JPS5843182B2 - 二部材の半田付け方法 - Google Patents
二部材の半田付け方法Info
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- JPS5843182B2 JPS5843182B2 JP54010775A JP1077579A JPS5843182B2 JP S5843182 B2 JPS5843182 B2 JP S5843182B2 JP 54010775 A JP54010775 A JP 54010775A JP 1077579 A JP1077579 A JP 1077579A JP S5843182 B2 JPS5843182 B2 JP S5843182B2
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- JP
- Japan
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- solder
- insulating oil
- layer
- pellet
- molten solder
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は母材と被取付体とを半田付は方法、特に放熱
板を兼ねる母材としての基板上に、被取付体としての半
導体ペレットを半田付けする半導体装置の製造方法に好
適な半田付は方法に関するもので、そのペレットマウン
ト工程において、半田層の酸化防止を図ることを主な目
的とするものである。
板を兼ねる母材としての基板上に、被取付体としての半
導体ペレットを半田付けする半導体装置の製造方法に好
適な半田付は方法に関するもので、そのペレットマウン
ト工程において、半田層の酸化防止を図ることを主な目
的とするものである。
現在例えばトランジスタ等の半導体装置を製造するため
には、ペレットマウント工程を経ている。
には、ペレットマウント工程を経ている。
このペレットマウント工程は、一般に放熱板を兼ねる基
板上にペレットを半田付けして固着する工程であって、
次のような作業を行っている場合が多い。
板上にペレットを半田付けして固着する工程であって、
次のような作業を行っている場合が多い。
すなわち、1ず第1図に示すように、基板1の半田付は
予定位置a上に半田片2を載置しておき、つぎに、これ
らを加熱炉中へ導き半田片2を溶融させるとともに、溶
融した半田2′上に、なじみ易くするために微摺動させ
ながらペレット3を供給して半田付けを行っている。
予定位置a上に半田片2を載置しておき、つぎに、これ
らを加熱炉中へ導き半田片2を溶融させるとともに、溶
融した半田2′上に、なじみ易くするために微摺動させ
ながらペレット3を供給して半田付けを行っている。
ところでこのペレットマウントに関しては、固着して製
造完了した半導体装置の寿命を劣化させないために、半
田の熱酸化防止を図る必要がある。
造完了した半導体装置の寿命を劣化させないために、半
田の熱酸化防止を図る必要がある。
したがって従来より第2図に示すように、加熱炉4は、
基板1及び半田片2を低温(約250℃以下)のプリヒ
ータ5で予熱してから、高温250℃〜350℃のヒー
タ6で半田片2を溶融して、半田2′としている。
基板1及び半田片2を低温(約250℃以下)のプリヒ
ータ5で予熱してから、高温250℃〜350℃のヒー
タ6で半田片2を溶融して、半田2′としている。
この時に周囲をカバー7にて覆って、カバー7内に不活
性ガスとしてのN2ガスを充満させて半田2の熱酸化防
止を行っている。
性ガスとしてのN2ガスを充満させて半田2の熱酸化防
止を行っている。
しかしカバー7内にN2ガスを常に完全に充満させる技
術は、現実には極めて困難であった。
術は、現実には極めて困難であった。
しかもペレットマウント工程を自動化しようとする場合
には、外気と遮断する機構を採用せねばならず、半田の
熱酸化防止がより一層困難となる欠点があった。
には、外気と遮断する機構を採用せねばならず、半田の
熱酸化防止がより一層困難となる欠点があった。
この発明は、上記欠点を解消する目的で提案するtので
、予め母材としての基板の固着面へ不活性かつ動粘性が
10〜10000 Ocst の絶縁油を塗布する工
程と、加熱された母材の固着面に半田を供給し溶融させ
る工程と、溶融半田上に被取付体を供給し半田付けする
工程とを含む半田付は方法を提供するものである。
、予め母材としての基板の固着面へ不活性かつ動粘性が
10〜10000 Ocst の絶縁油を塗布する工
程と、加熱された母材の固着面に半田を供給し溶融させ
る工程と、溶融半田上に被取付体を供給し半田付けする
