JPS5832416A - パタ−ン欠陥検査方法 - Google Patents
パタ−ン欠陥検査方法Info
- Publication number
- JPS5832416A JPS5832416A JP56111392A JP11139281A JPS5832416A JP S5832416 A JPS5832416 A JP S5832416A JP 56111392 A JP56111392 A JP 56111392A JP 11139281 A JP11139281 A JP 11139281A JP S5832416 A JPS5832416 A JP S5832416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chips
- reticle
- defect
- foreign substances
- transferred
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン欠陥検査方法に関する。
近年、牛導体集積回路装置の高密度化が進むにつれて、
微細パターンの形成方法が重要なものとなってきている
。この微細パターンを形成するための手段として最近開
発された縮小投影露光装置は従来の装置に比べ、解像度
、アライメント精度に優れた性能を持っている。
微細パターンの形成方法が重要なものとなってきている
。この微細パターンを形成するための手段として最近開
発された縮小投影露光装置は従来の装置に比べ、解像度
、アライメント精度に優れた性能を持っている。
しかしながら、霧光方法が従来と異なり、１チツプごと
に繰り返し露光する断簡、ステ、プ・アンド・リピート
方式である為に、レチクル上に塵などの異物がある場合
には、すべてのチップにこの異物が転写されて共通欠陥
となり、欠陥の大きさ、チップ内の位置によってはすべ
てのウ一／Ｓが不良品となってしまう。
に繰り返し露光する断簡、ステ、プ・アンド・リピート
方式である為に、レチクル上に塵などの異物がある場合
には、すべてのチップにこの異物が転写されて共通欠陥
となり、欠陥の大きさ、チップ内の位置によってはすべ
てのウ一／Ｓが不良品となってしまう。
従って、このマスク上の異物を高い信頼性をもって検出
する上とが、縮小投影露光装置を使用する上では、最も
重要な問題となってくる。
する上とが、縮小投影露光装置を使用する上では、最も
重要な問題となってくる。
これを検出する従来の方法としては、縮小投影露光装置
にて、転写したウェハを、数百倍程度の光学顕微鏡を使
用して、肉眼で（比□較）検査する方法が用いられてき
た。
にて、転写したウェハを、数百倍程度の光学顕微鏡を使
用して、肉眼で（比□較）検査する方法が用いられてき
た。
しかしながら、この方法は肉眼に頼る検査である几めに
、作業者の不注意等による検査ミスを避けることは困難
であり、信頼性は甚だ低い。又、検査に長時間を要し、
検査工数が多くなる欠点を持つ、ＩＩ数の作業者がこの
検査を繰り返し行なうならば１信頼性を高めることは出
来るが、充分とは言えず、検査工数が膨大なものとなり
てしまう。
、作業者の不注意等による検査ミスを避けることは困難
であり、信頼性は甚だ低い。又、検査に長時間を要し、
検査工数が多くなる欠点を持つ、ＩＩ数の作業者がこの
検査を繰り返し行なうならば１信頼性を高めることは出
来るが、充分とは言えず、検査工数が膨大なものとなり
てしまう。
％に微細パターンでしかも大きなチップの場合には、低
い信頼性、膨大な検査工数という２つの欠点は更に顕著
となってくる。
い信頼性、膨大な検査工数という２つの欠点は更に顕著
となってくる。
そこで、本発明の目的は、レチクル上の異物を信頼性よ
く検出し、工数の軽減化された検査方法を提供すること
にある。
く検出し、工数の軽減化された検査方法を提供すること
にある。
本実ｇｉ４は縮小投影露光装置において、同一の複数個
のチップ１有するレチクルを使用し、透過性を有する基
板上に形成された非透過性を有する被膜に、該複数個の
チップを繰プ返し転写する工程と、転写された該複数個
