JPS5838261A - 新規な1,3−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法 - Google Patents

新規な1,3−二置換イミダゾ−ル誘導体及びその製造方法

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JPS5838261A
JPS5838261A JP56135892A JP13589281A JPS5838261A JP S5838261 A JPS5838261 A JP S5838261A JP 56135892 A JP56135892 A JP 56135892A JP 13589281 A JP13589281 A JP 13589281A JP S5838261 A JPS5838261 A JP S5838261A
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Kinji Iizuka
飯塚 欣二
Tetsukiyo Kamijo
上條 哲聖
Ryoji Yamamoto
亮治 山本
Hiroshi Harada
弘 原田
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Kissei Pharmaceutical Co Ltd
Ono Pharmaceutical Co Ltd
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Kissei Pharmaceutical Co Ltd
Kissei Yakuhin Kogyo KK
Ono Pharmaceutical Co Ltd
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    • C07D231/12Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to ring carbon atoms
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    • C07D249/02Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
    • C07D249/081,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な1.3−二置換イミダゾール誘導体Sよ
びその製造方法に関するものである。さらに詳しく述べ
nば、本発明は医薬品として有用なイミダゾール誘導体
の重要な合成中間体である、一般式 〔式中のAgよびBは同じでも異なっていてもよく、そ
れぞれ炭素数1から8の直鎖状または枝分れ状アルキレ
ン鎖またはアルケニレン鎖であり、Dは炭素数2から1
0のアシル基、炭素数2から7のアルコキシカルボニル
基あるいは炭素数3から13のジアルコキシメチル基で
あり、Qdシアノ基または炭素数2から7のアルコキシ
カルボニル基であり、Xは酸残基であり、Zは−Y、C
Ej(ただし、Eは水素原子、I・ロゲン原子、炭素数
1から6のアルキル基または炭素数1から6のアルコキ
シ基であり、Yは酸素原子またはイオウ原子であり、こ
の場合YはA、Bのいずれと結合してもよい)であり、
nはOまたは1である。ただL Y 7!l″−Bに結
合する場合nは0でな(・〕で表わさnる1、3−二置
換イミダゾール誘導体Sよびその製造方法に関するもの
である。
特開昭55−28927、特開昭55−85572、特
開昭55−100368に2いて、一般式 (式中のルは水素原子またレエ低級アルキル基であり、
A、、t3、ngよび2は前記と同じ意味をもつ)で表
わさnるイミダゾール誘導体および薬理学的に許容され
る塩がトロンボキサノ・シンセターゼ(Thrombo
xane ・5ynthetase )に対し強力な阻
害活性を有し、トロンボキサ7 A、’(Thromb
oxane A2) K起因する疾患の治療薬として有
用であることが開示されている。これらの特許出願にお
いては前記一般式(It)で表わされる化合物の製造方
法として、式 で表わさnるイミダゾールと、一般式 X−A−Z−(B) −COOR(■)(式中(7)A
、B、n、R,Xi6よびZは前記と同じ意味をもつ)
で表わされる化合物とを反応させる方法が開示されてい
る。
しかしながら、上述の方法によって前記一般式(11)
で表わされる化合物を製造する場合、四級イミダゾリウ
ム誘導体、すなわち一般式 (式中117)A、B、n、R,XsよびZは前記と同
じ意味をもつ)で表わされる化合物が副生じ、一般式(
I[)で表わされる化合物の収量および純度に多大な影
響をおよぼしていた。この前記一般式(V)で表わされ
るイミダゾリウム誘導体の副生をおさえる方法として、
原料の式(I[[)で表わされるイミダゾールを大過剰
用いる方法、水素化ナトリウムなどnも完全に副生t?
