JPS5839708A - 熱間静水圧プレス処理法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高温高圧ガス雰囲気下で金属あるいはセラミ
ックス粉末成形体の焼結、緻密化又は拡散接合等を行な
う、いわゆる熱間静水圧プレス処理（以下ＨＩＰ処理と
いう）に関する。

ＨＩＰ処理は、高温下で不活性ガスを圧力媒体として等
方的に被処理体を圧縮し、超硬合金の残留空孔を圧潰し
て除去したり、金属粉末、セラミックス粉末またはこれ
らの混合物から緻密な焼結体を製造したシ、あるいは金
属材料を拡散接合するための優れた方法として近年各方
面より頓に注目を集めている技術である。かかるＨＩＰ
処理に関して従来、二次圧媒を用いる方法（捌昭４７−
３０５０８号公報）、複雑な形状の金属カプセルを用い
る方法、ガラスカプセルを用いる方法（特公昭４６−２
７３１号公報）又は、予備成形体をガラス粒中に埋設し
てガラスを溶融させた後、高圧ガスで圧縮する方法（特
開昭５５−８９，４０５号公報）等、多くの提案がなさ
れている。これら既に提案された方法のうち、特に前記
特開昭５５−８９，４０５号公報に開示された方法は、
二次圧媒や被処理体を封入するだめの特殊なカプセル又
は気密なケーシング等を別途準備する必要がないこ−と
から極めて優れている。

しかし乍らこの方法によればガラス粉末中に埋め込んだ
予備成形体をＨＩＰ装置中で加熱して先ず溶融ガラスを
形成しなければならない。ところがガラス粉粒体を軟化
溶融するに必要な高温に迄昇温するに要する時間は、圧
力下と大気圧或いは減圧下とでは大きな差異があり、大
気圧下の場合は圧力下の場合より著しく長くなることが
知られている。例えば、１０００／ｃｇ／ｄの高圧アル
ゴンガスは、大気圧のアルゴンガスに比べて、数百倍の
密度を有するにも拘らず、その粘性は１．１〜３倍程度
に過ぎないため、激しい対流が生じ、対流熱伝導率が極
めて大きな値となり、炉内雰囲気から被処理体への熱伝
導率が著しく大きくなるのである。そこで炉内雰囲気ガ
スを高圧として加熱すると、加熱時間は短縮されるもの
の、溶融ガラス内部や予備成形体内部に高圧ガスが包蔵
される為、ＨＩＰ処理後の最終製品内部に実用上問題と
なる気孔或いは不良組織が生ずるおそれがある。従って
ガラス粉粒体の加熱溶融は真空乃至はだかだか大気圧程
度の不活性ガス雰囲気下で行なわなければならず、熱伝
導率の低下による昇温時間の増大に加えて、脱気、ガス
置換等に要する時間が更に加算され、比較的高価なＨＩ
ＰＩＰ装置業効率を著しく低下させ、製造コストを上昇
させる結果を招く。特に近時、製品の大型化に伴ない、
ＨＩＰ装置本体は大型化の傾向にあり、ＨＩＰサイクル
時間はますます増大するため、それを短縮する目的でコ
ンプレッサーの高能率化、大容量化、加熱装置の改善、
その他のＨＩＰＩＰ装置能率化手段が種々とられている
が、装置自体の改善にはおのずから限界があり、装置価
格も莫大なものとなる。

本発明は紙上の如き従来技術に付帯する種々の問題点を
解消する為に鋭意研究の結果完成されたもので、その目
的とする所は、溶融ガラスを二次圧力媒体とすると共に
それで被処理体を一次圧力媒体から遮断して行なうＨＩ
Ｐ処理において、特定の装置を用いてその特定された工
程を有機的に組合わせ機能させることにより、ＨＩＰサ
イクル時間を極度に短縮し、高価なＩ（ＩＰ装置の作業
効率を高め、以って生産性を著しく向上することにある
。

