JPS5840879A - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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Publication number
JPS5840879A
JPS5840879A JP56138327A JP13832781A JPS5840879A JP S5840879 A JPS5840879 A JP S5840879A JP 56138327 A JP56138327 A JP 56138327A JP 13832781 A JP13832781 A JP 13832781A JP S5840879 A JPS5840879 A JP S5840879A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
auin2
emitting device
ingaasp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56138327A
Other languages
English (en)
Inventor
Ganzo Iwane
岩根　眼「あ」
Mitsuo Fukuda
光男 福田
Kenichiro Takahei
高幣　謙一郎
Sadao Adachi
定雄 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP56138327A priority Critical patent/JPS5840879A/ja
Publication of JPS5840879A publication Critical patent/JPS5840879A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は■−Ｖ族半導体発光素子の電極構成に関するも
のである。
第１図は従来の半導体発光素子のヒートシンクへの組立
構成の一例である。半導体発光素子としてＩｄ　ＩｎＧ
ａＡｓＰ　／　ＩｎＰダブルへテロ接合半導体レーザと
する。基板ｎ−ＩｎＰｌ上に活性層Ｉｎ　Ｇａ　Ａｓ　
Ｐ３の上下に電気的中光学的閉じ込めＩＮ　ｎ　−Ｉｎ
Ｐ　２゜ｐ−ＩｎＰ４がある。４の上に電極形成層ｐ−
Ｉｎ　Ｇａ　Ａｓ　Ｐｂがある。６はｎ側電極Ａｕ　−
Ｓｎ（もしくはＡｕ　−Ｇｅ　−Ｎｉ　）、７はｐ側電
極Ａｕ　−Ｚｌｌ　（もしくＱま（Ａｕ　）ｐｔ　−Ｔ
ｉ　）で、８は土敷き鍍金層Ａｕである。一方９はヒー
トシンクのダイヤモンド（もしくは５ｊ）１１０はメタ
ライズ層Ａｕ　−Ｃｒ　（もしくはＡｕ−ＰＬ−Ｔｉ）
で、１１は融后半出金属Ｉｎ（もしくはＰｂ　−Ｓｎ　
）　　である。１２はリードワイヤＡｔ（もしくはＡｕ
　）であるＯ 以上のような構成でなる発光素子において従来上敷きＱ
ＩＶｌ金層Ａｕ　ｇの一部のＡｕもしくは融層半田剤Ｉ
ｎ　（もしくはＰｂ　−Ｓｎ　）　１１が電極層７の凹
凸や不均一、あるいは構成成分の不定比性や不安定性に
より、電極形成層ＩｎＧａＡｓＰ　５内部に侵入し、半
導体１ｎＧａＡｓＰ　５に欠陥を誘起することがあった
。
その結果として欠陥が閉じ込め層ＩｎＰ４、さらには活
性層Ｉ　ｎ　Ｇａ　Ａｓ　Ｐ　３へも影響を及はし、発
光素子の出力劣化をきたすという欠点があった。
本発明はヒーＩ・シンクへの融着半田剤とオーミック電
極間にＡｕＩｎ、を挿入具備することを特徴とし、その
１」的は発光素子半導体内部へ、′電極構成金属油の侵
入による発光素子の劣化を防止することに４りる。
第２ＭＱｊ本発明の実施例であって、第１図と＋１１を
成り、ｌ；Ｉは同様であるか、第１図と異なるのは、電
極金用層７と土敷き鍍金層８の間に、　　ＡｕＩｎ２定
比金属間化合物層１３を挿入したことである。なお電比
金属間化合物ＡｕＩｎ１１３は融点５４４℃（５３，８
０重量％Ｉｎ　）である。従って半導体発光素子への形
成に際しては、オーミック電極７形成後、スパッタリン
グ等で当該電比金属間化合物Ａｕ　Ｉｎ、　ｌ（を伺着
し、しかる後上敷き鍍金層Ａｕ８の形１１！、が一力法
として挙げられる。
このような構成に々つているから、少くとも３００℃以
下では上敷き層Ａ１１８もしくｄ融滑半ＩＬＩｊＷＩｎ
　（もしくはＰｂ　−Ｓｎ　）の余剰が、安定な電比金
属間化合物Ａｕ　Ｉｎ、を通過すること力く、電極層Ａ
ｕ−Ｚｎ７．電極形成層ＩｎＧａＡｓＰ５Ｎ二悪影４１
ヲ及はさない。従ってその効果として活性Ｍ　］　ｎ　
Ｇａ　Ａｓ　Ｐ３に欠陥ヲ訪起しないことである。
以上説明したように、電比金楠間化自物Ａｕ１ｎｔの電
極層間への挿入により、発光素子の劣化ｅ　ＩＮＥ減す
る利点がある。
なお以上の説明はＩｎ　Ｇａ　Ａ８Ｐ／ＩＩＩ　Ｐ半導
体レーザを例にしたが、本発明は半導体レーザにとど盪
らずＩｎＰ’ｅ主体とする半導体素子全般に適用できる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の発光素子の構成断面図、第２図は本発明
の発光素子の構成断面図である。 ■・・・・・基板、２・・・・・・閉じ込め層、３・・
・・・・活性層、４・・・・・・閉じ込め層、５・・・
・・・電極形成層、６・・・・・・ｌｌ側ｔａｉ１．極
、７・・・・・・ｐ側’ｒｅｉ極、８・・・・・・上敷
き鍍金層、９・・・・・・ヒートシンク、１０・・・・
・・メタライズ層、１１・・・・・・融腐半１１１＠属
層、ＩＺ・・・・・・リードワイヤ、１３・・・・・・
金属間化合物層 特許出願人　日本電信電話公社 一〇　〇

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ヒートシンクへの融着半田剤とオーミック電極間にＡｕ
    Ｉｎ１層を介在せしめるＩｎＰ系半導体素子。
JP56138327A 1981-09-04 1981-09-04 半導体素子 Pending JPS5840879A (ja)

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JP56138327A JPS5840879A (ja) 1981-09-04 1981-09-04 半導体素子

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JP56138327A JPS5840879A (ja) 1981-09-04 1981-09-04 半導体素子

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Publication Number Publication Date
JPS5840879A true JPS5840879A (ja) 1983-03-09

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ID=15219304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56138327A Pending JPS5840879A (ja) 1981-09-04 1981-09-04 半導体素子

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JP (1) JPS5840879A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS573103U (ja) * 1980-06-05 1982-01-08
EP1433564A1 (en) * 2002-12-24 2004-06-30 Agilent Technologies Inc System and method for hermetic seal formation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS573103U (ja) * 1980-06-05 1982-01-08
EP1433564A1 (en) * 2002-12-24 2004-06-30 Agilent Technologies Inc System and method for hermetic seal formation

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