JPS5833083A - 熱処理炉 - Google Patents

熱処理炉

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Publication number
JPS5833083A
JPS5833083A JP13154381A JP13154381A JPS5833083A JP S5833083 A JPS5833083 A JP S5833083A JP 13154381 A JP13154381 A JP 13154381A JP 13154381 A JP13154381 A JP 13154381A JP S5833083 A JPS5833083 A JP S5833083A
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JP
Japan
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tube
furnace
heat treatment
heat
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP13154381A
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English (en)
Inventor
哲也 高垣
長友 宏人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP13154381A priority Critical patent/JPS5833083A/ja
Publication of JPS5833083A publication Critical patent/JPS5833083A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の熱処理用として用いる熱処理炉K
IIL、轡に炉熱炉冷プロセスに好適な熱am炉に調す
るものでるる。
一般に半導体装置の製造工程では半導体ウェーハに拡散
、結晶成最等の熱処mを施してシリ、この熱地11には
#1図に示すような熱処理炉が使用される。図は従来の
熱処理炉の断面図であシ、筒状に形成した断熱材1の内
側にヒータ2を配設し、かつ仁のヒータ2の内側に扛均
熱管3管配置している。また、この均熱管3の内部には
−mt−開放しかつ他jIにガス通流口を有するプロセ
スチューブ(石英管)4管配置しており、仁のチューブ
4内には豪処理物でるる半導体ウェーハWを一端開口4
aから出し入れできるようにしている。この熱処理炉に
よれば、ヒータ2は通電逼れて発熱したときに均熱管3
を直接加熱し、更にこの均熱管3を介してプロセスチュ
ーブ4を加熱することKよシチュープ内のウェーハWt
−加熱する。It、この加熱状部は#熱材”1の断熱作
用によって効果的忙保持−8fL、比較的に安定した温
度での熱処理全行なう仁とがで専るのである。
ところで、この種の熱処理炉ではプロセスチューブ4の
一喝の開口4aや他港のガス通流口4bの存在により、
チューブ内におけるm度状11は第2図のように中央部
ムでは平坦であるff口部Bや炉奥SOでは温度勾配が
生じてbる。%に炉口5BKおける勾配は著しく、シた
がってこのような温度勾配の箇所を通してウェーハをチ
ューブ内へ入れ或いは出したりすると、ウェーハ表裏面
に著しい温fluが生じウェーハにそりや歪が発生する
。近年ではウェーハの大径化が進められているためこの
ような不具合に特に生じ易い。このようなそりや歪に対
してはウェーハの出し入れ速ft運くする方法が有効で
あるが、通常の処理では数十枚のウェーハをボートロー
ダ等に並列載置して一括処理を行なうようにしているた
め、先頭(チェー1の他端側)のウエーノ1と後尾のウ
ェーハとでは炉に入っている時間(熱影響全うける時間
)が大きく異&L各ウェーへの均一処理が行なわれをい
という問題が生じる。
七こで、最近では所謂炉熱炉冷プロセスと称し、所定の
処理温[(1000〜1200℃)よりも低一温度(s
oo〜900℃)Kチューブ内を保った状態でチューブ
内にウェーハを丁みやかに入れ、所定の処理温度に上昇
名せて熱処理完了後せた後に再びチェープ内會降温さゼ
、ウエーノS!−すみやかにチェープから取シ出丁プロ
セスが提案されている。仁のプロセスでは、低温状豐で
ウェーハを出し入れするためにウェーハのそりや歪は生
じ難くかつすみやかに出し入れするためにウェーへ関で
の不均一が生ずることもない。
しかし表から、最近の熱処理炉は省エネルギ的な見地か
