JPS583393B2 - コタイハツコウヒヨウジソウチ - Google Patents
コタイハツコウヒヨウジソウチInfo
- Publication number
- JPS583393B2 JPS583393B2 JP50093062A JP9306275A JPS583393B2 JP S583393 B2 JPS583393 B2 JP S583393B2 JP 50093062 A JP50093062 A JP 50093062A JP 9306275 A JP9306275 A JP 9306275A JP S583393 B2 JPS583393 B2 JP S583393B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- reflector
- emitting display
- display device
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/882—Scattering means
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体発光表示装置にかゝり、特に固体発光表示
装置における反射体の改良に関するものである。
装置における反射体の改良に関するものである。
固体発光表示装置（以降本明細書においては単に発光表
示装置と略称する）は所望の数字、記号、パターン等を
表示するために発光ペレットの複数個配置し、これに好
適する位置に反射板を組み合わせてなる。
示装置と略称する）は所望の数字、記号、パターン等を
表示するために発光ペレットの複数個配置し、これに好
適する位置に反射板を組み合わせてなる。
その一例の構造は第１図ａに斜視図で、また第１図ｂに
同図ａのＡ−Ａ’線を含む平面における断面図で示す如
く、所望の数字、記号、パターン等を表示する形の凹部
１を有する反射体２、前記反射体における凹部の内面が
一例としてＡｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属またはこれ
らの合金をめっき、蒸着等の手段、箔着等の手段によっ
て被着した形成された反射板３によって、凹部の底部に
取着された発光ペレット４の光を有効に外部に導出する
如くなる。
同図ａのＡ−Ａ’線を含む平面における断面図で示す如
く、所望の数字、記号、パターン等を表示する形の凹部
１を有する反射体２、前記反射体における凹部の内面が
一例としてＡｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属またはこれ
らの合金をめっき、蒸着等の手段、箔着等の手段によっ
て被着した形成された反射板３によって、凹部の底部に
取着された発光ペレット４の光を有効に外部に導出する
如くなる。
なお図について５は絶縁基板で、発光ペレットに対する
配線を備えるとゝもに外部リード６に接続する。
配線を備えるとゝもに外部リード６に接続する。
こゝにおいて上記反射体は一般にプラスチック系やエポ
キシ系の合成樹脂で形成されてなるので、これに反射板
を取着（含被着）することは相当難かしい上に、上記金
属群は光沢が維持できるものとして選定されるため高価
につくという量産上の大きな障害がある。
キシ系の合成樹脂で形成されてなるので、これに反射板
を取着（含被着）することは相当難かしい上に、上記金
属群は光沢が維持できるものとして選定されるため高価
につくという量産上の大きな障害がある。
また図では記載を省略したが、発光ペレットの電極と絶
縁基板の配線パターンとを接続するために一部ボンデイ
ングワイヤを用いているが、反射膜が金属でなるために
ボンデイングワイヤと反射板との不所望の接触による事
故を生ずるなどの欠点もある。
縁基板の配線パターンとを接続するために一部ボンデイ
ングワイヤを用いているが、反射膜が金属でなるために
ボンデイングワイヤと反射板との不所望の接触による事
故を生ずるなどの欠点もある。
本発明は上記従来の欠点を除去するための改良された構
造の発光表示装置を提供するものである。
造の発光表示装置を提供するものである。
本発明の発光表示装置は
（１）凹部の内面が反射面に形成された反射体と、前記
凹部内に内装された発光素子ペレットとを備え、前記反
射体の少くとも反射面が白色充填体を充填したＡＣＳ樹
脂の充填体でなることを特徴とする発光表示装置。
凹部内に内装された発光素子ペレットとを備え、前記反
射体の少くとも反射面が白色充填体を充填したＡＣＳ樹
脂の充填体でなることを特徴とする発光表示装置。
および
（２）白色充填体がＴｉＯ２，ＣａＯ３、ＭｇＯ，Ａｌ
２Ｏ３のうち少くとも１であることを特徴とする上記第
１項記載の発光表示装置。
２Ｏ３のうち少くとも１であることを特徴とする上記第
１項記載の発光表示装置。
である。
本発明の一実施例の発光表示装置につき以下に図面を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
第２図ａに斜視図でまた同図ｂに図ａのＡＡ’線を含む
平面における断面図で示す如く、所望の数字、記号、パ
ターン等を表示する形状の凹部１１を備えた反射体１２
は前記凹部内面が反射面１２ａをなす。
平面における断面図で示す如く、所望の数字、記号、パ
ターン等を表示する形状の凹部１１を備えた反射体１２
は前記凹部内面が反射面１２ａをなす。
即ち反射体はＡＣＳ樹脂（商品名、昭和電工ＫＫ製）に
ＴｉＯ２，ＣａＣＯ３，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３（白色顔料
）の白色充填体を充填したＡＣＳ樹脂の充填体であり、
この所望部位に凹部１１を備えた形状に形成すれば前記
凹部の内面は反射面となる。
ＴｉＯ２，ＣａＣＯ３，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３（白色顔料
）の白色充填体を充填したＡＣＳ樹脂の充填体であり、
この所望部位に凹部１１を備えた形状に形成すれば前記
凹部の内面は反射面となる。
上記ＡＣＳ樹脂は塩素化ポリエチレンをベースゴム成分
としそれにアクリロニトリル、スチレンをグラフト重合
した樹脂であるので、耐熱性（発光ペレットの配設、お
よびこれの作動による発熱等に対する）、電気絶縁性等
にきわめてすぐれており、また発光表示装置として重要
な加工性にもすぐれた特性を備えている。
としそれにアクリロニトリル、スチレンをグラフト重合
した樹脂であるので、耐熱性（発光ペレットの配設、お
よびこれの作動による発熱等に対する）、電気絶縁性等
にきわめてすぐれており、また発光表示装置として重要
な加工性にもすぐれた特性を備えている。
