JPS5833223A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPS5833223A JPS5833223A JP56131818A JP13181881A JPS5833223A JP S5833223 A JPS5833223 A JP S5833223A JP 56131818 A JP56131818 A JP 56131818A JP 13181881 A JP13181881 A JP 13181881A JP S5833223 A JPS5833223 A JP S5833223A
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- layer
- ion
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全同体形エレクトロクロイック表示素（１）
子に係）、とくにイオン導電層がリチウム（Ｌｌ）添加
物質よシ成るエレクトロクロミック表示素子に関するも
ので参る。
物質よシ成るエレクトロクロミック表示素子に関するも
ので参る。
従来、電極間にＷ（ｈ等の遷移金属酸化物のエレクト關
クロミック層と、電解質のイオン導電層を設けたエレク
トロクロミック表示素子に電圧を印加して表示色を得て
いる。このイオン導電層としてリチウム化合物のＬｉＮ
ＩＩ膜、 ＬＩＩ薄展を用い友ものが知られている。
クロミック層と、電解質のイオン導電層を設けたエレク
トロクロミック表示素子に電圧を印加して表示色を得て
いる。このイオン導電層としてリチウム化合物のＬｉＮ
ＩＩ膜、 ＬＩＩ薄展を用い友ものが知られている。
しかし、前者には発火しやすく、蒸着中に分解し申す＜
、また形成された膜が大気中の水分によって分解されや
すい等の欠点がＴｏ、り、を九後者には極度の潮解性が
あるという欠ムがある。
、また形成された膜が大気中の水分によって分解されや
すい等の欠点がＴｏ、り、を九後者には極度の潮解性が
あるという欠ムがある。
本発明の目的はイオン導電層としてリチウム（Ｌｉ）を
用い、しかもリチウム化合物の欠点を除去した安定で高
速なエレクトロクロミック表示素子を提供することであ
る。
用い、しかもリチウム化合物の欠点を除去した安定で高
速なエレクトロクロミック表示素子を提供することであ
る。
前記目的を達成するため、木登ｕＡｏエレクトロクロζ
ツク表示素子は少なくとも遷移金属酸化物から成るエレ
クトロクＥ！ミンク層とイオン導電層（２） とを具え九全固体形のエレクトロクロ電ツク表示素子に
おいて、イオン導電層が電子およびホール不透過性の物
質にリチウム（Ｌｌ）添加して成るか、−＊良は電子不
透過性の物質Ｋ １７チクム（Ｌｉ）添加して成ること
を特徴とするものである。
ツク表示素子は少なくとも遷移金属酸化物から成るエレ
クトロクＥ！ミンク層とイオン導電層（２） とを具え九全固体形のエレクトロクロ電ツク表示素子に
おいて、イオン導電層が電子およびホール不透過性の物
質にリチウム（Ｌｌ）添加して成るか、−＊良は電子不
透過性の物質Ｋ １７チクム（Ｌｉ）添加して成ること
を特徴とするものである。
以下木登＠を実施例につＩ詳述する。
ｊ１１図および第２図は本発明の実施例の構成説明図で
ある。すなわち、第１図に示すように、ガラス基板１上
にネサ電極２．ＷＯｓよ形成るエレクトロクロンツク（
ＥＣ）層！、を解質よ形成るイオン導電層４．対向電極
５が積層される。第２図はさらにその上にＭｇＦ、等か
ら成る保鰻層６が被着される。
ある。すなわち、第１図に示すように、ガラス基板１上
にネサ電極２．ＷＯｓよ形成るエレクトロクロンツク（
ＥＣ）層！、を解質よ形成るイオン導電層４．対向電極
５が積層される。第２図はさらにその上にＭｇＦ、等か
ら成る保鰻層６が被着される。
本発明のイオン導電層としては、リテウＡ（Ｌｉ）を添
加した電子、ホールまたは電子の不透過性物質が用いら
れる。たとえば、ＭｇＦｓ ｌ Ｚｔｓ、−５ｔｏ＃Ｓ
ｉ Ｏｓ ＃ Ｃｒ＊ Ｏｓ ｅ Ｚ ｒｏｔ ｚ
Ｔ’ｓ Ｏｓ ｅ Ｎｉ Ｏｅ ＣａＦ＊ ｌ Ｃｅ０
Ｉ等の絶縁物・高抵抗半導体、筐たはＬｉＦ、 Ｌｉ、
Ｏ。
加した電子、ホールまたは電子の不透過性物質が用いら
れる。たとえば、ＭｇＦｓ ｌ Ｚｔｓ、−５ｔｏ＃Ｓ
ｉ Ｏｓ ＃ Ｃｒ＊ Ｏｓ ｅ Ｚ ｒｏｔ ｚ
Ｔ’ｓ Ｏｓ ｅ Ｎｉ Ｏｅ ＣａＦ＊ ｌ Ｃｅ０
Ｉ等の絶縁物・高抵抗半導体、筐たはＬｉＦ、 Ｌｉ、
Ｏ。
ＬｌｓＣＯｓ ＋ ＬｉＩ Ｇｅｍ５ ｅ Ｌ
ＩＭＯＯ４ｙ Ｌｉｔ ５ｉｎｓ ａ Ｌｌｓ
ＷＯ２ｚ Ｌｌｌ ＺｒＯｓ ＊ ＬｌｔＶｚＯｓ
＊ Ｌｉ１ＴｉＯ１、ＬｉｍＴａ５Ｏｓ ｅ（３） ＬｌｌＮｂａ Ｏｓ ｅ ＬｉＡｊＯｓ ｅ ＬｉＢＯ
ｍ ｅ ＬｔｓＰＯａ等のＬｉ化合物、まえはこれら化
合物の混合物である。
ＩＭＯＯ４ｙ Ｌｉｔ ５ｉｎｓ ａ Ｌｌｓ
ＷＯ２ｚ Ｌｌｌ ＺｒＯｓ ＊ ＬｌｔＶｚＯｓ
＊ Ｌｉ１ＴｉＯ１、ＬｉｍＴａ５Ｏｓ ｅ（３） ＬｌｌＮｂａ Ｏｓ ｅ ＬｉＡｊＯｓ ｅ ＬｉＢＯ
