JPS59149024A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS59149024A JPS59149024A JP58022775A JP2277583A JPS59149024A JP S59149024 A JPS59149024 A JP S59149024A JP 58022775 A JP58022775 A JP 58022775A JP 2277583 A JP2277583 A JP 2277583A JP S59149024 A JPS59149024 A JP S59149024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- exposure
- shutter
- computer
- reflection factor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体ウニへのホトレジストパター／形成に使
用する無光装置に関する。
用する無光装置に関する。
従来の難光装置は、ある露光設定値に対して露光光源の
強度が変動しても露光量が一定となる°機構を備えてい
る。しかしながら、露光時間が一定に保たれても、表面
反射率の変動し易い材料、例えばアルミニウムなどを加
工する場合は、ウェハ間で表面の反射率がばらつくため
、大きな寸法ばらつきが生じるという問題があった。
強度が変動しても露光量が一定となる°機構を備えてい
る。しかしながら、露光時間が一定に保たれても、表面
反射率の変動し易い材料、例えばアルミニウムなどを加
工する場合は、ウェハ間で表面の反射率がばらつくため
、大きな寸法ばらつきが生じるという問題があった。
本発明の目的は、ウェハ表面の反射率のばらつきによる
ウェハ間の寸法ばらつきを低減することができる半導体
露光装置を提供することにある。
ウェハ間の寸法ばらつきを低減することができる半導体
露光装置を提供することにある。
本発明は、ウェハ表面での露光光線の反射率を測定する
ホトディテクターと、とのホトディテクターによって得
られた反射率に最適が露光時間を算出しシャッターを開
閉させるパルスを出力するコンピュータとを設けたこと
を特徴とする。
ホトディテクターと、とのホトディテクターによって得
られた反射率に最適が露光時間を算出しシャッターを開
閉させるパルスを出力するコンピュータとを設けたこと
を特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。隠光
装置は、周知の如く、露光光源ｌの露光光線を鏡筒２の
内部に設置されたマスクパターンをウェハ上に結像する
ための光学系たとえばレンズ！７を通してステージ３上
に載置されたウェハ４に一定時間照射させて露光するよ
うになっている。前記露光時間はシャッター５の開閉に
よって行なわれる。
装置は、周知の如く、露光光源ｌの露光光線を鏡筒２の
内部に設置されたマスクパターンをウェハ上に結像する
ための光学系たとえばレンズ！７を通してステージ３上
に載置されたウェハ４に一定時間照射させて露光するよ
うになっている。前記露光時間はシャッター５の開閉に
よって行なわれる。
本発明は、前記蜆筒２の側面に、ウェハ４の反射率を測
定するのに必要な露光光源ｌの露光光線を導く２本の光
ファイバー１ＯＡ、ＩＯＢと、この光ファイバー１ＯＡ
、ＩＯＢより光線を受けて電気信号に変えるホトディテ
クター１１Ａ、ＩＩＬＩを設けてなる。前記一方の光フ
ァイバー１ＯＡから発した光線１２はウェハ４の表面で
反射して一方のホトディテクター１１Ａに入射するよう
になっティる。前記他方の光ファイバー１０Ｂからの光
線は直接他方のホトディテクター１１Ｂに入射するよう
になっている。
定するのに必要な露光光源ｌの露光光線を導く２本の光
ファイバー１ＯＡ、ＩＯＢと、この光ファイバー１ＯＡ
、ＩＯＢより光線を受けて電気信号に変えるホトディテ
クター１１Ａ、ＩＩＬＩを設けてなる。前記一方の光フ
ァイバー１ＯＡから発した光線１２はウェハ４の表面で
反射して一方のホトディテクター１１Ａに入射するよう
になっティる。前記他方の光ファイバー１０Ｂからの光
線は直接他方のホトディテクター１１Ｂに入射するよう
になっている。
前記ホトディテクター１１Ａ、ＩＩＢの出力は差動増幅
器１３を介してコンピュータ！４に入力される。コンピ
ュータ！今には、ウェハ４間において同一寸法を得るた
めに、第２図に示すように表面反射率と露光時間との関
係をストックさせたデータファイル１５がセットされて
いる。また前記コンピュータ！４の出力は前記シャッタ
ー５を駆動するステップそ一タ１６に入力されるように
なっている。
器１３を介してコンピュータ！４に入力される。コンピ
ュータ！今には、ウェハ４間において同一寸法を得るた
めに、第２図に示すように表面反射率と露光時間との関
係をストックさせたデータファイル１５がセットされて
いる。また前記コンピュータ！４の出力は前記シャッタ
ー５を駆動するステップそ一タ１６に入力されるように
なっている。
次に作用について説明する。シャッター５が閉じた状態
において、露光光源ｌの露光光線は光ファイバー１ＯＡ
、ＩＯＨに導かれ、一方の光ファイバー１ＯＡから発し
た光線１２はウェハ４の表面で反射し一方のホトディテ
クター１１Ａに入射し、他方の光ファイバー１０Ｂから
発した光線は直接他方のホトディテクターｚＢに入射す
る。
において、露光光源ｌの露光光線は光ファイバー１ＯＡ
、ＩＯＨに導かれ、一方の光ファイバー１ＯＡから発し
た光線１２はウェハ４の表面で反射し一方のホトディテ
クター１１Ａに入射し、他方の光ファイバー１０Ｂから
発した光線は直接他方のホトディテクターｚＢに入射す
る。
この２つのホトディテクター１１Ａ、ＩＩＢの信号電流
は、差動増幅器１３で比較増幅され、コンピュータ１４
に入力される。コンピユータ１４１ｄ差動増幅器１３か
らの信号によって表面反射率を算出し、との表面反射率
に対応する露光時間をデータファイル１５が引き出し、
との露光時間に相当するシャッター駆動パルスを出力す
る。このパルスによってステップモータ１６が駆動して
シャッター５を開閉し、ウニへ今に露光が行なわれる。
は、差動増幅器１３で比較増幅され、コンピュータ１４
に入力される。コンピユータ１４１ｄ差動増幅器１３か
らの信号によって表面反射率を算出し、との表面反射率
に対応する露光時間をデータファイル１５が引き出し、
との露光時間に相当するシャッター駆動パルスを出力す
る。このパルスによってステップモータ１６が駆動して
シャッター５を開閉し、ウニへ今に露光が行なわれる。
このように、ウェハ４の表面反射率を測定し、 ３−
その表面反射率から＃適露光時間を算出して露光の信号
電流の差によってウェハ４の表面反射率を測定するので
、露光光源！の光量変動による反射率測定値の変ｕＪは
無視できる。
電流の差によってウェハ４の表面反射率を測定するので
、露光光源！の光量変動による反射率測定値の変ｕＪは
無視できる。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、ウェハ
