JPS5841409A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5841409A JPS5841409A JP13852781A JP13852781A JPS5841409A JP S5841409 A JPS5841409 A JP S5841409A JP 13852781 A JP13852781 A JP 13852781A JP 13852781 A JP13852781 A JP 13852781A JP S5841409 A JPS5841409 A JP S5841409A
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 58
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 241000931705 Cicada Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜技術を用いて製作されるいわゆる薄膜磁
気ヘッドの改良に関する。
気ヘッドの改良に関する。
薄膜磁気ヘッドは、磁気ドラム、磁気ディスク等の高記
録密度が要求される磁気記録装置の記録再生ヘッドとし
て使用されるもので、下部磁性膜とその上に積層された
上部磁性膜とによって形成されその一端に磁気ギャップ
を有する開ループ状の磁気回路と、上部磁性膜と下部磁
性膜との間を通って磁気回路と交差するコイル導体と、
を具備した構成となっている。勿論磁気ギャップ、コイ
ル導体と上部磁性膜及び下部磁性膜との間、更にコイル
導体が複数個ある場合にはコイル導体間には絶縁物が介
在されている。そして、薄膜磁気ヘッドは通常非磁性の
基板上に載置された構成となっている。
録密度が要求される磁気記録装置の記録再生ヘッドとし
て使用されるもので、下部磁性膜とその上に積層された
上部磁性膜とによって形成されその一端に磁気ギャップ
を有する開ループ状の磁気回路と、上部磁性膜と下部磁
性膜との間を通って磁気回路と交差するコイル導体と、
を具備した構成となっている。勿論磁気ギャップ、コイ
ル導体と上部磁性膜及び下部磁性膜との間、更にコイル
導体が複数個ある場合にはコイル導体間には絶縁物が介
在されている。そして、薄膜磁気ヘッドは通常非磁性の
基板上に載置された構成となっている。
第1図は従来の薄膜磁気ヘッドの代表的な2つの例を示
すものである。
すものである。
第1図(a)は、下部磁性膜11とコイル導体12との
間にデフロンの絶縁層13を介在し、これを磁気ギャッ
プGtで延長すると共に、コイル導体12相互間及びコ
イル導体12と上部磁性膜14との間にはテフロンをエ
ツチングしない液でエツチングできる有機材料から選ば
れた絶縁層15を介在した薄膜磁気ヘッドである。この
ヘッドは、絶縁層15のエツチングによるバターニング
の際に絶縁層13がエツチングされるおそれがないので
絶縁層15の形状が上部磁性膜14上に正確に表われる
。磁気ギャップGの深さtgは絶縁層15の端部から磁
気ギヤツブG先端までの寸法をいい、この寸法は基板1
6上に磁気回路及びコイル導体を形成後研摩することに
よって所定値にされる。従って、絶縁層15の形状が上
部磁性膜14上に正確に表われるこのヘッドでは、磁気
ギャップGの深さtgが高精度に形成できるという利点
を有している。−力、このヘッドは次のような欠点をも
有している。即ち、このヘッドは所定の磁気ギャップ深
さtgを得る研摩工程で問題が生じる。それは基板とし
て、アルミナ、アルミナとチタンカーバイトの焼結体、
ホトセラム、フェライト、ガラス等が、磁性膜としては
パーマロイが、それぞれ使用されるに対し、磁気ギャッ
プにはそれらよりも非常に軟らかいテフロンが介在され
ているためである。このように、硬度の大幅に異なる材
料で形成された面を研摩すると、硬度の低いテフロンの
面が硬度の高い磁性膜の面より0.1〜0.2μm程度
凹部状となる。その結果、磁性膜の端部がだれ磁気特性
が劣化するという欠点が生じる。また、一般に有機材料
は流動し得ないため、テフロンも長時間使用している間
に磁性膜端面よりも突出し、記録媒体と接触するという
事故を招くおそれがある。
間にデフロンの絶縁層13を介在し、これを磁気ギャッ
プGtで延長すると共に、コイル導体12相互間及びコ
イル導体12と上部磁性膜14との間にはテフロンをエ
ツチングしない液でエツチングできる有機材料から選ば
れた絶縁層15を介在した薄膜磁気ヘッドである。この
ヘッドは、絶縁層15のエツチングによるバターニング
の際に絶縁層13がエツチングされるおそれがないので
絶縁層15の形状が上部磁性膜14上に正確に表われる