さえるものではなく、しかも過剰量の原料の浪費、危険
で取り扱いにくい試薬の使用などの欠点があり、工業的
製造方法として必ずしも満足できる方法ではない。
本発明者らはこのような問題点を解決すべく検討を重ね
た結果、一般式(I)で表わされる化合物から前記一般
式(U)で表わされる化合物がきわめて容易に、しかも
純度よく高収率で得られることを見出した。本発明はこ
のような知見にもとづくものであり、前記一般式(I[
)で表わされる化合物の重要な製造中間体とその製造方
法を提供するものである。
本発明の前記一般式(1)で表わされる化合物はきわめ
て容易に前記一般式(I[)で表わされる化合物に導び
くことかできる。すなわち、前記一般式(I)で表わさ
れる化合物を適量の水に溶解し、室温〜120℃で10
分〜3時間、酸または塩基で処理することにより前記一
般式(II)で表わされる化合物とすることができる。
本発明の前記一般式(I)で表わさnる化合物は、例え
ば一般式 (式中のDは前記と同じ意味をもつ)で表わさする化合
物と、一般式 X−A−Z−(B) −Q−(■) (式中のA、B、n、Q、 XHよびZは前記と同じ意
味をもつ)で表わさnる化合物とを反応させることによ
り製造することができる。この反応において原料として
用いられる一般式(Vi)で表わされるイミダゾール誘
導体は公知化合物であり、文献CJ、 Amer、 C
hem、 Soc、 74.6274 (1952) 
、 Angew、 Chem、 Int、 Ed。
Engl、 1.351 (1962) 、 Chem
、 Ber、 93.2804 (1960) 、 J
、 Org。
Chem、 45.4038 (1980) ]記載の
方法により容易に製造することができ、たとえば1−ア
セチルイミダゾール、1−7’ロピオニルイミタソール
、1−ベンゾイルイミダゾール、1−エトキシカルボニ
ルイミダゾール、1−ジェトキシメチルイミダゾールな
どをあげることができる。これらの化合物の中で、その
反応特性に8いて好ましいものは1−アシルイミダゾー
ル誘導体であり、最も好ましい化合物は1−アセチルイ
ミダゾールである。
また、前記一般式(■)で表わされる化合物も一般に公
知の化合物であり、文献記載の方法CJ、 Chem。
Soc、 103 (1942) 、 J、 Mad、
 Chem、込(4)、 511 (1964) 、 
J、 Med。
Chem、旦(3)、 356  (1965)  、
  J、 Med、 Chem、  14(9)、 8
36  (1971)  。
Chem、 Abstr、 71. 、p21898a
 (1969)  )またはこれらの類似の方法により
容易に製造することができる。このような例として、た
とえば2−13−または4−クロロメチルフェノキシア
セトニトリル、2−13−または4−ブロモメチルフェ
ノキシアセトニトリル、2−.3−または4−ヨートメ
モルフエノキシアセトニトリル、2−(2+−,3−ま
たは4−クロロメチルフェノキシ)フロビオニトリル、
2−(2−、3−マたは4−ブロモメチルフェノキシ)
プロピオニトリル、2−(2−13−または4−ヨード
メチルフェノキシ〕フロビオニトリル、2−(2−13
−または4−クロロメチルフェノキシ)インブチロニト
リル、2−(2−13−または4−ブロモメチルフェノ
キシ)イソブチロニトリル、2−(2−13−または4
−ヨードメチルフェノキシ)イソブチロニトリル、2−
(2−、3−マタ&’!、 4−クロロメチルフェニル
チオ)インブチロニトリル、2−(2−13−または4
−ブロモメチルフェニルチオ)インブチロニトリル、2
−(2−13−または4−ヨードメチルフェニルチオ)
イソブチロニトリル、4−クロロ−2−クロロメチルフ
ェノキ−ジアセトニトリル、4−クロロ−2−ブロモメ
チルフェノキシアセトニトリル、4−クロロ−2−ヨー
ドメチルフェノキシアセトニトリル、2−メトキシ−4
−p o 。
メチルフェノキシアセトニトリル、企−メトキシ−4S
ブロモメチルフエノキシアセトニトリル、2−メトキシ