表面の露光光線による反射率の変動によってウェハ間に
寸法ばらつきが生じることが防止でき、半導体の微細化
の大きなネックである寸法ばらつきを対策できる。また
露光時にウェハを一枚先行させて反射率と寸法との関係
を調べる必袂が無くなるので、スループロトが向上し、
ウェハ生産コストの低減が図れる。
表面の露光光線による反射率の変動によってウェハ間に
寸法ばらつきが生じることが防止でき、半導体の微細化
の大きなネックである寸法ばらつきを対策できる。また
露光時にウェハを一枚先行させて反射率と寸法との関係
を調べる必袂が無くなるので、スループロトが向上し、
ウェハ生産コストの低減が図れる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は同一
寸法を得るのに必要な表面反射率と露光時間との関係を
示す説明図である。 ！・・・・露光光源、３・・・・ステージ、４・・・・
ウェハ、４− ５・・・・シャッター、１１Ａ、 １１Ｂ−・・・ホ
トディテクター、１４− コンピュータ、１７・０−
レンズ。
寸法を得るのに必要な表面反射率と露光時間との関係を
示す説明図である。 ！・・・・露光光源、３・・・・ステージ、４・・・・
ウェハ、４− ５・・・・シャッター、１１Ａ、 １１Ｂ−・・・ホ
トディテクター、１４− コンピュータ、１７・０−
レンズ。
Claims (1)
- ステージに載置されたウェハに露光光線を照射する露光
光源とくこの露光光源と前記ステージとの間釦配設され
たシャッター及びレンズとを備えた半導体露光装置にお
いて、前記ウェハ表面での前記露光光線の反射率を測定
するホトディテクターと、とのホトディテクターによっ
て得られた反射率に最適な露光時間を算出し前記シャッ
ターを開閉させるパルスを出力するコンピュータとを有
する半導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58022775A JPS59149024A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58022775A JPS59149024A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149024A true JPS59149024A (ja) | 1984-08-25 |
| JPH0462167B2 JPH0462167B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12092034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58022775A Granted JPS59149024A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149024A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216324A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nec Corp | 縮小投影式露光装置 |
| JPS63111617A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH02288326A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ウエハの周辺部露光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068066A (ja) * | 1973-10-17 | 1975-06-07 | ||
| JPS5317513A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Extracting apparatus for reduction furnace |
| JPS56146138A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Nec Corp | Method and apparatus for exposing photomask |
| JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
| JPS57182149A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Surface defect detector |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP58022775A patent/JPS59149024A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068066A (ja) * | 1973-10-17 | 1975-06-07 | ||
| JPS5317513A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-17 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Extracting apparatus for reduction furnace |
| JPS56146138A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Nec Corp | Method and apparatus for exposing photomask |
| JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
| JPS57182149A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Surface defect detector |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61216324A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nec Corp | 縮小投影式露光装置 |
| JPS63111617A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH02288326A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ウエハの周辺部露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462167B2 (ja) | 1992-10-05 |
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