。磁気ギャップGの深さtgは絶縁層15の端部から磁
気ギヤツブG先端までの寸法をいい、この寸法は基板1
6上に磁気回路及びコイル導体を形成後研摩することに
よって所定値にされる。従って、絶縁層15の形状が上
部磁性膜14上に正確に表われるこのヘッドでは、磁気
ギャップGの深さtgが高精度に形成できるという利点
を有している。−力、このヘッドは次のような欠点をも
有している。即ち、このヘッドは所定の磁気ギャップ深
さtgを得る研摩工程で問題が生じる。それは基板とし
て、アルミナ、アルミナとチタンカーバイトの焼結体、
ホトセラム、フェライト、ガラス等が、磁性膜としては
パーマロイが、それぞれ使用されるに対し、磁気ギャッ
プにはそれらよりも非常に軟らかいテフロンが介在され
ているためである。このように、硬度の大幅に異なる材
料で形成された面を研摩すると、硬度の低いテフロンの
面が硬度の高い磁性膜の面より0.1〜0.2μm程度
凹部状となる。その結果、磁性膜の端部がだれ磁気特性
が劣化するという欠点が生じる。また、一般に有機材料
は流動し得ないため、テフロンも長時間使用している間
に磁性膜端面よりも突出し、記録媒体と接触するという
事故を招くおそれがある。
第1図(b)は、絶縁層13をアルミナ層131と熱硬
化したホトレジスト層132との2層で形成し、下部磁
性膜11側に位置するアルミナ層131を磁気ギャップ
Gまで延長すると共に、蝉縁層15を熱硬化したホトレ
ジスト層で形成したヘッドである。このヘッドは、磁気
ギャップGが硬度の高いアルミナ層で形成されているた
め、第1図(a)のヘッドのような欠点は解決できるが
、コイル導体の上側及び下側がホトレジスト層で形成さ
れているだめ、第1図(a)の構成では問題にならなか
った磁気ギャップ深さが高精度に形成できないという欠
点を有している。
化したホトレジスト層132との2層で形成し、下部磁
性膜11側に位置するアルミナ層131を磁気ギャップ
Gまで延長すると共に、蝉縁層15を熱硬化したホトレ
ジスト層で形成したヘッドである。このヘッドは、磁気
ギャップGが硬度の高いアルミナ層で形成されているた
め、第1図(a)のヘッドのような欠点は解決できるが
、コイル導体の上側及び下側がホトレジスト層で形成さ
れているだめ、第1図(a)の構成では問題にならなか
った磁気ギャップ深さが高精度に形成できないという欠
点を有している。
本発明の目的は上記の欠点を除去した改良された薄膜磁
気ヘッドを提供することにある。
気ヘッドを提供することにある。
かかる目的を達成する本発明薄膜磁気ヘッドの特徴とす
るところは、下部磁性膜とコイル導体との間に介在する
絶縁層を、下部磁性膜上に形成した有機絶縁層と、有機
絶縁層上にそれを被覆するように形成しかつ一端が磁気
ギャップまで延びている無機絶縁層とから構成した点に
ある。
るところは、下部磁性膜とコイル導体との間に介在する
絶縁層を、下部磁性膜上に形成した有機絶縁層と、有機
絶縁層上にそれを被覆するように形成しかつ一端が磁気
ギャップまで延びている無機絶縁層とから構成した点に
ある。
以下、本発明を実施例として示した図面により詳細に説
明する。
明する。
第2図において、21は基板27上に形成され(た−ト
部磁性膜、22は下部磁性膜21の特定領域上に形成さ
れた第1の有機絶縁層、23は大部分が第1の有機絶縁
層22上に第1の有機絶縁層22を被覆するように形成
され、その一部分が下部磁性膜21上に延在している無
機絶縁層、24は無機絶縁層23上に形成したコイル導
体、25はコイル導体24を被覆するように形成した第
2の有機絶縁層、26は一部261が無機絶縁層23の
下部磁性膜21に延在している部分上に、他の一部26
2が直接下部磁性膜21上に、残りの部分263が第2
の有機絶縁層25上に位置するように形成され、これに
よって一部に磁気ギャップGを有する開ループ状磁気回
路を構成する上部磁性膜である。
部磁性膜、22は下部磁性膜21の特定領域上に形成さ
れた第1の有機絶縁層、23は大部分が第1の有機絶縁
層22上に第1の有機絶縁層22を被覆するように形成
され、その一部分が下部磁性膜21上に延在している無
機絶縁層、24は無機絶縁層23上に形成したコイル導
体、25はコイル導体24を被覆するように形成した第
2の有機絶縁層、26は一部261が無機絶縁層23の
下部磁性膜21に延在している部分上に、他の一部26
2が直接下部磁性膜21上に、残りの部分263が第2
の有機絶縁層25上に位置するように形成され、これに
よって一部に磁気ギャップGを有する開ループ状磁気回
路を構成する上部磁性膜である。
かかる構成にすれば、磁気ギャップGは磁性膜と同等の
