JPS5840707A - 架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブル - Google Patents
架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブルInfo
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- JPS5840707A JPS5840707A JP13880581A JP13880581A JPS5840707A JP S5840707 A JPS5840707 A JP S5840707A JP 13880581 A JP13880581 A JP 13880581A JP 13880581 A JP13880581 A JP 13880581A JP S5840707 A JPS5840707 A JP S5840707A
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイージーストリッピングタイプの架橋ポリエチ
レン絶縁型カケープルの改良に関する。
レン絶縁型カケープルの改良に関する。
近時、架橋ポリエチレン絶縁型カケープル等のプラスチ
ック電カケープルにおいては、端末処理作業や接続作業
を簡略化するため、外部半導電層を容易に絶縁体から剥
離することのできるタイプの、いわゆるイージーストリ
ッピングタイプのものが広範囲に普及しはじめている。
ック電カケープルにおいては、端末処理作業や接続作業
を簡略化するため、外部半導電層を容易に絶縁体から剥
離することのできるタイプの、いわゆるイージーストリ
ッピングタイプのものが広範囲に普及しはじめている。
このような外部半導電層として、例えば特公昭５３−１
８２２６号公報には、ポリエチレン或いはエチレン共重
合体１００重量部に、カーボンブラック３０〜７０重量
部とケイ酸アルミニウム又はケイ酸マグネシウムを主体
とする無機充填剤５〜３０重量部を配合したものが記載
されており、また、特公昭４ｇ−２７１１１号公報ζ二
は、酢酸含量２５〜５５うのエチレン・酢酸ビニル共重
合体（ＥＶＡと略称する）とカーボンブラックから成る
組成物に２・５−ジメデルーτ・５′−ジ（ｔ−ブチル
パーオキシ）へキシン−３を添加して架橋させたものが
記載されている。
８２２６号公報には、ポリエチレン或いはエチレン共重
合体１００重量部に、カーボンブラック３０〜７０重量
部とケイ酸アルミニウム又はケイ酸マグネシウムを主体
とする無機充填剤５〜３０重量部を配合したものが記載
されており、また、特公昭４ｇ−２７１１１号公報ζ二
は、酢酸含量２５〜５５うのエチレン・酢酸ビニル共重
合体（ＥＶＡと略称する）とカーボンブラックから成る
組成物に２・５−ジメデルーτ・５′−ジ（ｔ−ブチル
パーオキシ）へキシン−３を添加して架橋させたものが
記載されている。
しかしながらこれらの組成物で外部半導電層を形成した
場合には、剥離性はいずれも現在の要求水準からは程遠
いものであり、作業性の改良という目的を達し得なかっ
た。また、剥型後絶縁体上にカーボンブラックの黒点を
残すのでケーブル性能に悪影響を及ぼすおそれがあった
。
場合には、剥離性はいずれも現在の要求水準からは程遠
いものであり、作業性の改良という目的を達し得なかっ
た。また、剥型後絶縁体上にカーボンブラックの黒点を
残すのでケーブル性能に悪影響を及ぼすおそれがあった
。
更に、特公昭４９−１９９０７号公報には、半導電層の
ペースポリマーとしてエチレン・酢酸ビニル共重合体−
ポリ塩化ビニルグラフトマー（ＢＶＡ−ｐｖｃグラフト
マーと略称する）を用いたものが記載されている。この
半導電層は、剥離性が非常に良好であるが、ＢＶＡ−Ｐ
ＶＣグラフトマーは熱安定性が悪く、ケーブル押出被覆
後架橋管内で加熱されると分解して酢酸、塩酸等の腐食
性ガスを放出し昌いため、架橋温度が約２００℃までと
制限され、線速を大きくして生産性を高めることができ
なかった。
ペースポリマーとしてエチレン・酢酸ビニル共重合体−
ポリ塩化ビニルグラフトマー（ＢＶＡ−ｐｖｃグラフト
マーと略称する）を用いたものが記載されている。この
半導電層は、剥離性が非常に良好であるが、ＢＶＡ−Ｐ
ＶＣグラフトマーは熱安定性が悪く、ケーブル押出被覆