−4−ヨードメチルフェノキシアセトニトリル、2−1
3−または4−(2−ブロモニルオキシエトキシ〕ベン
ゾニトリル、4−(2−ブロモエトキシ)シンナモニト
リル、4−(2−ヨードエトキシ)シンナモニトリル、
4−(2−p−)ルエンスルホニルオキシェトキシ)シ
ンナモニトリル、3−[4=(2−ブロモエトキシ)フ
ェニル〕シロビオニトリル、3−C4−(2−ヨードエ
トキシ)フェ゛ニル〕プロピオニトリル、3−〔= −
(’2−p−トルエンスルホニルオキシエトキシ)フェ
ニル〕プロピオニトリル、4−(3−ブロモプロポキシ
)ベンゾニトリル、4−(3−ヨードプロポキシ)ベン
ゾニートリル、4−(3−p−トルエンスルホニルオキ
シシロボキシ)ベンゾニトリルなどのニトリル誘導体お
よび対応するカルボン酸の低級アルキルエステル誘導体
をあげることができる。
本発明の前記一般式(I)で表わされる化合物の製造方
法は以下のようにして実施することができる。
ルム、塩化メチレン、ベンゼン、トルエン、アセトニト
リル中、好ましくはアセトニトリル中で、室温〜120
℃で30分〜−夜かきまぜる。反応終了後、必要により
反応t1.に、あるいは減圧下に溶媒を留去した後残留
物に、適当な有機溶媒、たとえばエチルエーテルを加え
、析出する結晶または結晶性粉末なろ取し乾燥して目的
物を優る。
この反応においては前記一般式(V)に対応する副生成
物はほとんどなく、また目的生成物が反応系において塩
の形で析出するために単離、精製が容易で、不純物もほ
とんど混入しない。さらに反応が中性条件下で行なわれ
、かつ反応条件が緩和であるため副反応がきわめて少な
く、目的物が高収率で得らnる。さらにまた、本反応は
等モルの原料を使用し、いずれか一方の原料のみを過剰
量用いて浪費することがないので製造コストが廉価であ
る。本発明の前記一般式(I)で表わされる化合物記一
般式(II)で表わされる化合物がきわめて高収率で、
しかも非常に純度のよいものが得られる。
このように本発明の前記一般式(1)で表わされる化合
物から前記一般式(It)で表わされるイミダゾール誘
導体を製造する方法は、従来の方法に比べて目的生成物
の純度、収率、反応条件、反応操作、製造コスト等多(
の点できわめて優nた方法であり、工業的製造方法とし
て有用性の高い製造方法である。
本発明の前記一般式(I)で表わされる化合物としては
、たとえば1−アセチル−3−C2−(エトキシカルボ
ニルフェノキシ)ベンジルコイミダゾリウムプロミド、
1=−アセチル−3−[4−(エトキシカルボ二゛ルメ
トキシ)ベンジルコイミダゾリウムプロミド、1−アセ
チル−3−C4−(シアノメトキシ)ベンジルコイミダ
ゾリウムヨーシト、1−アセチル−3−[4−(1−エ
トキシカルボミダゾリウムプロミド、−1−アセチル−
3−〔2−(エトキシカルボニルメトキシ)−5−10
ルベンジタ−〕イミダゾリウムプロミド、1−アセチル
−3−(3−メトキシ−4−(エトキシカルボニルメト
キシ)ベンジルコイミダゾリウムヨーシト、1−アセチ
ル−3−(4−(2−エトキシカルボニル−2−プロピ
ルチオ)ベンジルコイミダツリウムプロミド、1−アセ
チル−3−C2−(4−エトキシカルボニルフェノキシ
)エチル]イミダゾリウムヨーシト、1−ア七千ルー3
−〔2−(4−シアノフェノキシ)工千ル〕イミダゾリ
ウムヨーシト、1−アセチル−3−1:3−(4−エト
キシカルボニルフェノキシ)プロピル]イミダゾリウム
ヨーシト、1−ベンゾイル−3−[4−(2−エトキシ
カルボニル−2−プロポキシ)ベンジルコイミダゾリウ
ムプロミド、1−エトキシカルボニル−3−(4−エト
キシ力ルボニ導びかれる前記一般式(I[)で表わされ
る化合物は、トロンボキサン・シンセターゼに対し強い
阻害活性を有し、強力なトロンボキサンへの生合成阻害
作用を示す。したがって、前記一般式(I[)で表ゎさ
れる化合物はトロンボキサンA2に起因する疾患の□ 治療薬としてきわめて有用であする。
\ 本発明の前記一般式(1)で表わゝされる化合物はきわ
