JPS5842142A - ピアス形電子銃 - Google Patents
ピアス形電子銃Info
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- JPS5842142A JPS5842142A JP56141173A JP14117381A JPS5842142A JP S5842142 A JPS5842142 A JP S5842142A JP 56141173 A JP56141173 A JP 56141173A JP 14117381 A JP14117381 A JP 14117381A JP S5842142 A JPS5842142 A JP S5842142A
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- JP
- Japan
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- cathode
- electron gun
- wenelt
- tube
- impregnated
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/06—Electron or ion guns
- H01J23/065—Electron or ion guns producing a solid cylindrical beam
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子ビーム管に関し、特に含浸型陰極を用い
たピアス形電子銃の改良に関する。
たピアス形電子銃の改良に関する。
従来、電子ビーム背に紘多くの種類があるが、その中の
一つに電子銃と遅波回路とコレクタを有する電子ビーム
管がある。
一つに電子銃と遅波回路とコレクタを有する電子ビーム
管がある。
この種の電子ビーム管に属するものには進行波管やフラ
イスト田ンなどがある。
イスト田ンなどがある。
第１ＷＪ紘、含浸型陰極を用いた従来のピアス形電子銃
の一例の断面図である・ポーラスタングステン基体にバ
リウム・カルシウム・アルミニウムの酸化物を含浸させ
た１１ｍ４１’ｌは、モリブデン製の支持円筒２にろう
付または溶接によって取り付けられ、その中にヒータ３
がアル識す焼結体４の中に埋め込まれて、陰極筒が形成
されている。ヒータ３によって陰極ｌは約１０５０℃に
加熱され熱電子が放射される。前記陰極筒はタンタル、
コバーなどの金属性支持体５．６を介してウェネルト電
極７に支持されている。尚金属性支持体５は、ヒータ電
力を低減するために、例えばトライボッドタイプ（３本
品構造）等が使われる。陰極ｌと同電位のウェネルト電
極７の集束作用によって電子ビーム８となって陽極９０
大を通して遅波回路（ｗ！ｉ示せず）に導びき入れられ
る。尚前記ウェネルト電極７は電子ビーム８の最外殻と
６７．５度（ピアス角と称す）に形成される。このよう
な構成の電子銃を研宛者にちなんでピアス形電子銃と呼
んでいる・このような゛ピアス形電子銃において陰極１
とつ８ネハ電極７の電極−隔及び陰極１と陽極９の電極
間隔、即ちパービアンスを設計値に一致させる事は電子
ビーム集束上大切なことである。特に間隔のせまい陰極
とウェネルト間の寸法精度を出すことが重要となる。
の一例の断面図である・ポーラスタングステン基体にバ
リウム・カルシウム・アルミニウムの酸化物を含浸させ
た１１ｍ４１’ｌは、モリブデン製の支持円筒２にろう
付または溶接によって取り付けられ、その中にヒータ３
がアル識す焼結体４の中に埋め込まれて、陰極筒が形成
されている。ヒータ３によって陰極ｌは約１０５０℃に
加熱され熱電子が放射される。前記陰極筒はタンタル、
コバーなどの金属性支持体５．６を介してウェネルト電
極７に支持されている。尚金属性支持体５は、ヒータ電
力を低減するために、例えばトライボッドタイプ（３本
品構造）等が使われる。陰極ｌと同電位のウェネルト電
極７の集束作用によって電子ビーム８となって陽極９０
大を通して遅波回路（ｗ！ｉ示せず）に導びき入れられ
る。尚前記ウェネルト電極７は電子ビーム８の最外殻と
６７．５度（ピアス角と称す）に形成される。このよう
な構成の電子銃を研宛者にちなんでピアス形電子銃と呼
んでいる・このような゛ピアス形電子銃において陰極１
とつ８ネハ電極７の電極−隔及び陰極１と陽極９の電極
間隔、即ちパービアンスを設計値に一致させる事は電子
ビーム集束上大切なことである。特に間隔のせまい陰極
とウェネルト間の寸法精度を出すことが重要となる。
しかしながら従来の含浸型陰極を用いたピアス形電子銃
では陰１ｉ１の動作温度が約１０５０℃と高く、陰極筒
全体が高温になるの一対し、ウェネルト電極７社陰極筒
からの輻射熱及び伝導熱の影響を受けても部分的に約４
００℃程度迄しか上がらず、陰極筒とウェネルト電極間
＆１大きな温度差を生じていた。このことは陰極筒を形
成するポーラスタングステン、モリブデン略が持つ物質
固有の熱膨張率及び一般的にモネルあるい紘錆から形成
されたウェネルト電極の熱膨張率の違いから、両電極は
動作時複雑な寸法変化を生じ、パービアンスを設計値に
合わせることは、かなりむずかしいことであった。特に
、第２図に拡大して示す様に陰極１とウェネルト電極７
