JPS5837918A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5837918A JPS5837918A JP56135729A JP13572981A JPS5837918A JP S5837918 A JPS5837918 A JP S5837918A JP 56135729 A JP56135729 A JP 56135729A JP 13572981 A JP13572981 A JP 13572981A JP S5837918 A JPS5837918 A JP S5837918A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- film
- insulating film
- polycrystalline
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
- H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H10P14/3808—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
- H10P14/3814—Continuous wave laser beam
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
- H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H10P14/3808—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
- H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
- H10P14/3202—Materials thereof
- H10P14/3238—Materials thereof being insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
- H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H10P14/3818—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using particle beams
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法とくに絶縁膜−１−に形
成された多結晶又は非晶質の島状シリコン膜の粒径を増
大する方法に関するものである。
成された多結晶又は非晶質の島状シリコン膜の粒径を増
大する方法に関するものである。
従来より、絶縁膜又は軸絶縁基板上に結晶１′１の良い
（粒径の大きい）シリコン層を形成出来れば、この層中
に動作速度の早い素子を形成出来ることが知られており
、絶縁膜上に粒径の大きいシリコン層を形成する方法が
強く望まれている。このためこれを可能にしようとして
いるのが、レーザを用いてＳｉＯ２や５ｉｓＮ４の絶縁
膜」二で良い結晶を形成する方法である。レーザ、電子
ビーム等のエネルギー密度の高いビームは、Ｓｉ表面の
みを溶融することが可能で、例えば、Ｓ ｉ Ｏ２Ｊ−
に堆積したポリシリコ／（多結晶シリコン）のみを溶か
してダレイン成長をおこし粒径を増大するものである。
（粒径の大きい）シリコン層を形成出来れば、この層中
に動作速度の早い素子を形成出来ることが知られており
、絶縁膜上に粒径の大きいシリコン層を形成する方法が
強く望まれている。このためこれを可能にしようとして
いるのが、レーザを用いてＳｉＯ２や５ｉｓＮ４の絶縁
膜」二で良い結晶を形成する方法である。レーザ、電子
ビーム等のエネルギー密度の高いビームは、Ｓｉ表面の
みを溶融することが可能で、例えば、Ｓ ｉ Ｏ２Ｊ−
に堆積したポリシリコ／（多結晶シリコン）のみを溶か
してダレイン成長をおこし粒径を増大するものである。
この場合に、基板全体に堆積したポリシリコンにレーザ
の照射を行なうと溶融層の歪み発生により、十分均一な
シリコン層を形成することは難かしい。
の照射を行なうと溶融層の歪み発生により、十分均一な
シリコン層を形成することは難かしい。
そこで、シリコン層を数＋７１ ｍのオーダーの島状に
形成しておくことによって、これらの歪みをやわらげる
ことが行なわれている。現に４７１ ｍ Ｘ２０ ／１
ｍの島状の多結晶シリコンにレーザ照射を行うと、完全
な単結晶になったという報告がある。
形成しておくことによって、これらの歪みをやわらげる
ことが行なわれている。現に４７１ ｍ Ｘ２０ ／１
ｍの島状の多結晶シリコンにレーザ照射を行うと、完全
な単結晶になったという報告がある。
しかし、このように島状のポリシリコンをこのま一４ｖ
−ザで溶融すると、ＡｐｐＬ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ３８
（３）１９８１ Ｐ２Ｓ５でり、に、Ｂｉｅｇｅｌｓｅ
ｎ等が報告しているように、ポリシリコンが流れ出して
バター７がくずれてしまう。そこで、この流れ出しを防
ぐ為に、ＬＯＧＯ３（ｌｏｃ＆ｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ
ｏｆＳｉ）法を用いて、島状のポリシリコン以外をす
べて酸化してしまう方法が考えられるがこの方法は酸化
と同時に島状のシリコンを形成するものであり、５ｉｓ
Ｎ４ 形成に伴なう複雑な工程の増加や厚いＳｉＯ２を
形成する必要がある為、高温、長時間の酸化が必要とな
る。この為、この様な複雑化したプロセスは高密度化さ
