JPS5832482A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS5832482A JPS5832482A JP13057181A JP13057181A JPS5832482A JP S5832482 A JPS5832482 A JP S5832482A JP 13057181 A JP13057181 A JP 13057181A JP 13057181 A JP13057181 A JP 13057181A JP S5832482 A JPS5832482 A JP S5832482A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0208—Semi-insulating substrates
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ、特に光多重通信用光源としての
半導体レーザの構造Ｋｌｌする亀のである。
半導体レーザの構造Ｋｌｌする亀のである。
光ファイバや半導体レーず等の性能の向上にと４な−っ
て、光フアイバ通信が将来の新しい通信として期侍畜れ
、その実用化が進められつつある。
て、光フアイバ通信が将来の新しい通信として期侍畜れ
、その実用化が進められつつある。
中でも、光多重は集用的な光フアイバ通信システムの上
では重要な方法であり、その研究開発が行なわれてｉる
。
では重要な方法であり、その研究開発が行なわれてｉる
。
光多重化の方法きしては、波長の異なる複数Ｏ光ビーム
を用いる波長分割多重方法が通常０光ファイバ通信に適
してＴｈり、活用されつりある。
を用いる波長分割多重方法が通常０光ファイバ通信に適
してＴｈり、活用されつりある。
ところで、光多重を行なう際には複数Ｏビームを１本の
ファイバへ結合することが必要であるが従来社、光多重
化装置を用いて複数０光源から発する各々の波長の異な
る光ビームをまとめて１本の光７１イパヘ結合する方法
がおこなわれてきた。
ファイバへ結合することが必要であるが従来社、光多重
化装置を用いて複数０光源から発する各々の波長の異な
る光ビームをまとめて１本の光７１イパヘ結合する方法
がおこなわれてきた。
しかし、こうし九光多重化装置を複数個の光源と光ファ
イバとの関に入れる方式は、光源から光ファイバまでの
構造が、複雑化かつ大型化し、とり機いの上でも不便で
ある書 こｎに対して波長の異なるレーず光を単一素子から発す
る光多重通信用光源としての半導体レーザが特願昭５３
−１４２６４に本発明者等によって提案された。特願昭
５３−１４２６１Ｃお匹てはストライプ状活性層に不純
物濃度差して各ストライプ状活性領域のバンドギャップ
を互いに異なるものにし峡谷ストライプ状活性領域に各
々独自の電ａｔ形成する構造の半導体レーザが提案され
ていたー しかし上記構造の半導体レーザでは光多重の各波長は不
純物拡散によってきまるバンドギャップＩＩＫよる発振
波長に限定さｈでおり、従って各波畏閤Ｖ＊長差は最大
数十ｍ ａ Ｖ程度しかなく長距離伝送用としての光多
重通信用光源として社使用に限界があった。そＯ１該構
造では発振モードは不純物濃度差に基づく屈折率差によ
るガイディング機構に依存しているが、しかしその値は
比較的小さいため（〜１Ｏ−１０オーグ）注入電流が増
加するとすぐにゲインガイディングが支配的になり。
イバとの関に入れる方式は、光源から光ファイバまでの
構造が、複雑化かつ大型化し、とり機いの上でも不便で
ある書 こｎに対して波長の異なるレーず光を単一素子から発す
る光多重通信用光源としての半導体レーザが特願昭５３
−１４２６４に本発明者等によって提案された。特願昭
５３−１４２６１Ｃお匹てはストライプ状活性層に不純
物濃度差して各ストライプ状活性領域のバンドギャップ
を互いに異なるものにし峡谷ストライプ状活性領域に各
