JPS5835923A - マスク位置合わせ方法及びこれに用いる装置 - Google Patents
マスク位置合わせ方法及びこれに用いる装置Info
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- JPS5835923A JPS5835923A JP56135204A JP13520481A JPS5835923A JP S5835923 A JPS5835923 A JP S5835923A JP 56135204 A JP56135204 A JP 56135204A JP 13520481 A JP13520481 A JP 13520481A JP S5835923 A JPS5835923 A JP S5835923A
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- JP
- Japan
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- mask
- layer
- diffusion layer
- chuck
- wafer
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発＄３ ｔＸ、マスク位置合わせ方法及びこれに用い
る装置、より＃しくに、従来方法による可視光−使用に
代え赤外線を用いたマスク位置合わせ方法と装置と（関
する。
る装置、より＃しくに、従来方法による可視光−使用に
代え赤外線を用いたマスク位置合わせ方法と装置と（関
する。
半導体装置の製造においてを１．半導体基板の特定の領
域に＊あけをなすことが多く行われる・第１図の断面図
を参照すると、例えばシリコン基板１［・で示す不純物
拡散層な形成するには、蚊基板λ上に酸化９２に所定の
膜厚に形成し、この酸化膜８に＊４’にあけ、この窓４
１通して特定の不純物Ｖ拡散する。かかる窓４ｖあける
には、酸化膜２の上に所定の膜厚にホトレジスト膜３を
塗布する。ホトレジスト膜のパターニングのために、形
成されるべき窓４に対応するりｐムの光遮蔽用のパター
ンイが形成されたマスク５を用意し、このマスクを通し
て矢印で示す如（紫外！Ｉを照射する。引続き現像して
ホトンジス）Ｉ［３に孔４′ｔあけ１次にエツチングに
よって酸化膜３に所望の窓４’＆あけ、この＊４を通し
【不純物を拡散して拡散層＠ｔｓ成する。
域に＊あけをなすことが多く行われる・第１図の断面図
を参照すると、例えばシリコン基板１［・で示す不純物
拡散層な形成するには、蚊基板λ上に酸化９２に所定の
膜厚に形成し、この酸化膜８に＊４’にあけ、この窓４
１通して特定の不純物Ｖ拡散する。かかる窓４ｖあける
には、酸化膜２の上に所定の膜厚にホトレジスト膜３を
塗布する。ホトレジスト膜のパターニングのために、形
成されるべき窓４に対応するりｐムの光遮蔽用のパター
ンイが形成されたマスク５を用意し、このマスクを通し
て矢印で示す如（紫外！Ｉを照射する。引続き現像して
ホトンジス）Ｉ［３に孔４′ｔあけ１次にエツチングに
よって酸化膜３に所望の窓４’＆あけ、この＊４を通し
【不純物を拡散して拡散層＠ｔｓ成する。
かかる技術な用−・て形成されるバイポーラ・トラフジ
３２１１１２図に示す６ｗＪにおい【、１１はｐｍ！シ
リコン基板、１２はＮｌｌエピタキシャル成長層、１３
はＮ” ｍ埋没層（ｔ”ｔｏ＞、１４はアインンーシー
ン層、１５は酸化膜（二酸化シリコン膜）、Ｃ，ｌ、ｍ
ｅはそれぞれコレクタ、ベース、エミッタ領域である。
３２１１１２図に示す６ｗＪにおい【、１１はｐｍ！シ
リコン基板、１２はＮｌｌエピタキシャル成長層、１３
はＮ” ｍ埋没層（ｔ”ｔｏ＞、１４はアインンーシー
