JPH083902B2 - 薄膜型磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
薄膜型磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH083902B2 JPH083902B2 JP63032800A JP3280088A JPH083902B2 JP H083902 B2 JPH083902 B2 JP H083902B2 JP 63032800 A JP63032800 A JP 63032800A JP 3280088 A JP3280088 A JP 3280088A JP H083902 B2 JPH083902 B2 JP H083902B2
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- thin film
- gas
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関し、特に
耐食性に優れた薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
耐食性に優れた薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性基体上に、γ
−Fe2O3，Fe3O4,Coをドープしたγ−Fe2O3,Coをドープ
したFe3O4，γ−Fe2O3とFe3O4のベルトライド化合物、C
oをドープしたベルトライド化合物、CrO2等の酸化物磁
性粉末、あるいはFe,Co,Ni等を主成分とする合金磁性粉
末等の粉末磁性材料を、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、スチレン−ブタジエン共重合体、エポキシ樹脂、ポ
リウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめ、塗
布、乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきてい
る。
−Fe2O3，Fe3O4,Coをドープしたγ−Fe2O3,Coをドープ
したFe3O4，γ−Fe2O3とFe3O4のベルトライド化合物、C
oをドープしたベルトライド化合物、CrO2等の酸化物磁
性粉末、あるいはFe,Co,Ni等を主成分とする合金磁性粉
末等の粉末磁性材料を、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、スチレン−ブタジエン共重合体、エポキシ樹脂、ポ
リウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめ、塗
布、乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきてい
る。
更に、近年、高密度磁気記録への要求の高まりと共
に、真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング
等の方法により形成される強磁性薄膜は、バインダーを
使用しない、いわゆる薄膜型磁気記録媒体として注目を
浴びており、実用化への努力がなされている。
に、真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング
等の方法により形成される強磁性薄膜は、バインダーを
使用しない、いわゆる薄膜型磁気記録媒体として注目を
浴びており、実用化への努力がなされている。
従来の塗布型の磁気記録媒体では、主として飽和磁化
の小さい金属酸化物を磁性材料として使用していると共
に、磁性層中の磁性材料の体積含有率が30〜50％にすぎ
ないため、高出力高密度記録媒体としては不適当なもの
である。更にその製造工程も複雑で溶剤回収あるいは公
害防止のための大きな付帯設備を必要とする、という欠
点を有している。金属薄膜型磁気記録媒体では、酸化物
より大きな飽和磁化を有する強磁性金属を有機バインダ
ーのごとき非磁性物質を介在させぬ状態で極めて薄い膜