ｍ ｅ ＬｔｓＰＯａ等のＬｉ化合物、まえはこれら化
合物の混合物である。
これらのＬｌ化合−または混合物のうちＬｌｌ伝音示す
もの％あるが、その効率がよくないため従来殆ど顧みら
れなかったが、本発明によ、９ Ｌｌを添加することに
よｐ格段にＬ１導電性を増大するものである。
もの％あるが、その効率がよくないため従来殆ど顧みら
れなかったが、本発明によ、９ Ｌｌを添加することに
よｐ格段にＬ１導電性を増大するものである。
Ｌｉ添加の方法としては、九とえは次のようなものがあ
る。
る。
（１）電子またはホール不透過性物質で脹形成後、Ｌｌ
を蒸増し真中に拡散させる。
を蒸増し真中に拡散させる。
（２）電子またはホール不透過性物質で展形成依、Ｌｌ
ｔ−イオン注入する。
ｔ−イオン注入する。
（３）電子またはホール不透過性物質で展杉ｂＸ、後、
イオンブレーティング等の方法によルＬｌをイオン化し
て膜中に拡散させる。
イオンブレーティング等の方法によルＬｌをイオン化し
て膜中に拡散させる。
（４）電子またはホール不透過性物質とＬＬと１−緒に
蒸着、イオンブレーティング、スノ（ツタリングし、Ｌ
ｉ添加を行なう。
蒸着、イオンブレーティング、スノ（ツタリングし、Ｌ
ｉ添加を行なう。
次に第２図の素子を実現する製造上根の嶺略を（４）
説明すると、ガラス基板１上にネサ電極２ｔ−形成した
後ＷＯｓ層およびＭｇＦｍ層を電、子ビーム （ＥＢ）
蒸着によ）それぞれ４５００Ａ、 １０００Ａ Ｏ厚さ
に形成する。次に九とえはＬｉ５Ｎを′入れたボートを
高温加熱してＬｉ５Ｎを分解し、Ｌ１単体を蒸着させ、
ＭＫＦＩＩＩＩＬ中に約５Ｘ１０”個／ＣＨＩ”のＬｌ
を添加する。
後ＷＯｓ層およびＭｇＦｍ層を電、子ビーム （ＥＢ）
蒸着によ）それぞれ４５００Ａ、 １０００Ａ Ｏ厚さ
に形成する。次に九とえはＬｉ５Ｎを′入れたボートを
高温加熱してＬｉ５Ｎを分解し、Ｌ１単体を蒸着させ、
ＭＫＦＩＩＩＩＬ中に約５Ｘ１０”個／ＣＨＩ”のＬｌ
を添加する。
さらに一対向電極としてパラジウム（Ｐｄ） ｋ ｉ０
０人厚さに、その上に保躾層としてＭｇＦｍ層を１００
ＯＡ厚さに蒸着する。
０人厚さに、その上に保躾層としてＭｇＦｍ層を１００
ＯＡ厚さに蒸着する。
菖３図、第４図はそれぞれ第２図の夷−例における着色
、消色の応答特性を示し、これに対し第５図・ＪＩ６図
はそれぞれ同条件でＬｉ添加のない場合の着色・消色Ｏ
応答特性を比較のため示し友ものである。
、消色の応答特性を示し、これに対し第５図・ＪＩ６図
はそれぞれ同条件でＬｉ添加のない場合の着色・消色Ｏ
応答特性を比較のため示し友ものである。
すなわち、籐Ｓ図は横軸に時間（Ｓ）を、縦軸に色彩の
光学的磯ｆ （０，０）の所定単位をとル、印加電圧ｔ
−ＩＶ、２Ｖ、５Ｖ、４Ｖに変化した時の着色の応答特
性を示したものである。第５図と比較して分るように、
本発明のＬｉ添加によｐ数倍に増大されている。
光学的磯ｆ （０，０）の所定単位をとル、印加電圧ｔ
−ＩＶ、２Ｖ、５Ｖ、４Ｖに変化した時の着色の応答特
性を示したものである。第５図と比較して分るように、
本発明のＬｉ添加によｐ数倍に増大されている。
（５）
ｉ九、＠４図は横軸に印加電圧（Ｖ）を、縦軸に消色時
間（８）をとル、印加電圧を１ｖ〜４ｖに変化した時の
消色の応答特性を示したものである。館６図と比較して
明らかなように、Ｌｉ添加により約１桁の高速化が実現
されている。
間（８）をとル、印加電圧を１ｖ〜４ｖに変化した時の
消色の応答特性を示したものである。館６図と比較して
明らかなように、Ｌｉ添加により約１桁の高速化が実現
されている。
第７図は本発明の他の実施例の構成説明図である。
第２図のイオン導電層４が一様にＬｉ添加するのに対し
、同図のイオン導電層４′に示すように対向電極付近で
Ｌｉ添加一度を高＜ｔ、ＥＣ層付近で低くするように層
厚方向に制御し、特性を制御するとともに、自然着色を
防止し安定性を高めることができる。このようなＬｉ添
加１１１に３Ｍ）深さ側鉤はイオン注入技術等によシ容
易に可能である。
、同図のイオン導電層４′に示すように対向電極付近で
Ｌｉ添加一度を高＜ｔ、ＥＣ層付近で低くするように層
厚方向に制御し、特性を制御するとともに、自然着色を
防止し安定性を高めることができる。このようなＬｉ添
加１１１に３Ｍ）深さ側鉤はイオン注入技術等によシ容
易に可能である。
１ｐｌＢ図は本発明のさらに他の実施例の構成説明図で
ある。
ある。
同図に示すように、第２図のイオン導電層４０代多に複
数層、たとえば同図に示すイオン制御層４にとイオン伝
導層４意とイオン供給層４１を設ける。
数層、たとえば同図に示すイオン制御層４にとイオン伝
導層４意とイオン供給層４１を設ける。
イオン供給層４ｍとイオン伝導層４３は第７図と同（６
） 様の特性制御を層構成で行なうものでＴｏシ、イオン制
御層４１社素子の自然着色を防止し、しきい値特性、メ
モリ特性を制御する層でＴｏ〕、前述の絶縁性（筐九は
高抵抗）物質およびそれらにＬｌを適量添加し九ものが
適する。このように構成した素子は前述のＬｉ導電性、
