JPS5837929A - 半導体装置の電極を導出する装置 - Google Patents
半導体装置の電極を導出する装置Info
- Publication number
- JPS5837929A JPS5837929A JP56136763A JP13676381A JPS5837929A JP S5837929 A JPS5837929 A JP S5837929A JP 56136763 A JP56136763 A JP 56136763A JP 13676381 A JP13676381 A JP 13676381A JP S5837929 A JPS5837929 A JP S5837929A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode electrode
- semiconductor device
- semiconductor devices
- heat dissipation
- cap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仁の発明は半導体装置の電極を導出する装置に関する。
従来、電力用の半導体装置は定格の低いところで使いや
すい点からスタッド型・の半導体装置が多く趙いられて
いた。そして、その組立にはカソード電極のオーミック
コンタクトをはかるとと４にカソード電極側のＮ型不純
物層を形成するのが容易なアロイタイプで金・アンチモ
ンが用いられていた。ところが金は高価なため半導体装
置の価格を高騰させるという大きな欠点がある。このた
め、半導体素子の妓着をばねに頼る圧接タイプに切換え
が進みつつあるが、このタイプは第１図に示されるよう
に、半導体素子（１）の両主面に設けられた電極に熱緩
衝板（２） 、 （２’）等をばね（３）で弾接させ、
これらを樹上する外囲器の電極端子−（４Ａ）、（４Ｋ
）との接続をはかるものである。このような構造のため
、部品数も多い上に組立の煩雑な点から高価になる欠点
がある。ところが平型の半導体装置は第２図に示すよう
に１ばねを内装せず半導体素子（１つの両主面に般社ら
れた電極が熱緩衝板（２）。
すい点からスタッド型・の半導体装置が多く趙いられて
いた。そして、その組立にはカソード電極のオーミック
コンタクトをはかるとと４にカソード電極側のＮ型不純
物層を形成するのが容易なアロイタイプで金・アンチモ
ンが用いられていた。ところが金は高価なため半導体装
置の価格を高騰させるという大きな欠点がある。このた
め、半導体素子の妓着をばねに頼る圧接タイプに切換え
が進みつつあるが、このタイプは第１図に示されるよう
に、半導体素子（１）の両主面に設けられた電極に熱緩
衝板（２） 、 （２’）等をばね（３）で弾接させ、
これらを樹上する外囲器の電極端子−（４Ａ）、（４Ｋ
）との接続をはかるものである。このような構造のため
、部品数も多い上に組立の煩雑な点から高価になる欠点
がある。ところが平型の半導体装置は第２図に示すよう
に１ばねを内装せず半導体素子（１つの両主面に般社ら
れた電極が熱緩衝板（２）。
（２′）を介して外囲器の電極端子（４Ａ’） 、 （
４につに接続されるので構造が簡単である利点と、第３
図に示すように平型の半導体装置（５）Ｋ放熱フィン（
６）。
４につに接続されるので構造が簡単である利点と、第３
図に示すように平型の半導体装置（５）Ｋ放熱フィン（
６）。
（６′）を堆着けて両面から冷却できるため前記スタッ
ド型の同じ定格のものよりも半導体装置は小型にできる
利点を有する。しかし、この場合に放熱フィンが高価に
つく難点があるのでさらに改善された構造に対する要望
がある。次に叙上の半導体装置をもってスナバ−回路、
スタック結合等の電源回路の一部を構成する場合が多い
が、冷却フィンが附設して配置するので大きなスペース
を必要とし、かつ、構成にかかる手間が大きくまとまり
が悪いため後の点検、保守等に問題があった。
ド型の同じ定格のものよりも半導体装置は小型にできる
利点を有する。しかし、この場合に放熱フィンが高価に
つく難点があるのでさらに改善された構造に対する要望
がある。次に叙上の半導体装置をもってスナバ−回路、
スタック結合等の電源回路の一部を構成する場合が多い
が、冷却フィンが附設して配置するので大きなスペース
を必要とし、かつ、構成にかかる手間が大きくまとまり
が悪いため後の点検、保守等に問題があった。
この発明は上に述べた従来の半導体装置に対する欠点を
改良するためになされたものであって、複数個の平型半
導体装置を各々の７ノード電極と接触させて載置すると
ともＫこれらの電極を共通に導出する手段を備えた放熱
基部と、前記放熱基部上に各半導体装置を包むように取
着けられ友複数個のキャップ部と、前記各キャップ部の
内部にアノード電極とは電気絶縁されかつキャップ部を
介して半導体装置のカソード電極に対しばねで圧接させ
た一連のカソード電極導出端子板とを具備し、前記カソ
ード電極導出端子板は各カソード電極にばねのたわみ量
の飽和域内の弾力で弾接していることを特徴とする半導
体装置の電極を導出する装置である。