ン層、１５は酸化膜（二酸化シリコン膜）、Ｃ，ｌ、ｍ
ｅはそれぞれコレクタ、ベース、エミッタ領域である。
第３図は第２図に示すものの平面図である。これらの領
域形成には８１１図について説明したマスク合わせが必
要であることはいうまでもない。
域形成には８１１図について説明したマスク合わせが必
要であることはいうまでもない。
かかるバイポーラ・トランジスタにおいて、アインレー
シ履ン層１４とＮ＋ 蓋履没層１３との間には所定のＷ
の幅が残されなければならない、そのためには、ＷＩＦ
）＃Ａｔ′もったマスクから、第１図を参照Ｌ”Ｃａ１
ｊ！した方ｍ−ｔｃの１ｉＷｖｆｔ＆１１に転写（トラ
ンスファー）する。
シ履ン層１４とＮ＋ 蓋履没層１３との間には所定のＷ
の幅が残されなければならない、そのためには、ＷＩＦ
）＃Ａｔ′もったマスクから、第１図を参照Ｌ”Ｃａ１
ｊ！した方ｍ−ｔｃの１ｉＷｖｆｔ＆１１に転写（トラ
ンスファー）する。
ところで、Ｈ７ｌｌエピタキシャル層成長のためには、
モノシランＣＳｉＨｍ）、ＩＩ塩化ケイ素ＣＢＩＣ１，
）。
モノシランＣＳｉＨｍ）、ＩＩ塩化ケイ素ＣＢＩＣ１，
）。
デクロールシラン（８１＆ＣＪｍ ）などのガス が用
いられる＊ ｌＩＣ４ン用い【エピタキシャル層を成長
させる場合を例にとると、１ｇ４図に示される如＜、ｐ
ｍシ９：Ｉン基板２１には既にＮ＋ 埋没層２２が形成
されており、その上に例えば１０ （μ詭〕の膜厚にエ
ピタキシャル層２３に成長させると、この層２３にはＮ
＋１：１埋没層２２の段部２４，２４に対応した段部が
形成される。しかし、段部２４．２４が正規の形で真直
ぐに点線で示す如く上にあがってエピタキシャル層２３
の段部２イ、２４′となることなく、実線で示す如くに
移動し、２４″、２イのずれた位置に段部が形成される
。
いられる＊ ｌＩＣ４ン用い【エピタキシャル層を成長
させる場合を例にとると、１ｇ４図に示される如＜、ｐ
ｍシ９：Ｉン基板２１には既にＮ＋ 埋没層２２が形成
されており、その上に例えば１０ （μ詭〕の膜厚にエ
ピタキシャル層２３に成長させると、この層２３にはＮ
＋１：１埋没層２２の段部２４，２４に対応した段部が
形成される。しかし、段部２４．２４が正規の形で真直
ぐに点線で示す如く上にあがってエピタキシャル層２３
の段部２イ、２４′となることなく、実線で示す如くに
移動し、２４″、２イのずれた位置に段部が形成される
。
かかる段部の移動は、エピタキシャル成長にＢＬＣ４を
用いるとき、最も顕著で、例えばエピタキシャル層ｔ’
１Ｇ （ハ）の膜厚に成長させると、５〜１＠ （ｐ
ｗａ ）の段部の移動が確認された。
用いるとき、最も顕著で、例えばエピタキシャル層ｔ’
１Ｇ （ハ）の膜厚に成長させると、５〜１＠ （ｐ
ｗａ ）の段部の移動が確認された。
ｊｉｌ＆ｃ４を用いるとき移動はやや少なく、ＳＩＨ。
を用いるときに最も少ないが、いずれのカスを用いても
前記した段部の移動は確実に発生する。しかもこの移動
の大小は常に一定でなく不安定であり、その大小を工、
使用ガスの種類だけでなく、基板の緒蟲方位によっても
左右され、また同一ウニへにおいても、場所が変ると異
なった移動を示す。
前記した段部の移動は確実に発生する。しかもこの移動
の大小は常に一定でなく不安定であり、その大小を工、
使用ガスの種類だけでなく、基板の緒蟲方位によっても
左右され、また同一ウニへにおいても、場所が変ると異
なった移動を示す。
なお、かかる移動はエビシフトとも呼称される。
アイソンーション層形成のための前記したマスクの位置
合わせは、第４図のエピタキシャル層２３に形成された
段＠２４：、２イを目標にしてなされる。その結果、１
ｇ５図を参照すると（なお第５図以下において、第４図
以下に示された部分と同じ部分は同一符号で示す）、エ