高速応答性の＃１か４１性の安定性を向上することがで
きる。
） 様の特性制御を層構成で行なうものでＴｏシ、イオン制
御層４１社素子の自然着色を防止し、しきい値特性、メ
モリ特性を制御する層でＴｏ〕、前述の絶縁性（筐九は
高抵抗）物質およびそれらにＬｌを適量添加し九ものが
適する。このように構成した素子は前述のＬｉ導電性、
高速応答性の＃１か４１性の安定性を向上することがで
きる。
以上説明したように、本発明によれば、イオン導電層が
イオン、電子ｔたは電子不透過性物質にＬｌ添加するこ
とによル、前述のとおＪ、Ｌｉ導電性を増大し着色効果
を高め、消色応答特性の高速化が行なわれるとともに、
自然着色を防止した安定し九動作特性が確保される。
イオン、電子ｔたは電子不透過性物質にＬｌ添加するこ
とによル、前述のとおＪ、Ｌｉ導電性を増大し着色効果
を高め、消色応答特性の高速化が行なわれるとともに、
自然着色を防止した安定し九動作特性が確保される。
鶴ＩＦＩＡ、籐２図紘それぞれ本発明の実施例の構成説
明ｉ！！ｌ、譲５図、第４聞扛第２図の実施例の効果を
示す特性説明図、ｌｋ５図、第６図紘それぞれ第５図、
第４図と比軟して示す従来例の特性説明図、！７図、１
ｇ８図はそれぞれ本発明の他の実施例の構成＊＃４ＦＩ
Ａであ９１図中、１紘ガラス基板、（７） ２はネサ電極、５はエレクトロクロミック層、４゜４′
はイオン導電層、４１はイオン制鉤層、４＊Ｆｉ、イオ
ン伝導順、４ｍはイオン供給層、５は対向電極、６は保
鏝層を示す。 ム 特許出願人 富士通株式金社 復代理人 弁珈士 １）板 畳 重 （８） ￥１図 イ５ 第２図 第３図 時間（Ｓ） 第４図 第５図 時間（Ｓ）
明ｉ！！ｌ、譲５図、第４聞扛第２図の実施例の効果を
示す特性説明図、ｌｋ５図、第６図紘それぞれ第５図、
第４図と比軟して示す従来例の特性説明図、！７図、１
ｇ８図はそれぞれ本発明の他の実施例の構成＊＃４ＦＩ
Ａであ９１図中、１紘ガラス基板、（７） ２はネサ電極、５はエレクトロクロミック層、４゜４′
はイオン導電層、４１はイオン制鉤層、４＊Ｆｉ、イオ
ン伝導順、４ｍはイオン供給層、５は対向電極、６は保
鏝層を示す。 ム 特許出願人 富士通株式金社 復代理人 弁珈士 １）板 畳 重 （８） ￥１図 イ５ 第２図 第３図 時間（Ｓ） 第４図 第５図 時間（Ｓ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 少なくとも遷移金属酸化物から成るエレクトロ
クロ（ツク層とイオン導電層とを具えた全同体形のエレ
クトロクロミック表示素子において、イオン導電層が電
子およびホール不透過性の物質にリチウム（Ｌｌ）添加
して成るか、または電子不透過性の物質Ｋ ＩＪテクム
（Ｌｌ）添加して成ることを特徴とするエレクトロクロ
（ツク表示素子。 Ｑ）前記イオン導電層がＬｉ添加量を膜厚方向に沿って
異ならせて成ることを特徴とする特許請求の＠８第１項
記載のエレクトロクｇイツタ表示素子。 （３）前記イオン導電層が複数のＬ１添加層を積層して
成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のエレ
クトワク０１ツ２表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131818A JPS5833223A (ja) | 1981-08-22 | 1981-08-22 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131818A JPS5833223A (ja) | 1981-08-22 | 1981-08-22 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833223A true JPS5833223A (ja) | 1983-02-26 |
Family
ID=15066814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56131818A Pending JPS5833223A (ja) | 1981-08-22 | 1981-08-22 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833223A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013525860A (ja) * | 2010-04-30 | 2013-06-20 | ビュー， インコーポレイテッド | エレクトロクロミックデバイス |