として形成できるという利点を有する。高密度記録化に
つれて記録再生磁気ヘッドのギヤツプ長も1.0μｍ以下
のものを使用するようになつているが、それに伴つて磁
気記録層への記録深さも浅くなる傾向があり、磁性膜の
厚み全部が磁気信号の記録に利用されうる薄膜型磁気記
録媒体は、高出力高密度記録媒体として極めて優れてい
る。薄膜型磁気記録媒体のうちでも、成膜を真空蒸着に
より行なう方法は、成膜速度の速いこと、製造工程が簡
単であること、あるいは廃液処理を必要としないドライ
プロセスである等の利点を有する。中でも特に磁性材料
の蒸気流を非磁性基体上に斜めに入射させて蒸着をおこ
なう斜方入射真空蒸着法は、工程及び装置機構が比較的
簡単であると同時に良好な磁気特性を有する膜が得られ
るため実用上すぐれている。
の小さい金属酸化物を磁性材料として使用していると共
に、磁性層中の磁性材料の体積含有率が30〜50％にすぎ
ないため、高出力高密度記録媒体としては不適当なもの
である。更にその製造工程も複雑で溶剤回収あるいは公
害防止のための大きな付帯設備を必要とする、という欠
点を有している。金属薄膜型磁気記録媒体では、酸化物
より大きな飽和磁化を有する強磁性金属を有機バインダ
ーのごとき非磁性物質を介在させぬ状態で極めて薄い膜
として形成できるという利点を有する。高密度記録化に
つれて記録再生磁気ヘッドのギヤツプ長も1.0μｍ以下
のものを使用するようになつているが、それに伴つて磁
気記録層への記録深さも浅くなる傾向があり、磁性膜の
厚み全部が磁気信号の記録に利用されうる薄膜型磁気記
録媒体は、高出力高密度記録媒体として極めて優れてい
る。薄膜型磁気記録媒体のうちでも、成膜を真空蒸着に
より行なう方法は、成膜速度の速いこと、製造工程が簡
単であること、あるいは廃液処理を必要としないドライ
プロセスである等の利点を有する。中でも特に磁性材料
の蒸気流を非磁性基体上に斜めに入射させて蒸着をおこ
なう斜方入射真空蒸着法は、工程及び装置機構が比較的
簡単であると同時に良好な磁気特性を有する膜が得られ
るため実用上すぐれている。
しかしながら、薄膜型磁気記録媒体は、上記塗布型磁
気記録媒体に比べて、耐候性、耐久性等の実用特性が劣
るという欠点があつた。これらの欠点を補うために多く
の提案が行われているが、例えば磁性材料を蒸発せしめ
つつ同時に真空槽内にガスを導入せしめ、反応せしめて
薄膜磁性層を形成する方法がある（特開昭58−41442
号、特開昭58−41443号等）。一例を挙げれば、磁性材
料としてCo80Ni20合金を使用した時、反応ガスを導入せ
ず成膜した場合に比べて、酸素ガスを導入しつつ成膜し
たときは、耐久性、耐候性が大きく向上する。また本発
明者らは酸素ガスの導入方法を工夫することで更に耐蝕
性を向上させる手段を提案した（特開昭62−121929
号）。単にガスを導入したのみでは反応しない組み合わ
せに対しては、ガスをイオン化、励起化して反応活性度
を高めることで解決できる。この例としては、磁性材料
としてFeを使用し、反応ガスである窒素ガスをイオン化
して窒化鉄系磁性層を形成する方法がある（特開昭60−
231924号等）。
気記録媒体に比べて、耐候性、耐久性等の実用特性が劣
るという欠点があつた。これらの欠点を補うために多く
の提案が行われているが、例えば磁性材料を蒸発せしめ
つつ同時に真空槽内にガスを導入せしめ、反応せしめて
薄膜磁性層を形成する方法がある（特開昭58−41442
号、特開昭58−41443号等）。一例を挙げれば、磁性材
料としてCo80Ni20合金を使用した時、反応ガスを導入せ
ず成膜した場合に比べて、酸素ガスを導入しつつ成膜し
たときは、耐久性、耐候性が大きく向上する。また本発
明者らは酸素ガスの導入方法を工夫することで更に耐蝕
性を向上させる手段を提案した（特開昭62−121929
号）。単にガスを導入したのみでは反応しない組み合わ
せに対しては、ガスをイオン化、励起化して反応活性度
を高めることで解決できる。この例としては、磁性材料
としてFeを使用し、反応ガスである窒素ガスをイオン化