ピタキシャル層２３に点線で囲む如く形成されなければ
ならないアイ、ンレーシ日ン層２５′は、矢印で示すよ
５に移動した位置の実献で囲んだフィンレージ５ン層２
５として形成される、すなわち、第５図に見て左のフイ
ンレーション層２５はＮ”＆ＪＩ没層と重なり合い、右
のフィンレージ１ン層は埋没層から離れすぎ、図示しな
い他の埋没層と重なり合うこともあり得る。いいかえる
と、シリコン段部のエビシフトにより、マスクの正確な
位置合わせが実現されな〜・、なお、第５図において２
６は酸化膜（二酸化シリプン膜）を示す。
合わせは、第４図のエピタキシャル層２３に形成された
段＠２４：、２イを目標にしてなされる。その結果、１
ｇ５図を参照すると（なお第５図以下において、第４図
以下に示された部分と同じ部分は同一符号で示す）、エ
ピタキシャル層２３に点線で囲む如く形成されなければ
ならないアイ、ンレーシ日ン層２５′は、矢印で示すよ
５に移動した位置の実献で囲んだフィンレージ５ン層２
５として形成される、すなわち、第５図に見て左のフイ
ンレーション層２５はＮ”＆ＪＩ没層と重なり合い、右
のフィンレージ１ン層は埋没層から離れすぎ、図示しな
い他の埋没層と重なり合うこともあり得る。いいかえる
と、シリコン段部のエビシフトにより、マスクの正確な
位置合わせが実現されな〜・、なお、第５図において２
６は酸化膜（二酸化シリプン膜）を示す。
上記したエピシフＦの問題に対応するため、従来技術に
おいては、エピタキシャル層の上Ｖこ形成される酸化膜
に、はシリコン基板の段部がそのまま真直ぐに移される
ことに着目し、基板の一部にエピタキシャル層が成長さ
れない部分を保留する。
おいては、エピタキシャル層の上Ｖこ形成される酸化膜
に、はシリコン基板の段部がそのまま真直ぐに移される
ことに着目し、基板の一部にエピタキシャル層が成長さ
れない部分を保留する。
菖６図な参照すると、図の右の埋没層２２の上には、酸
化膜２５ｖ８で示す範囲で厚い酸化膜（二酸化シリフン
ＩＩ）２ダに形成する。このとき、酸化膜２１に形成さ
れる段ｓ２イは１段部２４に正しく合致する、すなわち
段部は正常に移動して〜・る、（なお、第６図Ｗ−おい
て左に示す部分にはエピシフ）が認められる。）このよ
うな補正手段を設けることＫよってマスクの位置合わせ
の正確性な得ようとするのであるが、そのためＫは、パ
ターニングとの関係で１位置合わせマスクｖ２度用い、
ホトレジスト膜の塗布と酸化膜な残す作業ｔしなければ
ならず、工程数が増え、製造歩留まりの点から問題があ
る。更に、酸化ｊｌ１２ダの面積が大きすぎるとその上
に多結晶シリコンがエピタキシャル成長のとき成長し、
また、ｍ化＠２ダを残すことによって活性であ、るシリ
コン基板２１０表面に欠陥が生じ、その欠陥がエピタキ
シャル成長と共に拡がる間鮎もある。
化膜２５ｖ８で示す範囲で厚い酸化膜（二酸化シリフン
ＩＩ）２ダに形成する。このとき、酸化膜２１に形成さ
れる段ｓ２イは１段部２４に正しく合致する、すなわち
段部は正常に移動して〜・る、（なお、第６図Ｗ−おい
て左に示す部分にはエピシフ）が認められる。）このよ
うな補正手段を設けることＫよってマスクの位置合わせ
の正確性な得ようとするのであるが、そのためＫは、パ
ターニングとの関係で１位置合わせマスクｖ２度用い、
ホトレジスト膜の塗布と酸化膜な残す作業ｔしなければ
ならず、工程数が増え、製造歩留まりの点から問題があ
る。更に、酸化ｊｌ１２ダの面積が大きすぎるとその上
に多結晶シリコンがエピタキシャル成長のとき成長し、
また、ｍ化＠２ダを残すことによって活性であ、るシリ
コン基板２１０表面に欠陥が生じ、その欠陥がエピタキ
シャル成長と共に拡がる間鮎もある。
本発明の目的は、半導体基板内の不純物拡散層に相対的
なマスクの正確な位置合わせに必ＪＲな上記した余分の