０間隔ｄが変化した場合（人は陰極が出過ぎた場合、Ｂ
は陰極が下がりすぎた場合１点線が設計位置）、陰極１
の端部から放射された電子線電子ビーム８の最外殻を形
成している関係から、陽極９あるいは遅波回路（図示せ
ず）へ衝突しやすく、ウェネルト電極の集束作用を効果
的にすることができず良好な電子ビーム集束特性が得ら
れないという欠点があった。
では陰１ｉ１の動作温度が約１０５０℃と高く、陰極筒
全体が高温になるの一対し、ウェネルト電極７社陰極筒
からの輻射熱及び伝導熱の影響を受けても部分的に約４
００℃程度迄しか上がらず、陰極筒とウェネルト電極間
＆１大きな温度差を生じていた。このことは陰極筒を形
成するポーラスタングステン、モリブデン略が持つ物質
固有の熱膨張率及び一般的にモネルあるい紘錆から形成
されたウェネルト電極の熱膨張率の違いから、両電極は
動作時複雑な寸法変化を生じ、パービアンスを設計値に
合わせることは、かなりむずかしいことであった。特に
、第２図に拡大して示す様に陰極１とウェネルト電極７
０間隔ｄが変化した場合（人は陰極が出過ぎた場合、Ｂ
は陰極が下がりすぎた場合１点線が設計位置）、陰極１
の端部から放射された電子線電子ビーム８の最外殻を形
成している関係から、陽極９あるいは遅波回路（図示せ
ず）へ衝突しやすく、ウェネルト電極の集束作用を効果
的にすることができず良好な電子ビーム集束特性が得ら
れないという欠点があった。
又同一仕様の電子管においてビーム集束特性に大きなバ
ラツキを有する問題があった。
ラツキを有する問題があった。
したがって、この発明の目的はピアス形電子銃を形成す
る陰極筒とウェネルト電極間の熱膨張差を小さくシ、動
作時のパービアンス変化を抑え良好な電子ビーム集束特
性が得られる含浸Ｗ陰極を用いたピアス形電子銃を提供
することにある。
る陰極筒とウェネルト電極間の熱膨張差を小さくシ、動
作時のパービアンス変化を抑え良好な電子ビーム集束特
性が得られる含浸Ｗ陰極を用いたピアス形電子銃を提供
することにある。
この発明による電子銃は、ポーラスタングステン基体に
バリウム・カルシウム−アルｔニウＡＯ酸化物を含浸さ
せた陰極基体を直接支持するモリブデン製支持円筒Ｋ、
前記ウェネルト電極と同一効果を有する形状を施したこ
とを特徴としている。
バリウム・カルシウム−アルｔニウＡＯ酸化物を含浸さ
せた陰極基体を直接支持するモリブデン製支持円筒Ｋ、
前記ウェネルト電極と同一効果を有する形状を施したこ
とを特徴としている。
次に実施例について説明する。
第３図は本発明によるピアス形電子銃の第一の実施例で
含浸型陰極１Ｇとモリブデン製のウェネルト付支持円筒
２０とヒー＃３０から成る陰極筒及びこの陰極筒を支持
する金属製支持体ｇｏ、 ｇｏ。
含浸型陰極１Ｇとモリブデン製のウェネルト付支持円筒
２０とヒー＃３０から成る陰極筒及びこの陰極筒を支持
する金属製支持体ｇｏ、 ｇｏ。
１００を示している。含浸型陰極１０は、ｉ孔率約２０
襲のポーラスタングステン基体に、バリウムΦカルシウ
ムｅアルセエウムの醸化−ヲ４ ： １：１のモル比に
調合したものを溶融・含浸させて作られたもので従来の
鶴法と何ら慶りはない。
襲のポーラスタングステン基体に、バリウムΦカルシウ
ムｅアルセエウムの醸化−ヲ４ ： １：１のモル比に
調合したものを溶融・含浸させて作られたもので従来の
鶴法と何ら慶りはない。
次に本発明であるモリブデン製のウェネルト付支持円筒
２０が機械加工により切削される。この支持円筒２０の
一部社ウエネルト電極とする為に電子ビーム８００最外
殻と６７．５度の角度となる様形成されている。続いて
含浸型陰極１０がウェネルト付支持円筒２０＾に挿入さ
れ、ろう付あるいは溶接にて取付けられる。次に“こめ
陰極筒を金Ｍｌ［＊＃体５０．６０！−介、ア支持体、
。０に接合させる。ヒータ３０により陰極１０は約１０
５０℃に加熱され、熱電子が放射される。これで本発明
のピアス形電子銃の主要部が出来上がる。
２０が機械加工により切削される。この支持円筒２０の
一部社ウエネルト電極とする為に電子ビーム８００最外
殻と６７．５度の角度となる様形成されている。続いて
含浸型陰極１０がウェネルト付支持円筒２０＾に挿入さ
れ、ろう付あるいは溶接にて取付けられる。次に“こめ
陰極筒を金Ｍｌ［＊＃体５０．６０！−介、ア支持体、
。０に接合させる。ヒータ３０により陰極１０は約１０
５０℃に加熱され、熱電子が放射される。これで本発明
のピアス形電子銃の主要部が出来上がる。
このようにしてつくられた本発明の電子銃部は陰極と党
エネルト電極部がほぼ一体に形成され、かつほぼ同じ温
度に加熱されるため両極の熱膨張差の影響が小さく、陰
極１０とウェネルト間隔はたえず同一寸法が維持される
。即ちパービアンスを設計値に合わせることが出来、陰
極端部から放射した電子に対しても十分な作用を及ぼす
ことができ電子ビーム集束上の問題を惹起しない。
エネルト電極部がほぼ一体に形成され、かつほぼ同じ温
度に加熱されるため両極の熱膨張差の影響が小さく、陰
極１０とウェネルト間隔はたえず同一寸法が維持される
。即ちパービアンスを設計値に合わせることが出来、陰
極端部から放射した電子に対しても十分な作用を及ぼす
ことができ電子ビーム集束上の問題を惹起しない。
第４ｗｉに本発明の第２の実施例を示す。