ら熱の放散を極力防止するように構成してシシ、また8
10等を材料とする均熱管は七の加工上の理由から肉厚
の低減、換言すれば熱容量の低減化に限界が生じている
こと等から、特にチューブ内の冷却(降温)Kは時lv
lがかかり、熱処理後のウェーハの取り出しに要する時
間が長くなってウェーハの処理効率が悪く修るという問
題が生じている。
し友がって本発明の目的は、断熱材と均熱管との間の空
間に冷却用流体の通流口を臨設し、炉の冷却時にこの通
流口を通して前記空間内に冷却流体を過流し得るように
構成することにより、均熱管はもとよシ炉全体の冷却時
間の短縮を図り、これによシウエーハ処理効率の向上を
達成することができる熱処理炉を提供することPCTo
る。
以下、本発W14を図示の実施例によシ説明する。
aSS(転)、―)は本発明の一実施例の断面図である
。WJにおいて10は円筒状に形成した断熱材であり、
その内面に沿ってコイル状のヒータ11を掃目固設して
いる。ヒータ11は熱処理炉を長さ方向に区分した中央
部ム、炉ロ部B、炉奥sOK夫々対応して設けたコイル
部111、llb、llaから1にり、各コイル部は図
外の電源回路に夫々個別KII続し、独立して温度指示
ができるようKしている。前記ヒータ11の内側I/C
は810等の材料を用いて円筒状に形成した均熱管12
’に内挿し、その両端部を夫々断熱材料からなる円板状
のキャップ13.14に気密に嵌合した上で前記断熱材
10内に支持している。前記キャップ13,14Fi隋
熱材100内面に気密に嵌合し、この結果断熱材10.
均熱管12、キャップ13.140関には褒状の気密空
間15が画成されることになる。
そして、一方のキャップ13には軸方向に細管状のノズ
ル16を貫通さゼて前記空間15に連通開口し、ノズル
16の先端を前記中央部ムと炉口部Bとの境界位fK設
定している。また、ノズル16の外部端には管路1フ會
介して送風器18t−接続し、空気を前記ノズル16の
先端から9間15内に吹き出すようKしている。一方、
キャップ14には前記ノズル16に対向する位置に排気
口19會開設し、管路zOt介して冷却器21に接続し
ている。そして、前記キャップ13.14に#′i夫々
孔22.23を形成し、前記均熱管12内に内挿した石
英から表るプロセスチューブ240大径111 s24
 aと小径他熾部24’bとを貫通支持している。
ここで、プロセスチ′ユーブ24内にはポートローダ2
5等KtlIIcシた牛導体ウェーノーWを大径一端s
24&から出し入れできることはいうまでもない。また
、前記送風器18/Ii制御器26によりコントロール
でき、ウエーノ・の熱処理完了後でつ工−ハをチューブ
内から取9出丁前に作動するようにしている。更K、冷
却器21には一般的な熱交換器を使用している。
以上の構成によれば、ヒータIIK通電して発熱湯せ、
均熱管12およびプロセスチューブ24を先ず熱処理温
度よりも低い温1[(800〜900℃)K加熱する。
そして、この状態で大径一端部24a側からチェーブ内
にウェーハwをすみゃかに内挿する。次いでヒータ11
0温f?上げてチューブ内管所定の処理源w(1000
〜1200C)K上昇させ、同時にチューブ内に処理ガ
スを通流することにより所定の熱処理が完了される。し
かる後、ヒータ11への通電を停止させるのと同時に送
風器18Vr始動させ常温の空気を管路17、ノズルi
B″通して空間15内に送風する。これKより、均熱管
12は外周面において空気との間で熱交換が行なわれ、
自身は冷却されてチューブ内は800〜900℃の温f
Ktで急速に低下される。
均熱管12を冷却した空気は排気口191通して炉外に
排気され、管路201経て冷却器21によp略常温Kま
で降温される。仁のようKして炉を降温名せた状態でウ
ェーハ全チューブ内から取シ出ぜば、ウェーハは熱の影
響を受けることはない。
したがって、この熱処理炉によれば、所謂炉熱炉冷プロ
セスによpウェーハの七シ、歪を防止すると共に各ウェ
ーハ間での不均一性を防止した熱処理を行ない得るのは
いうまで本なく、これに加えて均熱管やプロセスチュー
ブの冷却を通流空気により急速に行なうことができるの
で熱処理後からウェーハの取9出しまでに必要とされる
時間を短縮し、処理効率の向上を図ることができる01
114図(4)、争)は本発明の他の実施例を示すもの
で、前述した第3図の実施例と同一部分には同一符号を
付して説明は省略する。本実施例の炉は、断熱材10の
円周一部に#−径方同の透孔27を形成すると共和この
透孔271管路28[て送風器18に遅過接続したもの
でるり、送風器1Bの冷却空気をこの透孔27から空間