後架橋管内で加熱されると分解して酢酸、塩酸等の腐食
性ガスを放出し昌いため、架橋温度が約２００℃までと
制限され、線速を大きくして生産性を高めることができ
なかった。
本発明者らは、このような問題点に対処して。
鋭意研究を進めた結果、外部半導電層として特定のＥＶ
Ａと特定のカーボンブラックを組み合わせて使用した場
合、剥離性に優れ、しかも剥離後にカーボンブラックの
黒点を残すこともなく、更に熱安定性が良好であるため
架橋温度をあげて線速を大きくすることができ、ケーブ
ル製造能率が著しく改善されることを見い出した。
Ａと特定のカーボンブラックを組み合わせて使用した場
合、剥離性に優れ、しかも剥離後にカーボンブラックの
黒点を残すこともなく、更に熱安定性が良好であるため
架橋温度をあげて線速を大きくすることができ、ケーブ
ル製造能率が著しく改善されることを見い出した。
本発明はこのような知見に基づいてなされたもので、絶
縁体上に押出被覆された外部半導電層が、エチレン・酢
酸ビニル共重合体とカーボンブラックとを゛主体とする
組成物で形成された架橋ボリエ＼ テレン電カケープルにおいて、前記エチレン・酢酸ビニ
ル共重合体としてメルトインデックスが１５以下でかつ
酢酸ビニル含量が２０〜３５％のものを使用し、カーボ
ンブラックとして粒子径３１〜７５ｍμのファーネスブ
ラックを６０〜１１０ ＰＨＲ使用することを特徴とす
る架橋ポリエチレン絶縁型カケープルを提供するもので
ある。
縁体上に押出被覆された外部半導電層が、エチレン・酢
酸ビニル共重合体とカーボンブラックとを゛主体とする
組成物で形成された架橋ボリエ＼ テレン電カケープルにおいて、前記エチレン・酢酸ビニ
ル共重合体としてメルトインデックスが１５以下でかつ
酢酸ビニル含量が２０〜３５％のものを使用し、カーボ
ンブラックとして粒子径３１〜７５ｍμのファーネスブ
ラックを６０〜１１０ ＰＨＲ使用することを特徴とす
る架橋ポリエチレン絶縁型カケープルを提供するもので
ある。
本発明に使用されるＩＶＡは塊状重合法で製造される結
晶性ＢＶＡであり、メルトインデックスが１５以下で、
かつ酢酸ビニル含量が２０〜３５％のものを使用する。
晶性ＢＶＡであり、メルトインデックスが１５以下で、
かつ酢酸ビニル含量が２０〜３５％のものを使用する。
メルトインデックスを１５以下とした理由は、通常の剥
離性半導電層に用いられるメルトインデックス２０〜２
５のＥＴＡに比べて、メルトインデックス１５以下の溶
融粘度の大きいＥＴＡは、絶縁層との界面の接着性を阻
害することによる。すなわち現在のケーブル製造方法は
、主として絶縁層と外部半導電層を同一ヘッドで押出被
覆するもので、絶縁層がまだ溶融状態にあるうちに外部
半導電層が被覆されるが、粘度の高い外部半導電層であ
れば、絶縁体表面の微小な凹凸を押しつぶす効果があり
、結果的に界面の接触面積が小さくなって剥離性が良好
になるのである。従ってメルトインデックスが１５以下
、好ましくは８以下のＢＶＡでこの界面の接着阻止効果
が顕著（二あられれる。また、メルトインデックスが１
０以下のＥＶＡは機械的強度が大きく、カーボンブラッ
クを保持する力が強いため、剥離面にカーボン粒を残さ
ないという効果もある。酢酸ビニル含量を２０〜３５％
とした理由は、２０％より少ないと極性基の反撥力によ
る接着阻止効果が充分でなく、３５％より多いと熱安定
性が悪く、脱酢酸し易くなる為である。
離性半導電層に用いられるメルトインデックス２０〜２
５のＥＴＡに比べて、メルトインデックス１５以下の溶
融粘度の大きいＥＴＡは、絶縁層との界面の接着性を阻
害することによる。すなわち現在のケーブル製造方法は
、主として絶縁層と外部半導電層を同一ヘッドで押出被
覆するもので、絶縁層がまだ溶融状態にあるうちに外部
半導電層が被覆されるが、粘度の高い外部半導電層であ
れば、絶縁体表面の微小な凹凸を押しつぶす効果があり
、結果的に界面の接触面積が小さくなって剥離性が良好
になるのである。従ってメルトインデックスが１５以下
、好ましくは８以下のＢＶＡでこの界面の接着阻止効果
が顕著（二あられれる。また、メルトインデックスが１
０以下のＥＶＡは機械的強度が大きく、カーボンブラッ
クを保持する力が強いため、剥離面にカーボン粒を残さ
ないという効果もある。酢酸ビニル含量を２０〜３５％
とした理由は、２０％より少ないと極性基の反撥力によ
る接着阻止効果が充分でなく、３５％より多いと熱安定