れたＬＳＩのプロセスに対しては、不純物拡散等の現象
が大きく変動する為、好ましくない。
−ザで溶融すると、ＡｐｐＬ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ３８
（３）１９８１ Ｐ２Ｓ５でり、に、Ｂｉｅｇｅｌｓｅ
ｎ等が報告しているように、ポリシリコンが流れ出して
バター７がくずれてしまう。そこで、この流れ出しを防
ぐ為に、ＬＯＧＯ３（ｌｏｃ＆ｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ
ｏｆＳｉ）法を用いて、島状のポリシリコン以外をす
べて酸化してしまう方法が考えられるがこの方法は酸化
と同時に島状のシリコンを形成するものであり、５ｉｓ
Ｎ４ 形成に伴なう複雑な工程の増加や厚いＳｉＯ２を
形成する必要がある為、高温、長時間の酸化が必要とな
る。この為、この様な複雑化したプロセスは高密度化さ
れたＬＳＩのプロセスに対しては、不純物拡散等の現象
が大きく変動する為、好ましくない。
本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、簡単な方
法でもって、この島状の多結晶（又は非結晶）シリコン
膜の流れ出しを防止する方法を提供するものである。す
なわち、本発明はあらかじめ島状に形成したポリシリコ
ンのまわりを酸化膜によりとり囲んだ状態で、レーザ又
は電ｒ−ビームによるポリシリコンの溶融をおこなうも
のでちる。
法でもって、この島状の多結晶（又は非結晶）シリコン
膜の流れ出しを防止する方法を提供するものである。す
なわち、本発明はあらかじめ島状に形成したポリシリコ
ンのまわりを酸化膜によりとり囲んだ状態で、レーザ又
は電ｒ−ビームによるポリシリコンの溶融をおこなうも
のでちる。
次に、実際の工程図にそって本発明の説明を行なう。第
１図〜第３図は、３種類の本発明の一丁二程を示すもの
である。まず第１図（Ａ）においてンリコン半導体基板
１の１−に絶縁膜としての５ｉＯ２２を形成後、多結晶
シリコンを堆積し、数＋７１ ｍ〜数百μｍの島にエツ
チングして多結晶シリコンの島３を形成する。次に第１
図（Ｂ）に示すように、多結晶シリコン３を熱酸化して
その表面に酸化１ｑ（ＳｉＯ２）４を１０００Ａ以上形
成する。条件としては、Ｗｅ ｔｏ ２ 酸化で９００
″０２時間程度で１００ＯＡの酸化膜４の形成が可能で
ある。第１図（Ｃ）において、高いエネルギー密度をも
つレーザ等ノビ−ムロを照射して多結晶シリコ／３を（
Ｒ融するこの酸化膜４ば、レーザのパワーヲホとんど吸
収せずしかも融点が高い為ポリシリコン３が溶融シても
溶けることはなく、ポリシリコン３の流れ出しの壁とな
る。こうして、第１図（Ｄ）に示す様に粒径の大きな単
結晶に近いシリコン結晶の島３′をつくる。ここで用い
るレーザば、５１０２や５ｉｓＮａ にはほとんど吸収
されずＳｉに強く吸収されるＡｒレーザ、 Ｋｒレーザ
、ＹＡＧレーザ等域 の連絡発振型のものが好ましい。そしてこの島３′の部
分に様々な半導体素子を作り込むことにより、半導体集
積回路が作成できる。尚、半導体基板１中にも第１層目
の半導体素子を作り込んであるもこに半導体素子を形成
することにより多層構造の半導体ＩＣを形成することが
可能である。
１図〜第３図は、３種類の本発明の一丁二程を示すもの
である。まず第１図（Ａ）においてンリコン半導体基板
１の１−に絶縁膜としての５ｉＯ２２を形成後、多結晶
シリコンを堆積し、数＋７１ ｍ〜数百μｍの島にエツ
チングして多結晶シリコンの島３を形成する。次に第１
図（Ｂ）に示すように、多結晶シリコン３を熱酸化して
その表面に酸化１ｑ（ＳｉＯ２）４を１０００Ａ以上形
成する。条件としては、Ｗｅ ｔｏ ２ 酸化で９００
″０２時間程度で１００ＯＡの酸化膜４の形成が可能で
ある。第１図（Ｃ）において、高いエネルギー密度をも
つレーザ等ノビ−ムロを照射して多結晶シリコ／３を（
Ｒ融するこの酸化膜４ば、レーザのパワーヲホとんど吸
収せずしかも融点が高い為ポリシリコン３が溶融シても
溶けることはなく、ポリシリコン３の流れ出しの壁とな
る。こうして、第１図（Ｄ）に示す様に粒径の大きな単
結晶に近いシリコン結晶の島３′をつくる。ここで用い
るレーザば、５１０２や５ｉｓＮａ にはほとんど吸収
されずＳｉに強く吸収されるＡｒレーザ、 Ｋｒレーザ
、ＹＡＧレーザ等域 の連絡発振型のものが好ましい。そしてこの島３′の部
分に様々な半導体素子を作り込むことにより、半導体集
積回路が作成できる。尚、半導体基板１中にも第１層目
の半導体素子を作り込んであるもこに半導体素子を形成
することにより多層構造の半導体ＩＣを形成することが
可能である。
第２図は、第１図と（Ａ） 、 （Ｂ）の工程は同様で
あるが、同図（Ｃ）工程でポリシリコン３の平担部上の
酸化膜４をフォトエツチング法にてエツチング除去し、
ポリシリコン３の側面にのみ酸化膜６を残しテ、高エネ
ルギービーム６でポリシリコン３を溶融させて粒径の大
きな結晶とするものである。この酸化膜６は、ポリシリ
コン３の溝方向の流れ出しを防ぐために必要な為壁の部
分のみあればこの目的が達せられる。
あるが、同図（Ｃ）工程でポリシリコン３の平担部上の
酸化膜４をフォトエツチング法にてエツチング除去し、
ポリシリコン３の側面にのみ酸化膜６を残しテ、高エネ
ルギービーム６でポリシリコン３を溶融させて粒径の大
きな結晶とするものである。この酸化膜６は、ポリシリ
コン３の溝方向の流れ出しを防ぐために必要な為壁の部
分のみあればこの目的が達せられる。
第３図は、第１図では熱酸化を行なって酸化膜４を形成
するのに対して、ＣＶ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐ
ｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって酸化膜を形
成するものである。まず、第３図（Ａ）の如く、第１図
。
するのに対して、ＣＶ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐ
ｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって酸化膜を形
成するものである。まず、第３図（Ａ）の如く、第１図
。
第２図（Ａ）と同様に島状のポリシリコン膜３形成後５
１０２又は５ｉｓＮａ 膜８を全面に形成する。（同図
Ｂ）そして同図（Ｃ”ｌの様に写真食刻法により、９に
示すポリシリコン膜３上の絶縁膜８を工・ノチ／グしで
し捷う。そしてその上から、高エネノ棗、ギー密度ビー
ム６によって照射を行ない、島状ポリシリコン膜３を溶
融させてシリコン粒径の大きい島状のシリコン領域３′
を形成する。
１０２又は５ｉｓＮａ 膜８を全面に形成する。（同図
Ｂ）そして同図（Ｃ”ｌの様に写真食刻法により、９に
示すポリシリコン膜３上の絶縁膜８を工・ノチ／グしで
し捷う。そしてその上から、高エネノ棗、ギー密度ビー
ム６によって照射を行ない、島状ポリシリコン膜３を溶
融させてシリコン粒径の大きい島状のシリコン領域３′
を形成する。
尚、本実施例（第１図〜第３図）の場合、１７１ｍ波長
以下の光やレーザを用いているので８１０２や５ｉ３Ｎ
ａ にはエネルギーが吸収されず、ポリシリコノ膜３
の部分のみで吸収される。特に、第３図の実施例の場合
、エネルギーは厚い＝絶縁膜９があるので減衰し、半導
体基板１の溶融は全く起きない。また、高エネルギービ
ーム金電子ビームを用いる場合には物質により吸収係数
がほとんど変わらない為表面で吸収され、半導体基板１
の影響はより少ない。
以下の光やレーザを用いているので８１０２や５ｉ３Ｎ
ａ にはエネルギーが吸収されず、ポリシリコノ膜３
の部分のみで吸収される。特に、第３図の実施例の場合
、エネルギーは厚い＝絶縁膜９があるので減衰し、半導
体基板１の溶融は全く起きない。また、高エネルギービ
ーム金電子ビームを用いる場合には物質により吸収係数
がほとんど変わらない為表面で吸収され、半導体基板１
の影響はより少ない。
実際に、１／１ｍの酸化膜２上に、０．６ＩｌＩＱノホ
島 リンリコンを堆積して約３０／ｌ ｍ Ｘ ４０／ｉ
ｍの昔にのこし、それに１００ＯＡのＷｅ ｔｏ ２
酸化を行なって酸化膜４を形成する。そのまま、ＧＷ−
Ａｒレーザ８〜９Ｗの出力で焦点距離５ｍのレンズで絞
って３６０’Ｃの試料台にのせて、一方向へ３０ｍｍ１
ｓｅｃ、他方向へ１０１１ ｍピンチに送ることにより
、多結晶７リコン３の部分を完全に溶融した。
島 リンリコンを堆積して約３０／ｌ ｍ Ｘ ４０／ｉ
ｍの昔にのこし、それに１００ＯＡのＷｅ ｔｏ ２
酸化を行なって酸化膜４を形成する。そのまま、ＧＷ−
Ａｒレーザ８〜９Ｗの出力で焦点距離５ｍのレンズで絞
って３６０’Ｃの試料台にのせて、一方向へ３０ｍｍ１
ｓｅｃ、他方向へ１０１１ ｍピンチに送ることにより
、多結晶７リコン３の部分を完全に溶融した。
その結果、酸化膜４部分は溶融せずに、横方向の流れに
よるバター７くずれは、酸化膜によって全く生じること
なく、ポリシリコン粒が大きく成長し、島がほぼ１グレ
イ／の領域ゴになった。第２図、第３図に示す方法を用
いても、辛く（・・１縁の効果があり、この形成された
島３′に能動半導体素子を作成してンノグルンリコン並
の特性を得ることにおいて、加工上程におけるパターン
くすｉｔか小さい為に微細ＪＪｎ工が可能となり、かつ
高温、長時間の熱処理も不安で積層形高密度ＬＳＩの形
成に大きく寄与するものである。
よるバター７くずれは、酸化膜によって全く生じること
なく、ポリシリコン粒が大きく成長し、島がほぼ１グレ
イ／の領域ゴになった。第２図、第３図に示す方法を用
いても、辛く（・・１縁の効果があり、この形成された
島３′に能動半導体素子を作成してンノグルンリコン並
の特性を得ることにおいて、加工上程におけるパターン
くすｉｔか小さい為に微細ＪＪｎ工が可能となり、かつ
高温、長時間の熱処理も不安で積層形高密度ＬＳＩの形
成に大きく寄与するものである。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）、第２図（Ａ）〜（Ｃ）、第３図
（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明の実施例の島状シリコ
ンの製造工程断面図である。 ２・・・・・・絶縁膜、３・・・・・・島状ポリシリコ
ンｌｌか、３′・・・・・・島状ンリコノ領域、４，５
．９・・・・・・酸化膜、６・・・・・・高エネルギー
ビーム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２図
（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明の実施例の島状シリコ
ンの製造工程断面図である。 ２・・・・・・絶縁膜、３・・・・・・島状ポリシリコ
ンｌｌか、３′・・・・・・島状ンリコノ領域、４，５
．９・・・・・・酸化膜、６・・・・・・高エネルギー
ビーム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２図
Claims (3)
- （１）絶縁膜上に非晶質又は多結晶のシリコン膜を島状
に形成する第１の工程と、前記島状シリコン膜の少なく
とも側面に絶縁膜を形成する第２の工程と、エネルギー
ビームを前記島状シリコン膜に照射して、シリコンの粒