々独自の電ａｔ形成する構造の半導体レーザが提案され
ていたー しかし上記構造の半導体レーザでは光多重の各波長は不
純物拡散によってきまるバンドギャップＩＩＫよる発振
波長に限定さｈでおり、従って各波畏閤Ｖ＊長差は最大
数十ｍ ａ Ｖ程度しかなく長距離伝送用としての光多
重通信用光源として社使用に限界があった。そＯ１該構
造では発振モードは不純物濃度差に基づく屈折率差によ
るガイディング機構に依存しているが、しかしその値は
比較的小さいため（〜１Ｏ−１０オーグ）注入電流が増
加するとすぐにゲインガイディングが支配的になり。
その結果基本横モード発振が維持できなくなり光ファイ
バとの結合損失が増加するのみならず雑音が増大する等
の欠点を有していた。
バとの結合損失が増加するのみならず雑音が増大する等
の欠点を有していた。
本発明の目的は上記欠点を除去し任意の波長で発振する
ばかりでなく、波長の異なる各レーザ光は各々屈折率ガ
イディングに基づく基本横モード発振を維持し、その上
光ファイバとの結合損失の少ない等心円状に近い発振光
となる単一素子からなる光多重通信用光源としての半導
体レーザを提供する事にある。
ばかりでなく、波長の異なる各レーザ光は各々屈折率ガ
イディングに基づく基本横モード発振を維持し、その上
光ファイバとの結合損失の少ない等心円状に近い発振光
となる単一素子からなる光多重通信用光源としての半導
体レーザを提供する事にある。
本発明は絶縁性基板において（１１１）面を斜面する階
段を有し、該（１１１）面に沿って第１クラツド１□ 層、ｗ！１活性層、第１゛クラツド層と反対の導電型を
有する第２クラツド層、第２活性層が隣接して形成され
更に全体を第１タラツド層と同じ導電型の第３クラッド
層で埋め込んだ構造において、成長層表面の一部から第
１クラッド層の一部に達する様に第１クラッド層と同じ
導電型不純物を導入すると共（該成長層表面の他の一部
から第２クラッド層の一部に達する様に第２クラッド層
と同じ導電型の不純物を導入し、該各年鈍物導入領域の
表面及び成長層表面に電極を設けた事を特命とする半導
体レーザである。
段を有し、該（１１１）面に沿って第１クラツド１□ 層、ｗ！１活性層、第１゛クラツド層と反対の導電型を
有する第２クラツド層、第２活性層が隣接して形成され
更に全体を第１タラツド層と同じ導電型の第３クラッド
層で埋め込んだ構造において、成長層表面の一部から第
１クラッド層の一部に達する様に第１クラッド層と同じ
導電型不純物を導入すると共（該成長層表面の他の一部
から第２クラッド層の一部に達する様に第２クラッド層
と同じ導電型の不純物を導入し、該各年鈍物導入領域の
表面及び成長層表面に電極を設けた事を特命とする半導
体レーザである。
更に上記において各異なる導電型不純物導入領域間及び
第３クラッド層と不純物導入領域との間に溝を形成し更
に談溝の一部金活性層まで到らしめても１い。
第３クラッド層と不純物導入領域との間に溝を形成し更
に談溝の一部金活性層まで到らしめても１い。
本発明の原理は成長面方位による成長速度の相違を応用
したものである。
したものである。
絶縁性基板に（１１１） Ａ面もしくは（１１１） Ｂ
面を斜面とする階段を形成した後液相成長すると（１１
１）面は平坦部にくらべて成長速度が二倍近く速い為基
板に連続して成長する第１クラツド層、第１活性層、第
１クラッド層と反対の導電型を有する第２クラッド層、
第２活性層は主をして（ｊｌｌ）面方向に成長する。こ
れ虻対し平坦部での成長速度はおそ〈従って平坦部の成
長層厚は比較的薄（なる。
面を斜面とする階段を形成した後液相成長すると（１１
１）面は平坦部にくらべて成長速度が二倍近く速い為基
板に連続して成長する第１クラツド層、第１活性層、第
１クラッド層と反対の導電型を有する第２クラッド層、
第２活性層は主をして（ｊｌｌ）面方向に成長する。こ
れ虻対し平坦部での成長速度はおそ〈従って平坦部の成
長層厚は比較的薄（なる。