性が悪く、脱酢酸し易くなる為である。
更に本発明に使用されるカーボンブラックは、粒子径が
３１〜７５ ｍμのファーネスブラックである。このよ
うなカーボンには、ＦＦ、ＰＩＦ、ＨＭＦ。
３１〜７５ ｍμのファーネスブラックである。このよ
うなカーボンには、ＦＦ、ＰＩＦ、ＨＭＦ。
ＧＰＦ％ＨＡＦ、ＳＲＦ カーボン等がある。なおこ
のように限定した理由は、従来導電性を得るために使用
されていたカーボンブラックは、アセチレンブラック、
導電性ファーネスブラック（ＣＦ ）、ケッチェンブラ
ック等と比較して上述のカーボンブラックを使用した場
合には、剥離性が大巾に向上するからによる。ちなみに
、粒子径が３０７１μより小さいファーネスブラックと
してＣＦ、ＳＣＦカーボン等があるが、これらは導電性
は良好であるが、剥離性を付与することはなく、粒子径
が７５認μより大きいと剥離性は良好であるが、カーボ
ンを多量に充填しても充分な導電度（ＩＸＩＯＩΩ−１
以下）を得ることが難しくなり、またアセチレンブラッ
クは粒子径は上記範囲内に入るが、剥離性付与効果は全
くない。
のように限定した理由は、従来導電性を得るために使用
されていたカーボンブラックは、アセチレンブラック、
導電性ファーネスブラック（ＣＦ ）、ケッチェンブラ
ック等と比較して上述のカーボンブラックを使用した場
合には、剥離性が大巾に向上するからによる。ちなみに
、粒子径が３０７１μより小さいファーネスブラックと
してＣＦ、ＳＣＦカーボン等があるが、これらは導電性
は良好であるが、剥離性を付与することはなく、粒子径
が７５認μより大きいと剥離性は良好であるが、カーボ
ンを多量に充填しても充分な導電度（ＩＸＩＯＩΩ−１
以下）を得ることが難しくなり、またアセチレンブラッ
クは粒子径は上記範囲内に入るが、剥離性付与効果は全
くない。
本発明においては、上述のカーボンブラックはゴム補強
用として用いられるもので、導電性が比較的小さいため
ベースポリマ−１ｏｏ重量部に対して６０重量部以上上
記する必要がある。但し、１１０重量部以上充填しても
導電度は大きくならず、混和物の溶融粘度が大きくなる
ため好ましくない。
用として用いられるもので、導電性が比較的小さいため
ベースポリマ−１ｏｏ重量部に対して６０重量部以上上
記する必要がある。但し、１１０重量部以上充填しても
導電度は大きくならず、混和物の溶融粘度が大きくなる
ため好ましくない。
以上の成分の他に必要に応じて老化防止剤、無機充填剤
、安定剤、加工助剤、架橋剤等を添加することもできる
。
、安定剤、加工助剤、架橋剤等を添加することもできる
。
本発明においては、上述の成分はバンバリーミキサ−等
にて混合され、ペレット化された後、架橋剤入ポリエチ
レン絶縁体上に同時押出被覆され、架橋されて本発明に
よる架橋ポリエチレン絶縁電カケープルが得られる。
にて混合され、ペレット化された後、架橋剤入ポリエチ
レン絶縁体上に同時押出被覆され、架橋されて本発明に
よる架橋ポリエチレン絶縁電カケープルが得られる。
次に実施例について説明する。
実施例１〜６、比較例１〜６
ＥＶＡの種類による差をみるために第１表に示す各成分
をバンバリーミキサ−にて混合し、更に押出機（：てペ
レット化し、押出可能な半導電性混和物を得た。この混
和物を導体径２２−１絶縁厚さ２．５１１ｍの架橋剤入
りポリエチレン絶縁体上に厚さ０．５簡に、同時成型ヘ
ッドを用いて被覆し、２２０℃の水蒸気架橋パイプ中を
通過させて絶縁体を架橋せしめ、６，６ＫＶ２２−架橋
ポリエチレン絶縁型カケープルコアーを得た。このケー
ブルの外部半導電層の剥離強度（引張速度５００ ｔｘ
）Ａｍ ） 、体積個有抵抗（ＩＰＣＢＡ Ｓ −６６
−５２４に準拠）を測定した。また熱安定性をみるため
に、ケーブルコアー上に巾２５態、厚さ０．２ｆｉの銅
テープを巻回し、７０℃、９０％ＲＨにて１晩放置後銅
テープが腐食するかどうか調べた。結果は第１表に示す
通りであった。なお実用可能な剥離強度は４−ＯＫｐ／
”Ａインチ以下であり、体積固有抵抗は５Ｘ１０”Ω
−αである。
をバンバリーミキサ−にて混合し、更に押出機（：てペ
レット化し、押出可能な半導電性混和物を得た。この混
和物を導体径２２−１絶縁厚さ２．５１１ｍの架橋剤入
りポリエチレン絶縁体上に厚さ０．５簡に、同時成型ヘ
ッドを用いて被覆し、２２０℃の水蒸気架橋パイプ中を