めて容易に前記一般式(II)で表わされる化合物に導
びくことかできる。本発明の前記一般式(1)で表わさ
れる化合物から前記一般式(II)で表わされる化合物
を製造する方法は、従来の方法に比べ目的生成物の純度
が高く収率も良好であり、一方のみを過剰量興用するこ
とによる原料の浪費がないので製造コストが廉価であり
、さらに反応条件が緩和で危険な試薬の使用もなく安全
であり、反応操作が簡単で製造設備の簡略化が可能であ
るなど多くの点で工業的な製造方法としてきわめて優れ
た製−ル誘導体の製造中間体としてきわめて重要な化合
物である。
以下に実施例2よび参考例を用いて本発明をさらに詳細
に説明する。なお、各実施例2よび参考例中にある融点
はいずれも未補正である。
実施例 1 1−アセチルイミダゾール2.21と4−ブロモメチル
フェノキシ酢酸エチル5.4Qとを乾燥アセトニ) I
Jル5 mlに加え、60℃で2時間加熱する。
反応終了後減圧下に溶媒を留去し、残留物に乾燥エーテ
ルな加えてかきまぜ、析出する粉末、をろ取し、乾燥し
て1−アセチル−3−[4−(エトキシカルボニルメト
キシ)ベンジルコイミダゾリウムプロミド7.51を得
る(98.6%)。無色、吸湿性アモルファス。
赤外線吸収スペクトル(KBr ) νCO: 1770.1745crr1−”核磁気共鳴
スペクトル(d、 −DMSO)δ: 1.20(t、
 3H,J=7Hz ) 、  1.92(s、 3[
() 。
4.20(q、  2H,J=7Hz)  、   4
.82(sz  2H)。
5.45(s、 2H) 、  7.00(d、 2H
,J=9Hz ) 。
7.48(d、 2H,J=9Hz ) 、  7.7
3(m、 IH) +7.85(m、 It−1) 、
 9.40(m、 IH)実施例 2 1−ペンゾイルイレダゾー’A−1,71ト4−フ。
モメチルフエノキシイン酪酸比チル3.Oyとを乾燥ア
セトニトリル5 n1eに加え、室温で一夜かきまぜる
。反応終了後反応液に乾燥エーテルを加えてかきまぜ、
析出する粉末なろ取し、乾燥して1−ベンゾイル−3−
[4−(2−エトキシカルボニル−2−プロポキシ)ベ
ンジルコイミダゾリウムプロミド4.7zを得る(定量
的)。無色、吸湿性アモルファス。
赤外線吸収スペクトル(KBr ) νct’: 1780.1730crn−”核磁気共鳴
スペクトル(d、 −DMSO)δ  :  1.13
(t、  3H,J=7Hz )  、   1.50
(s、  6H)  。
4.15(q、2H,J=7Hz)、  5.42(S
、2H)。
6.80(d、2H,J=8Hz)、  7.12〜B
、02(m。
9t() ? 9.29 (rn、I H)実施例 3 1−アセチルイミダゾール2.21と4−(2−ブロモ
エトキシ)安息香酸エチル5.5L?とヨウ化ナトリウ
ム3.OfPとを乾燥アセトニトリル10m7!に加え
、封管中窒素置換下100℃で6時間加熱する。冷却後
不溶物をろ去し、ろ液を減圧下に濃縮し、残留物に乾燥
エーテルを加えてかきまぜ、析出する粉末をろ取し、乾
燥して1−アセチル−3−[2−(4−エトキシカルボ
ニルフェノキシ)エチル〕イミダゾリウムヨーシトロ、
2yを得る(72%)。無色、吸湿性アモルファス。
赤外線吸収スペクトル(KBr) νco:  1780. 1705Crn−’核磁気共
鳴スペクトル(d、−DMSO)δ: 1.30(t、
3H,J=7Hz)、  1.90(s、3H)。
4.30(q、 2H,J=7Hz ) 、 4.10
〜4.76(m。
J()、  7.07(d、2H,J=9Hz)、  
7.45(m、 IH) 、  7.67(m、 lH
) 、 7.92(d。
2H,J−9Hz ) 、  8.73(m、 If−
i)実施例 4 1−エトキシカルボニルイミダゾール1.4yと4−ク
ロロメチルフェノキシ酢酸エチル2,5 yとヨウ化ナ
トリウム1.71とを乾燥アセトニトリル5 mlに加
え、室温で6時間かぎまぜる。反応終了後不溶物をろ去
し、ろ液を・減圧下に嘴縮する。残留物に乾燥エーテル
