JPS5834585Y2 - ジキドラムキオクソウチ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は温度補償が施された磁気ドラム記憶装置に関す
る。

従来の磁気ドラム記憶装置では、温度変化によって磁気
ヘッドとトラックとがずれ、Ｓ／Ｎ比が低下するのを防
ぐため、磁気ヘソドアセムブリが取り付けられた外部筐
体と磁気ドラムに熱膨張係数の同じ材質が用いられてい
た。

ところで、近時、記録密度を向上させるため、幅の狭い
磁気ヘッドを用いてトラック幅を小さくし、且つトラッ
ク間隔をせばめる方法が採られるようになってきた。

トラック幅を小さくすると出力電圧が小さくなるので、
トラック幅を小さくするのに限界があるが、その限界内
でトラック幅を小さくシ、トラック間隔をせばめた場合
、クロストークが増加しＳ／Ｎ比が低下する現象が現れ
、実質的に記録密度向上の目的を遠戚することができな
かった。

このクロストークの原因を詳細に調べて見ると、いくつ
かの種類に分けることができる。

第１は磁気へッドアセムブリ中のコア用コイル間で起き
るクロストークであり、第２は記録媒体上の隣接トラッ
ク間のクロストークであり、第３は温度変化により磁気
ヘッドとトラックとの相対位置関係が変化した場合に起
きるクロストークである。

このうち、第１のクロストークは比較的簡単な手段によ
り取り除くことができ、また第２のクロストークは小さ
な値であり実質上問題にならないが、第３のクロストー
クは重大である。

この第３のクロストークについて、更に詳しく図面に従
い説明する。

第１図は磁気ドラム記憶装置の断面を示す。

１は底面を有する中空筒状の外部筐体で、軽量であるこ
と、非磁性体であることなどの点から、例えばアルミ製
のものが用いられる。

２は上記筐体１と同じ熱膨張係数の材質で作られた磁気
ドラムで、表面にはＮｌメッキ、Ｎ１Ｃｏメッキ等の磁
性メッキ層、或は酸化磁性粉のコーティング層の磁性媒
体が付着されている。

３は上記磁気ドラム２の回転中心部を貫通するドラムの
回転軸で、下端は上記外部筐体１の底部に嵌合したボス
４に設けられた軸受５により支持され、上方に延びた稍
々径の小さい軸部分は外部筐体１の蓋６と弾性結合され
た軸受Ｔにより支持されると共にモータ８の回転軸にな
っている。

９〜１２は多数の磁気ヘッドを先端部に具備する磁気ヘ
ソドアセムプリで、上記外部筐体１の側壁に固定的に或
は上記磁気ドラム２表面より浮動できるように取り付け
られている。

固定式、浮動式の何れの場合も、上記磁気ドラム２が回
転しているとき磁気ヘッドがドラム表面に微少間隔量い
て対峙するように保持される。

斯る装置の動作については既に周知であるから説明は省
略するが、記録密度を上げるためにトラックの幅を小さ
くシ、且つトラック間隔をせばめるとクロストークが発
生し、Ｓ／Ｎ比を低下させる。

この点を第２図を用いて更に詳しく説明する。第２図は
例えば磁気へッドアセムブリ９における一つの磁気ヘッ
ド９０１と磁気ドラム２上のトラック２０１との関係を
示す拡大図である。

例えばＯ′Ｃで情報を書き込んだときの磁気ヘッド９０
１とトラック２０１との関係を実線で示す。

この状態から周囲温度が４０°Ｃに上昇すると、上記磁
気ヘッド９０１とトラック２０１との関係は点線で示す
ようになる。

この状態で新たに別の情報を書き込み、周囲温度を０°
Ｃに下げると、上記磁気ヘッド９０１は実線の位置とな
り、上記トラック２０１は一点鎖線で示す位置となる。

これをそのまま読み出すと、４０°Ｃで書き込まれた情
報がそのまま読み出されず、０℃で書き込まれた情報が
一部重畳された（斜線で示す）出力信号を得ることにな
る。

斯るトラックずれは回転軸３の熱膨張係数と外部筐体１
及び上記磁気ドラム２の熱膨張係数とに差があるためで
ある。

トラック幅が比較的大きい場合には、信号に対する上記
熱膨張係数の差によるクロストークの割合は小さく、上
記外部筺体１と磁気ドラム２の熱膨張係数を揃えるだけ
で充分温度補償がはかれたが、トラック幅、トラック間
隔が小さくなると、上記トラックずれの影響が顕著に現
れて来る。

次に、このクロストークの割合について、第１図に戻っ
て説明する。

上記磁気ドラム２の高さをａ１上記回転軸３の下端の支
持点Ｐから上記磁気ドラム２の底面迄の距離をｂ１上記
外部筐体１及び磁気ドラム２の熱膨張係数をα１、上記
回転軸３の熱膨張係数をα２とし、０°Ｃにおいて書き
込みしたトラック上に４０ ’Ｃで再び書き込みを行っ
たとき、ドラムの上下方向中央部における磁気ヘッドと
トラックのずれ△ｔは大路次のようになる。