の中の第１のチップと、他の第２のチップとを比較検査
する工程とを含むことｔ−特徴とするものである。
のチップ１有するレチクルを使用し、透過性を有する基
板上に形成された非透過性を有する被膜に、該複数個の
チップを繰プ返し転写する工程と、転写された該複数個
の中の第１のチップと、他の第２のチップとを比較検査
する工程とを含むことｔ−特徴とするものである。
本発明は同一の複数個のチップを有するレチクル上に塵
等の異物が複数個存在する場合、第１のチップの異物と
全く同一形状の異物が他の任意の第２のチップ内の全く
同一位置に存在する確率はゼロに等しいという原理に基
づいている。
等の異物が複数個存在する場合、第１のチップの異物と
全く同一形状の異物が他の任意の第２のチップ内の全く
同一位置に存在する確率はゼロに等しいという原理に基
づいている。
本発明によれば、この原理により、異物が存在しても、
ステ、プ・アンド・リピート方式で転写されたチップに
は、異物が転写され、たために生ずる同一形状、同一位
置の欠陥が、レチクル内のチ、プ数に応じて、数チップ
ごとに規則正しく繰り返されるだけで、全チップの同一
位置に繰り返される同一形状の欠陥、所謂、共通欠陥は
生じないことになる。
ステ、プ・アンド・リピート方式で転写されたチップに
は、異物が転写され、たために生ずる同一形状、同一位
置の欠陥が、レチクル内のチ、プ数に応じて、数チップ
ごとに規則正しく繰り返されるだけで、全チップの同一
位置に繰り返される同一形状の欠陥、所謂、共通欠陥は
生じないことになる。
従って、レチクル上に異物が存在しても、任意の位置に
任意の形状の欠陥がある第１のチップと、同一位置に同
一形状の欠陥がない第２のチップとに分離することが出
来、この第１及び第２のチ。
任意の形状の欠陥がある第１のチップと、同一位置に同
一形状の欠陥がない第２のチップとに分離することが出
来、この第１及び第２のチ。
プを比較検査することにより、両者の間に差異が生じて
欠陥の存在を検出することができる。
欠陥の存在を検出することができる。
更にこの発明の比較検査方法は透過性のある基板上に非
透過性の欠陥パターンを形成して、光を照射するために
、充分なコントラストが得られ、又、人為によらず、こ
の光の増減を電気信号に変換し、自動的に比較検査する
ために、高い信頼性と工数の軽減化が実現できる。
透過性の欠陥パターンを形成して、光を照射するために
、充分なコントラストが得られ、又、人為によらず、こ
の光の増減を電気信号に変換し、自動的に比較検査する
ために、高い信頼性と工数の軽減化が実現できる。
次に本発明の特徴をより良く理解するために、この発明
の実施例について図ＷＪを用いて説明する。
の実施例について図ＷＪを用いて説明する。
第１図ないし第６図はこの発明の一実施例における主要
工程図である。
工程図である。
初めに、第１図に示すように、同一の複数チップの例と
して２つのチップ１０１．１０２を有するレチクル１０
３を用意する。このレチクル１０３上には異物１０４，
１０５及び回路パターン１０６があるものとする。この
異物１０４，１０５のそれぞれのチップ１０１，１０２
に対する位置及び形状は、同時に全く同一となる解重は
ゼロに等しいことは明らかである０次に第２図の断面図
に示すように透過性のあるガラス板１０７を用意し、上
面に非透過性の被［１１０８ｔ−形成する。ガラス板１
０７としては、光に対する透過性を示すもので、例えば
サファイヤ、ソーダ・ライム、石英ガラスがある。非透
過性の被膜１０８は、後述するように転写されたパター
ンのコントラストラ大キくするためのもので、例えばア
ルミニウム等の金属を用い、膜厚は約１μｍ程度にする
。さらに、非透過性の被膜１０８の上面に約１μｍ程度
のフォトレジスト１０９を塗布する。このフォトレジス
ト１０９は、市販のいずれのものでも良いが、ピンホー
ルが少なく、解像力に優れているものが望ましい。次に
第１図のレチクル１０３を縮小投影露光装置の所定の場
所にセットし、第２図のガラス板１０７上のフォトレジ
スト１０９に、ステ、プ・アンド・リピート方式で露光