更に全体を第３のクラッド層で埋め込むと（１１１）斜
面に沿って成長した活性領域となる第１活性層及び第２
活性層は各々クラッド層で囲１れ埋め込まれた構造とな
る・ 更に上記構造において第１クラッド層の一部に成長表面
から第１クラッド層と同じ導電型不純物を拡散して第１
クラッド層と同一の電気的特性を有する領域を形成し、
又第２クラッド層の一部に第２クラッド層と同じ導電型
不純物を拡散し第２クラッド層と同一でかつ第１クラッ
ド層とは逆の電気的特性を有する領域を形成し１両領域
間に電圧をかけると電流ｉｊ第１活性層の（１１１豪面
に沿った活性領域内に注入される。更に成長表面層たる
第３クラッド層と前記＠２２タラツドと同一の電
゛気的特性を有する領域間に電圧ｔかけると電流は
第２活性層の（１１１）斜面に沿った活性領域内に注入
される。このとき階段上下の平坦領域下部は絶縁性基板
となっているため、千謹部のごく薄い活性層ｔはさんだ
クラッド層間のｐｎ 接合を込えて流れる電流は少なく
又平蓋部横方向は層厚が薄く高低抗虻なっているので横
方向拡散電流も少なく従って無効電流は小嘔（注入電流
は有効に各活性領域内（注入されて発振に寄与し、ｔゎ
めて低閾値で発振可能となる。
面に沿って成長した活性領域となる第１活性層及び第２
活性層は各々クラッド層で囲１れ埋め込まれた構造とな
る・ 更に上記構造において第１クラッド層の一部に成長表面
から第１クラッド層と同じ導電型不純物を拡散して第１
クラッド層と同一の電気的特性を有する領域を形成し、
又第２クラッド層の一部に第２クラッド層と同じ導電型
不純物を拡散し第２クラッド層と同一でかつ第１クラッ
ド層とは逆の電気的特性を有する領域を形成し１両領域
間に電圧をかけると電流ｉｊ第１活性層の（１１１豪面
に沿った活性領域内に注入される。更に成長表面層たる
第３クラッド層と前記＠２２タラツドと同一の電
゛気的特性を有する領域間に電圧ｔかけると電流は
第２活性層の（１１１）斜面に沿った活性領域内に注入
される。このとき階段上下の平坦領域下部は絶縁性基板
となっているため、千謹部のごく薄い活性層ｔはさんだ
クラッド層間のｐｎ 接合を込えて流れる電流は少なく
又平蓋部横方向は層厚が薄く高低抗虻なっているので横
方向拡散電流も少なく従って無効電流は小嘔（注入電流
は有効に各活性領域内（注入されて発振に寄与し、ｔゎ
めて低閾値で発振可能となる。
特に平担部に対して垂直方向に形成場れる各クラッド層
間のｐｎ １１合部分で各活性層の一部に達する様に溝
を形成して導電性の異なる三つのクラッド層を外敵すれ
ばクラッド層間ｐｎ接合をこえて流れる電流もなく、又
平担部での活性層は数構によりとぎれている丸め活性層
間虻形成されたｐｎ接合をこえて流れる電流もなく、各
活性領域内（一層有効に電流は注入され、更に低閾値で
発振可能さなる６本発明の構造において各電極間に高周
波の変調をかけｎは各活性領域の発振光はそれぞれ独立
の変調信号を発生し、光多重用光源となる。
間のｐｎ １１合部分で各活性層の一部に達する様に溝
を形成して導電性の異なる三つのクラッド層を外敵すれ
ばクラッド層間ｐｎ接合をこえて流れる電流もなく、又
平担部での活性層は数構によりとぎれている丸め活性層
間虻形成されたｐｎ接合をこえて流れる電流もなく、各
活性領域内（一層有効に電流は注入され、更に低閾値で
発振可能さなる６本発明の構造において各電極間に高周
波の変調をかけｎは各活性領域の発振光はそれぞれ独立
の変調信号を発生し、光多重用光源となる。
更に本発明による構造によれば前記しえ如く各活性領域
はクラッド層で５ｔｔＬｊＴｈ状１１に＆っており各発
振光に屈折率ガイディングで安定な横モード発振をする
事ができる。このと＠ （１１１）斜面に沿って形成す
る活性層の厚さｔ−０，２〜０．４μ澗活性層水平横方
向の長さを２〜３μｍにしておけば基本横モード発振を
維持し続け、又光はクラッド層内にしみ出し等心円に近