硬度を有する無機絶縁物が介在されているため、磁性膜
端部がだれて磁気特性が劣化するという欠点、及び長時
間の使用によって磁性膜端面より突出し記録媒体と接触
するという事故を招くおそれは一掃することができる。
硬度を有する無機絶縁物が介在されているため、磁性膜
端部がだれて磁気特性が劣化するという欠点、及び長時
間の使用によって磁性膜端面より突出し記録媒体と接触
するという事故を招くおそれは一掃することができる。
また、第1の有機絶縁層22が無機絶縁層23で被覆さ
れているため、第2の有機絶縁層25のエツチングの際
に第1の有機絶縁層22がエツチングされるおそれはな
くなり、磁気ギャップの深さtgを高精度に形成するこ
とができる。
れているため、第2の有機絶縁層25のエツチングの際
に第1の有機絶縁層22がエツチングされるおそれはな
くなり、磁気ギャップの深さtgを高精度に形成するこ
とができる。
本発明薄膜磁気ヘッドに使用する無機絶縁層23として
は、At20. 、 S i 02をはじめとしてあら
ゆる無機酸化物が使用できる。塘た、第1及び第2の有
機絶縁層22及び25についても特に使用上の制限はな
いが、製作の容易さ或いは高周波特性の向」二という観
点から検討すれば300c以上の耐熱性を有する有機材
料で形成するのが望ましい。これについて以上説明する
。
は、At20. 、 S i 02をはじめとしてあら
ゆる無機酸化物が使用できる。塘た、第1及び第2の有
機絶縁層22及び25についても特に使用上の制限はな
いが、製作の容易さ或いは高周波特性の向」二という観
点から検討すれば300c以上の耐熱性を有する有機材
料で形成するのが望ましい。これについて以上説明する
。
磁気ディスク、磁気ドラムを始めとする磁気記録は、年
々大容量化が進んでいる。一方、パーマロイ膜の透磁率
μと周波数特性とは、1oMH2を越えるとμが大幅に
低下する関係にある。10M Hz以上の高周波領域で
もμが低下しなければ、ビット密度を大きくでき記憶の
大容量化が可能となる。そこで、10MHz以上の高周
波領域でもμが低下しない磁性膜について検討したとこ
ろ、パー−7ロイ7L!: S i 02 、 At2
0.のような非磁性絶縁層とを交互に積層1〜だ多層構
造の磁性膜は50〜100MHztでμが低下しないこ
とがわかった。
々大容量化が進んでいる。一方、パーマロイ膜の透磁率
μと周波数特性とは、1oMH2を越えるとμが大幅に
低下する関係にある。10M Hz以上の高周波領域で
もμが低下しなければ、ビット密度を大きくでき記憶の
大容量化が可能となる。そこで、10MHz以上の高周
波領域でもμが低下しない磁性膜について検討したとこ
ろ、パー−7ロイ7L!: S i 02 、 At2
0.のような非磁性絶縁層とを交互に積層1〜だ多層構
造の磁性膜は50〜100MHztでμが低下しないこ
とがわかった。
次に、多層構造の磁性膜の形成法としては、蒸着法或い
はスパッタリング法により同一真空容器中で連続的に磁
性層と絶縁層とを交互に積層する方法と、磁性層をめっ
き法で形成し絶縁層を蒸着法或いはスパッタリング法で
形成する方法の2通りが考えられるが、後者の方法はめ
っき工程を含むため製作工数が多くなり好ましくない。
はスパッタリング法により同一真空容器中で連続的に磁
性層と絶縁層とを交互に積層する方法と、磁性層をめっ
き法で形成し絶縁層を蒸着法或いはスパッタリング法で
形成する方法の2通りが考えられるが、後者の方法はめ
っき工程を含むため製作工数が多くなり好ましくない。
前者の方法で多層構造でかつ磁性特性の優れた磁性膜を
形成する場合、堆積面の温度を少なくとも300〜40
0Cにする必要があることがわかった。従って、磁性膜
として磁性体と絶縁体との多層構造を使用する薄膜磁気
ヘッドにおいては、第1及び第2の有機絶縁層が300
C以上の耐熱性を有する必要がある。
形成する場合、堆積面の温度を少なくとも300〜40
0Cにする必要があることがわかった。従って、磁性膜
として磁性体と絶縁体との多層構造を使用する薄膜磁気
ヘッドにおいては、第1及び第2の有機絶縁層が300
C以上の耐熱性を有する必要がある。
第3図は薄膜磁気ヘッドの第1及び第2の有機絶縁層と
して使用し得る代表的な有機材料の耐熱温度の調査結果
を示すもので、曲線Aはノボラック系樹脂(ホトレジス
ト)、曲線Bはポリイミド系樹脂、曲線Cはラダーシリ
コン系樹脂の特性を’F シている。この結果から、ノ
ボラック系樹脂は多層構造の磁性膜を採用した磁気ヘッ
ドには使用できないが、ポリイミド系樹脂及びラダーシ
リコン系樹脂は使用できることがわかった。
して使用し得る代表的な有機材料の耐熱温度の調査結果
を示すもので、曲線Aはノボラック系樹脂(ホトレジス