を加えてかきまぜ、析出する粉末をろ取し、乾燥して1
−エトキシカルボニル−3−C4−(エトキシカルボニ
ルメトキシ)ベンジン〕イミダゾリウムヨーシト4.6
1を隷る(定量的)。無色、吸湿性アモルファス。
赤外線吸収スペクトル(KBr ) vco:  1795.175Qcrn−’核磁気共鳴
スペクトル(d、 −DMSO)δ: 1.13(t、
 3H,J=7Hz )、  1.35(t、 3H。
J ニア H2) t  4.15 (q 、2t(、
J==7Hz ) 。
4.53(q、2H9J=7H2)、4.77(s、2
H)。
5.48 (” 、2H) 、6.96 (d、2H,
J=8t(z ) 。
7.49(d、 2H,J=8Hz ) 、  7.9
4(’m、 II) +8.10(m、 IH)、 1
0.09(m、 LH)実施例 5 実施例1〜4の方法と実質上同様の方法により下記の化
合物をそれぞれ合成することができる。
参考例 1 1−アセチル−3−(4−(エトキシカルボニルメトキ
シ)ベンジルコイミダゾリウムプロミド7.51を水5
0 trtl LICffjカし、コf′Lに炭酸水素
ナトリウムを加えて弱アルカリ性にする。遊離する油状
物を′ンロロホルムで抽出し、水洗後無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去して4−(1−イミ
ダゾリルメチル)フェノキシ酢酸エチル4.31を得る
(83.9% )。淡黄色油状物質。
赤外線吸収スペクトル(neat ) νct: 175Qcrn−” 核磁気共鳴スペクトル(CDCl、 )δ: 1.30
(t、 3H,J=7Hz) 、 4.25(Q、 2
H。
J=7Hz ) 、4.55(S、2H) +  5.
10(s。
2H)、 6.77〜7.72(m、7H)元素分析値 C,、l(、,0,N、として Cチ   Hチ   N% 計算値  64.60   6.20   10.76
実測値  64.55   6.31   10.60
4−(1−イミダゾリルメチル)フェノキシ酢酸エチル
2.31を水酸化ナトリウム0.42yと水30罰との
溶液に加え室温で20分かきまぜる。
反応終了後反応液に希塩酸を加えて酸性とし、反応混合
物を減圧下に濃縮乾固する。残留結晶を水から再結晶し
て4−(1−イミダゾリルメチル)フェノキシ酢酸・塩
酸塩・−水和物2.41を得る(94.9チ)。無色、
針゛状晶。
融  点   92〜966C 赤外線吸収スペクトル(KBr) vco: 1755crr1−’ 核磁気共鳴スペクトル(d、 −DMSO)δ: 4−
67 (s 、2H) + 5.40 (s 、2f(
) 、6.88 (d。
2H)、  7.38(d、2H)、 7.60(t、
IH)。
7.75(t、 IH)、、 9.45(m、 IH)
元素分析値 C2,H□0.N、 、HCI・H,0としてCチ  
 I(チ  ・N% 計算値  50.27   5.27   9.73実
測値  50.16   5,22   9.85参考
例 2 1−アセチル−3−C2−(4−エトキシカルボニルフ
ェノキシ)エチル〕イミダゾリウムヨーシト1.37に
2N−塩酸100 mlを加え、80℃で2時間加熱す
る。冷却後活性炭処理をし、減圧下に溶媒を留去する。
残留物に7七トンを加え、析出する結晶をろ取し、乾燥
して4−[2−(1−イミダゾリル)エトキレ〕安息香
酸・塩酸塩0.64yを得る(79.0%)。無色、粒
状晶。
融点 230〜235°C 赤外線吸収スペクトル(KBr ) vco : 1675crn−” 核磁気共鳴スペクトル(d、 −DMSO)δ:4.4
5〜4.65 (m、 2H) 、  4.65〜4.
85(m。
2H)、  7.03(d、2H,J=8Hz)、 7
.74(m、 IH) 、  7.91(d、 2H,
J=8Hz ) 。
7.93(m、 It() 、 9.37(m、 IH
)元素分析値 C、、l(l、0.N、 、HCI  として6%  
   Hチ     Nチ 計算値  53.64   4.88    i 0.