い発振光になる。二つの活性領域の端から端までの距離
は１０μ■糧度以内であるので％ ５０〜６０μｍのコ
ア径をもつ通常の光ファイバへ各活性領域から発振する
波長の異なる二つのレーザ光を容易にと９入れる事がで
きる。
はクラッド層で５ｔｔＬｊＴｈ状１１に＆っており各発
振光に屈折率ガイディングで安定な横モード発振をする
事ができる。このと＠ （１１１）斜面に沿って形成す
る活性層の厚さｔ−０，２〜０．４μ澗活性層水平横方
向の長さを２〜３μｍにしておけば基本横モード発振を
維持し続け、又光はクラッド層内にしみ出し等心円に近
い発振光になる。二つの活性領域の端から端までの距離
は１０μ■糧度以内であるので％ ５０〜６０μｍのコ
ア径をもつ通常の光ファイバへ各活性領域から発振する
波長の異なる二つのレーザ光を容易にと９入れる事がで
きる。
しかも本発明では活性層の組成は囲りのクラッド層より
バンドギャップが小さければ自由に選択する事ができ従
って任意の波長の光多重が可能になり、従来構造にくら
べて比類なき自由度をもっている。
バンドギャップが小さければ自由に選択する事ができ従
って任意の波長の光多重が可能になり、従来構造にくら
べて比類なき自由度をもっている。
更に本発明の構造はエツチングで整形した基板を用いて
一回の連続成長で各層を成長する事ができそのＷｋＦｉ
選択拡散やエツチング等の簡単な工程で裏作でき再現性
の点ですぐれており又素子の信頼性もすぐれている。゛ 又本発明に基づ（構造ではＬ記の如く一つの活性層だけ
でなく更に連続した第３．第４の活性層を形成すれば三
波長にとどまらず三波長以上の多重波長の光源さする事
も可能である。
一回の連続成長で各層を成長する事ができそのＷｋＦｉ
選択拡散やエツチング等の簡単な工程で裏作でき再現性
の点ですぐれており又素子の信頼性もすぐれている。゛ 又本発明に基づ（構造ではＬ記の如く一つの活性層だけ
でなく更に連続した第３．第４の活性層を形成すれば三
波長にとどまらず三波長以上の多重波長の光源さする事
も可能である。
以上本発明による半導体レーザは次の如き効果を有する
。
。
活性層の組成を任意にきめる事ができ必要に応じた波長
をもつ三波長以上の光多重通信用光源となる。
をもつ三波長以上の光多重通信用光源となる。
各波長の光源はきわめて低閾値で発振する事ができる。
各発振光は屈折率ガイディングに基づく安定な基本横モ
ード発振を維持し続けるばかりでなく。
ード発振を維持し続けるばかりでなく。
等心円に近い形状となり光ファイバーとの結合損失を小
さくする事ができる。
さくする事ができる。
一度の連続成長とその後の簡単なプロセス技術を用いて
つくる事ができ高歩留抄でかつ再現性忙とんでいる。
つくる事ができ高歩留抄でかつ再現性忙とんでいる。
以下本発明の実施例の一部につき図面を用いて説明する
。
。
ｒｅ ドープのＩｎＰＩ！１ｔｌ性基１１１０１Ｄ（
１００”） ｉＩ上ＫＦ３Ｉ０２８１１１一つけ（０１
１）？ｉＦＪＣＩＩｍ［になるようにフォトレジスト法
によジａｔあｆｆ５ｌＯ。
１００”） ｉＩ上ＫＦ３Ｉ０２８１１１一つけ（０１
１）？ｉＦＪＣＩＩｍ［になるようにフォトレジスト法
によジａｔあｆｆ５ｌＯ。
膜を半分除去する１次に臭化水素とリン酸との４：ｌの
混合液を用いてエツチングすると（１１１）Ａ面を斜面
とする階段が形成される（第１図）。
混合液を用いてエツチングすると（１１１）Ａ面を斜面
とする階段が形成される（第１図）。
このとき階段の上段と下段との深さを１ＩＩＩＩＩにす
る。次に８ｉ０２膜１１會除去しｐ −ＩｎＰ第１クラ
ッド層１２をＡ面に沿った厚さ＃Ｅ１．Ｏ＃肩になるよ
うに成長式せ、次いでアンドープ０ＴｎＧａ Ａｓ Ｐ
第１活性層（λ＝１．３４ｍ）１３？Ａ面に沿った厚さ
が０．２μｍになるように成長させ。
る。次に８ｉ０２膜１１會除去しｐ −ＩｎＰ第１クラ
ッド層１２をＡ面に沿った厚さ＃Ｅ１．Ｏ＃肩になるよ