改良するためになされたものであって、複数個の平型半
導体装置を各々の７ノード電極と接触させて載置すると
ともＫこれらの電極を共通に導出する手段を備えた放熱
基部と、前記放熱基部上に各半導体装置を包むように取
着けられ友複数個のキャップ部と、前記各キャップ部の
内部にアノード電極とは電気絶縁されかつキャップ部を
介して半導体装置のカソード電極に対しばねで圧接させ
た一連のカソード電極導出端子板とを具備し、前記カソ
ード電極導出端子板は各カソード電極にばねのたわみ量
の飽和域内の弾力で弾接していることを特徴とする半導
体装置の電極を導出する装置である。
以下にこの発明を１実施例につき図面を参照して詳細に
説明する。第４図および第５図け１実施例の装置の一部
、箪６図は２連のものを夫々示し、図中Ｕυは放熱基部
の一部で下部は放熱フィン（ｌｌｂ）に形成されるとと
もに電極端子を兼ね、上面（ｌ１ｍ）は平型のダイオー
ド（５）・・・をその各アノード電極（４Ａ’）・・・
を接触させて載せる。また、上記上面（ｌ１ｍ）には、
ダイオード（５）・・・を包むようにキャップ部輪・・
・が夫々ねじ（（１３ｍ）・・・（１３ｄ））・・・で
締めつけられる。
説明する。第４図および第５図け１実施例の装置の一部
、箪６図は２連のものを夫々示し、図中Ｕυは放熱基部
の一部で下部は放熱フィン（ｌｌｂ）に形成されるとと
もに電極端子を兼ね、上面（ｌ１ｍ）は平型のダイオー
ド（５）・・・をその各アノード電極（４Ａ’）・・・
を接触させて載せる。また、上記上面（ｌ１ｍ）には、
ダイオード（５）・・・を包むようにキャップ部輪・・
・が夫々ねじ（（１３ｍ）・・・（１３ｄ））・・・で
締めつけられる。
このキャップ部は例えばガラスせんい入すの合成樹脂（
エポキシ樹脂）でモールド形成され、かつ、その脚部は
放熱基部の上面（ｌ１ｍ）との間に締め代として隙間（
ｇ）が設けられている。また、１個のキャップ部につい
てみると、キャップ部の内部ではダイオードのカソード
電極（４に’）に一連のカソード電極導出端子板α（の
一部が皿げねａ９の弾力によって圧接されており、上記
カソード電極導出端子板はキャップ部α２から両側方お
よびこれと直角の方向に突出し配線を施すことができる
。図では側方へ突出し念一方は隣接の半導体装置のカソ
ード電極に接続する。
エポキシ樹脂）でモールド形成され、かつ、その脚部は
放熱基部の上面（ｌ１ｍ）との間に締め代として隙間（
ｇ）が設けられている。また、１個のキャップ部につい
てみると、キャップ部の内部ではダイオードのカソード
電極（４に’）に一連のカソード電極導出端子板α（の
一部が皿げねａ９の弾力によって圧接されており、上記
カソード電極導出端子板はキャップ部α２から両側方お
よびこれと直角の方向に突出し配線を施すことができる
。図では側方へ突出し念一方は隣接の半導体装置のカソ
ード電極に接続する。
次にこの装置の組立て方法を説明する。まず、放熱基部
ａυを定置し、その上面（ｌ１ｍ）にダイオード（５）
・・・を各アノード電極（４Ａ’）・・・を接触させて
載せる。次にダイオードのカソード電極（４に’）上に
カソード電極導出端子板Ｉを、さらに皿ばね０！１９・
・を順次載せたのちキャップ部αり・・・で覆う。前記
各キャップ部の上面の４隅に設けられているねじ（（ｔ
ａａ）（１３ｄ））を操作してこれらキャップ部を放熱
基部に押しつけて行く。この間キャップに内装された皿
ばねα９・・・の弾力に抗して締結して前記隙間（ｇ）
を零に、す力わち、キャップ部の下端を放熱基部の上面
に密接させる。このとき、皿ばねを締付けて生ずるたわ
み量とこれによシ発生する弾力との相関は第７図に示す
ように、たわみ量がある値を超えると発生する弾力は飽
和する。したがって、上述のキャップ部を放熱板に密接
させた状態がたとえｍ成する部品の長さ寸法のばらつき
によって皿ばねに過大な、たわみが加えられても、発生
する弾力が半導体装置を破損する加圧力に至らない。
ａυを定置し、その上面（ｌ１ｍ）にダイオード（５）
・・・を各アノード電極（４Ａ’）・・・を接触させて
載せる。次にダイオードのカソード電極（４に’）上に
カソード電極導出端子板Ｉを、さらに皿ばね０！１９・
・を順次載せたのちキャップ部αり・・・で覆う。前記
各キャップ部の上面の４隅に設けられているねじ（（ｔ
ａａ）（１３ｄ））を操作してこれらキャップ部を放熱
基部に押しつけて行く。この間キャップに内装された皿
ばねα９・・・の弾力に抗して締結して前記隙間（ｇ）
を零に、す力わち、キャップ部の下端を放熱基部の上面
に密接させる。このとき、皿ばねを締付けて生ずるたわ
み量とこれによシ発生する弾力との相関は第７図に示す
ように、たわみ量がある値を超えると発生する弾力は飽
和する。したがって、上述のキャップ部を放熱板に密接
させた状態がたとえｍ成する部品の長さ寸法のばらつき
によって皿ばねに過大な、たわみが加えられても、発生
する弾力が半導体装置を破損する加圧力に至らない。
この発明によれば、ノ」＼型で組立ての答易な平型の半
導体装置を用いて簡単に構成され、しかもスタッド型の
半導体装置の長所を兼備する構造体が得られるという顕
著な利点と、スタッド型の半導体装置に比し、半導体菓