工程とを含む半田付は方法を提供するものである。
以下この発明の具体的一実施例を、図面を参照しつつ説
明する。
明する。
第3図は、この発明の実施により得られた半導体装置の
ペレットマウント工程完了時のペレットマウント構体を
示し、8は放熱板兼用のステム基板、9はpb系半田層
、10は半田層9の表面からペレット11の上面にかけ
て絶縁被覆した不活性かつ動粘度が10〜I 0000
0 cstの絶縁油被覆層である。
ペレットマウント工程完了時のペレットマウント構体を
示し、8は放熱板兼用のステム基板、9はpb系半田層
、10は半田層9の表面からペレット11の上面にかけ
て絶縁被覆した不活性かつ動粘度が10〜I 0000
0 cstの絶縁油被覆層である。
この絶縁油被覆層10の具体的な材料としては、次の第
1表に示すような緒特性を有し分子式構造が、(CH3
)3SiO−Xn−8iCCHa)3(但しXは(CH
3)2 S iOでn=1 、2 、3 、・−・・・
・)で示される鎖状ジメチルポリシロキサン(例えば信
越シリコーン社製造の商品名信越シリコーンオイル・K
F96)と呼称するものがある。
1表に示すような緒特性を有し分子式構造が、(CH3
)3SiO−Xn−8iCCHa)3(但しXは(CH
3)2 S iOでn=1 、2 、3 、・−・・・
・)で示される鎖状ジメチルポリシロキサン(例えば信
越シリコーン社製造の商品名信越シリコーンオイル・K
F96)と呼称するものがある。
次に上記のペレットマウント構体の製造方法について説
明する。
明する。
1ず最初に、第4図に示すようにステム基板8をヒータ
12上に導き、250〜350°C(高温状態)に加熱
する。
12上に導き、250〜350°C(高温状態)に加熱
する。
つぎに絶縁油10′を所望量だけ、ステム基板8の半田
付固着面すに薄く塗布する。
付固着面すに薄く塗布する。
そして、第5図に示すように所定量の半田片9′を絶縁
油10′上へ載置する。
油10′上へ載置する。
この際に半田片9′の比重は約11.3程度であるのに
対して、絶縁油10′の比重は第1表の如く0.760
〜0.980であり、しかも表面張力が小さいので、第
6図に示すとおりに、溶融半田9″の表面を絶縁油層1
0″が覆うことになる。
対して、絶縁油10′の比重は第1表の如く0.760
〜0.980であり、しかも表面張力が小さいので、第
6図に示すとおりに、溶融半田9″の表面を絶縁油層1
0″が覆うことになる。
そして第7図のように超音波振動ホーン13を、絶縁油
層10″および貯融半田9″1で接触させて、表面部を
押しのける。
層10″および貯融半田9″1で接触させて、表面部を
押しのける。
さらに第8図のように、コレット14に吸着しておいた
ペレット11を、溶融半田9″上に載置する。
ペレット11を、溶融半田9″上に載置する。
この場合に、ペレット11の上面の方1で絶縁油層10
″が被さる。
″が被さる。
そしてこの時、絶縁油層10″は、溶融半田rの熱ニヨ
って(ヒータ12の温度にほぼ等しい)、加熱されるの
で、結果的に、先述の第3図に示された如く、半田層9
が形成されるとともに、半田層9表面からペレット11
の表面に亘って、絶縁油被覆層10が焼付は形成される
。
って(ヒータ12の温度にほぼ等しい)、加熱されるの
で、結果的に、先述の第3図に示された如く、半田層9
が形成されるとともに、半田層9表面からペレット11
の表面に亘って、絶縁油被覆層10が焼付は形成される
。
尚この半導体装置の、その他の工程は、従来より公知の
作業方法手段により行うので、説明を癌略する。
作業方法手段により行うので、説明を癌略する。
上記半田付は方法においては、ペレットマウント時に加
熱溶融半田9″の表面は、絶縁油層10′が被さってい
るので熱酸化は防止され、その後ペレットマウント構体
化しても、半田層9表面からペレット11の表面に亘っ
て絶縁油被層10が覆っているので、外気により半田層
9が酸化されて脆くなることが防止される。
熱溶融半田9″の表面は、絶縁油層10′が被さってい
るので熱酸化は防止され、その後ペレットマウント構体
化しても、半田層9表面からペレット11の表面に亘っ
て絶縁油被層10が覆っているので、外気により半田層
9が酸化されて脆くなることが防止される。
また絶縁油10’は、表面張力が小さいので、加熱溶融
半田9″中に取り残されることがない上に、消泡性が強
く、ペレット載置作業中に、外気を巻き込んだり、半田
片9′中に含捷れていた吸蔵ガスが、発生しても直ちに
外部へ排出されてし1う。
半田9″中に取り残されることがない上に、消泡性が強
く、ペレット載置作業中に、外気を巻き込んだり、半田
片9′中に含捷れていた吸蔵ガスが、発生しても直ちに