ト)、曲線Bはポリイミド系樹脂、曲線Cはラダーシリ
コン系樹脂の特性を’F シている。この結果から、ノ
ボラック系樹脂は多層構造の磁性膜を採用した磁気ヘッ
ドには使用できないが、ポリイミド系樹脂及びラダーシ
リコン系樹脂は使用できることがわかった。
次に本発明薄膜磁気ヘッドの製法を第4図により説明す
る。
る。
斗ず、表面にA403膜411を有する基板41を準備
しくa)、基板41のA /、0.膜411上に磁性体
と絶縁体との多層構造を有する磁性膜をスパッタリング
により形成し、所定形状に成形して下部磁性膜42を得
る(1))。この場合、マスクを使用してスパッタリン
グを行なえば、スパッタリングで部所定形状の磁性膜が
得られる。次に、下部磁性膜42上の所定個所にポリイ
ミド系樹脂からなる第1の有機絶縁層43を形成しくC
)、その上にA4()sからなる無機絶縁層44を形成
する(d)。この層は第1の有機絶縁層43全面を被覆
すると共に磁気ギャップを形成する側の下部磁性膜42
上に延長1−7で形成される。無機絶縁層44の第1の
何機絶縁層43に対応する個所上に複数個のコイル導体
45を形成しくe)、それをポリイミド系樹脂からなる
第2の有機絶縁層46で被覆する(f)。次に第2の有
機絶縁層46、無機絶縁層44の露出個所及び下部磁性
膜42の露出個所上に多層構造の磁性膜をスパッタリン
グで形成し、それを成形して上部磁性膜47を形成する
(g)。しかる後(g)のG−G′線で切断研摩して薄
膜磁気ヘッドを得る。
しくa)、基板41のA /、0.膜411上に磁性体
と絶縁体との多層構造を有する磁性膜をスパッタリング
により形成し、所定形状に成形して下部磁性膜42を得
る(1))。この場合、マスクを使用してスパッタリン
グを行なえば、スパッタリングで部所定形状の磁性膜が
得られる。次に、下部磁性膜42上の所定個所にポリイ
ミド系樹脂からなる第1の有機絶縁層43を形成しくC
)、その上にA4()sからなる無機絶縁層44を形成
する(d)。この層は第1の有機絶縁層43全面を被覆
すると共に磁気ギャップを形成する側の下部磁性膜42
上に延長1−7で形成される。無機絶縁層44の第1の
何機絶縁層43に対応する個所上に複数個のコイル導体
45を形成しくe)、それをポリイミド系樹脂からなる
第2の有機絶縁層46で被覆する(f)。次に第2の有
機絶縁層46、無機絶縁層44の露出個所及び下部磁性
膜42の露出個所上に多層構造の磁性膜をスパッタリン
グで形成し、それを成形して上部磁性膜47を形成する
(g)。しかる後(g)のG−G′線で切断研摩して薄
膜磁気ヘッドを得る。
このような方法で薄膜磁気ヘッドを製造する場合、磁気
ギャップの深さを磁気ギャップでの損失が大きくならな
いように1μm以内にする必要がある。それを実現する
ためには、第1の有機絶縁層の厚さを、それをエツチン
グ成形する際の精度誤差が1μm以下となるような範囲
にしなければならない。第5図はポリイミド系樹脂の厚
さとパターン精度との関係を調べた結果で、1μm以内
の精度を得るためにはポリイミド系樹脂の厚さは4μm
以下にすればよいことがわかる。この結果は他の有機材
料でも略同じであった。
ギャップの深さを磁気ギャップでの損失が大きくならな
いように1μm以内にする必要がある。それを実現する
ためには、第1の有機絶縁層の厚さを、それをエツチン
グ成形する際の精度誤差が1μm以下となるような範囲
にしなければならない。第5図はポリイミド系樹脂の厚
さとパターン精度との関係を調べた結果で、1μm以内
の精度を得るためにはポリイミド系樹脂の厚さは4μm
以下にすればよいことがわかる。この結果は他の有機材
料でも略同じであった。
以上は本発明を代表的な実施例について説明したが、本
発明はこれらに限定されず種々の変形が可能である。例
えば、コイル導体を二層以」二の積層構造にすること、
第2の有機絶縁層上にも無機絶縁層を形成すること、等
が考えられる。
発明はこれらに限定されず種々の変形が可能である。例
えば、コイル導体を二層以」二の積層構造にすること、
第2の有機絶縁層上にも無機絶縁層を形成すること、等
が考えられる。
第1図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す概略断面図、第2
図は本発明の薄膜磁気ヘッドを示す概略断面図、第3図
は本発明薄膜磁気ヘッドに使用し得る有機材料の耐熱特
性を示す図、第4図は本発明薄膜磁気ヘッドの製造工程
図、第5図はポリイミド系樹脂膜の膜厚とパターン精度
との関係を示す特性図アある。 21・・・下部磁性膜、22・・・第1の有機絶縁層、
23・・・無機絶縁層、24・・・コイル導体、25・