して窒化鉄系磁性層を形成する方法がある（特開昭60−
231924号等）。
上記の方法によるときは、薄膜磁性層の耐食性が大き
く向上するが、それでも薄膜磁性層成膜速度が200Å/se
c以上の高速成膜をする場合には得られる薄膜磁性層は
その耐食性が不十分であつた。
く向上するが、それでも薄膜磁性層成膜速度が200Å/se
c以上の高速成膜をする場合には得られる薄膜磁性層は
その耐食性が不十分であつた。
本発明者らは上記問題点に対し種々検討を加え、反応
性蒸着を行なう際の蒸着室真空度を特定の範囲に収める
ことにより、耐食性が大きく向上することを見出し、本
発明を完成するに至つた。
性蒸着を行なう際の蒸着室真空度を特定の範囲に収める
ことにより、耐食性が大きく向上することを見出し、本
発明を完成するに至つた。
すなわち、本発明は、非磁性基体上に蒸発源から蒸発
せしめられた磁性材料蒸気流と、ガス流又はイオン流と
を差し向け、反応せしめて薄膜磁性層を形成する薄膜型
磁気記録媒体の製造方法において、蒸着室内を一定の真
空度まで減圧し、その状態でガス流又はイオン流のみを
差し向けた時の蒸着室内真空度をP0（Torr）とし、その
後そのままガス流又はイオン流を差し向けながら、磁性
材料を差し向けた時の蒸着室内真空度をP1（Torr）とし
た時、P1とP0が下記関係式を満足し、 P1／P0≦0.1 かつ薄膜磁性層の成膜速度が平均として200Å/sec以
上であることを特徴とする薄膜型磁気記録媒体の製造方
法である。
せしめられた磁性材料蒸気流と、ガス流又はイオン流と
を差し向け、反応せしめて薄膜磁性層を形成する薄膜型
磁気記録媒体の製造方法において、蒸着室内を一定の真
空度まで減圧し、その状態でガス流又はイオン流のみを
差し向けた時の蒸着室内真空度をP0（Torr）とし、その
後そのままガス流又はイオン流を差し向けながら、磁性
材料を差し向けた時の蒸着室内真空度をP1（Torr）とし
た時、P1とP0が下記関係式を満足し、 P1／P0≦0.1 かつ薄膜磁性層の成膜速度が平均として200Å/sec以
上であることを特徴とする薄膜型磁気記録媒体の製造方
法である。
ここで薄膜型磁性層の成膜速度は、平均して200Å/se
c以上であることが好ましい。また、磁気記録媒体とし
て必要とされる磁気特性を得るために磁性材料流は非磁
性基体上に斜め方向から差し向けられることが好まし
い。この入射の角度は20°以上、更に好ましくは35°以
上である。
c以上であることが好ましい。また、磁気記録媒体とし
て必要とされる磁気特性を得るために磁性材料流は非磁
性基体上に斜め方向から差し向けられることが好まし
い。この入射の角度は20°以上、更に好ましくは35°以
上である。
薄膜磁性層としては部分酸化コバルト系のものあるい
は窒化鉄系のもの、酸化窒化鉄系のものが好ましい。
は窒化鉄系のもの、酸化窒化鉄系のものが好ましい。
本発明で用いられる非磁性基体としては、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカボネートなどのプラスチツク基体
が望ましい。
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、三酢
酸セルロース、ポリカボネートなどのプラスチツク基体
が望ましい。
以下図面に即して更に詳細な説明を加える。第１図
は、本発明の薄膜型磁気記録媒体の製造方法を実現する
ための一製造装置である。真空槽１は上室２と下室ある
いは蒸着室３にわかれており、非磁性基体６は送り出し
ロール７より送り出され冷却ドラム９に沿つて搬送され
た後、巻取りロール８に巻取られる。この間蒸着室３に
おいて磁性層の蒸着を行なう。磁性材料11は電子ビーム
により加熱蒸発され、蒸気流となり非磁性基体上に差し
向けられる。この際、マスク13により入射角が規制され
斜め入射が行われる。同時にガス導入口14ならびに15か
らガスを導入しつつ蒸着が行われ、その結果、基体上に
は反応生成された磁性膜が形成される。こういつた円筒
状ドラムに沿わせて成膜するさいには、ドラム円周上の