工程を除去するにあり、そのためにを工、従来用いられ
た可視光線に代え鰺外！Ｉｔ用いたマスク位置合わせ方
法と装置を提供する。かかる方法と装置にお−・ては、
赤外線がシリコンの中の不純物によって吸収係数が異な
ることを利用し。
なマスクの正確な位置合わせに必ＪＲな上記した余分の
工程を除去するにあり、そのためにを工、従来用いられ
た可視光線に代え鰺外！Ｉｔ用いたマスク位置合わせ方
法と装置を提供する。かかる方法と装置にお−・ては、
赤外線がシリコンの中の不純物によって吸収係数が異な
ることを利用し。
赤外線に対するシリコン中の不Ｎ瞼拡敏層の透過率の差
を検知し、不純物拡散層の＠ｙｔ得てそれを用−・てマ
スクの位置合わせｔ行う。
を検知し、不純物拡散層の＠ｙｔ得てそれを用−・てマ
スクの位置合わせｔ行う。
以下、本発明の方法と装置の実施例を皺付図面な参照し
て説明する。
て説明する。
第７図な参照すると、それらは第５図におけるアインレ
ーシ運ン層が未だ形成されていない状態を示す、かか４
′＃ＩＩ造体に、矢印で示す光な照射し。
ーシ運ン層が未だ形成されていない状態を示す、かか４
′＃ＩＩ造体に、矢印で示す光な照射し。
不純物がドープされた拡散層が光を透過しないとすると
、不純物層そのものの像が得られ、しかもかかる像を位
置合わせに反映させると、段差のエピシフトが全く関係
することがない。このような像が得られれば、拡散層２
２に対応したアインレーク１７層を正確なあるべき位ｔ
Ｋ、すなわち図ＩＣ１で示す光軸のまわりに形成するこ
とが可能になる。、レーザ光は、燐、７ンチモン、砒素
などの不純物の種類に応じて吸収されるハンドが異なる
から、例えば拡散層２２に燐がドープされていると、レ
ーザはあるバンド内においては拡散層２２を透過しない
、すなわち、不純物材料が確定すると、ｍ腋材料に応じ
た波長が、赤外線ν−ザの０．８−３．０ （ｓｕｒ
）の範囲内で決定され、材料に応じてか（の如（選定さ
れた波長の赤外線を照射すると、第７図に示される如（
に赤外線は拡散層以外のところでは透過しまた拡散層で
は吸収されて、拡散層そのものの像が正確に得られるこ
とになる・なお、同図にはレーザ光が基板を透過する場
合な示したが、ｉ／−ザ光が基板により反射される場合
にも同様の結果が得られる。
、不純物層そのものの像が得られ、しかもかかる像を位
置合わせに反映させると、段差のエピシフトが全く関係
することがない。このような像が得られれば、拡散層２
２に対応したアインレーク１７層を正確なあるべき位ｔ
Ｋ、すなわち図ＩＣ１で示す光軸のまわりに形成するこ
とが可能になる。、レーザ光は、燐、７ンチモン、砒素
などの不純物の種類に応じて吸収されるハンドが異なる
から、例えば拡散層２２に燐がドープされていると、レ
ーザはあるバンド内においては拡散層２２を透過しない
、すなわち、不純物材料が確定すると、ｍ腋材料に応じ
た波長が、赤外線ν−ザの０．８−３．０ （ｓｕｒ
）の範囲内で決定され、材料に応じてか（の如（選定さ
れた波長の赤外線を照射すると、第７図に示される如（
に赤外線は拡散層以外のところでは透過しまた拡散層で
は吸収されて、拡散層そのものの像が正確に得られるこ
とになる・なお、同図にはレーザ光が基板を透過する場
合な示したが、ｉ／−ザ光が基板により反射される場合
にも同様の結果が得られる。
かかる赤外線照射によるマスク位置合わせ方法な実施す
る装置は第８図に概略＃面図で示され、同図において、
３１はウェハ、３２はウェハを保持するチャック、３３
は固定されたマスク、３４はマスクが固着されるマスク
・ステージ、３５は対物レンズ％３６は赤外線カメラ、
３７はブラウン管、３８は自動位置ぎめ光学系、３９は
赤外線レーザの点光源、４０は光ファイ／−，４１は赤
外１ＩＩＶ−ザ発振器を含む光学系、４２＆Ｘ赤外線レ