後、現儂すると、レチクル１０３上の異物１０４，１０
５及び回路パターン１０６が転写されて、フォトレジス
ト像１１０が形成される（第３図）。このフォトレジス
ト１ｌｌｌＯｔエツチングのマスクとして非透過性の被
膜１０８をエツチング除去後、上面のフォトレジスト＠
１１０を除去すると、非透過性の被膜倫１１１が第４図
のように形成される。
して２つのチップ１０１．１０２を有するレチクル１０
３を用意する。このレチクル１０３上には異物１０４，
１０５及び回路パターン１０６があるものとする。この
異物１０４，１０５のそれぞれのチップ１０１，１０２
に対する位置及び形状は、同時に全く同一となる解重は
ゼロに等しいことは明らかである０次に第２図の断面図
に示すように透過性のあるガラス板１０７を用意し、上
面に非透過性の被［１１０８ｔ−形成する。ガラス板１
０７としては、光に対する透過性を示すもので、例えば
サファイヤ、ソーダ・ライム、石英ガラスがある。非透
過性の被膜１０８は、後述するように転写されたパター
ンのコントラストラ大キくするためのもので、例えばア
ルミニウム等の金属を用い、膜厚は約１μｍ程度にする
。さらに、非透過性の被膜１０８の上面に約１μｍ程度
のフォトレジスト１０９を塗布する。このフォトレジス
ト１０９は、市販のいずれのものでも良いが、ピンホー
ルが少なく、解像力に優れているものが望ましい。次に
第１図のレチクル１０３を縮小投影露光装置の所定の場
所にセットし、第２図のガラス板１０７上のフォトレジ
スト１０９に、ステ、プ・アンド・リピート方式で露光
後、現儂すると、レチクル１０３上の異物１０４，１０
５及び回路パターン１０６が転写されて、フォトレジス
ト像１１０が形成される（第３図）。このフォトレジス
ト１ｌｌｌＯｔエツチングのマスクとして非透過性の被
膜１０８をエツチング除去後、上面のフォトレジスト＠
１１０を除去すると、非透過性の被膜倫１１１が第４図
のように形成される。
第５図は、非透過性の被膜＠１１１の平面図の一部であ
る。１１２，１１３はそれぞれチップｌ０Ｌ１０２の％
１１４，１１５，１１６はそれぞれ異物１０４，１０
５及び回路パターン１０６の転写像であるが、上述の方
法で転写＊１−形成すると、回路パターンの転写１１１
１６Ｆｉ全チツプに現われるが、異物の転写像１１４，
１１５はそれぞれ２チツプごとにしか現われないことに
なる０次に第４図のガラス板１０４を第６図のようにホ
ルダー１１１にセ、トシて、チップ１１２の上部に対物
レンズ１１８’ｔ、チップ１１３の上部に対智レンズ１
１９を配置する。
る。１１２，１１３はそれぞれチップｌ０Ｌ１０２の％
１１４，１１５，１１６はそれぞれ異物１０４，１０
５及び回路パターン１０６の転写像であるが、上述の方
法で転写＊１−形成すると、回路パターンの転写１１１
１６Ｆｉ全チツプに現われるが、異物の転写像１１４，
１１５はそれぞれ２チツプごとにしか現われないことに
なる０次に第４図のガラス板１０４を第６図のようにホ
ルダー１１１にセ、トシて、チップ１１２の上部に対物
レンズ１１８’ｔ、チップ１１３の上部に対智レンズ１
１９を配置する。
その後、対物レンズ１１８，１１９ｔ″通して光１２０
をガラス板１０７に照射して、転写像１１４゜１１５．
１１６（第５図）以外の領域を通過してくる光を７オト
マル１２１，１２２で受信すること（よって、２つの電
気信号に変換する。ここで透過性のあるガラス板１０７
に比して転写像１１４゜１１５．１１６は非透過性であ
るために、電気信号には充分なコントラストが得られる
。この２つの信号は増幅器１２３，１２４をそれぞれ経
由して差動増幅器１２５にはいり、信号の比較が行なわ
れて出力１２６に至る。
をガラス板１０７に照射して、転写像１１４゜１１５．
１１６（第５図）以外の領域を通過してくる光を７オト
マル１２１，１２２で受信すること（よって、２つの電
気信号に変換する。ここで透過性のあるガラス板１０７
に比して転写像１１４゜１１５．１１６は非透過性であ
るために、電気信号には充分なコントラストが得られる
。この２つの信号は増幅器１２３，１２４をそれぞれ経