即ち、本発明者の到達した第一番目の発明は、予め所定
形状に成形された被処理体を溶融ガラスに浸漬した状態
で熱間静水圧プレス処理する方法において、坩堝内に充
填したガラス粉粒体中に前記被処理体を埋没し、該坩堝
を、加熱装置を備え且つ断熱構造体よりなる移動可能な
加熱炉内に装入し、次いで該加熱炉を雰囲気チェンバー
内に装入し、該チェンバー内雰囲気を所定雰囲気に調整
して前記加熱装置により該加熱炉内の坩堝を加熱して坩
堝内のガラスを軟化溶融させ、続いて該加熱炉をその炉
内温度を高温に保持したまま前記チェンバーから取り出
してそのまま高圧容器内に装入し、しかる後肢高圧容器
内に圧媒ガスを圧入すると共に前記加熱装置により該加
熱炉内を昇温して前記坩堝内の被処理体に熱間静水圧プ
レス処理を施し、該処理が完了すると被処理体を装入し
たまま前記加熱炉を高圧容器から取り出すことを特徴と
する熱間静水圧プレス処理法である。

又、第二番目の発明は、予め所定形状に成形された被処
理体を溶融ガラスに浸漬した状態で熱間静水圧プレス処
理する方法において、加熱装置を備え且つ断熱構造体よ
りなる移動可能な複数基の加熱炉と１基以上の雰囲気チ
ェンバー及び高圧容器とを用い、坩堝内に充填したガラ
ス粉粒体中に前記被処理体を埋没し、該坩堝を第一の加
熱炉内に装入し、次いで該加熱炉を雰囲気チェンバー内
に装入し、該チェンバー内雰囲気を所定雰囲気に調整し
て前記加熱装置により該加熱炉内の坩堝を加熱して坩堝
内のガラスを軟化溶融させ、続いて該加熱炉をその炉内
温度を高温に保持したまま前記チェンバーから取り出し
てそのまま高圧容器内に装入し、しかる後肢高圧容器内
に圧媒ガスを圧入すると共に前記加熱装置により該加熱
炉内を昇温して前記坩堝内の被処理体に熱間静水圧プレ
ス処理を施し、一方前記熱間静水圧プレス処理を行なっ
ている間に、ガラス粉粒体中に埋没した同様の被処理体
を収容した坩堝が装入された第二の加熱炉を雰囲気チェ
ンバー内に装入して前記同様に坩堝内のガラスの軟化溶
融を行ない、前記熱間静水圧プレス処理が完了して第一
の加熱炉を高圧容器から取り出した後、引続いて第二の
加熱炉をその炉内温度を高温に保持したまま高圧容器内
に装入する一連の工程を反覆することを特徴とする熱間
静水圧プレス処理法である。

本発明方法に適用される成形体としては、セラミックス
粉末や金属微粉末を目的とする所定の形状に成形した成
形体すなわち予備成形体が好適である。が、勿論それに
限られることはない。かかる予備成形体は、従来公知の
任意の手段、例えば射出成形、ラバープレス、押出し成
形、ポットプレス、ハイドロスタティックプレス等のい
ずれによっても成形することができ、通常材料の理論密
度の約６０〜９５チ程度の相対密度を有する。予備成形
時に有機質結合剤等の成形助剤を使用する場合は、予め
約１０００°Ｃ以下の温度で加熱処理を施しそれらを分
解気化せしめるなどにより、除去しておくことが好まし
い。又、予備成形体は機械加工等によって、その形状や
精度を整えておくことが、場合によっては必要となる。

更に両層の工程においてガラスの融着を防止し離型を扶
けるために予備成形体表面に例えば窒化硼素粉末等より
なる離型剤を塗布しておくととは特に好ましいことであ
る０ 上述の成形体を埋没し、後に加熱溶融されてガス不透過
性となりカプセル並びに二次圧媒としての役割を果すガ
ラス粉粒体としては、その成分が予備成形体の材料と反
意する成分を含まないことが好ましく、一般にはパイレ
ックス■ガラス、・（イコーＡガラス、シリカガラス等
の微細粉末又は粒状物が適用される。

