ｏ，や
暖化タンタル等の金属蒙化物、またはシリコン炭化物８
１０等化学的に安定で融点の高い物質を選択できる。
暖化タンタル等の金属蒙化物、またはシリコン炭化物８
１０等化学的に安定で融点の高い物質を選択できる。
以上のように本考案の半導体装置製造用石英治具は、治
具の強化を図ることができ、生産性向上に寄与するもの
である。
具の強化を図ることができ、生産性向上に寄与するもの
である。
第１図、第２図は従来の石英治具であり、全体が石英で
作られている。第３図、第４図は本考案の一実施例であ
る石英治具である。 １・・・・・・支柱 ２・・・・・・溝 ５・・・・・・芯材 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 手続補正書 （、！Ｊ式） ％式％ １、事件の表示 昭和５４年 特許願第ｊＤ１７＠２す２、発明の名称 半導体装置調造用石英治具 ３、補正をする者 事件との関係 ４、代 理 入代１ＩＩＩＩ締役中村恒也５、 補正命
令の日付 昭和５４年１り月！１４日 ６、補正の対象 手続補正音 １．１ｊｊＺ行 「考案の名称」とめるを 「発明の名称」に補正する。 ２．１３１４行 「実用新案登録清水の範囲」とめるを 「特許請求の範囲」に補正する。 五 １ｊｌ下から７行 「考案の詳細な説明」とめるを 「発明の詳細な説明」に補正する。 ４ １ｊｋ下から６行目、２ｊｊ１０．３員１３行３ｊ
Ｉ下から２行 「考案」とめるを 「発明」Ｋ補正する。 以 上 代理人 最 上 務
作られている。第３図、第４図は本考案の一実施例であ
る石英治具である。 １・・・・・・支柱 ２・・・・・・溝 ５・・・・・・芯材 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 手続補正書 （、！Ｊ式） ％式％ １、事件の表示 昭和５４年 特許願第ｊＤ１７＠２す２、発明の名称 半導体装置調造用石英治具 ３、補正をする者 事件との関係 ４、代 理 入代１ＩＩＩＩ締役中村恒也５、 補正命
令の日付 昭和５４年１り月！１４日 ６、補正の対象 手続補正音 １．１ｊｊＺ行 「考案の名称」とめるを 「発明の名称」に補正する。 ２．１３１４行 「実用新案登録清水の範囲」とめるを 「特許請求の範囲」に補正する。 五 １ｊｌ下から７行 「考案の詳細な説明」とめるを 「発明の詳細な説明」に補正する。 ４ １ｊｋ下から６行目、２ｊｊ１０．３員１３行３ｊ
Ｉ下から２行 「考案」とめるを 「発明」Ｋ補正する。 以 上 代理人 最 上 務
Claims (2)
- （１）金属酸化物又はシリコン炭化物で形成され、かつ
一部又は全体を石英で被覆したことを特徴とする半導体
装置製造用石英治具。 - （２）金属酸化物がＡｔ又は’Ｉ’ｌｌの一化物である
ことを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の半導体装
置製造用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101782A JPS583224A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 半導体装置製造用石英治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101782A JPS583224A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 半導体装置製造用石英治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583224A true JPS583224A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14309754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101782A Pending JPS583224A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 半導体装置製造用石英治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583224A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200431A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエハ−ボ−ト搬送用具 |
| JPS6021520A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用搬送用具 |
| JPH03201527A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | スタッキングボート |
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
| JPH067238U (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | 株式会社福井信越石英 | 半導体熱処理装置 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56101782A patent/JPS583224A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200431A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエハ−ボ−ト搬送用具 |
| JPS6021520A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用搬送用具 |
| JPH03201527A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | スタッキングボート |
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
| JPH067238U (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | 株式会社福井信越石英 | 半導体熱処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58156523A (ja) | 酸化シリコン層の形成方法 | |
| JPS583224A (ja) | 半導体装置製造用石英治具 | |
| JP2005005379A (ja) | 半導体ウエーハの熱処理方法及び熱処理用縦型ボート | |
| JP3316068B2 (ja) | 熱処理用ボート | |
| JP2000232222A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3332168B2 (ja) | 縦型ボート及びその製造方法 | |
| JPH05175319A (ja) | シリコン製ウエハ支持ボ−ト | |
| JPH08102446A (ja) | ウエハボート | |
| JP3125968B2 (ja) | 縦型ウェ−ハボ−ト | |
| JP3139841B2 (ja) | 半導体製造装置の超純水接触機器用ステンレス鋼 | |
| JPS63224338A (ja) | 半導体基板支持具 | |
| KR102856400B1 (ko) | 디스플레이용 기판 | |
| CN105869988A (zh) | 一种半导体器件的制造方法 | |
| JPH03248523A (ja) | ウェハー | |
| JPS59227128A (ja) | 半導体基体の酸化法 | |
| JPS60123036A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004335996A (ja) | マスク構造体とその製造方法、および補強用マスクフレーム | |
| JPS5997600A (ja) | 熱処理炉における石英管 | |
| JPS629634A (ja) | シリコンウエハの搬送方法 | |
| JPH03131040A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2543994Y2 (ja) | ウエハ保持治具 | |
| JP2001057323A (ja) | ダミーウェハおよびダミーウェハを使った熱処理方法 | |
| JPH1025561A (ja) | 有機アミン系薬剤使用機器用材料 | |
| JPS59154017A (ja) | 半導体ウエハの加熱炉用パドル | |
| JPH0562921A (ja) | 半導体熱処理用治具 |