由して差動増幅器１２５にはいり、信号の比較が行なわ
れて出力１２６に至る。
出力１２６にはチップ１１２とチップ１１３との間にパ
ターンの差異がない場合、即ち欠陥が存在しない場合に
は、差動増幅器１２５から信号は発生しないが、差異が
ある場合、即ち欠陥が存在する場合に：は、２つの信号
間に差異が生じ、これが差動増幅器１２５にて比較され
た後、信号が発生して欠陥の存在を検出することができ
る。
ターンの差異がない場合、即ち欠陥が存在しない場合に
は、差動増幅器１２５から信号は発生しないが、差異が
ある場合、即ち欠陥が存在する場合に：は、２つの信号
間に差異が生じ、これが差動増幅器１２５にて比較され
た後、信号が発生して欠陥の存在を検出することができ
る。
次にこの比較検査を、ホルダー１１７１−紙面内の横方
向及び紙面に対して垂直方向に動かしながら行なうこと
によりチップ内全械の欠陥の存在、即ち、レチクル上の
異物の存在を検知することができる。
向及び紙面に対して垂直方向に動かしながら行なうこと
によりチップ内全械の欠陥の存在、即ち、レチクル上の
異物の存在を検知することができる。
上述したように、この発明によれば、縮小投影露光装置
においてまず同一の複数個のチップを有するレチクルを
用いることにより、レチクル上の異物が転写され次ため
に生ずる欠陥は共通欠陥とならず、比較検査が可能とな
る。
においてまず同一の複数個のチップを有するレチクルを
用いることにより、レチクル上の異物が転写され次ため
に生ずる欠陥は共通欠陥とならず、比較検査が可能とな
る。
次にこのレチクルを透過性を有する基板上の非透過性を
有する被膜に転写して、光を照射するために充分なコン
トラストが得られ、この光の増減を電気信号に一変換し
て比較検査する九めに、従来の内眼による検査にしばし
ば見られる検査ミスが防止され、信頼性の高い検出を行
なうことができる。更に検査工程の自動化により工数の
軽減化を実現できる。
有する被膜に転写して、光を照射するために充分なコン
トラストが得られ、この光の増減を電気信号に一変換し
て比較検査する九めに、従来の内眼による検査にしばし
ば見られる検査ミスが防止され、信頼性の高い検出を行
なうことができる。更に検査工程の自動化により工数の
軽減化を実現できる。
第１図ないし第６図は本発明の一実施例における主要工
程図である。 尚、図において、 １０１・・・・・・チップ、１０２・・・・・・チップ
、１０３・・・・・・レチクル、１０４・・・・・・レ
チクル上の異物、１０５・・・・・・レチクル上の異物
、１０６・・・・・・レチクル上の回路パターン、１０
７・・・・・・透過性を有するガラス板、１０８・・・
・・・非透過性の被膜、１０９・・・・・・フォトレジ
スト、１１０・・・・・・フォトレジスト像、１１１・
・・・・・非透過性の被膜偉、１１２・・・・・・チッ
プ１０１の転写像、１１３・・・・・・チップ１０２の
転写像、１１４・・・・・・レチクル上の異物１０４０
転写像、１１５・・・・・・レチクル上の異物１０５０
転写像、１１６・・・・・・レチクル上の回路パターン
の転写像、１１７・・・・・−ホルダー、１１８・・・
・・・対物レンズ、１１９・・・・・・対物レンズ、１
２０・・印・光、１２１・・・・・・フォトマル、ｉ２
２・・・・・・フォトマル％１２３・・・・・・増幅器
、１２４・・・・・・増幅器、１２５・・・・・・差動
増幅器、１２６・・・・・・出力、である。 １０７ 悴す区 手続補正書（自発） ５７，９．２Ｂ 昭和 年 月 日 ｒ′、。 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５６年特 許 願第１１１３
９２号２、発明の名称 パターン欠陥検査方法３、
補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ６、補正の内容（特願昭５６−１１１３９２）（１）明
細書の特許請求の範囲の記載を別紙のとおりに訂正いた
します。 ７ 添付書類 別 紙 １通 訂正後の特許請求の範囲 「縮小投影無光装置において、同一の複数個のチップを