通過させて絶縁体を架橋せしめ、６，６ＫＶ２２−架橋
ポリエチレン絶縁型カケープルコアーを得た。このケー
ブルの外部半導電層の剥離強度（引張速度５００ ｔｘ
）Ａｍ ） 、体積個有抵抗（ＩＰＣＢＡ Ｓ −６６
−５２４に準拠）を測定した。また熱安定性をみるため
に、ケーブルコアー上に巾２５態、厚さ０．２ｆｉの銅
テープを巻回し、７０℃、９０％ＲＨにて１晩放置後銅
テープが腐食するかどうか調べた。結果は第１表に示す
通りであった。なお実用可能な剥離強度は４−ＯＫｐ／
”Ａインチ以下であり、体積固有抵抗は５Ｘ１０”Ω
−αである。
以下余白
実施例７〜１４、比較例７〜１１
カーボンブラックの種類及び量による差をみるため、第
２表に示す各成分を混合した以外は、実施例１〜６と同
様にして架橋ポリエチレン絶縁型カケープルを製造し、
試験した。結果はｇｌＩＪ２表に示す通りであった。
２表に示す各成分を混合した以外は、実施例１〜６と同
様にして架橋ポリエチレン絶縁型カケープルを製造し、
試験した。結果はｇｌＩＪ２表に示す通りであった。
以下余白
以上の実施例から明らかなように、外部半導電層に、特
定のＥＶＡ、特定のカーボンブラックを使用することに
より、刺離性、導電性、熱安定性の優れた架橋ポリエチ
レン絶縁型カケープルが得られる。
定のＥＶＡ、特定のカーボンブラックを使用することに
より、刺離性、導電性、熱安定性の優れた架橋ポリエチ
レン絶縁型カケープルが得られる。
Claims (1)
- １、 絶縁体上に押出被覆された外部半導電層が、エチ
レン・酢酸ビニル共重合体とカーボンブラックとを主成
分とする組成物で形成された架橋ポリエチレン電カケー
プルにおいて、前記エチレン・酢酸ビニル共重合体とし
てメルトインデックスが１５以下で、かつ酢酸ビニル含
量が２０〜３５％のものを使用し、カーボンブラックと
して粒子径３１〜７５罵μのファーネスブラックを６０
〜１１０ ＰＨＲ使用することを特徴とする架橋ポリエ
チレン絶縁型カケープル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13880581A JPS5840707A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13880581A JPS5840707A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840707A true JPS5840707A (ja) | 1983-03-09 |
| JPH0145165B2 JPH0145165B2 (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=15230643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13880581A Granted JPS5840707A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4526707A (en) * | 1983-06-13 | 1985-07-02 | Du Pont-Mitsui Polychemicals Co., Ltd. | Semiconducting compositions and wires and cables using the same |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP13880581A patent/JPS5840707A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4526707A (en) * | 1983-06-13 | 1985-07-02 | Du Pont-Mitsui Polychemicals Co., Ltd. | Semiconducting compositions and wires and cables using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0145165B2 (ja) | 1989-10-02 |
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