ーザの点光源、４３はハーフミラ−１４４はチャック３
２に設けた光透過用の窓をそれぞれ示す。
る装置は第８図に概略＃面図で示され、同図において、
３１はウェハ、３２はウェハを保持するチャック、３３
は固定されたマスク、３４はマスクが固着されるマスク
・ステージ、３５は対物レンズ％３６は赤外線カメラ、
３７はブラウン管、３８は自動位置ぎめ光学系、３９は
赤外線レーザの点光源、４０は光ファイ／−，４１は赤
外１ＩＩＶ−ザ発振器を含む光学系、４２＆Ｘ赤外線レ
ーザの点光源、４３はハーフミラ−１４４はチャック３
２に設けた光透過用の窓をそれぞれ示す。
ウェハ３１の位置は、チャックを図に矢印Ｒで示す如（
回転しまたを工矢印りで示す方向に直線的に動かすこと
によって、マスク３３に対するその相対的な位置を変え
ることができる。チャック３２の内部［は、赤外線レー
ザの点光源３９が少なくとも１個配置され、その九瘉エ
チャック３２に設けた窓４４を通してウェハ３１に照射
される。
回転しまたを工矢印りで示す方向に直線的に動かすこと
によって、マスク３３に対するその相対的な位置を変え
ることができる。チャック３２の内部［は、赤外線レー
ザの点光源３９が少なくとも１個配置され、その九瘉エ
チャック３２に設けた窓４４を通してウェハ３１に照射
される。
点光源３９には、赤外線レーザ発振器と光学系４１から
のレーザが、元フフイ／ζ４０′を通し【送られてくる
。前述したように、拡散層にドープされた不純物材料に
応じて、レーザ光は拡散層によす吸収され、ウェハから
は第７図に示す如き状態でレーザ光が出て（る、この光
を対物レンズ３５でとらえ、ｆＦ、＋！対物レンズから
赤外線カメラ３６を経由してブラウン管３７に表示され
、ブラウン管３７に現われた像を観察してチャック３２
な動かし′″Ｃ位置合わせをなす、かかる操作な自動的
に行５ＫＧ工、光を自動位置ぎめ光学系３８に送り、そ
れを通してチャック３２を操作する。ρλかる装置は、
赤外線レーザの点光源がチャック３２の内部に配置され
ていることを除（と、すべて従来の全知の部品で構成す
ることが可能である。
のレーザが、元フフイ／ζ４０′を通し【送られてくる
。前述したように、拡散層にドープされた不純物材料に
応じて、レーザ光は拡散層によす吸収され、ウェハから
は第７図に示す如き状態でレーザ光が出て（る、この光
を対物レンズ３５でとらえ、ｆＦ、＋！対物レンズから
赤外線カメラ３６を経由してブラウン管３７に表示され
、ブラウン管３７に現われた像を観察してチャック３２
な動かし′″Ｃ位置合わせをなす、かかる操作な自動的
に行５ＫＧ工、光を自動位置ぎめ光学系３８に送り、そ
れを通してチャック３２を操作する。ρλかる装置は、
赤外線レーザの点光源がチャック３２の内部に配置され
ていることを除（と、すべて従来の全知の部品で構成す
ることが可能である。
赤外線レーザ光の反射によって前記した位置合わせをな
した〜・場合には１図に４２で示す如くに赤外線レーザ
の点光源を配置し、／’Ｌ−７ミラー４３によって光を
反射させてウニ／３１ ｔ’照射し、反射される光を同
じハーフミラ−４３ｔ−通して赤外線カメラ３ｓＫ４＜
と、・それ以後は前述したと同様の操作でウェハ３１の
位置Ｖ調整し５る。この場合（も、拡散層Ｚ２’ｔｆｌ
ｉＡ封した光はすべて吸収されて反射することがな（・
から、上記に説明したと全く同様の原理で拡散層の儂が
得られる。
した〜・場合には１図に４２で示す如くに赤外線レーザ
の点光源を配置し、／’Ｌ−７ミラー４３によって光を
反射させてウニ／３１ ｔ’照射し、反射される光を同
じハーフミラ−４３ｔ−通して赤外線カメラ３ｓＫ４＜
と、・それ以後は前述したと同様の操作でウェハ３１の
位置Ｖ調整し５る。この場合（も、拡散層Ｚ２’ｔｆｌ