第３ｍの実施例では含浸Ｍ陰極１０とウェネルト付支持
円筒２０の間（横方向）にはギャップを設けていたが、
第３［の実施例ではギャップを設けていない。陰極１０
の直径が小さく、ウェネルト付支持円筒２０の熱容量が
問題とならない程度の小型含浸ｆｆｌ陰極構体に適して
いる。他の特徴は第１の実施例と同一である。
円筒２０の間（横方向）にはギャップを設けていたが、
第３［の実施例ではギャップを設けていない。陰極１０
の直径が小さく、ウェネルト付支持円筒２０の熱容量が
問題とならない程度の小型含浸ｆｆｌ陰極構体に適して
いる。他の特徴は第１の実施例と同一である。
以上本発明による含浸１１陰極を用いたピアス形電子銃
を用いれば、パービアンスを設計値に合わせることがで
き、同一仕様で製作する電子管のビ−ム集束特性のばら
つきが小さくなり、ひいては高周波特性の良好なマイク
四波電子管を得ることができる。
を用いれば、パービアンスを設計値に合わせることがで
き、同一仕様で製作する電子管のビ−ム集束特性のばら
つきが小さくなり、ひいては高周波特性の良好なマイク
四波電子管を得ることができる。
第１ＩＩと第２図は含浸型陰極を用いた従来のピアス彫
電子銃の断面図及び一部拡大図である。第３図は本発明
の第−実施例におけるピアス形電子銃の断面図、第４Ｗ
Ｊは本発明の第二の実施例における陰極筒の断面図であ
る。 １．１０・・・含浸型陰極、２：・・モリブデン製支持
円筒、２０・・・ウェネルト電極付支持円筒、３゜３０
・・・ヒータ、４・・・アルミナ焼結体、５．５０・・
・トライボッド源金属性支持体、６．６０・・・金属性
支持体、７・・・従来のウェネルト電極、８．８０・・
・電子ビーム、９・・・陽極％１００・・・金属性支持
体。 第 １ 図 第３図 第２図 第４図
電子銃の断面図及び一部拡大図である。第３図は本発明
の第−実施例におけるピアス形電子銃の断面図、第４Ｗ
Ｊは本発明の第二の実施例における陰極筒の断面図であ
る。 １．１０・・・含浸型陰極、２：・・モリブデン製支持
円筒、２０・・・ウェネルト電極付支持円筒、３゜３０
・・・ヒータ、４・・・アルミナ焼結体、５．５０・・
・トライボッド源金属性支持体、６．６０・・・金属性
支持体、７・・・従来のウェネルト電極、８．８０・・
・電子ビーム、９・・・陽極％１００・・・金属性支持
体。 第 １ 図 第３図 第２図 第４図
Claims (1)
- バリウム・カルシウム−アルミニウムの酸化物を含浸さ
せたポーラスタングステン基体と、この基体を直接支持
するモリブデン等の耐熱性金属円筒から成る陰極構体に
於いて、前記耐熱性金胸円ｆｉＩＫ電子ビーム集東作用
を有するウェネルト電極と同一効果を有する形状を施し
たことを特徴とするピアス瘤電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141173A JPS5842142A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | ピアス形電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141173A JPS5842142A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | ピアス形電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842142A true JPS5842142A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15285833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141173A Pending JPS5842142A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | ピアス形電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511290U (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | 関西日本電気株式会社 | 含浸型カソード構体 |
| US6774552B2 (en) | 2002-05-27 | 2004-08-10 | Nec Microwave Tube, Ltd. | Electron gun |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP56141173A patent/JPS5842142A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511290U (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | 関西日本電気株式会社 | 含浸型カソード構体 |
| US6774552B2 (en) | 2002-05-27 | 2004-08-10 | Nec Microwave Tube, Ltd. | Electron gun |
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