そしてこの樹脂をベースとしてこれに白色顔料であるＴ
ｉＯ２、ＣａＣＯ３，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３等を重量比で
１０〜５０％充填して好適した。
ｉＯ２、ＣａＣＯ３，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３等を重量比で
１０〜５０％充填して好適した。
即ち上記充填量の範囲は多数の実験例あるいは実施例に
よって、充填体の粒度、粒度のバラツキ等による加工性
、次にのべる反射率の変動を調査して定めてよい。
よって、充填体の粒度、粒度のバラツキ等による加工性
、次にのべる反射率の変動を調査して定めてよい。
なお図について従来と変わるところがないが、４は発光
ペレット５は絶縁基板で発光ペレットに対する配線を備
えるとともに外部リード６に接続する如くなる。
ペレット５は絶縁基板で発光ペレットに対する配線を備
えるとともに外部リード６に接続する如くなる。
本発明の発光表示装置にあっては、発光ペレットの発光
に対する反射率がきわめて良好である。
に対する反射率がきわめて良好である。
即ち上記反射率は発光ペレットのみの値を１００として
、これに反射面によるものを含めた増加率である。
、これに反射面によるものを含めた増加率である。
従来のＡｕめつき反射板によるもの・・・１７５％従来
のＡｇめつき反射板によるもの・・・１８２％本発明（
ＴｉＯ２ １０〜５０％充填）・・・２２２％なお充
填体にＣａＣＯ３，ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３を用いた場合は
５〜５０％の範囲で反射率はいずれも２００％以上を示
した。
のＡｇめつき反射板によるもの・・・１８２％本発明（
ＴｉＯ２ １０〜５０％充填）・・・２２２％なお充
填体にＣａＣＯ３，ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３を用いた場合は
５〜５０％の範囲で反射率はいずれも２００％以上を示
した。
つぎに製造にあたっては単なる射出成型のみで反射体が
完成できるので、反射板形式の労を全く要せずかつボン
デイングワイヤとの接触があっても全く問題でない。
完成できるので、反射板形式の労を全く要せずかつボン
デイングワイヤとの接触があっても全く問題でない。
このため反射板製造のコストを約１／６に低減するなど
極めて顕著な効果がある。
極めて顕著な効果がある。
なお本発明は上記ＴｉＯ２，ＣａＣＯ３，ＭｇＯ，Ａｌ
２Ｏ３の中のに限定されることなく、混合体を充填して
も効果は特に変らない。
２Ｏ３の中のに限定されることなく、混合体を充填して
も効果は特に変らない。
また反射体のうち少くとも凹部内面の反射面のみにＡＣ
Ｓ樹脂の充填体を用いてもよいことは言うまでもない。
Ｓ樹脂の充填体を用いてもよいことは言うまでもない。
第１図は従来の、第２図は本発明の一実施例の夫々発光
表示装置を示す各図ａは斜視図、図ｂは断面図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 ４・・・発光ペレット、１１・・・反射体の凹部、１２
・・・反射体、１２ａ・・・反射体の反射面。
表示装置を示す各図ａは斜視図、図ｂは断面図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 ４・・・発光ペレット、１１・・・反射体の凹部、１２
・・・反射体、１２ａ・・・反射体の反射面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 凹部の内面が反射面に形成された反射体と前記凹部
内に内装された発光素子ペレットとを備え、前記反射体
の少くとも反射面が、塩素化ポリエチレンのベースゴム
成分ニアクリロニトリルスチレンをグラフト重合した樹
脂に白色充填体を充填した充填体でなることを特徴とす
る固体発光表示装置。 ２ 白色充填体がＴｉＯ２，ＣａＣＯ３，ＭｇＯ，Ａｌ
２Ｏ３のうちの少なくともひとつであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の固体発光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50093062A JPS583393B2 (ja) | 1975-08-01 | 1975-08-01 | コタイハツコウヒヨウジソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50093062A JPS583393B2 (ja) | 1975-08-01 | 1975-08-01 | コタイハツコウヒヨウジソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5218190A JPS5218190A (en) | 1977-02-10 |
| JPS583393B2 true JPS583393B2 (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=14072017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50093062A Expired JPS583393B2 (ja) | 1975-08-01 | 1975-08-01 | コタイハツコウヒヨウジソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583393B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0343750U (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-24 | ||
| US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| EP3489572A1 (en) * | 2006-08-29 | 2019-05-29 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices |
-
1975
- 1975-08-01 JP JP50093062A patent/JPS583393B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5218190A (en) | 1977-02-10 |
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