成形体と、溶融した場合に該成形体を完全に蔽うに足る
量のガラス粉粒体とを充填する坩堝は、耐熱、耐酸化性
材料、例えばグラファイト、窒化硼素、モリブデン又は
炭化珪素等より々るものが適当であり、特にグラファイ
ト製のものは耐熱性並びに入手容易である点で有利であ
る。又ＨＩＰ処理後、坩堝内壁に残留付着した固化ガラ
スの離脱を容易ならしめるために、坩堝の内面形状を上
広がり状のチー・ミー面としておくことが良い。これら
の坩堝の少なくとも内側表面に、ガラスδの濡れによる
離型の困難を避けるため、窒化硼素粉末等よりなる離型
剤を塗布しておくことは好ましいことである。

ガラス粉粒体を充填し、その中に予備成形体を埋没した
坩堝は、電熱等の加熱手段を内蔵し、外周壁が断熱構造
体よりなる移動可能な加熱炉内に装入される。本発明方
法に好適に使用される加熱炉の一例を以下添付図面によ
り説明する。

第１図はかかる加熱炉の縦断面概要図である。

同図において、下部プラグ（１）上には電熱板よりなる
加熱要素（２）が断熱構造体（３）内に電気的絶縁状態
で内蔵され装設される。加熱要素（２）への電力供給は
、下部プラグ（１）に電気的絶縁かつ気密状態で設けら
れた電極（４）を通して行なわれる。加熱要素（２）を
含め処理室（５）を囲む断熱構造体（３）は、気体透過
性の小さな材料のほぼ同心の倒立型コツプ（６）及び（
７）、並びにそれらの間に充填されたセラミックスファ
イバーのような繊維状断熱材（８）によって構成され、
下部プラグ（１）に対し着脱自在に載置されている。又
、下部プラグ（１）上面は断熱材（９）で被覆されてお
り、処理室（５）の内外は断熱構造体（３）の一部に穿
設された透孔α１で連通され、更に処理室（５）内には
、下部プラグ（１）に設けられ且つノくルア’（ｌηニ
ヨって開閉される導管（２）から、断熱材（９）の開孔
Ｑ３を通って不活性ガス等の雰囲気ガスを供給し得るよ
うになっている。

上記の構成を有する加熱炉において、下部プラグ（１）
上に載置せる断熱構造体（３）を下部プラグ（１）より
持ち上げて、処理室（５）内を開放し断熱材（９）を介
して下部プラグ（１）上に坩堝を配置した後、断熱構造
体（３）′を下部プラグ（１）上に載置して処理室（５
）を閉鎖し準備を完了する。此の際、加熱炉に装入する
坩堝はその犬ささ並びに処理室（５）の容量に応じて適
宜の複数個とすることにより作業効率を増大し得ること
は言う迄もない。