・・第2の有機絶縁層、26・・・上部磁性膜。 策 1 日 ((A) (b) 第 2 謹 ラ監斥(°す (イ) 第 4 ロ 第 5 臼 −項厚
図は本発明の薄膜磁気ヘッドを示す概略断面図、第3図
は本発明薄膜磁気ヘッドに使用し得る有機材料の耐熱特
性を示す図、第4図は本発明薄膜磁気ヘッドの製造工程
図、第5図はポリイミド系樹脂膜の膜厚とパターン精度
との関係を示す特性図アある。 21・・・下部磁性膜、22・・・第1の有機絶縁層、
23・・・無機絶縁層、24・・・コイル導体、25・
・・第2の有機絶縁層、26・・・上部磁性膜。 策 1 日 ((A) (b) 第 2 謹 ラ監斥(°す (イ) 第 4 ロ 第 5 臼 −項厚
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 下部磁性膜とその上に積層された上部磁性膜とに
よって形成され一端に磁気ギャップを有する開ループ状
の磁気回路と、上部磁性膜と下部磁性膜との間を通って
磁気回路と交差するコイル導体と、下部磁性膜とコイル
導体との間に介在した第1の有機絶縁層と、第1の有機
絶縁層とコイル導体間にあって第1の有機絶縁層を被覆
すると共に磁気ギャップまで延びその厚さで磁気ギャッ
プの間隔を決定している無機絶縁層と、コイル導体及び
無機絶縁膜と上部磁性膜との間に介在した第2の有機絶
縁層とを具備することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 2、特許請求の範囲第1項忙おいて、上部磁性膜及び下
部磁性膜が磁性体層と絶縁物層との多層構造を有し、第
1の有機絶縁層及び第2の有機絶縁層が3000以上の
耐熱性を有し、かつ第1の有機絶縁層が4μm以下の厚
さを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13852781A JPS5841409A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13852781A JPS5841409A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5841409A true JPS5841409A (ja) | 1983-03-10 |
| JPS649648B2 JPS649648B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=15224231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13852781A Granted JPS5841409A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5841409A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4550353A (en) * | 1982-12-08 | 1985-10-29 | Computer Basic Technology Research | Thin-film magnetic head and method for fabricating the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758216A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-07 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head |
-
1981
- 1981-09-04 JP JP13852781A patent/JPS5841409A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758216A (en) * | 1980-09-24 | 1982-04-07 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4550353A (en) * | 1982-12-08 | 1985-10-29 | Computer Basic Technology Research | Thin-film magnetic head and method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649648B2 (ja) | 1989-02-20 |
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