| US9140951B2 (en) | 2010-04-30 | 2015-09-22 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US9261751B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-02-16 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US9759975B2 (en) | 2010-04-30 | 2017-09-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US10054833B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-08-21 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US10156762B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-12-18 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10228601B2 (en) | 2014-11-26 | 2019-03-12 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10261381B2 (en) | 2009-03-31 | 2019-04-16 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US10345671B2 (en) | 2014-09-05 | 2019-07-09 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10591795B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-03-17 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10852613B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-12-01 | View, Inc. | Counter electrode material for electrochromic devices |
| US11187954B2 (en) | 2009-03-31 | 2021-11-30 | View, Inc. | Electrochromic cathode materials |
| US11891327B2 (en) | 2014-05-02 | 2024-02-06 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US12043890B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-07-23 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US12353109B2 (en) | 2009-12-22 | 2025-07-08 | View Operating Corporation | Electrochromic cathode materials |
-
1981
- 1981-08-22 JP JP56131818A patent/JPS5833223A/ja active Pending
Cited By (44)
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|---|---|---|---|---|
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| US12209048B2 (en) | 2009-03-31 | 2025-01-28 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US11947232B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-04-02 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US11898233B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-02-13 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US11635665B2 (en) | 2009-03-31 | 2023-04-25 | View, Inc. | Counter electrode material for electrochromic devices |
| US11525181B2 (en) | 2009-03-31 | 2022-12-13 | View, Inc. | Electrochromic devices |
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| US10054833B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-08-21 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US11966140B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-04-23 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10156762B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-12-18 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US11370699B2 (en) | 2009-03-31 | 2022-06-28 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US12443085B2 (en) | 2009-03-31 | 2025-10-14 | View Operating Corporation | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10254615B2 (en) | 2009-03-31 | 2019-04-09 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US10261381B2 (en) | 2009-03-31 | 2019-04-16 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US10591795B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-03-17 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US11187954B2 (en) | 2009-03-31 | 2021-11-30 | View, Inc. | Electrochromic cathode materials |
| US10591797B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-03-17 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US10852613B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-12-01 | View, Inc. | Counter electrode material for electrochromic devices |
| US12043890B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-07-23 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US10663830B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-05-26 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US12242163B2 (en) | 2009-03-31 | 2025-03-04 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US10690987B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-06-23 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US12353109B2 (en) | 2009-12-22 | 2025-07-08 | View Operating Corporation | Electrochromic cathode materials |
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| US11592722B2 (en) | 2010-04-30 | 2023-02-28 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US10996533B2 (en) | 2010-04-30 | 2021-05-04 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US10185197B2 (en) | 2010-04-30 | 2019-01-22 | View, Inc. | Electrochromic devices |
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