JPS5840608Y2 - キソウセイチヨウソウチ - Google Patents

キソウセイチヨウソウチ

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Publication number
JPS5840608Y2
JPS5840608Y2 JP1975043063U JP4306375U JPS5840608Y2 JP S5840608 Y2 JPS5840608 Y2 JP S5840608Y2 JP 1975043063 U JP1975043063 U JP 1975043063U JP 4306375 U JP4306375 U JP 4306375U JP S5840608 Y2 JPS5840608 Y2 JP S5840608Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor phase
phase growth
growth apparatus
gold
semiconductor substrate
Prior art date
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Expired
Application number
JP1975043063U
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English (en)
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JPS51124354U (ja
Inventor
政司 佐々木
淳二 佐藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は気相成長装置に関し、更に詳しくは、半導体基
板上に絶縁被膜を化学的に気相成長させる装置の改良に
関する。
従来、半導体基板上にリンシリケートガラスやボロンシ
リケートガラスを多層絶縁膜又は素子表面保護膜として
、又は拡散ソースとして気相成長させる装置としては、
例えば第１図に示すような装置が知られている。
即ち、４００〜４５０℃に加熱したヒータープレート１
上に半導体基板２をその表面（半導体素子を構成した面
）を上にして載せ、ペルジャー３内にセットする。
これに上方の反応ガス人口４より反応ガス、例えばリン
シリケートガラスの場合にはＳｉＨ４，ＰＨ３，０２及
びＮ２（キャリヤーガス）の混合ガスを、ボロンシリケ
ートガラスの場合にはＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６，０２及びＮ
２（キャリヤーガス）の混合ガスを装入する。
これらの反応ガスは、多孔板５を通過して基板２の表面
に達し、高温で反応してヒータープレート１上の基板２
の表面上に透明なリンシリケートガラス（ＰＳＧ）又は
ボロンシリケートガラス（ＢＳＧ）を成長させ、排気口
６より吸引排気される。
しかしながら、このような従来装置では前記反応ガスが
反応して副生するＳｉ及びＳｉと反応した物質（例えば
５ｉＯ２）を主成分とする白色無定形粉末を副生じ、ペ
ルジャー内壁に付着して振動や衝撃で半導体基板上に落
下して沈積し、その部分にリンシリケートガラス又はボ
ロンシリケートガラスが成長しないという問題があった
。
従って、本考案の目的はこような従来の化学的気相成長
装置の欠点を改良し、反応ガラスの反応により副生ずる
、前記白色無定形粉体が半導体基板上に落下沈積するの
を改良した気相成長装置を提供することにある。
本考案に従えば、前記気相成長装置の反応ガスが接触す
る治具表面、例えばペルジャー内壁、多孔板プレートな
どが金で被覆されてなる。
半導体基板上に絶縁被膜を化学的に気相成長させる装置
が提供される。
本考案による気相成長装置の一例を示す第２図を参照し
て説明するに、本考案装置は第１図に示した従来の気相
成長反応装置の反応ガスが接触する内部治具表面、即ち
ペルジャー３の内壁及び下端縁部並びに反応ガスの流れ
を均一にするために設けられた多孔板プレート５を金の
層７で被覆して成る。
この金被覆は常法に従って、例えば蒸着あるいはクロム
又はニッケル下地を施した上にメッキにより約０．５μ
厚に形成することができる。
この金の他に、白金、パラジウム等の貴金属を用いるこ
とも考えられるが、被覆材料としては熱反射率の最も大
きい金がこの場合有効である。
更に作業性、価格の面からも金が好ましい。
このように気相成長装置の内部治具表面を金で被覆する
ことによって前述の白色無定形粉体が内部治具表面上に
発生し難くなり、その付着量が激減する。
例えば、前述のリンシリケートガラス用反応ガスを用い
て第１図及び第２図の装置で半導体基板上にリンシリケ
ートガラス絶縁膜を気相成長させる、１サイクル１５分
の反応を２０サイクル繰り返した結果、第１図の点Ｂに
付着した白色無定形粉末の厚さが約１００μであったの
に対し、本考案装置である第２図の装置の点Ｂ′に付着
した白色無定形粉末の厚さは約５μであり、その付着量
が約５に減少した。
この現象はおそらく内部治具の表面を金で被覆すること
によって熱線（赤外線）の反射効率が高まり、治具の熱
吸収量が少なくなってその表面温度が金で被覆しない場
合に比較して低くなるためと考えられる。
ちなみに半導体基板の表面温度（第１図の点Ａ及び第２
図の点Ａ′の温度）を４００℃とした場合の第１図の点
Ｂの平衡到達表面温度は２５０℃であったのに対し、ス
テンレス製パンチボートに金メッキした第２図の点Ｂ′
の平衡到達表面温度は約２００℃であった。
従ってこの点Ｂと点Ｂ′との表面温度差により、前述の
ような白色無定形粉末の付着量の差が生ずるものと想定
される。
以上、第１図に示すような構造の気相成長装置について
特に説明したが、本考案をこれに限定するものではなく
、本考案は従来公知のあらゆる気相成長装置に適用しう
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の気相成長装置の一例を示す概略説明図で
あり、第２図は本考案に係る気相成長装置の一態様を示
す概略説明図である。 １・・・・・・ヒータープレート、２・・・・・・半導
体基板、３・・・・・・ペルジャー、４・・・・・・反
応ガス入口、５・・・・・・多孔板プレート、６・・・
・・・排気田７・・・・・・金被覆。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板上に絶縁被膜を反応ガスの化学反応により気
    相成長させ、かつ該化学反応により副生ずる白色無定形
    粉末が本装置の内壁に付着するような気相成長装置にお
    いて、該気相成長装置の反応ガスが接触する治具表面を
    金で被覆したことを特徴とする気相成長装置。
JP1975043063U 1975-03-31 1975-03-31 キソウセイチヨウソウチ Expired JPS5840608Y2 (ja)

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Publication Number Publication Date
JPS51124354U JPS51124354U (ja) 1976-10-07
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49123582A (ja) * 1973-03-30 1974-11-26
JPS503269A (ja) * 1973-05-11 1975-01-14

Also Published As

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JPS51124354U (ja) 1976-10-07

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