うに成長式せ、次いでアンドープ０ＴｎＧａ Ａｓ Ｐ
第１活性層（λ＝１．３４ｍ）１３？Ａ面に沿った厚さ
が０．２μｍになるように成長させ。
次にｎ ＩｎＰ＠２クラッド層１４を層面４沿った厚
さが１．０μｍになるように成長させ、更（アンドープ
のＴｎＧａＡｓＰ第２活性層（１ｍ１．Ｆｉ５ｊ−）１
５をＡ面に沿った厚さが０．２μ−になるように成長さ
せる。この場合Ａ面方向の成長速度は平担部（１００）
面にくらべて約３倍程度速い為。
さが１．０μｍになるように成長させ、更（アンドープ
のＴｎＧａＡｓＰ第２活性層（１ｍ１．Ｆｉ５ｊ−）１
５をＡ面に沿った厚さが０．２μ−になるように成長さ
せる。この場合Ａ面方向の成長速度は平担部（１００）
面にくらべて約３倍程度速い為。
平担部（Ｚｏｏ）面上［Ｆ！それぞれ０３５ｍ Ｏｐ−
Ｉｎ！’第１クラッド層、ＯＢ７μ濶のｆＧａＡｓｒ第
１活性層０．３，１１１１１のｎ−ＩｎＰＭ２クラッド
層ｈＯ，０７Ｊ１１１１１りＩｎＧａＡＩＦ第２活性層
しか成長しない６次にｐ−ＩｎＰｊ１３クラッド層１６
で全体ＹｔＩＩめ込む様に階段上段部上が２ｐｔｍＫな
るように液相成長を連続して行な一各層を一同で成長す
る（第２図）８次に成長表面上に８ｉ０．膜を形成し穴
径フォトレジスト法で階段の上段と斜面とのエツジ近傍
管含む様に窓をあけＣｄを深さ２．４μ鯛拡散する（Ｃ
ｄ拡散領域１７）・このときｃｄ拡散フロント１８はｐ
−ＩａＰ第１クラッド層１２中に達する０次に８Ｉ０２
膜を除去し再び８１０．膜１９を形成した後フｔトレジ
スト法で第２クラッド層が斜面部分に成長している領域
の上に窓！−あけイオウ（８） ｔ−深さ２．２μ鋼拡
散する（Ｓ拡散領域２０）、このときＳ拡散フロ／ト２
１はｎ−ｌ５Ｐ＄１！２タラツド層１４中に達する様に
制御されている０次ＫＣｄ拡散領域表面０８１０．膜及
びｐ −ＩｎＰ第３クラッド層１６４２）表面の８１０
．Ｉ［の一部に＊ｔあけＡ鶴ＺｎＹｒ蒸着アロイしてｐ
形電極２れ２３ｔそれヤれ形成する１１．１’、１１．
この七き２３の電極は第２活性層０斜ＷＫ沿って成長し
ている領域上ｋ〈る事が望ましい０時に８拡散領域表面
上Ｋ Ａｕ−Ｇｅ −Ｎ ｉｔ−蒸着しアロイしてｎ形
電極２４ｔ−形成する。そしてｐ電極２２とｎ電極２４
゜ｐ電極２３とｎ電極２４とＫそれぞれ電圧をかけて動
作させる（第３図）。
Ｉｎ！’第１クラッド層、ＯＢ７μ濶のｆＧａＡｓｒ第
１活性層０．３，１１１１１のｎ−ＩｎＰＭ２クラッド
層ｈＯ，０７Ｊ１１１１１りＩｎＧａＡＩＦ第２活性層
しか成長しない６次にｐ−ＩｎＰｊ１３クラッド層１６
で全体ＹｔＩＩめ込む様に階段上段部上が２ｐｔｍＫな
るように液相成長を連続して行な一各層を一同で成長す
る（第２図）８次に成長表面上に８ｉ０．膜を形成し穴
径フォトレジスト法で階段の上段と斜面とのエツジ近傍
管含む様に窓をあけＣｄを深さ２．４μ鯛拡散する（Ｃ
ｄ拡散領域１７）・このときｃｄ拡散フロント１８はｐ
−ＩａＰ第１クラッド層１２中に達する０次に８Ｉ０２
膜を除去し再び８１０．膜１９を形成した後フｔトレジ
スト法で第２クラッド層が斜面部分に成長している領域
の上に窓！−あけイオウ（８） ｔ−深さ２．２μ鋼拡
散する（Ｓ拡散領域２０）、このときＳ拡散フロ／ト２
１はｎ−ｌ５Ｐ＄１！２タラツド層１４中に達する様に
制御されている０次ＫＣｄ拡散領域表面０８１０．膜及
びｐ −ＩｎＰ第３クラッド層１６４２）表面の８１０
．Ｉ［の一部に＊ｔあけＡ鶴ＺｎＹｒ蒸着アロイしてｐ
形電極２れ２３ｔそれヤれ形成する１１．１’、１１．
この七き２３の電極は第２活性層０斜ＷＫ沿って成長し
ている領域上ｋ〈る事が望ましい０時に８拡散領域表面
上Ｋ Ａｕ−Ｇｅ −Ｎ ｉｔ−蒸着しアロイしてｎ形
電極２４ｔ−形成する。そしてｐ電極２２とｎ電極２４
゜ｐ電極２３とｎ電極２４とＫそれぞれ電圧をかけて動
作させる（第３図）。
第４図は第二の実施例で上記においてＣｄ拡散領域１７