15内に通流するようKしている。また、透孔27は炉
の中央部ムと炉口部Bとの境界位置く設けている。
本実施例においても、ウェーハの熱処理後に透孔27を
通して空間15内に空気を通流しかつ排気口19から排
気することにより均熱管12を冷却し、チェーブ内を急
速に降温してウェーハを取り出丁までの時間の短縮を図
り得るという効果が得られることは言うまでもなり0 ここで、前記各実施例では、9関15内への空気の過渡
口、即ちノズル16や透孔27を中央部ムと炉口部Bと
の境界位置和配設しているが、このような配置に丁れば
冷却時に中央部(温度分布の高い部位)を効果的に冷却
することとなり、中央部ム、炉口部B1炉奥SOの温彦
分布を均一々ものにすることができる。また、送風器1
Bは連続的或いは間欠的に作動させるよう和してもよい
更に、図示は省略するが均熱管の外周面に凹凸面を形成
して外周表面積を大きくすることKより、通流空気によ
る冷却効率を向上することもできる。
以上のように本発明の熱処理炉によれば、W#熱材と均
熱管と0間に空間管面成し、この空間内に冷却用の流体
を通流し得るように構成しているの゛で、炉熱炉冷プロ
セスにおける炉の冷却時間の短縮化t−図り、これKよ
りウェーハ処理効率の向上を達成する仁とができるとい
う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
11111図は従来の熱処理炉の断面図、第2WJはそ
の温変勾配図、第3図(ト)、―)は本発明0熱処理炉
のI#断面図および体)図のB−B@91面図、第4図
■、―)は他の実施例の縦断面図および(A図のB−B
lll1面図でるる。 1 G−・・断熱材、11−・・ヒータ、12・・・均
熱管、13.14−・・キャップ、15・・・空間、1
6・・・ノズル(通流O)、1B・・・送風器、19・
・・排気口(通流口)、21−・・冷却器、24・・・
プロセスチューブ、27・・・透孔(通流口)、W・・
・ウェーの。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、筒状の断熱材の内部に筒状の均熱管を内装し、更I
    IC仁の均熱管の内部にプロセスチューブ管内挿してな
    る熱処理炉にかいて、前記断熱材と均熱管との閤に空間
    を画成すると共和、仁の空間には冷却用流体の通流口を
    臨設して前記空間内に冷却用流体を通流し得るように構
    成したこと’is徴とする熱処理炉。 λ 空間内べ冷却用流体を流入させる備の通流口t1炉
    の中央部と炉口部との境界位置に配設してなる特許請求
    の範囲第1項記載の熱処理炉。
JP13154381A 1981-08-24 1981-08-24 熱処理炉 Pending JPS5833083A (ja)

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JP13154381A JPS5833083A (ja) 1981-08-24 1981-08-24 熱処理炉

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JPS5833083A true JPS5833083A (ja) 1983-02-26

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ID=15060530

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62163931U (ja) * 1986-04-09 1987-10-17
JPS63166218A (ja) * 1986-12-27 1988-07-09 Deisuko Haitetsuku:Kk 半導体熱処理装置のウエ−ハ冷却方法
JPS63121429U (ja) * 1987-01-30 1988-08-05
JP2003100764A (ja) * 2001-09-21 2003-04-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd 熱処理炉

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5359937A (en) * 1976-11-11 1978-05-30 Kokusai Electric Co Ltd Furnace temperature controller

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