このようにして坩堝を装入した加熱炉は、次いで雰囲気
チェンバー内に装入され、該チェンバー内雰囲気を所定
の雰囲気に調整して、前記加熱要素（２）によシ該加熱
炉内の坩堝を加熱して坩堝内のガラスを軟化溶融させる
。その工程を第２図を参照して更に詳述する。第２図は
加熱炉を雰囲気チェンバー内に装入した状態を示す縦断
面概要図である。同図において、底部が開放したシリン
ダー状の雰囲気チェンバーα→は、その下部が前記加熱
炉の下部プラグ（１）と気密に嵌合し得る様になって居
り、又その頂部には真空ポンプ（図示せず）に連結し得
る排気管α０が設けられる。図に示すように、雰囲気チ
ェンバー０４内に前記加熱炉を挿入し、下部プラグ（１
）を雰囲気チェ／バーα→の底部に嵌着固定して内部を
密封した後、排気管（ト）より真空吸引を行なうか又は
、排気しつつ導管ａ功より窒素ガス、アルゴンガス、ヘ
リウムガス等の不活性ガスを送入し処理室（５）の内部
を所定の雰囲気に置換する。真空吸引の場合は、バルブ
０埠を閉止しておけば透孔０１を通して処理室（５）の
内部も真空に置換することができる。又真空とした後、
バルブ０１）を開放し導管α匂より雰囲気ガスを供給す
れば、開孔α葎を通り処理室（５）及び雰囲気チェンバ
ーα→内部は雰囲気ガスを以って充満され、更に又排気
管Ｑつから雰囲気ガスの排出を行なえば、導管（イ）よ
り送入される雰囲気ガスは開孔Ｑ３、処理室（５）、透
孔Ｑ０を通過して、雰囲気チェンバー０４と加熱炉との
間隙に入り、排気管α時より排出される為、雰囲気ガス
の供給量と排出量とを適宜調節することにより、坩堝α
Ｑを任意所定の気圧下の雰囲気ガス流に曝すことができ
る。何れの場合も雰囲気チェンバーＱ→内部の圧力は、
被処理体中に多量のガスが吸蔵されないよう、略大気圧
以下とすることが望ましい。

上述のように雰囲気チェンバーα荀内を所定の雰囲気に
調整すると共に、加熱要素（２）に通電して坩堝０・を
加熱し、坩堝内のガラス粉粒体を軟化溶融させる。溶融
温度については、溶融ガラス中に埋没した成形体の複数
な形状の表面を溶融ガラスが極力内焦く覆うことができ
るように、溶融ガラスに充分小さい溶融粘度を与えるよ
うな高温であることが望ましく、例えばパイレックス■
ガラスの場合は少なくとも１０００　’Ｃ程度、シリカ
ガラスの一場合はその純度、組成に應して少なくとも１
．５００〜２０００°Ｃの高温が適用される。このよう
な高温に遭遇しても、処理室内は真空若しくは不活性ガ
ス雰囲気のある為、坩堝の酸化反応による変質、脆化は
実質的に生起することがない。

かくして成形体が溶融ガラスで完全に覆われて周囲の雰
囲気と遮断されるに至ったならば、雰囲気が真空の場合
はそれを適宜な不活性ガスで置換した上、下部プラグ（
１）を雰囲気チェンバー（１４）から離脱させ、坩堝０
ゆを収容した加熱炉と共に一体的に雰囲気チェンバー０
→から取り出し、そのまま素早く高圧容器内に装入して
ＨＩＰＩＰ処理す。加熱炉が高圧容器に装入された状態
を示す縦断面概要図である第３図についてこの工程を詳
述する。

第３図において、高圧容器は耐圧シリンダー〇ｅとその
上端を気密に閉塞する上部プラグ０Ｉとからなり、下端
に下部プラグ（１）を気密に嵌着することにより、内部
に高圧室翰が形成される。上部プラグθ値には圧媒ガス
供給並びに排出用の導管ｅ０が゛穿設されている。又、
この例においては上部プラグＱ場と下部プラグ（１）と
は作業中の離脱を防ぐためにプレス装置（イ）（イ）に
よって挟圧される。

かかる構造の装置において、内部が昇温状態にある加熱
炉を担持した下部プラグ（１）を耐圧シリンダー（至）
の下端に気密に嵌着することにより、加熱炉は高圧容器
中に装入配置される。パルプＱｌ）を閉止し圧媒ガスを
導管Ｑ◇から高圧室（１）へ圧入すると共に加熱要素（
２）に通電し加熱を続は炉内を昇温してＨＩＰＩＰ処理
なう。加圧は窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等
の不活性ガスを一次圧力媒体とし、少なくとも５００気
圧程度の高圧を以って又、温度は成形体塑性流動を起こ
すに必要な適宜な高温が採択される。Ｉ（ＩＰ処理の間
、溶融ガラスは成形体を完全に被覆し一次圧媒から遮断
するカプセルとしての役目を果たすと同時にそれ自体二
次圧媒の働きをし、成形体の組織中に実質的に侵入乃至
浸透することなく、緻密な焼結体又はボイドの無い理論
密度に近い成形体等を与える。