各点で膜の堆積速度が異なり、一定の成膜速度は定義し
にくい。但し成膜が行われる部分が一秒間蒸気流にさら
され、かつ膜厚が1000Åの膜ができたとき、成膜速度は
平均として1000Å/secであるということができる。
は、本発明の薄膜型磁気記録媒体の製造方法を実現する
ための一製造装置である。真空槽１は上室２と下室ある
いは蒸着室３にわかれており、非磁性基体６は送り出し
ロール７より送り出され冷却ドラム９に沿つて搬送され
た後、巻取りロール８に巻取られる。この間蒸着室３に
おいて磁性層の蒸着を行なう。磁性材料11は電子ビーム
により加熱蒸発され、蒸気流となり非磁性基体上に差し
向けられる。この際、マスク13により入射角が規制され
斜め入射が行われる。同時にガス導入口14ならびに15か
らガスを導入しつつ蒸着が行われ、その結果、基体上に
は反応生成された磁性膜が形成される。こういつた円筒
状ドラムに沿わせて成膜するさいには、ドラム円周上の
各点で膜の堆積速度が異なり、一定の成膜速度は定義し
にくい。但し成膜が行われる部分が一秒間蒸気流にさら
され、かつ膜厚が1000Åの膜ができたとき、成膜速度は
平均として1000Å/secであるということができる。
さて第１図においては、ガス導入口14,15よりガス導
入しつつ磁性材料11を蒸発させるわけであるが、この
時、ガス導入のみを行つた場合の蒸着室内真空度をP
0（Torr）、同時に磁性材料11の蒸発を伴なうときの蒸
着室内真空度をP1（Torr）とした時、P1／P0≦0.1の条
件を満たさせるものである。
入しつつ磁性材料11を蒸発させるわけであるが、この
時、ガス導入のみを行つた場合の蒸着室内真空度をP
0（Torr）、同時に磁性材料11の蒸発を伴なうときの蒸
着室内真空度をP1（Torr）とした時、P1／P0≦0.1の条
件を満たさせるものである。
第１図では、２か所のガス導入口を設けて、本発明の
条件を得ているが、もちろん一箇所のガス導入口を設け
ておこなうことも可能である。但し例えばガス導入口14
のみから本発明の条件を満たすほどにガス導入すると、
媒体の表面非磁性層が厚くなりすぎ、高密度記録には、
不適当となる。
条件を得ているが、もちろん一箇所のガス導入口を設け
ておこなうことも可能である。但し例えばガス導入口14
のみから本発明の条件を満たすほどにガス導入すると、
媒体の表面非磁性層が厚くなりすぎ、高密度記録には、
不適当となる。
第２図に示したのは本発明の薄膜型磁気記録媒体の製
造方法を実現するための別の一製造装置である。基体搬
送系等の動作は第１図と殆ど同じであるが、各部材で第
１図に対応するものは第１図の数字に100を加えた数字
で示されている。ここで、蒸着室103内においては磁性
材料111も蒸発させつつガス導入口118よりガス導入し、
これをイオン銃117でイオン化、ラジカル化し、イオン
流を成膜部分にさしむけるものである。ここで本発明で
は、ガス導入口118よりガス導入しイオン流をさしむけ
た時の蒸着室内真空度をP0（Torr）、この条件下で同時
に磁性材料11の蒸発を行つた時の蒸着室内真空度をP
1（Torr）とした時、P1／P0≦0.1の条件を満たさせるも
のである。
造方法を実現するための別の一製造装置である。基体搬
送系等の動作は第１図と殆ど同じであるが、各部材で第
１図に対応するものは第１図の数字に100を加えた数字
で示されている。ここで、蒸着室103内においては磁性
材料111も蒸発させつつガス導入口118よりガス導入し、
これをイオン銃117でイオン化、ラジカル化し、イオン
流を成膜部分にさしむけるものである。ここで本発明で
は、ガス導入口118よりガス導入しイオン流をさしむけ
た時の蒸着室内真空度をP0（Torr）、この条件下で同時
に磁性材料11の蒸発を行つた時の蒸着室内真空度をP
1（Torr）とした時、P1／P0≦0.1の条件を満たさせるも
のである。
なお、上記においてP1がP0より小さくなるのは磁性材
料の蒸気がガス流又はイオン流と反応して真空槽内の分
子密度を小さくするためである。
料の蒸気がガス流又はイオン流と反応して真空槽内の分