子の保腰にすぐれている利点がある。次に複数個の低電
流定格の平型半導体装置を並列に締結して比較的大ｗｍ
を散出すことができ、回路への装着を容易にし、かつコ
ン／セクトに組立てることができる利点もある。
導体装置を用いて簡単に構成され、しかもスタッド型の
半導体装置の長所を兼備する構造体が得られるという顕
著な利点と、スタッド型の半導体装置に比し、半導体菓
子の保腰にすぐれている利点がある。次に複数個の低電
流定格の平型半導体装置を並列に締結して比較的大ｗｍ
を散出すことができ、回路への装着を容易にし、かつコ
ン／セクトに組立てることができる利点もある。
第１図はスタッド型のダイオードの断面図、第２図は平
型の半導体装置の断面図、第３図は平型の半導体装置と
これに取着される放熱フィンとの一部断面で示す側面図
、第４図祉ｌ実施例の一部の斜視図、第５図社第４図の
断面図、第６図は１実施例をさらにｉ明するための斜視
図、第７図は１集塵例に用いられる皿ばねの加圧力とた
わみ量との相関を示す線図である。 ４Ａ’ アノード電極 ４に’ カソード電極 ５ ダイオード １１ 放熱基部 １１ａ 放熱基部の上面 １２ 、１２’ キャップ部 １３ａ ・＝ １３ｄ 、 １３ａ ’・・１３ｄ’
、 −ねじ １４ を極導出端子板 １５ 皿はね 代理人 弁理士 井 上 −男 第２図 第 ３ 図 ψ 第４図 第 ５ 図
型の半導体装置の断面図、第３図は平型の半導体装置と
これに取着される放熱フィンとの一部断面で示す側面図
、第４図祉ｌ実施例の一部の斜視図、第５図社第４図の
断面図、第６図は１実施例をさらにｉ明するための斜視
図、第７図は１集塵例に用いられる皿ばねの加圧力とた
わみ量との相関を示す線図である。 ４Ａ’ アノード電極 ４に’ カソード電極 ５ ダイオード １１ 放熱基部 １１ａ 放熱基部の上面 １２ 、１２’ キャップ部 １３ａ ・＝ １３ｄ 、 １３ａ ’・・１３ｄ’
、 −ねじ １４ を極導出端子板 １５ 皿はね 代理人 弁理士 井 上 −男 第２図 第 ３ 図 ψ 第４図 第 ５ 図
Claims (1)
- 複数個の平型半導体装置を各々の７ノード電極と接触さ
せて載置するとともにこれらの電極を共通に導出する手
段を備えた放熱基部と、前記放熱基部上に各半導体装置
を包むように堆着杆られた複数個のキャンプ部と、前記
各キャップ部の内部にアノード電極とは電気絶縁されか
つキャップ部を介して半導体装置のカソード電極に対し
ばねで圧接させた一連のカソード電極導出端子板とを具
備し、前記カソード電極導出端子板は各カソード電極に
ばねのたわみ量の飽和域内の弾力で弾接していることを
特徴とする半導体装置の電極を導出する装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136763A JPS5837929A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の電極を導出する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136763A JPS5837929A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の電極を導出する装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837929A true JPS5837929A (ja) | 1983-03-05 |
Family
ID=15182930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56136763A Pending JPS5837929A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 半導体装置の電極を導出する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837929A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068275A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-07 | ||
| JPS536767U (ja) * | 1976-07-01 | 1978-01-20 |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP56136763A patent/JPS5837929A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068275A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-07 | ||
| JPS536767U (ja) * | 1976-07-01 | 1978-01-20 |
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