径を大きくする第３の工程とを備えたことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - （２） 第２の工程が、シリコン膜を熱酸化樗して島
状シリコン膜表面にシリコン酸化膜を形成する工程より
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置の製造方法。 - （３）第２の工程が、島状シリコン膜を含む表面上にＣ
ＶＤ絶縁膜を形成し、しかる後フォトエッチによシ前記
島状シリコン膜側面にのみＣＶＤ絶縁膜を残存させる工
程よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135729A JPS5837918A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135729A JPS5837918A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837918A true JPS5837918A (ja) | 1983-03-05 |
Family
ID=15158507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135729A Pending JPS5837918A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837918A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184517A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 積層型半導体装置の製造方法 |
| US6638800B1 (en) | 1992-11-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135729A patent/JPS5837918A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184517A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Agency Of Ind Science & Technol | 積層型半導体装置の製造方法 |
| US6638800B1 (en) | 1992-11-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US7799665B2 (en) | 1992-11-06 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4404735A (en) | Method for manufacturing a field isolation structure for a semiconductor device | |
| JPH0454370B2 (ja) | ||
| JPH0343769B2 (ja) | ||
| JPS63102265A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3321890B2 (ja) | 半導体結晶の形成方法及び半導体素子 | |
| JPS5814525A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6342417B2 (ja) | ||
| JPH02864B2 (ja) | ||
| JPS5880831A (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
| JPS6159820A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6017911A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5837919A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0629321A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS5918629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60189218A (ja) | 半導体集積回路基体の製造方法 | |
| JPS63265464A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6380521A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 | |
| JPH0472615A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6066416A (ja) | 半導体集積回路基体の製造方法 | |
| JPS5919312A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01138749A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0136972B2 (ja) | ||
| JPS6038809A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60158616A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63244755A (ja) | 導電層の形成方法 |