ＨＩＰＩＰ処理了した後、圧媒ガスを導管（ハ）より排
出し炉内圧力を常圧に戻した後、プレス装置（イ）＠を
撤去して、下部プラグ（１）を耐圧シリンダーα枠から
外し、加熱炉と一体的に高圧容器から取り外す。

処理室（５）内の温度が、内部の加熱装置や坩堝を大気
に曝すと酸化燃焼する温度の場合は、そのまま又は雰囲
気ガス中にて冷却し、大気圧下で固体ガラスと高密度に
焼結された前記成形体との塊りを坩堝から外し、再び大
気炉の中でガラスの大部分を溶融除去して、尚成形体表
面に残存するガラスをサンドブラスト等によシ取除く。

此の際、坩堝の内面を上広がりのテーパー状に形成し且
っ離型剤を塗布しである場合は固体ガラスと坩堝の分離
を頗る円滑に行なうことができる。

成形体とガラスのより好ましい分離方法としては、ガラ
スが尚依然として溶融状態にある間に成形体よシ分離す
る方法がある。分離する手段としては、坩堝を傾倒して
溶融ガラスを流し出すとか、成形体を帛り上げるとか任
意の手段を適用し得る。

最も好適な分離方法としては、予め坩堝内に底部に開口
部を有するざる状支持部材例えば簀の千秋、火格子状、
網状等の底部を備えた支持部材を敷設し、その上に成形
体を載置して、全体が溶融ガラスに浸漬した状態でＨＩ
ＰＩＰ処理ない、しかる後高温のまま坩堝を加熱炉から
取り出し、ガラスが溶融状態にある間に前記支持部材を
その内部の成形体と共に坩堝から取り出すことにより、
溶融ガラスの大部分を成形体から分離する方法がある。

このようにして分離回収されたガラスは粉砕して再び本
発明方法の実施に利用される。又、成形体の表面に予め
離型剤が充分塗布されている場合は、比較的容易にガラ
スを分離することができるが、離型剤が脱落した場合、
ガラスとセラミックス等の成形体表面とが濡れた場合、
又はガラスと成形体表面とが反応した場合等には成形体
表面にガラスが皮膜状に付着残留することがある。それ
らのガラスは、サンドブラスト等の機械的手法、又は弗
酸等による化学的処理で除去する。

以上・詳述した第一番目の本発明方法にあっては移動可
能な加熱炉を雰囲気チェンノく−と組合わせることによ
ってガラスの軟化溶融を行ない、引続いて該加熱炉を高
圧容器と組合わせてＨＩＰＩＰ処理なう為、高価なＨＩ
Ｐ装置内でガラスの溶融とＨＩＰＩＰ処理方を連続して
行なう従来の方法に比し、ＨＩＰ装置の占有時間が著し
く短縮され、Ｉ（ＩＰ処理のサイクルタイムを極度に小
さくすることができる。この様な発明を更に発展せしめ
、複数の加熱炉と１基以上の雰囲気チェンバー及び高圧
容器とを巧妙に組合わせ、所定のプログラムによって工
程を合理化し高能率のＨＩＰ処理法の実現を可能とした
第二番目の発明を以下図面について説明する。