ｉＡ封した光はすべて吸収されて反射することがな（・
から、上記に説明したと全く同様の原理で拡散層の儂が
得られる。
以上に説明した如（１本発明の方法によれば、マスク位
置合わせにおいて、従来技術における如き工ｓｔ’＊せ
ず、その工程に伴う結晶欠陥発生の問題が回避され、か
かる方法を実施する装置は。
置合わせにおいて、従来技術における如き工ｓｔ’＊せ
ず、その工程に伴う結晶欠陥発生の問題が回避され、か
かる方法を実施する装置は。
チャック内に赤外線光源が設けられる点を除（と。
従来公知の部品で構成される利点があり、バイポーラ型
半導体集積回路の製造等における製造歩留りが改善され
る。なお１以上においてをエバイボーラ型半導体集積回
路内のトランジスタの製造を例に説明したが、本発明の
適用範囲はその場合に限定されるものではなく、不純物
拡散層に相対的なマスクの位置合わせのすべての場合に
及ぶことはいうまでもない。
半導体集積回路の製造等における製造歩留りが改善され
る。なお１以上においてをエバイボーラ型半導体集積回
路内のトランジスタの製造を例に説明したが、本発明の
適用範囲はその場合に限定されるものではなく、不純物
拡散層に相対的なマスクの位置合わせのすべての場合に
及ぶことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図はマスク欠周いる窓あけｔ説明するための断面図
、第２図と第３図はバイポーラ型半導体集積回路内のト
ランジスタの断面図と一部平面図、第４図はエピタキシ
ャル層成長のときにおけるエビシフトｔ−説明するだめ
の断面図、第５図はエビシフトがある場合のフインレー
ション層の位置を示す断面図、第６図は従来方法におけ
るエビシフトに対応する補正手段を示す断面図、第７図
番工本発明の方法の原理を示す断面図、第８図は本発明
の方法を実施する装置の概略断面図である。 ２１・−・シリコン基板、２２−Ｎ”ｂｍｍ没層（不純
物拡散層）、２３・・・エピタキシャル層、２４・・・
シリコン基板段部、２４’ 、 ２４’・−・エピタキ
シャル層段部、２５・・・７１７２７１７層、２６ 、
２６’・・・酸化膜、３１・−ウェハ、３２・・・チャ
ック、３３−・・マスク、３４−マスクステージ、３５
・一対物ンンズ、３６−＝赤外線カメラ、３７・・・ブ
ラウン管、３８・・・自動位置ぎめ光学系、３９ 、４
２・・・赤外線レーザの点光源。 ４０−・・光ファイバ、 ４１・−・赤外線レーザ発振
器および光学系、４３−・・ハーフミラ−１４４・・・
窓特許出願人 富士通株式会社 第１図 ３ 第２図 ３ 第３図 ２ 第４図 ２ 第５ｒｌＴ 第６図 第７図 ４０ 第８図
、第２図と第３図はバイポーラ型半導体集積回路内のト
ランジスタの断面図と一部平面図、第４図はエピタキシ
ャル層成長のときにおけるエビシフトｔ−説明するだめ
の断面図、第５図はエビシフトがある場合のフインレー
ション層の位置を示す断面図、第６図は従来方法におけ
るエビシフトに対応する補正手段を示す断面図、第７図
番工本発明の方法の原理を示す断面図、第８図は本発明
の方法を実施する装置の概略断面図である。 ２１・−・シリコン基板、２２−Ｎ”ｂｍｍ没層（不純
物拡散層）、２３・・・エピタキシャル層、２４・・・
シリコン基板段部、２４’ 、 ２４’・−・エピタキ
シャル層段部、２５・・・７１７２７１７層、２６ 、
２６’・・・酸化膜、３１・−ウェハ、３２・・・チャ
ック、３３−・・マスク、３４−マスクステージ、３５
・一対物ンンズ、３６−＝赤外線カメラ、３７・・・ブ
ラウン管、３８・・・自動位置ぎめ光学系、３９ 、４
２・・・赤外線レーザの点光源。 ４０−・・光ファイバ、 ４１・−・赤外線レーザ発振
器および光学系、４３−・・ハーフミラ−１４４・・・