43実測値  53.55.   4.68   10
.16特許出願人 キソセイ薬品工業株式会社 小野薬品工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)一般式 〔式中のAおよびBは同じでも異なっていてもよく、そ
    れぞれ炭素数1から8の直鎖状または枝分れ状アルキレ
    ン鎖またはアルケニレン鎖であり、■)は炭素数2から
    100アシル基、炭素d 2 o)ら7のアルコキシカ
    ルボニル基あるいは炭素数3から13のジアルコキシメ
    チル基テアリ、Qはシアノ基または炭素数2から7のア
    ルコキシカルボニル基であり、Xは1残基であり、〈友
    。 Zは −Y   (ただし、Eは水素原子、ハロゲン原
    子、炭素数1から6のアルキル基または炭素数1から6
    のアルコキシ基であり、Yは酸素原子またはイオウ原子
    であり、この場合YはA、Bのいずれと結合してもよい
    )であり、nは0または1である。ただしYがBに結合
    する場合nは0でない〕で表わされる1、3−二置換イ
    ミダゾール誘導体。 2)」般式 (式中のA、B%D、 E、、Q、n、Xお−よびYは
    前記と同じ意味をもつ)で表わされる特許請求の範囲第
    1項記載のイミダゾール誘導体。 3)前記一般式においてDがアシル基である特許請求の
    範囲第2項記載のイミダゾール誘導体。 4)前記一般式において1)がアセチル基である特許請
    求の範囲第3項記載のイミダゾール誘導体。 5)前記一般式にSいてDがベンゾイル基である特許請
    求の範囲第3項記載のイミダゾール誘導体。 6)一般式 (式中のA、B、D、E、Q、n、XzよびYは前記と
    同じ意味をもつ)で表わされる特許請求の範囲第1項記
    載のイミダゾール誘導体。 7)前記一般式においてDがアシル基である特許請求の
    範囲第6項記載のイミダゾール誘導体。 8)前記一般式に2いてDがアセチル基である特許請求
    の範囲第7項記載のイミダゾール誘導体。 9)前記一般式においてDがベンゾイル基である特許請
    求の範囲第7項記載のイミダゾール誘導体。 10)式 で表わされる特許請求の範囲第2項記載のイミダゾール
    誘導体。 11)式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダゾール
    誘導体。 12)式 で表わさnる特許請求の範囲第4項記載のイミダゾール
    誘導体。 13)式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダゾ−ル
    誘導体。 14)式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダゾール
    誘導体。 15)式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダゾール
    誘導体。 16)式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダゾール
    誘導体。 17)式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダゾール
    誘導体。 18)式 で表わされる特許請求の範囲第4項記載のイミダゾール
    誘導体。 19)式 で表わされる特許請求の範囲第5項記載のイミダゾール
    誘導体。 20)式 で表わさnる特許請求の範囲第8項記載のイごダゾール
    誘導体。 21)式 で表わさnる特許請求の範囲第8項記載のイミダゾール
    誘導体。 22)式 で表わされる特許請求の範囲第8項記載のイミダゾール
    誘導体。 23)一般式 (式中のDは炭素数2−から10のアシル基、炭素数2
    から7のアルコキシカルボニル基あるいは炭素数3から
    13のジアルコキシメチル基テある)で表わされるイミ
    ダゾール誘導体と、一般式 %式%) 〔式中のAgよびBは同じでも異なっていてもよく、そ
    れぞれ炭素数1.から8の直鎖状または枝分れ状アルキ
    レン鎖またはアルケニレン鎖であり、Qはシアノ基また
    は炭素数2から7のアルコキシカルボニル基であり、X
    は酸残基であハロゲン原子、炭素数1から6のアルキル
    基または炭素数1から6のアルコキシ基であり、Yは酸
    素原子またはイオウ原子であり、この場合YはA、Hの
    いずれと結合してもよい)であり、nは0または1であ
    る。ただしYがBに結合する場合nは0でない〕で表わ
    される化合物と?反応させることを特徴とする一般式 (式中のA、B、D、Q、X、Zgよびnは前記と同じ
    意味をもつ)で表わさnる1、3−二置換イミダゾール
    誘導体の製造方法。
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