第４図は本発明の一態様を示す概要説明図である。同図
中、軌道（ホ）上を走行し得る搬送台車（ハ）から昇降
自在に懸架された支承台（ハ）には前記第１図に示した
加熱炉（ホ）が搭載される。軌道（ハ）の上方には軌道
（イ）に沿って１個以上の雰囲気チェンバー０→０イ及
び高圧容器■が列設される。雰囲気チェンノ４−０Φ０
４及び高圧容器（財）はそれぞれ第２図及び第３図に示
したものと同様の構造を有する。この例にあっては３基
の加熱炉、即ち坩堝装入準備中の第一の加熱炉（ホ）、
雰囲気チェンバー０４中に装入されている第二の加熱炉
（ホ）及び高圧容器■中に装入されている第三の加熱ラ
ミと、２基の雰囲気チェ／バーｏ４ａｆｔｒと、１基の
高圧容器（ロ）とが用意されている。又高圧容器に）の
上部プラグと下部プラグとを挟圧するプレス装置＠ｉは
台車（ホ）上に搭載されて軌道翰上を走行し退避位置に
移動することができる０ このような構成の装置において、第一の加熱炉（ホ）内
に既述の手順に従ってガラス粉粒体と予備成形体とを収
容した坩堝を装入した後、該加熱炉（ホ）を雰囲気チェ
ンバー（１４１の直下に位置せしめ、昇降装置を作動し
て加熱炉（ホ）を上昇させ、雰囲気チェンバー０４に挿
入して、下部プラグ（１）と雰囲気チェンバーＱ４の底
部とを気密に嵌合させる。この状態で既述の手順に従っ
て炉内雰囲気の調整と昇温とを行ないガラス粉粒体を軟
化溶融する。

一方、その間に高圧容器（財）中ではＨＩＰＩＰ処理了
し、略々同時に雰囲気チェンバー０４内では第二の加熱
炉ｉ中のガラス溶融作業が終了している。

そこで搬送台車（財）を用いて夫々の加熱炉〆一の取り
出し作業が行なわれ、第三の加熱炉ｄを取り出しだ後の
高圧容器■中に直ちに第二の加熱炉（ホ）が装入されて
ＨＩＰＩＰ処理始する。又第三の加熱炉關内の坩堝は、
新たに処理を受ける坩堝と交換された後、雰囲気チェン
バーＱ４に装入されてガラス溶融工程に付される。

上記一連の工程を順次行なうに当り、高圧容器における
ＨＩＰ処理時間が、雰囲気チェンバー内における溶融処
理時間の略々賜となるように諸条件を選定し、各加熱炉
の昇温、装脱、移送プログラムを適宜に設定すれば、Ｈ
ＩＰＩＰ処理小のインターバルを以って相次いで効率よ
く行なうことができる。

以上詳述した通り、従来法にあってはＨＩＰ装置の中で
固体ガラス粉粒体に埋め込んだ成形体を、低圧で長時間
加熱してガラスを溶融し、次いで窒素ガス、アルゴンガ
ス、ヘリウムガス等で加圧するため、高圧下の加熱に適
する構造のＨＩＰ装置による低圧加熱が非常に長い時間
を要し、その間ＨＩＰ装置が占有されるのに比し、本発
明方法では加熱炉啼移動可能とし、低圧加熱を別途雰囲
気チェンバーで行なうようにしたから、ＨＩＰ炉の占有
時間が著しく短縮されると共に昇温状態にある加熱炉を
高圧容器に装入し直ちに加圧工程に入シ得ることは、Ｈ
ＩＰ処理後、高圧容器内を都度冷却する必要がないこと
と相俟って、ＨＩｐ処理のサイクルタイムを減少し、稼
働率並びに効率を著しく向上することに役立つものであ
る。

次に本発明を実施例について説明する。

実施例 平均粒径１．５μｍの窒化珪素粉末を静水圧プレス装置
にて３０００　ｋｙｆ／１４の圧力で成形し、相対密度
６０チの成形体を作った。次いで成形体表面に窒化硼素
粉末を塗布し、これを内面に上広がり状のテーパーを有
し且つ窒化硼素粉末を塗布しだグラファイト坩堝の中に
、次の組成を有するパイＪツクス■ガラス粉末に埋め込
んだ形で配置した。