有するレチクルを使用し、該複数個のチッる工程とを含
むことを特徴とするパターン欠陥検査方法。」
程図である。 尚、図において、 １０１・・・・・・チップ、１０２・・・・・・チップ
、１０３・・・・・・レチクル、１０４・・・・・・レ
チクル上の異物、１０５・・・・・・レチクル上の異物
、１０６・・・・・・レチクル上の回路パターン、１０
７・・・・・・透過性を有するガラス板、１０８・・・
・・・非透過性の被膜、１０９・・・・・・フォトレジ
スト、１１０・・・・・・フォトレジスト像、１１１・
・・・・・非透過性の被膜偉、１１２・・・・・・チッ
プ１０１の転写像、１１３・・・・・・チップ１０２の
転写像、１１４・・・・・・レチクル上の異物１０４０
転写像、１１５・・・・・・レチクル上の異物１０５０
転写像、１１６・・・・・・レチクル上の回路パターン
の転写像、１１７・・・・・−ホルダー、１１８・・・
・・・対物レンズ、１１９・・・・・・対物レンズ、１
２０・・印・光、１２１・・・・・・フォトマル、ｉ２
２・・・・・・フォトマル％１２３・・・・・・増幅器
、１２４・・・・・・増幅器、１２５・・・・・・差動
増幅器、１２６・・・・・・出力、である。 １０７ 悴す区 手続補正書（自発） ５７，９．２Ｂ 昭和 年 月 日 ｒ′、。 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５６年特 許 願第１１１３
９２号２、発明の名称 パターン欠陥検査方法３、
補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ６、補正の内容（特願昭５６−１１１３９２）（１）明
細書の特許請求の範囲の記載を別紙のとおりに訂正いた
します。 ７ 添付書類 別 紙 １通 訂正後の特許請求の範囲 「縮小投影無光装置において、同一の複数個のチップを
有するレチクルを使用し、該複数個のチッる工程とを含
むことを特徴とするパターン欠陥検査方法。」
Claims (1)
- 縮小投影露光装置において、同一の複数個のチップを有
するレチクルを使用し、透過性を有する基板上に形成さ
れた非透過性を有する被膜に、該複数個のチップを繰夛
返し転写する工程と、転写された該複数個の中の第１の
チップと、他の第２のチップとを比較検査する工程とｔ
含むことを特徴とするパターン欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111392A JPS5832416A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | パタ−ン欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111392A JPS5832416A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | パタ−ン欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832416A true JPS5832416A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=14559994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111392A Pending JPS5832416A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | パタ−ン欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832416A (ja) |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP56111392A patent/JPS5832416A/ja active Pending
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