と８拡散領域との境界部分にエツチングにより溝２５ｔ
″形成しその先端がＭ１活性層の平角部分をエツチング
オフするようにする。
と８拡散領域との境界部分にエツチングにより溝２５ｔ
″形成しその先端がＭ１活性層の平角部分をエツチング
オフするようにする。
次に’３拡散領域とｐ−ＩｎＰ第３クラッド層との境界
部分にエツチングにより溝２６を形成しその先端が第２
活性層の千縮部分をエツチングオフするようにした例で
ある。この実施例では前記実施例にくらべてより有効に
電流注入がおこなわれるのでより高速なゝ変調が可能と
なる。
部分にエツチングにより溝２６を形成しその先端が第２
活性層の千縮部分をエツチングオフするようにした例で
ある。この実施例では前記実施例にくらべてより有効に
電流注入がおこなわれるのでより高速なゝ変調が可能と
なる。
冑上記例はＩｎｆＳ／ＩｎＧａＡｓＰについて述べたが
他の材料たとえばＧａＡａ／ＡムＧａＡｓ、Ｇａ８ｂ／
ＡｌＧｍＡｓＳｂ等の半導体レーザについても適用でき
る。
他の材料たとえばＧａＡａ／ＡムＧａＡｓ、Ｇａ８ｂ／
ＡｌＧｍＡｓＳｂ等の半導体レーザについても適用でき
る。
ｌ１１１１−ｍ−絶縁性基［（１００）面上［（１１１
）面を斜面とする階Ｒｔ形成したときの ＩＮｍ 第２図・・−上記基板上Ｋｐ−ＩｎＰ！１クラッド層ｈ
ＩｎＧａＡｓＰ（λｘＬｓｊＩｍ）第１活性層、ｎ
−ＩｎＰ第２クラッド層ｈ ＩｎＧａＡｓＰ（λ−Ｌ
５Ｊｍ）第２活性層、ｐ−１ｎＰ第３クラッド層を連続
して液相成長した ときの断面図 第３！！！−、、−１ｇ１の実施例によって得られた半
導体レーザの断面図 第４図・・・−第２の実施例によって得られた半導体レ
ーザの断面図 図において １０−−ＩｎＰＭ縁性基板１ｌ−−−−８
ｉｎ、膜１２−＝ｐ−ＩａＰ第１クラット°層 １３＝
ＹｎＧａＡｓＰ（λ瓢１３Ｊｌｓ）＄１活性層 １４＝
・−ｎ−Ｉ ｎ Ｐ ｔ！Ｊ２クラッド層１！！−−１
ｍＧａＡｓ！’（λｘ１．５５．１１１１１ ）第２活
性層１ｇ−＊−−−ｐ−ＩｎＰｊ１３クラッド層 １７
−−Ｃｄ拡散領域１１１＝−（Ｊ拡散７０ン） １９
−−８１０ｆｆｉ膜 ２０−−−−−・８拡散領域 ｚ
ｔ−−−・８拡散フロント−２２−−ｐ形電極２３−−
− ｐ形電極 ２４・−一・ｎｇＩｉ電極 ２５−・−
溝！ ＠ −−−−・溝 をそれぞれ示す。 第 １ 図 １１ 鶴 ２ 月 第 ４ 図
）面を斜面とする階Ｒｔ形成したときの ＩＮｍ 第２図・・−上記基板上Ｋｐ−ＩｎＰ！１クラッド層ｈ
ＩｎＧａＡｓＰ（λｘＬｓｊＩｍ）第１活性層、ｎ
−ＩｎＰ第２クラッド層ｈ ＩｎＧａＡｓＰ（λ−Ｌ
５Ｊｍ）第２活性層、ｐ−１ｎＰ第３クラッド層を連続
して液相成長した ときの断面図 第３！！！−、、−１ｇ１の実施例によって得られた半
導体レーザの断面図 第４図・・・−第２の実施例によって得られた半導体レ
ーザの断面図 図において １０−−ＩｎＰＭ縁性基板１ｌ−−−−８
ｉｎ、膜１２−＝ｐ−ＩａＰ第１クラット°層 １３＝
ＹｎＧａＡｓＰ（λ瓢１３Ｊｌｓ）＄１活性層 １４＝
・−ｎ−Ｉ ｎ Ｐ ｔ！Ｊ２クラッド層１！！−−１
ｍＧａＡｓ！’（λｘ１．５５．１１１１１ ）第２活
性層１ｇ−＊−−−ｐ−ＩｎＰｊ１３クラッド層 １７
−−Ｃｄ拡散領域１１１＝−（Ｊ拡散７０ン） １９
−−８１０ｆｆｉ膜 ２０−−−−−・８拡散領域 ｚ
ｔ−−−・８拡散フロント−２２−−ｐ形電極２３−−
− ｐ形電極 ２４・−一・ｎｇＩｉ電極 ２５−・−
溝！ ＠ −−−−・溝 をそれぞれ示す。 第 １ 図 １１ 鶴 ２ 月 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 （１１１）面を斜面とする階段を有した絶縁性
基板上に、当峡階段ｌＩＫ対応する部分で各々階段を形
成するよう和して第１のクラッド層、第１の活性層、峡
ＩＥｌタラツド層と反対Ｏ導電型を有する第２のタララ