５ｉ０２　　　　　８０．７５重量％ Ｂ２ｏａ　　　　　　　１２．００　　　”Ｎａ２Ｏ４
，１０” Ｋ２Ｏ０，１０１ Ｏａ０　　　　　　　　　　０．３０　　　　＃Ａ１２
０８２．２０　　１ Ａｓ２０８　　　　　０．４０　　　＃坩堝ごと第１図
に示した加熱炉に配置し、更に該加熱炉を第２図に示す
ように雰囲気チェンバーに装入した。雰囲気チェンバー
を一旦真空にした後、略々大気圧の窒素ガスを流し乍ら
加熱要素に通電して約６時間を要して１２００℃迄昇温
し、３０分間その温度に保持した。次いで加熱炉を第３
図に示す高圧容器に装入し、アルゴンガスを加圧注入す
ると共に１８００°Ｃまで昇温し、圧力を１０００ｋｑ
ｆ／ｃｔＡとした。１時間その状態に保持した後、降圧
し炉内温度が１２００℃となった時点で加熱炉を取り出
した。ＨＩＰ処理に要した時間は３．５時間であシ、得
られたＳ　ｉ　３　Ｎ　４焼結体の相対密度は９９チで
あシ、理論密度に近い値を示した。この例の場合、１基
の高圧容器に対して２基の雰囲気チェンバーと３基の加
熱炉とを用意すれば、３．５時間毎に高品値のＳｉ３Ｎ
４焼結体の製造が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施に適用される加熱炉の一態様
を示す縦断面概要図、第２図及び第３図は、かかる加熱
炉が夫々雰囲気チェンバー及び高圧容器に装入された状
態を示す縦断面概要図であり、第４図は第二番目の本発
明の実施の一例を説明する概要説明図である。 （１）・・・下部プラグ、　　（２）・・・加熱要素、
（３）・・・断熱構造体、　　（４）・・・電極、（５
）・・・処理室、　　　　（９）・・・断熱材、０１・
・・透孔、　　　　　α力・・・バルブ、ａカ・・・導
管、　　　　　（至）・・・開孔、０４・・・雰囲気チ
ェンバー、ＯＱ・・・排気管、ＯＱ・・・坩堝、　　　
　　α力・・・ガラス粉粒体、０＠・・・耐圧シリンダ
ー、　ＯＩＪ・・・上部プラグ、（１）・・・高圧室、
Ｑｌ）・・・導管、＠（イ）・・・プレス装置、　に）
翰・・・軌道、（ハ）・・・搬送台車、　　　（ハ）・
・・支承台、（ホ）６艷・・・加熱炉、　　（イ）・・
・高圧容器、（ハ）・・・台車。 第１図 １　　　　　１１１１ 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、予め所定形状に成形された被処理体を溶融ガラスに
   浸漬した状態で熱間静水圧プレス処理する方法において
   、坩堝内に充填したガラス粉粒体中に前記被処理体を埋
   没し、該坩堝を加熱装置を備え且つ断熱構造体より々る
   移動可能な加熱炉内に装入し、次いで該加熱炉を雰囲気
   チェンバー内に装入し、該チェンバー内雰囲気を所定雰
   囲気に調整して前記加熱装置により該加熱炉の坩堝を加
   熱して坩堝内のガラスを軟化溶融させ、続いて該加熱炉
   をその炉内温度を高温に保持したまま前記チェンバーか
   ら取り出してそのまま高圧容器内に装入し、しかる後読
   高圧容器内に圧媒ガスを圧入すると共に前記加熱装置に
   よシ該加熱炉内を昇温して前記坩堝内の被処理体に熱間
   静水圧プレス処理を施し、該処理が完了すると被処理体
   を装入したまま前記加熱炉を高圧容器から取り出すこと
   を特徴とする熱間静水圧プレス処理法。 ２、被処理体がセラミックス成形体である特許請求の範
   囲第１項記載の熱間静水圧プレス処理法。 ３、被処理体が金属粉末成形体である特許請求の範囲第