子密度を小さくするためである。
次に実施例をもつて本発明を更に具体的に説明する
が、本発明は、これらに限定されるものではない。
が、本発明は、これらに限定されるものではない。
実施例１ 第１図に示した巻取り式真空蒸着装置を用いて、7.0
μｍ厚のポリエチレンフタレートフイルム上に斜め蒸着
法により、Co−Ni（Ni＝20at％）の蒸着磁性薄膜を形成
し磁気テープ原反を作製した。フイルム幅は100mmであ
り、マスク13により規制される蒸気流の入射角は35°で
ある。ガス導入口14,15より酸素ガスを導入しつつ蒸着
をおこなつた。
μｍ厚のポリエチレンフタレートフイルム上に斜め蒸着
法により、Co−Ni（Ni＝20at％）の蒸着磁性薄膜を形成
し磁気テープ原反を作製した。フイルム幅は100mmであ
り、マスク13により規制される蒸気流の入射角は35°で
ある。ガス導入口14,15より酸素ガスを導入しつつ蒸着
をおこなつた。
フイルムの搬送速度は、2m/分〜25m/分の範囲で変化
させかつ磁性薄膜の膜厚は2000Å一定となるようにし
た。このとき平均としての成膜速度は以下のようにな
る。
させかつ磁性薄膜の膜厚は2000Å一定となるようにし
た。このとき平均としての成膜速度は以下のようにな
る。
2m/分 80Å/sec 5m/分 200Å/sec 25m/分 1000Å/sec ガス導入口14は、最低入射角すなわち35°のところに
あり、ガス導入口15は、入射角80°のところに設置し
た。
あり、ガス導入口15は、入射角80°のところに設置し
た。
この条件下でまず、蒸着室内真空度が１×10-5Torr以
下となるまで真空引きした。しかるのちに、蒸着室内真
空度が１×10-4Torrとなるまでガス導入口14より酸素ガ
スを導入した。更に、ガス導入口15より第１表にしめす
真空度まで追加の酸素ガスを導入して、所定の真空度に
なるようにした。この真空度がP0（Torr）である。この
P0の真空度になるように一定の酸素ガスを導入しなが
ら、次に磁性材料11を電子ビームにより加熱溶解し、反
応性蒸着により磁性薄膜をベースフイルム６上に第１表
に示すような一定の成膜速度で成膜した。この成膜中の
真空度は第１表に示すような一定の値P1（Torr）を示し
た。
下となるまで真空引きした。しかるのちに、蒸着室内真
空度が１×10-4Torrとなるまでガス導入口14より酸素ガ
スを導入した。更に、ガス導入口15より第１表にしめす
真空度まで追加の酸素ガスを導入して、所定の真空度に
なるようにした。この真空度がP0（Torr）である。この
P0の真空度になるように一定の酸素ガスを導入しなが
ら、次に磁性材料11を電子ビームにより加熱溶解し、反
応性蒸着により磁性薄膜をベースフイルム６上に第１表
に示すような一定の成膜速度で成膜した。この成膜中の
真空度は第１表に示すような一定の値P1（Torr）を示し
た。
このようにして得られた磁気テープ原反の中央部分を
サンプリングし、磁気特性ならびに耐候特性を測定し
た。磁気特性は、VSMにより値を得た。耐候特性は、こ
のサンプルを60℃、90％RH雰囲気下に14日間放置した前
後での磁束変化率により評価した。
サンプリングし、磁気特性ならびに耐候特性を測定し
た。磁気特性は、VSMにより値を得た。耐候特性は、こ
のサンプルを60℃、90％RH雰囲気下に14日間放置した前
後での磁束変化率により評価した。
この結果を第１表に示した。実用特性上Hcは850Oe以
上、減磁率（磁束変化率）は５％程度以下が必要であ
る。
上、減磁率（磁束変化率）は５％程度以下が必要であ
る。
第１表においてP0が1.0×10-4Torrや7.0×10-4Torr程
度の酸素ガス導入量では反応量が少ないためP1／P0を0.
1以下にすることはできず、又P0が4.0×10-3Torrのよう
に多くの酸素ガスを導入しても成膜速度80Å/sec（サン
プルNo.3）では反応すべき蒸気に比べ過剰の酸素ガスが
存在することになり、同様にP1／P0を0.1以下にするこ
とはできない。
度の酸素ガス導入量では反応量が少ないためP1／P0を0.