外部へ排出されてし1う。
この発明によれば、次に述べる長所が期待できる。
■ 半田層は、被取付体を母材に固着作業中においては
熱酸化が、防止され、固着後においては、外気と遮断さ
れるので、外気による酸化が防止される。
熱酸化が、防止され、固着後においては、外気と遮断さ
れるので、外気による酸化が防止される。
■ 半田層中に気泡やガス泡が残ることがないので、半
田層が経時的に劣化することがなくなり、半導体装置に
釦いては著しく寿命劣化が阻止される。
田層が経時的に劣化することがなくなり、半導体装置に
釦いては著しく寿命劣化が阻止される。
■ 渣た特に半導体装置においては、半田層が、絶縁油
被覆層にて保護されるので、外部よりの湿気侵入が起っ
ても、耐湿性が向上する。
被覆層にて保護されるので、外部よりの湿気侵入が起っ
ても、耐湿性が向上する。
■ さらに特に半導体装置においては、ペレット表面が
保護されることにもなるので、製造工程中でのPn接合
表面汚損が起らず、よって増幅作用をするトランジスタ
等のhFE特性も向上する。
保護されることにもなるので、製造工程中でのPn接合
表面汚損が起らず、よって増幅作用をするトランジスタ
等のhFE特性も向上する。
第1図は従来の半田付構体のマウント工程を示す半田載
置基板の断面図、第2図は従来の加熱炉の略断面図、第
3図はこの発明を実施した半田付構体の断面図、第4図
乃至第8図は本発明による製造方法を説明するための各
作業工程での半田載置、絶縁油塗布基板の断面図である
。 8・・・・・・基板(母材)、9・・・・・・半田層、
10・・・・・・絶縁油被覆層、10′−・・・・・絶
縁油、ト(被取付体)、b・・・・・・固着面。 11・・・・・・ペレツ
置基板の断面図、第2図は従来の加熱炉の略断面図、第
3図はこの発明を実施した半田付構体の断面図、第4図
乃至第8図は本発明による製造方法を説明するための各
作業工程での半田載置、絶縁油塗布基板の断面図である
。 8・・・・・・基板(母材)、9・・・・・・半田層、
10・・・・・・絶縁油被覆層、10′−・・・・・絶
縁油、ト(被取付体)、b・・・・・・固着面。 11・・・・・・ペレツ
Claims (1)
- 1 母材に被取付体を半田付けして固着するのに際して
、予め母材の固着面へ不活性かつ動粘度が10〜100
000cstの絶縁油を塗布する工程と、加熱された母
材の固着面に半田を供給し溶融させる工程と、溶融半田
上に被取付体を供給し半田付けする工程とを含むことを
特徴とする二部材の半田付は方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54010775A JPS5843182B2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 二部材の半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54010775A JPS5843182B2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 二部材の半田付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55103273A JPS55103273A (en) | 1980-08-07 |
| JPS5843182B2 true JPS5843182B2 (ja) | 1983-09-26 |
Family
ID=11759696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54010775A Expired JPS5843182B2 (ja) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | 二部材の半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843182B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6471306B2 (ja) * | 2016-08-16 | 2019-02-20 | 株式会社弘輝 | はんだ組成物 |
-
1979
- 1979-01-31 JP JP54010775A patent/JPS5843182B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55103273A (en) | 1980-08-07 |
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