ド層、第２の活性層を順次隣擾して形成した多層へテロ
接合構造を該厚ｌタラツド層と同一〇導電型の第３のタ
ララド層で纏め込んだ構造とし、さらに、成長層表面か
ら該第１タツツド層の一部に達する様に皺纂１タラツド
層と同一〇導電蓋不純物をストライプ状に導入すると共
に＃成長層表面の他の一部から該第２クラッド層の一１
１１ＩＫ適する様に誼第２クラッド層と同一〇導電量不
純物！ストライプ状（導入し、諌各不純物導入領域及び
該第３クラッド層に各々独自の電極を設けえ事を特徴と
する半導体レーザ。 １ 各相異なる不純物導入領域の境界及びＩＩ３タラツ
ド層と皺不鈍物導入領斌との境界Ｋｆｌｊｔ形成した事
ｔ４Ｉ徽とする特許請求ｅｌ［Ｉ！ＩＩ １項記載の半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13057181A JPS5832482A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13057181A JPS5832482A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832482A true JPS5832482A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15037418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13057181A Pending JPS5832482A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832482A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265787A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US5039627A (en) * | 1989-01-20 | 1991-08-13 | Etat Francais, Ministre Des Postes, Des Telecommunications Et De L'espace (Centre National D'etudes Des Telecommunications) | Method of producing a quasi-flat semiconductor device capable of a multi-wavelength laser effect and the corresponding device |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP13057181A patent/JPS5832482A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265787A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US5039627A (en) * | 1989-01-20 | 1991-08-13 | Etat Francais, Ministre Des Postes, Des Telecommunications Et De L'espace (Centre National D'etudes Des Telecommunications) | Method of producing a quasi-flat semiconductor device capable of a multi-wavelength laser effect and the corresponding device |
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