1以下にすることはできず、又P0が4.0×10-3Torrのよう
に多くの酸素ガスを導入しても成膜速度80Å/sec（サン
プルNo.3）では反応すべき蒸気に比べ過剰の酸素ガスが
存在することになり、同様にP1／P0を0.1以下にするこ
とはできない。
実施例２ 第２図に示した装置によつて、窒化鉄磁性膜よりなる
磁気記録媒体を製造した。製造条件は、以下のとうりで
ある。
磁気記録媒体を製造した。製造条件は、以下のとうりで
ある。
基 体 13μｍ厚ポリエチレンテレフタレート 入 射 角 75° 蒸着材料 純度99.9％Fe 電子ビームにより加熱蒸発させる 蒸発速度 水晶発振式膜厚モニターにより測定 する イオン銃 工業用窒素ガス導入 イオンエネルギー 1.0KeV 口径（矩形） 60mm×200mm イオン電流値〜500mA 但し、ガス導入量で二 割程度の増減はある。
製造の手順は、以下のとうりである。
成膜速度は実施例１と同様にして決定した。
80Å/sec.,200Å/sec.,500Å/sec.イオン銃117に窒素
ガスを導入し所定の真空度となるようにした。この状態
でイオン銃を作動せしめ窒素イオン流をさしむけた。こ
の真空度が、P0（Torr）である。このP0の真空度になる
ように一定の窒素ガスを導入しながら、次に磁性材料を
電子ビームにより加熱溶解し、反応性蒸着により磁性薄
膜をベースフイルム上に第２表に示すような一定の成膜
速度で成膜した。この成膜中の真空度は第２表に示すよ
うな一定の値P1（Torr）を示した。
ガスを導入し所定の真空度となるようにした。この状態
でイオン銃を作動せしめ窒素イオン流をさしむけた。こ
の真空度が、P0（Torr）である。このP0の真空度になる
ように一定の窒素ガスを導入しながら、次に磁性材料を
電子ビームにより加熱溶解し、反応性蒸着により磁性薄
膜をベースフイルム上に第２表に示すような一定の成膜
速度で成膜した。この成膜中の真空度は第２表に示すよ
うな一定の値P1（Torr）を示した。
このようにして得られた磁気テープ原反の中央部分を
サンプリングし、磁気特性ならびに耐候特性を測定し
た。磁気特性は、VSMにより値を得た。また、耐候特性
は、サンプルに５％NaCl水溶液のゾルを５分間ふきつけ
たのち、このサンプルを60℃90％Rh雰囲気下に３日間放
置し、錆の発生状況を観察して、点数をつけた。４点か
ら５点が実用上合格レベルである。
サンプリングし、磁気特性ならびに耐候特性を測定し
た。磁気特性は、VSMにより値を得た。また、耐候特性
は、サンプルに５％NaCl水溶液のゾルを５分間ふきつけ
たのち、このサンプルを60℃90％Rh雰囲気下に３日間放
置し、錆の発生状況を観察して、点数をつけた。４点か
ら５点が実用上合格レベルである。
５ 錆の発生なし ４ 錆の発生が顕微鏡でわかる ３ 錆の発生が目視でわかる ２ 錆の発生が著しい １ 磁性層溶解 〔発明の効果〕 本発明によれば、200Å/sec.以上の高い成膜速度にお
いて、耐食性及び磁気特性に優れた磁気記録媒体を得ら
れるものであり、実用性に優れかつ高密度記録に適した
磁気記録媒体の、生産性に優れた製造方法である。
いて、耐食性及び磁気特性に優れた磁気記録媒体を得ら
れるものであり、実用性に優れかつ高密度記録に適した
磁気記録媒体の、生産性に優れた製造方法である。
第１図はガス流を導入する、本発明の製造方法を実施す
るための装置を示し、また第２図はイオン流を導入す
る、本発明の製造方法を実施するための装置を示す。 1,101……真空槽、3,103……蒸着室 6,106……非磁性基体、9,109……冷却ドラム 11,111……蒸着材料、13,113……マスク 14,15……ガス導入口、117……イオン銃
るための装置を示し、また第２図はイオン流を導入す
る、本発明の製造方法を実施するための装置を示す。 1,101……真空槽、3,103……蒸着室 6,106……非磁性基体、9,109……冷却ドラム 11,111……蒸着材料、13,113……マスク 14,15……ガス導入口、117……イオン銃
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性基体上に蒸発源から蒸発せしめられ
た磁性材料蒸気流とガス流又はイオン流とを差し向け、
反応せしめて薄膜磁性層を形成する薄膜型磁気記録媒体
の製造方法において、蒸着室内を一定の真空度まで減圧
し、その状態でガス流又はイオン流のみを差し向けた時
の蒸着室内真空度をP0（Torr）とし、その後そのままガ
ス流又はイオン流を差し向けながら、磁性材料蒸気流を
差し向けた時の蒸着室内真空度をP1（Torr）とした時、
P1とP0が下記関係式を満足し、 P1／P0≦0.1 かつ薄膜磁性層の成膜速度が平均として200Å/sec以上
であることを特徴とする薄膜型磁性記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63032800A JPH083902B2 (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 薄膜型磁気記録媒体の製造方法 |
| US07/305,050 US4948626A (en) | 1988-02-17 | 1989-02-02 | Method for producing thin-film magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
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