   １項記載の熱間静水圧プレス処理法。 ４、坩堝がグラファイト製であり、その内面を上広がり
   状のテーパー面としてなる特許請求の範囲第１項乃至第
   ３項のいずれかに記載の熱間静水圧プレス処理法。 ５、被処理体表面にガラスの融着を防止する離型剤を塗
   布してなる特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか
   に記載の熱間静水圧プレス処理法。 ６、坩堝内面に、ガラスの融着を防止する離型剤を塗布
   してなる特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれかに
   記載の熱間静水圧プレス処理法。 ７、離型剤が窒化硼素粉末である特許請求の範囲第５項
   又は第６項記載の熱間静水圧プレス処理法。 ８加熱炉内に複数個の坩堝を一度に装入する特許請求の
   範囲第１項乃至第７項のいずれかに記載の熱間静水圧プ
   レス処理法。 ９、予め所定形状に成形された被処理体を溶融ガラスに
   浸漬した状態で熱間静水圧プレス処理する方法において
   、加熱装置を備え且つ断熱構造体よりなる移動可能な複
   数基の加熱炉と１基以上の雰囲気チェンバー及び高圧容
   器とを用い、坩堝内に充填したガラス粉粒体中に前記被
   処理体を埋没し、該坩堝を第一の加熱炉内に装入し、次
   いで該加熱炉を雰囲気チェンバー内に装入し、該チェン
   バー内雰囲気を所定雰囲気に調整して前記加熱装置によ
   り該加熱炉内の坩堝を加熱して坩堝内のガラスを軟化溶
   融させ、続いて該加熱炉をその炉内温度を高温に保持し
   たまま前記チェンバーから取シ出してそのまま高圧容器
   内に装入し、しかる後読高圧容器内に圧媒ガスを圧入す
   ると共に前記加熱装置によシ該加熱炉内を昇温して前記
   坩堝内の被処理体に熱間静水圧プレス処理を施し、一方
   前記熱間静水圧プレス処理を行なっている間に、ガラス
   粉粒体中に埋没した同様の被処理体を収容した坩堝が装
   入された第二の加熱炉を雰囲気チェンバー内に装入して
   前記同様に坩堝内のガラスの軟化溶融を行ない、前記熱
   間静水圧プレス処理が完了して第一の加熱炉を高圧容器
   から取り出し′だ後、引続いて第二の加熱炉をその炉内
   温度を高温に保持したまま高圧容器内に装入する一連の
   工程を反覆することを特徴とする熱間静水圧プレス処理
   法。 １０、被処理体がセラミックス成形体である特許請求の
   範囲第９項記載の熱間静水圧プレス処理法。 １１、被処理体が金属粉末成形体である特許請求の範囲
   第９項記載の熱間静水圧プレ亥処理法。 １２、坩堝がグラファイト製であり、その内面を上広が
   り状のテーパー面としてなる特許請求の範囲第９項乃至
   第１１項のいずれかに記載の熱間静水圧プレス処理法。 １３、被処理体表面にガラスの融着を防止する離型剤を
   塗布してなる特許請求の範囲第９項乃至第１２項のいず
   れかに記載の熱間静水圧プレス処理法。 １４、坩堝内面に、ガラスの融着を防止する離型剤を塗
   布してなる特許請求の範囲第９項乃至第１３項のいずれ
   かに記載の熱間静水圧プレス処理法。 １５、離型剤が窒化硼素粉末である特許請求の範囲第１
   ３項又は第１４項記載の熱間静水圧プレス処理法。 １ａ加熱炉内に複数個の坩堝を一度に装入する特許請求
   の範囲第９項乃至第１５項のいずれかに記載の熱間静水
   圧プレス処理法。