△７＝（−＋ｂ）・（αｌ−α２）・４０ ・・・・
・・（１）今、ａを１４０ｍｍ、ｂを１５ｍｍ、 ｘｚ
を１２×１０−６ （鉄を用いた場合）、Ｘｌを２３Ｘ
１０−６（アルミを用いた場合）とすると、△ｌは△ｔ
−８５闘Ｘ １１Ｘ１０−６Ｘ４０＝３７．４μ＝あμ
・・・（２）となる。

トラック密度を上げるためトラック幅を１４０μと小さ
くした場合、トラックにおける雑音の割合は３８／１４
０となる。

この関係は記録密度を向上させるためにトラック幅を小
さくするに従い悪化する。

斯る点に鑑み、本考案の目的は温度変化による磁気ヘッ
ドとトラックとのずれが少なくクロストークによるＳ／
Ｎ比の低下がほとんど見られず、且つ製造が容易な磁気
ドラム記憶装置を実現することにある。

第３図は、本考案の磁気ドラム記憶装置に訃ける磁気ド
ラム２の具体例を示す断面図である。

本具体例では磁気ドラム２と回転軸３とに熱膨張係数の
同じ材質、例えばアルミを用いた（この場合本図には示
されていないが、外部筐体にも熱膨張係数の同じ材質の
ものが使われる。

）。この場合、回転軸３をアルミの丸棒から削り出すか
、径の細い回転軸部分を径の太い回転軸部分に焼ばめな
どの方法により取り付ける。

第４図は本考案の他の実施例装置にむける磁気ドラム２
の具体例を示す断面図である。

本具体例では、磁気ドラム２の回転中心部を貫通するド
ラムの回転軸部分をドラムと同じ熱膨張係数の材質を用
いて構成し、その部分にドラムと異なる熱膨張係数の材
質からなる上、下部回転軸部分３ａ。

３ｂを取り付けたもので、実際には、磁気ドラムにおい
て回転軸が貫通していた回転軸部分に円筒状アルミ単体
を焼ばめし、この部分に鉄製の上、下部回転軸部分３ａ
、３ｂを継ぎシャフトする。

斯る構成において、第３図の場合と比較して、外部筺体
１及び磁気ドラム２の熱膨張係数と回転軸部分３ａ 、
３ｂの熱膨張係数との差によってトラックずれが発生す
るが、このずれは僅かであり実質的なＳ／Ｎ比の低下は
な℃・。

また、第３図に示すものより製造が容易となり且つ強度
の点でも優れたものが得られる。

因に、上記磁気ドラム２の高さａを１４０朋、上記下部
回転軸部分３ｂにあ−げる支持点Ｐから上記磁気ドラム
２の底面迄の距離すを１５闘とし、上記外部筐体１及び
磁気ドラム２の熱膨張係数α１を２３×１０−６、回転
軸部分３ｂの熱膨張係数α２を１２×１０−６とし、Ｏ
ｏＣに釦いて書き込みしたトラック上に４０°Ｃで再び
書き込みを行い０℃で読み出しを行ったとき、磁気ヘッ
ドとトラックとのずれ△ｔは大路次のようになる。

△ｌ！、＝１５ｍｍＸ１１Ｘ１０ Ｘ４０６．６
Ｘ１０−３闘−６゜６μ ・・・・・・（３）ト
ラック幅が１４０μの場合、トラックにおける雑音の割
合は６．６／１４０ となり、先に示した従来方法に
比較し、大幅に改善される。

尚、上記説明では言及していないが下部軸受５に使用す
るベアリングは温度変化によるラジアル方向の膨張が少
ないものを使用することは勿論である。

上記して来た如く本考案によれば、 （１）記録密度が大幅に向上できる。

（２）従って、同じトラック数に対応する磁気ドラムの
高さが小さくなり、装置全体がコンパクトになる。

（３）製造工程が少なく且つ製造が容易である。

などの効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来装置の断面図、第２図は従来装置における
磁気ヘッドとトラックとの関係を説明するための部分拡
大図、第３図は本考案の磁気ドラム記憶装置における磁
気ドラムの具体例を示す断面図、第４図は本考案の他の
実施例装置における磁気ドラムの具体例を示す断面図で
ある。 １・・・外部筐体、２・・・磁気ドラム、３ａ、３ｂ・
・・回転軸部分、５，７・・・軸受、９〜１２・・・磁
気ヘソドアセムブリ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 磁気ドラムと外部筐体とが同じ熱膨張係数の材質で作ら
   れ、多数の磁気ヘッドを具備する磁気へッドアセムブリ
   が上記ドラムと微少間隔量いて対峙するように上記外部
   筐体に取り付けられた磁気ドラム記憶装置に釦いて、上
   記磁気ドラムの回転中心部を貫通するドラムの回転軸部
   分を上記磁気ドラムを構成する材質の熱膨張係数と同じ
   熱膨張係数を有する材質を用いて構成した磁気ドラム記
   憶装置。