窓特許出願人 富士通株式会社 第１図 ３ 第２図 ３ 第３図 ２ 第４図 ２ 第５ｒｌＴ 第６図 第７図 ４０ 第８図
Claims (2)
- （１） 半導体基板内の不純物拡散層に相対的なマス
クの位置ぎめをなす方法＃Ｃおい（該不義物の材料によ
って徴収される波長′％ｃ４ｈつ赤外線レーザな該基板
に透過または反射せしめ、それによって得られる不純物
拡散層の像によってマスクの位置ぎめｔなすととｔ’＠
微とするマスク位置合わせ方法。 - （２） ウニへｔ’保持するチャックおよびマスクを
固定するｉスフステージを具備するマスク位置合わせ装
置において、少なくとも１個の赤外線レーザの点光ｌ［
を該チャック内に配設し、該点光源からの光をウェハに
透過する窓なチャックに設け。 ウェハを透過した光を導（対物レンズ、赤外線カメラお
よびウェハの不純物拡散層の像を表示する光学系を備え
たことな４Ｉ徴とするマスク位置合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135204A JPS5835923A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | マスク位置合わせ方法及びこれに用いる装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135204A JPS5835923A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | マスク位置合わせ方法及びこれに用いる装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835923A true JPS5835923A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15146280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135204A Pending JPS5835923A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | マスク位置合わせ方法及びこれに用いる装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835923A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165421A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 半導体装置の位置合わせマ−ク |
| JP2006165554A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-22 | Asml Holding Nv | システムおよび方法 |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135204A patent/JPS5835923A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165421A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 半導体装置の位置合わせマ−ク |
| JP2006165554A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-22 | Asml Holding Nv | システムおよび方法 |
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